模拟电子技术 随堂练习
(完整版)模拟电子基础的复习题及答案
模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大 的电路是 ③ ，输入电阻最 ，频带最宽 的电路是 ；只能放大电流，小 的电路是②，输出电阻最小 的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压 的电路是 ①不能放大电压 的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流 的电路是②。
2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。
填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数 的表达式为A u，输入电阻 的表达式为r be，输出电阻 的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。
oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。
A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放 大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路 的输入电阻 R = 1 。
i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ， 则放大电路 的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小 的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。
增大或将截止失真，则只有通过设置合适 的静态工作点 的方法才能消除失真。
华工教育2020年《模拟电子技术》随堂练习参考答案
《模拟电子技术》随堂练习参考答案1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V 的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
模拟电子技术基础部分练习题含答案
模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。
A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。
A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。
A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。
A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。
A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。
A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。
A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
2020年华南理工模拟电子技术基础随堂练习
参考答案：A. B. C. D. 参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D. 参考答案：参考答案：A. B. C. D.参考答案：9.(单选题)9. 二极管电路如图1-1所示，二极管D1、D2为理想二极管，判断图中二极管工作状态（）。
A. D1和D2都导通B. D1和D2都截止C. D1导通，D2截止D. D1截止，D2导通答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：10.(单选题)10. 二极管电路如图1-2所示，二极管为硅二极管，二极管的工作状态是（）。
A. 正向导通B.反向截止C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：A. 电流正常B.电流过大使管子烧坏C. 反向击穿D.电流为零答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：12.(单选题)12. 电路如图1-4所示，二极管是硅管，死区电压是0.7V，电路中的U0值是（）。
A. 20.7VB.19.3VC. 10VD. -10.7V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：13.(单选题)13.电路如图1-5所示，二极管导通电压UD约为0.7V。
当开关S断开时输出电压UO数值是( )。
A. 18VB. 6.7VC. 6VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）14.(单选题)14.电路如图1-6所示，二极管导通电压UD约为0.7V。
当开关S闭合时输出电压UO数值是( )。
A. 18VB. 12VC. 6.7VD. 5.3V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：15.(单选题)15.电路如图1-7所示，设二极管均为理想元件，当输入电压时，输出电压最大值是( )。
A. 15VB.10VC. 5VD. -5V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：16.(单选题)答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：参考答案：A. B. C. D.参考答案：答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：20.(单选题)20.电路如图1-10所示，其中限流电阻R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压UZ1、UZ2分别为6V和8V，正向压降为0.7V，动态电阻可以忽略。
华工网络教育模拟电子随堂练习和答案
第1章常用半导体器件A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：Cui=10sin tVA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：D稳定电压与相应电流稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZA. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：C是指A. B. D. 参考答案：BA. B.C.A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：B约A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：C.A. B. D. 参考答案：AA.6VB.0VC.0.6VD.5.3VA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A确定电压放大倍数A. B. D.参考答案：C管子的值太小电路电源电压太高偏置电阻太小偏置电阻太大A. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B第二级的基极电流随之而改变(..)第二级的静态电流不改变但要改变A. B. C. D.参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D.参考答案：DA. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：D.时的输出电压A. B. D.参考答案：DA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CB.A. B. D.参考答案：C若将源极旁路电容去掉A. B. C. D.参考答案：B约几十微法大于 C.小得多A. B. D.参考答案：C等于A. C.A. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：BA. B. C. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：AA. B. D. 参考答案：CA. B. D. 参考答案：AA. B. C. D. 参考答案：BA. B. D. 