M8050贴片三极管规格书
8050三级的基本管参数
8050三级的基本管参数（原创实用版）目录一、8050 三级的基本概念二、8050 三级的基本管参数概述三、8050 三级的基本管参数详解四、8050 三级的基本管参数应用实例五、总结正文一、8050 三级的基本概念8050 是指一种特定的电子元器件，即三极管。
这种三极管具有三个控制电极，分别是发射极、基极和集电极，广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路。
根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。
8050 则是 NPN 型三极管的一种。
二、8050 三级的基本管参数概述8050 三级的基本管参数包括静态工作点、电流放大系数、输出特性等。
这些参数决定了三极管的工作性能和应用范围。
三、8050 三级的基本管参数详解1.静态工作点：静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态，通常包括发射极电压、基极电压和集电极电压。
在静态工作点附近，三极管的电流放大系数最大，因此它处于最佳工作状态。
2.电流放大系数：电流放大系数是指三极管的集电极电流与基极电流之比。
对于 8050 三极管，其电流放大系数约为 100。
3.输出特性：输出特性是指三极管的集电极电流与集电极电压之间的关系。
当三极管工作在截止区或饱和区时，输出特性呈非线性。
而在线性区，输出特性接近于线性。
四、8050 三级的基本管参数应用实例以 NPN 型 8050 三极管为例，假设发射极电压为 0.7V，基极电压为 0.7V，集电极电压为 3V。
此时，三极管工作在静态工作点附近，电流放大系数约为 100。
当基极电流为 1mA 时，集电极电流为 100mA。
若集电极负载电阻为 1kΩ，则可以得到集电极电压为 3V，与输入信号一致。
五、总结8050 三级作为常用的三极管之一，其基本管参数对电路性能具有重要影响。
PXT8050贴片三极管 SOT-89三极管封装PXT8050参数
T =25℃ a
10
100
COLLECTOR CURREMT I (mA) C
I ——
C
V BE
β=10
1000 1500
100
=25℃
=100℃
T a
T a
10
1 0
1000
COMMON EMITTER V = 1V
CE
300
600
900
1200
BESE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
Symbol
A b b1 c D D1 E E1 e e1 L
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.
1.400
1.600
0.320
0.520
0.400
0.580
0.350
0.440
4.400
4.600
1.550 REF.
2.300
2.600
3.940
Seal the box with the tape
QA Label
Label on the Inner Box Inner Box: 210 mm× 208 mm×２０３ mm
Label on the Outer Box Outer Box: 440 mm× 440 mm× 230 mm
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=100uA, IE=0
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO IC=0.1mA, IB=0
Emitter-base breakdown voltage
8050三极管参数
8050三极管参数类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集存器电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集存器发射电(VCEO):25;频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W(贴片：0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 引脚排列多为EBCUTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
FOSAN富信电子 三极管 M8050-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M8050 SOT-23Bipolar Transistor双极型三极管▉Features特点NPN General Purpose通用▉Absolute Maximum Ratings最大额定值Characteristic特性参数Symbol符号Rat额定值Unit单位Collector-Base Voltage集电极基极电压V CBO40V Collector-Emitter Voltage集电极发射极电压V CEO25V Emitter-Base Voltage发射极基极电压V EBO5V Collector Current集电极电流I C800mA Power dissipation耗散功率P C(T a=25℃)300mW Thermal Resistance Junction-Ambient热阻RΘJA417℃/WJunction and Storage TemperatureT J,T stg-55to+150℃结温和储藏温度■Device Marking产品打标H FE(2)80-300(L)300-400(H)Marking Y11ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M8050■ElectricalCharacteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Type 典型值Max 最大值Unit 单位Collector-Base Breakdown V oltage集电极基极击穿电压(I C =100uA ，I E =0)BV CBO 40——V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极发射极击穿电压(I C =1mA ，I B =0)BV CEO 25——V Emitter-Base Breakdown V oltage发射极基极击穿电压(I E =100uA ，I C =0)BV EBO 