参考答案：CA. B. C. D.参考答案：C.A. B. C.A. B. D.参考答案：D一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为.A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C反馈电压反馈电压反馈电压A. B. D.参考答案：C一个正弦波振荡器的反馈系数.开环电压放大倍数必须等于A. B. C.A. B. C. D.参考答案：C答题： A. B. C. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：AA. B. C. D.参考答案：B..消耗的功率为A. D.A. B. D.参考答案：BA. B. C. D.A. B. D. 参考答案：CA. B. C. D. 参考答案：CA. B. D.参考答案：A.弦信号A. B. D.参考答案：AA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：CA. B. D.参考答案：CA. B. C. D.参考答案：A≤0.2sin出A.12sin V C.A. B. D.参考答案：CA. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：B静态时电容两端的电压等于A. B. C. D.A. B. C. D.参考答案：BA. B. D.参考答案：B设变压器副边电压有效值为.输出电流平均值为。
模拟电子技术 随堂练习
模拟电子技术随堂练习第1章常用半导体器件4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是( )。
参考答案：C5. 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
6.稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值3. 晶体管的电流放大系数是指( )。
A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案：B4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于( )。
A. B.C.参考答案：B5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在( )。
参考答案：B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为( )。
A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案：B7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为( )。
A.0VB.＋2VC.－2VD.－1V参考答案：C8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为( )。
A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V参考答案：A9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是( )。
A.RLB.RBC.C1D.C2参考答案：B10. 放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是( )。
A.适当增加RB2，减小RB1B.保持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1，减小RB2D.保持RB2不变，适当减小RB1参考答案：C11. 图示电路，已知晶体管，，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取( )。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷——2024年整理
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.（共60题,共150分）1.理想的功率放大电路应工作于()状态。
（2分）A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案：C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
（2分）A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案：A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
（2分）A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案：B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时，应采用的最佳滤波电路是()。
（2分）A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案：C5.为了提高电压放大倍数，希望放大电路的()大一些。
（2分）A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案：D6.当PN给外加反向电压时，其内部的扩散电流将()漂移电流。
此时，耗尽层的宽度将()。
（2分）A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案：C7.差动放大电路的特点是抑制()信号，放大()信号。
（2分）A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案：B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。
（2分）A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案：A9.直流电源滤波的主要目的是：()。
（2分）A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案：D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了，则输出()。
（2分）A.只有半周波形B.全波整流波形，但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案：D11.双极型三极管是控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加偏置，集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
（2分）★检查答案标准答案：1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区。
电工电子技术模拟考试题+参考答案
电工电子技术模拟考试题+参考答案一、单选题（共37题，每题1分，共37分）1.纳入IP数据网的红外故障,IP网管机房人员要利用PING命令在( )内判断出故障区段,是属于IP网络故障还是地区接入或终端故障。
A、2分钟B、5分钟C、10分钟D、3分钟正确答案：B2.275W扩音机的杂音电平的标准是( )。
A、≤-40dBB、≤-80dBC、≤-60dBD、≤-56dB正确答案：C3.音频分机通常使用的晶体管有( )二极管。
A、普通B、检波C、稳压D、发光正确答案：C4.网管终端操作用户登录后,可以修改自己的( )。
A、维护级别B、维护权限C、登录密码D、登录权限正确答案：C5.事故发生在区间,应在1h内开通电话、( )内开通图像A、1.5hB、2hC、45minD、30min正确答案：B6.列车广播工区对管内设备每列车底,每年( ),要对广播机使用情况进行添程检查。
A、1—2次B、3次C、4次D、5次正确答案：A7.数据网日常监测维护里的数据的维护管理的周期是。
( )A、每周2次B、每日1次C、每周1次D、每日2次正确答案：C8.(考题) 郑西线北电BTS9000出现“Blockedairinlet”告警最可能是( )模块引发的。
A、DDMB、RICAMC、SICSD、RMBlockedairinlet:堵塞的空气入口正确答案：C9.非均匀量化的实现方式是采用了什么技术( )A、编码解码技术B、扩频解频技术C、压缩扩张技术D、调制解调技术正确答案：C10.我国PCM一次群速率为( )。
A、2048Kb/sB、64Kb/sC、16Kb/sD、1024Kb/s正确答案：A11.铁路IP骨干网分二层结构:核心层、( )接入层。