5——V Collector-Base Leakage Current集电极基极漏电流(V CB =35V ，I E =0)I CBO ——100nA Collector-Emitter Punch Throng Current 集电极发射极穿透电流(V CE =20V ，V BE =0)I CES ——100nA Emitter-Base Leakage Current发射极基极漏电流(V EB =3V ，I C =0)I EBO ——100nADC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =5mA)H FE (1)45——DC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =100mA)H FE (2)80—400DC Current Gain直流电流增益(V CE =1V ，I C =800mA)H FE (3)40——Collector-Emitter Saturation Voltage 集电极发射极饱和压降(I C =800mA ，I B =80mA)V CE(sat)——0.5VBase-Emitter Saturation V oltage 基极发射极饱和压降(I C =800mA ，I B =80mA)V BE(sat)—— 1.2V Transition Frequency特征频率(V CE =5V ，I C =20mA)f T —150—MH Z Output Capacitance输出电容(V CB =10V ，I E =0,f=1MH Z )C ob—6—pFANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M8050■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.M8050■Dimension外形封装尺寸Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 0.900 1.1500.0350.045A10.0000.1000.0000.004A20.900 1.0500.0350.041b 0.3000.5000.0120.020c 0.0800.1500.0030.006D 2.800 3.0000.1100.118E 1.200 1.4000.0500.055E1 2.2502.5500.0890.100e 0.950TYP0.037TYPe1 1.8002.0000.0710.079L 0.550REF0.022REFL10.3000.5000.0120.020θ0o8o 0o8o。
8050三极管参数
8050三极管参数题目：8050三极管参数简述与应用导语：在电子电路领域，三极管是一种常见的电子元件，其广泛应用于放大、开关等电路中。
本文将深入探讨8050三极管的参数特性以及其在电路中的应用，帮助读者更好地理解和使用该元件。
一、8050三极管概述8050三极管是一款NPN型晶体管，具有较高的电流放大倍数和较低的饱和压降。
其结构由三个半导体区域组成：发射区、基区和集电区。
在晶体管的工作过程中，发射区与基区之间存在正向偏置，而基区与集电区之间则存在反向偏置。
二、8050三极管参数解读1. 最大集电电流（ICmax）：它表示三极管能够承受的最大集电电流。
超过该电流值，三极管可能会损坏，因此在使用时应该确保电流不超过该限制。
2. 最大集电-发射电压（VCEOmax）：它表示三极管在集电极与发射极之间能够承受的最大电压。
当超过这个电压时，三极管可能发生击穿，导致失效或损坏。
3. 最大功耗（Pmax）：它表示三极管能够承受的最大功率。
超过该功率值，三极管可能过热并损坏。
4. 直流电流放大倍数（hFE）：它表示输入电流与输出电流之间的倍数关系。
高hFE值意味着三极管具有较好的放大性能。
三、8050三极管的应用1. 放大电路：由于8050三极管具有较高的电流放大倍数，常用于放大电路中。
通过合理选择电阻和电容，可以构建各种放大电路，如B类放大电路和C类放大电路。
2. 开关电路：8050三极管还可作为开关元件使用。
在电路中，通过控制输入信号的变化，可以将三极管从导通状态切换到截止状态，或者反之。
这种开关能力使8050三极管在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
3. 振荡电路：利用三极管的正反馈特性，8050三极管还可以用于构建振荡电路。
该振荡电路可以在特定频率范围内产生稳定的信号输出。
结语：通过对8050三极管的参数和应用进行简要介绍，我们可以看到，它作为一款常见的晶体管元件，在电子电路中发挥着重要的作用。
了解三极管的参数特性并合理应用，能够帮助我们设计和调试电路，使电子设备工作更加稳定和高效。
8050M 8050 功放三极管
硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于功率放大电路。/Purpose: Power amplifier applications. 特点:与 8550M(3CA8550M)互补。/Features: Complementary pair with 8550M(3CA8550M).
0.5 1.2 1.0
100
V V V MHz pF
hFE(1)分档、印章/hFE(1) Classifications、Marking： hFE(1)分档 hFE(1) Classifications hFE(1)范围 hFE(1) Range 印章 Marking B 85～160 HY1B C 120～200 HY1C D 160～300 HY1D
IE=0 IB=0 IC=0 IE=0 IC=0 IC=100mA IC=800mA IC=5.0mA IB=80mA IB=80mA IC=10mA IC=50mA IE=0 f=1.0MHz
40 25 6.0 0.1 0.1 300
V V V μA μA
85 40 45 0.28 0.98 0.66 190 9.0
VCBO VCEO VEBO ICBO IEBO hFE(1) hFE(2) hFE(3) VCE(sat) VBE(sat) VBE fT Cob
IC=0.1mA IC=2.0mA IE=0.1mA VCB=35V VEB=6.0V VCE=1.0V VCE=1.0V VCE=1.0V IC=800mA IC=800mA VCE=1.0V VCE=10V VCB=10V
佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD.