A、数据层B、作业层C、管理层D、汇聚层正确答案：D12.OSPF路由协议报文在IP包中的协议号是 ( )。
A、65B、86C、3D、89正确答案：D13.在internet的基本服务功能中,远程登录所使用的命令是( )。
完整word版模拟电子综合练习及答案1
模拟电子综合练习练习1. 在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为 管是（）。
A. NPN 型硅管B . NPN 型错管C . PNP 型硅管D . PNP 型错管 2•某场效应管的转移特性如图1所示，该管为 A. P 沟道增强型MOSTB. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOStD. N 沟道耗尽型MOSf 3. 在图示2差分放大电路中， =20 mV ，则电路的（）。
Ui = 30 lYiV IIoC?A. 差模输入电压为 10 mV ， 共模输入电压为10mV 。
B. 差模输入电压为 10 mV ， 共模输入电压为 20mV 。
C. 差模输入电压为20 mV ， 共模输入电压为10 mV 。
一、 填空（16分） 1•半导体二极管的主要特性是__2. 三极管工作在放大区时，发射结为 为 __ 偏置，集电结为 _____ 偏置。
3.当输入信号频率为fL 和fH 时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了 __dB ，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为 _________ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入 ____________________ —反馈；为降低放大电路输岀电阻，应引入 反馈。
5. 乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流 ___ ICQ =、静态时的电源功耗 PDC= ___________________ 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 _________ ，但这种功放有 —偏置，集电结为偏置；工作在饱和区时发射结失真。
区域。
0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极三、两级放大电路如图所示，已知三极管的参数： C2、CE 在交流通路中可视为短路。
1•分别指岀 VI 、V2的电路组态； 2.画岀图示电路简化的 H 参数微变等效电路； 3•计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri 和输岀电阻Roo （12分）D. 4. A. 差模输入电压为 20 mV ，共模输入电压为 20 mVo 通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的 （）。
模拟电子技术习题集及模拟电子技术习题
第一部分电子技术第一章数字电路一、判断题（√）1、逻辑运算中，能把所有可能条件组合及其结果——对应列出的表格称为真值表。
（√）2、带有放大环节的稳压电源其放大环节的放大倍数越大，输出电压越稳定。
（√）3、逻辑电路中的与门和或门是相对的，即正与门就是负或门，正或门就是负与门。
（√）4、单稳态电路输出脉冲宽度取决于充电电容的大小。
（√）5、与非门的多余端不允许接地。
（×）6、用偶数个与非门首尾相接可组成环形多谐振荡器。
（√）7、凡具有两个稳定状态的器件都可构成二进制计数器。
（×）8、TTL与非门输入端同时悬空时，相当于输入端不加电平，故输出为高电平。
（√）9、使用TTL数字集成电路时，电源电压极性不能接反，其额定值为5V。
（×）10、若一个异或门的两个输入端的电平相同，即同为高电平或同为低电平，则输出为高电平。
（√）11、异步计数器各个触发器之间的翻转是不同步的，与CP脉冲也是不同步的。
（√）12、要将变化缓慢的电压信号整形成脉冲信号，应采用施密特触发器。
（×）13、将尖顶波变换成与它对应的等宽的脉冲，应采用单稳态触发器。
（×）14、TTL数字集成电路中，或门不使用的输入端接高电平。
（√）15、环形计数器实际上是一个自循环的移位寄存器。
（√）16、一个触发器可以存储一位二进制代码，用N个触发器就可以存储N位二进制代码。
（√）17、用二进制代码表示具有某种含义的信息称为编码。
在数字电路中，能实现编码功能的电路称编码器。
（×）18、主一从J－K触发器的输出状态中有土个是不确定的状态。
（×）19、寄存器存放数码的串行方式是数码各位从各对应位输入端同时输入到寄存器中。
二、单项选择题l、具有记忆功能的电路是( D )。
A：与非门B：异或门C：加法器D：触发器2、组合电路是由( B )组成的。
A：存储电路B：门电路C：逻辑电路D：数字电路3、下列逻辑电路错误的是( B )。
电子技术基础模拟练习题及参考答案
电子技术基础模拟练习题及参考答案一、单选题（共70题，每题1分，共70分）1.一只四输入端或非门，使其输出为1的输入变量取值组合有（）种A、8B、15C、1正确答案：C2.组合逻辑电路有若干个输入端，只有一个输出端。
A、×B、✔正确答案：A3.用三极管构成的门电路称为（）门电路。
A、MOC型B、TTL型C、CMOS型正确答案：B4.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时，应该（）偏置电阻。
A、减小。
B、增大C、保持。
正确答案：A5.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是（）A、相位差90°。
B、同相位。
C、相位差180°。
正确答案：C6.设计一个同步十进制加法计数器需要三个触发器就可以。
A、✔B、×正确答案：B7.理想运算放大器的输出电阻为（）A、无穷B、不定正确答案：B8.下列逻辑代数运算法则中，错误的是（）A、A（B+C）=AB+ACB、A+（B+C）=（A+B）+CC、A+BC=（A+B）C正确答案：C9.半导体导电能力（）导体。
A、等于B、小于C、大于正确答案：B10.与非门的逻辑功能是。
A、全高为高。
B、全低为高。
C、部分高为高。
正确答案：B11.逻辑代数运算中1+1=（）A、3B、2C、1正确答案：C12.从射极输出器的交流通路看他是一个共（）电路。
A、集电极。
B、基极C、发射极。
正确答案：A13.RS出发去具有（）种逻辑功能。
A、3B、1C、2正确答案：A14.逻辑代数运算于普通代数运算结果（）A、不想同B、有的相同，有的不相同。
C、相同正确答案：B15.测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是，-0.7，-1，-6责-0.7对应的是（）A、基极B、发射极。
C、集电极。
正确答案：B16.一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中（）A、有瞬间微弱电流。
B、有微弱电流。
C、无电流。
正确答案：C17.半导体材料有（）种A、2B、1C、3正确答案：A18.三端集成稳压器w7805的输出电压是（）A、5VB、9VC、12V正确答案：A19.在截止区三极管（）电流放大作用。
华工模拟电子专业技术随堂练习
华工模拟电子技术随堂练习————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：第1章常用半导体器件当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。
1.N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电参考答案：C2.将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变参考答案：B3.二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小参考答案：C4.电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是()。
参考答案：C5.电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V参考答案：D6.稳压管的动态电阻rZ是指()。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案：B7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极8.参考答案：B8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管参考答案：A第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对10题。