SS8050三极管规格书：三极管SS8050参数与封装尺寸
Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
300
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
1000 1500
C /C ob ib
——
V /V CB EB
Cib
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25℃
Cob
3
1 0.1
350 300 250 200 150 100
50 0 0
0.3
1
3
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
140 120 100
80 60 40 20
0 0.0
1000
300 100
30 10
3 1
1
1500 1000
300 100
30 10
3 1 0.2
1000
300 100
30 10
3 1
1
Static Characteristic
VCE=10V Ta=25℃
100
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V)
8050三极管参数
8050三极管参数三极管，也被称为晶体管，是一种半导体器件，常常作为放大器和开关使用。
三极管是由三个控制电极组成的晶体管，包括基极、发射极和集电极。
基于三极管的内部结构和特性，可以通过控制输入信号的强度来控制输出信号的放大倍数或开关状态。
以下是三极管的一些常见参数和相关参考内容：1. 三极管的电流放大倍数（β）：β是指集电极电流（IC）与基极电流（IB）之间的比值。
它表示了输入电流和输出电流之间的放大倍数。
通常，三极管的β可以在数据手册或器件规格表中找到。
每个具体型号的三极管都有不同的β值，一般在20到1000之间。
2. 最大集电极电流（ICmax）：ICmax是指三极管能够最大承受的集电极电流。
如果IC超过了这个限制，三极管可能会受到损坏或烧毁。
ICmax可以在数据手册或规格表中找到，在设计电路时需要确保三极管的工作电流不超过该值。
3. 最大集电极-发射极电压（VCEOmax）：VCEOmax是指三极管能够最大承受的集电极-发射极电压。
如果VCEO超过了这个限制，三极管可能无法正常工作或损坏。
VCEOmax也可以在数据手册或规格表中找到，需要根据具体电路要求选择合适的三极管。
4. 最大功耗（Pmax）：Pmax是指三极管能够承受的最大功率。
如果三极管超过了这个功率限制，可能会受到损坏或烧毁。
在设计电路时，需要根据所需功率计算器件所需的最大功耗，并选择合适的三极管。
5. 输入电容（Cib）和输出电容（Cob）：Cib是指输入电容，它反映了三极管输入端的电容。
Cob是指输出电容，它反映了三极管输出端的电容。
这两个参数都会对放大器的频率响应产生影响，需要在设计中进行考虑。
6. 上下限工作温度（Tmin和Tmax）：Tmin和Tmax是指三极管能够正常工作的最低和最高温度范围。
超出这个范围，三极管可能无法正常工作或损坏。
以上是三极管的一些常见参数和参考内容，设计电路时需要根据具体要求选择合适的三极管。
MMSS8050-H-TP;中文规格书,Datasheet资料
MMSS8050-L Features• SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors• Capable of 0.625Watts(Tamb=25O C) of Power Dissipation.• Collector-current 1.5A• Collector-base Voltage 40V• Operating and storage junction temperature range: -55O C to +150O C •Marking : Y1Electrical Characteristics @ 25O C Unless Otherwise SpecifiedSymbolParameterMin Max UnitsOFF CHARACTERISTICSV (BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage (I C =100uAdc,I E =0)40--- Vdc V (BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage (I C =0.1mAdc,I B =0)25--- Vdc V (BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage (I E =100uAdc,I C =0) 5.0--- Vdc I C BO Collector Cutoff Current (V CB =40Vdc,I E =0)---0.1 uAdc I C EO Collector Cutoff Current (V CE =20Vdc,I B =0)---0.1 uAdc I EBOEmitter Cutoff Current (V EB =5.0Vdc,I C =0)---0.1uAdcON CHARACTERISTICSh FE(1)DC Current Gain(I C =100mAdc,V CE =1.0Vdc)120350--- h FE(2)DCCurrent Gain(I C =800mAdc,V CE =1.0Vdc)40------ V CE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage (I C =800mAdc,I B =80mAdc)---0.5 Vdc V BE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage (I C =800mAdc,I B =80mAdc)--- 1.2 Vdc V EBBase- Emitter Voltage (I E =1.5Adc)--- 1.6VdcSMALL-SIGNAL CHARACTERISTICSf TTransistor Frequency(I C =50mAdc,V CE =10Vdc, f=30MHz)100--- M H zCLASSIFICATION OF H FE (1)Rank L H Range120-200 200-350NPN Silicon Plastic-EncapsulateTransistoromponents 20736MarillaStreet Chatsworth! "# $ %! "#Revision: A 2011/01/01Micro Commercial Componentswww.mccsemi.com1 of 2xCase Material: Molded Plastic.UL FlammabilityClassification Rating 94V-0 and MSL Rating 1MMSS8050-HRevision: A2011/01/01Micro Commercial Componentswww.mccsemi .com2 of 22DevicePackingPart Number-TP Tape&Reel: 3Kpcs/Reel***IMPORTANT NOTICE***Micro Commercial Components Corp. reserve s the right to make changes without further notice to any product herein to make corrections, modifications , enhancements , improvements , or other changes . Micro Commercial Components Corp . does not assume any liability arising out of the application or use of any product described herein; neither does it convey any license under its patent rights ,nor the rights of others . The user of products in such applications shall assume all risks of such use and will agree to hold Micro Commercial Components Corp . and all the companies whose products are represented on our website, harmless against all damages.***LIFE SUPPORT***MCC's products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express writtenapproval of Micro Commercial Components Corporation.***CUSTOMER AWARENESS***Counterfeiting of semiconductor parts is a growing problem in the industry. Micro Commercial Components (MCC) is taking strong measures to protect ourselves and our customers from the proliferation of counterfeit parts. MCC strongly encourages customers to purchase MCC parts either directly from MCC or from Authorized MCC Distributors who are listed by country on our web page cited below . Products customers buy either from MCC directly or from Authorized MCC Distributors are genuine parts, have full traceability, meet MCC's quality standards for handling and storage. MCC will not provide any warranty coverage or other assistance for parts bought from Unauthorized Sources. MCC is committed to combat this global problem and encourage our customers to do their part in stopping this practice by buying direct or from authorized distributors.Ordering Information :/分销商库存信息: MICRO-COMMERICAL-CO MMSS8050-H-TP。
8050s(贴片三极管)
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD8050SNPN SILICON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGHCURRENT SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORDESCRIPTIONThe UTC 8050S is a low voltage high current small signal NPN transistor, designed for Class B push-pull audio amplifier and general purpose applications.FEATURES *Collector current up to 700mA*Collector-Emitter voltage up to 20V *Complementary to UTC 8550SORDERING INFORMATIONOrdering Number Pin AssignmentNormal Lead Free Plating Halogen-Free Package 1 2 3 Packing8050S-x-AE3-R 8050SL-x-AE3-R 8050SG-x-AE3-R SOT-23 E B C Tape Reel 8050S-x-T92-B 8050SL-x-T92-B 8050SG-x-T92-B TO-92 E C B Tape Box 8050S-x-T92-K 8050SL-x-T92-K 8050SG-x-T92-K TO-92 EC BBulkMARKING (For SOT-23 Package)ABSOLUTE MAXIMUM RATING ( Ta=25°C, unless otherwise specified )PARAMETER SYMBOL RATINGS UNITCollector-Base Voltage V CBO 30 V Collector-Emitter Voltage V CEO 20 V Emitter-Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 700 mASOT-23 350 mWCollector Dissipation(Ta=25°C) TO-92 P C1 WJunction Temperature T J +150 °C Storage Temperature T STG -40 ~ +150 °CNote: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged.Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°C, unless otherwise specified)PARAMETER SYMBOLTEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNITCollector-Base Breakdown Voltage BV CBO I C = 100μA, I E = 0 30 V Collector-Emitter Breakdown Voltage BV CEO I C = 1mA, I B = 0 20 V Emitter-Base Breakdown Voltage BV EBO I E = 100μA, I C =0 5 V Collector Cut-Off Current I CBO V CB = 30V,I E = 0 1 uA Emitter Cut-Off Current I EBOV EB = 5V, I C = 0 100nA h FE1V CE = 1V, I C = 1mA 100 400 h FE2V CE = 1V, I C = 150 mA 120 DC Current Gain(note) h FE3V CE = 1V, I C = 500mA 40 Collector-Emitter Saturation Voltage V CEO(SAT)I C = 500mA, I B = 50mA 0.5V Base-Emitter Saturation Voltage V BEO(SAT)I C = 500mA, I B = 50mA 1.2V Base-Emitter Saturation Voltage V BEO(SAT)V CE = 1V, I C = 10mA 1.0V Current Gain Bandwidth Product f T V CE = 10V, I C = 50mA 100 MHz Output Capacitance CobV CB = 10V, I E = 0, f = 1MHz 9.0 pFCLASSIFICATION OF h FE2RANK C D ERANGE 120-200 160-300 280-400TYPICAL CHARACTERISTICSC o l l e c t o r C u r r e n t , I c (m A )D C C u r r e n t G a i n , h F ES a t u r a t i o n V o l t a g e (m V )C o l l e c t o r C u r r e n t , I c (m A )C u r r e n t G a i n -B a n d w i d t h P r o d u c t , f (M H z )C a p a c i t a n c e , C o b (p F )。
8050和8550
8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B：85-160 C：120-200 D：160-300 引脚排列多为EBCUTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
三极管9011,9012,9013,9014,8050,8550引脚图_封装外形-参数
三极管9012.90139013参数最大耗散功率(P CM)：0.625W最大集电极电流(I CM)：0.5A集电极-发射极击穿电压(V CEO)：25V集电极-基极击穿电压(V CBO)：45V发射极-基极击穿电压(V EBO)：5V集电极-发射极饱和压降(V CE)：0.6V特怔频率(fr)：150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166H144-220 I190-3009012参数s9012s9013，s9014, s9015，，s9018系列的晶体小功率三极管，把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极b基极c集电极；对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c,s8050，8550，C2078 也是和这个一样的。
用下面这个引脚图(管脚图)表示：三极管引脚图e b c当前，国内各种晶体三极管有很多种，管脚的排列也不相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置（下面有用万用表测量三极管的三个极的方法），或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。
非9013,9014系列三极管管脚识别方法：(a) 判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
(b) 判定三极管集电极c和发射极e。
(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据
9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。
详情如下：90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的，但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的，它们的特性及管脚排列都是一样的。
9011 结构：NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构：PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构：NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构：NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构：PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数：A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构：NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构：NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数：D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encap s ulate Transistors ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T a =25℃ unless otherwise specified) Parameter
Symbol Test conditions M in M ax Unit Collector-base breakdown voltage
V (BR)CBO I C =100μA, I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage
V (BR)CEO * I C =1mA , I B =0 25 V Emitter-base breakdown voltage
V (BR)EBO I E =100μA, I C =0 6 V Collector cut-off current
I CBO V CB = 35V, I E =0 0.1 μA Collector cut-off c urrent
I CEO V CE = 20V, I B =0 0.1 μA h FE(1) V CE =1V, I C =5mA 45 h FE(2)
V CE =1V, I C =100mA 80 400 DC current gain h FE (3)
V CE =1V, I C =800mA 40 Collector-emitter saturation voltage
V CE(sat) I C = 800mA, I B =80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =800mA, I B = 80mA 1.2 V
Transition frequency
f T V CE =6V, I C = 20mA , f=30MHz 150 MHz * Pulse Test : pulse width ≤ 300µs , duty cycle ≤2%.
CLASSIFICATION OF h FE (2)
Rank L
H Range 80-300 300-400
BASE
B ,Jun ,2011
【南京南山半导体有限公司 — 长电贴片三极管选型资料】
0255075100125150
AMBIENT TEMPERATURE T
a ()
℃
Typical Characteristics M8050
I
C
h ——
B,Jun,2011
【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
The bottom gasket
The top gasket
3000×1 PCS 3000×15 PCS Label on the Reel Label on the Inner Box Label on the Outer Box QA Label Seal the box
with the tape Seal the box
with the tape Stamp “EMPTY”
on the empty box Inner Box: 210 mm × 208 mm ×203 mm Outer Box: 440 mm × 440 mm × 230 mm。