1.如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
A.反向B.近似等于零C.不变D.增大参考答案：B2.晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。
模拟电子技术基础部分模拟考试题(含答案)
模拟电子技术基础部分模拟考试题（含答案）一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、晶体三极管放大电路中，当集电极电流增大时，将使晶体三极管( )A、集电极电压UCE上升B、集电极电压UCE下降C、基极电流不变D、以上答案均不正确正确答案：B2、对于放大电路，所谓开环是指( )。
A、无信号源B、无负载C、无反馈通路D、无电源正确答案：C3、反向比例运算放大器实质上是 ( )A、深度电压串联负反馈B、电流负反馈C、电压负反馈放大器D、深度电压并联负反馈正确答案：D4、在放大电路中,如果希望输出电压受负载影响较小，同时对信号源的影响也要小，则附引入负反锁的类型是( )A、电流并联B、电流申联C、电压申联D、电压并联正确答案：B5、当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 ( )。
A、0.5倍B、0.1倍C、0.7倍D、0.9倍正确答案：C6、有电流放大、无电压放大的电路是 ( )放大电路.A、共集电极B、基本共射C、共基极D、分压式偏置正确答案：A7、为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 ( )。
A、共基放大电路B、差动放大电路C、共射放大电路D、共集放大电路正确答案：C8、用文字符号法表示电阻器的阻值时,中间的“R"表示( )。
A、103ΩB、109ΩC、ΩD、106Ω正确答案：C9、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A10、电阻器上标有“2R7”的含义是 ( )A、27B、27KC、2.7D、2.7K正确答案：C11、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门坎电压时，则晶体二极管相当 ( )A、大电阻B、断开的开关C、接通的开关D、以上答案均不正确正确答案：C12、识别发光二极管极性时，可以从外形来判断，以下正确的是( )。
A、引脚短的为正极B、无法判断C、引脚长的为正极D、没有正负正确答案：C13、直流稳压电源中滤波电路的作用是( )A、稳压B、将交流变为直流C、将高频变为低频D、将交、直流混合量中的交流成分滤掉正确答案：D14、在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是( )。
模拟电子技术练习题库(附参考答案)
模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。
正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
模拟电子技术·随堂练习2020春华工答案
模拟电子技术第1章常用半导体器件1.(单选题) N型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
A.带负电B.带正电C.不带电答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：2.(单选题) 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C.不变答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：3.(单选题) 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。
A.增大B.不变C.减小答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：4.(单选题) 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sin tV时，输出电压最大值为10V的电路是( )。
答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：C问题解析：5.(单选题) 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1=10V，ui=40sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V，最小值为0VB.最大值为40V，最小值为+10VC.最大值为10V，最小值为－40VD.最大值为10V，最小值为0V答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：D问题解析：6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指( )。
A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：7.(单选题) 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是( )。
A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：B问题解析：8.(单选题) 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为( )。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题： A. B. C. D. （已提交）参考答案：A问题解析：第2章基本放大电路1.(单选题) 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流( )。
模拟电子技术习题及解答
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知)5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =- 采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I =解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
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模拟电子技术随堂练习第1章常用半导体器件1．Ｎ型半导体的多数载流子是电子，因此它应( )。
ﻫ A.带负电 B.带正电 C.不带电参考答案：C2. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将( )。
A.变窄B.变宽C．不变参考答案：B3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( ）。
ﻫA．增大Ｂ．不变 C．减小参考答案:Ｃ4．电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=1０siｎtV时，输出电压最大值为10V的电路是( )。
参考答案:C5. 电路如图所示，D１，D2均为理想二极管，设U1＝1０V,ui=４0sinωtV,则输出电压uO应为( )。
A.最大值为40V,最小值为0VB．最大值为4０V，最小值为+10Vﻫ C.最大值为10V,最小值为－40Ｖﻫ D．最大值为10V,最小值为0V参考答案:D6.稳压管的动态电阻rZ是指（ )。
ﻫ A.稳定电压与相应电流ＩZ之比ﻫ B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案:B7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是（ )。
A.PNP管的集电极Ｂ.PＮＰ管的发射极Ｃ.ＮＰN管的发射极Ｄ.ＮPN管的基极参考答案：B８. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VＥ=-1.7Ｖ,VB=-1.4V，VC=５Ｖ，则该管类型为（）。
A.ＮPN型锗管B．PNP型锗管ﻫ C.NＰＮ型硅管Ｄ.PNP型硅管参考答案：A第２章基本放大电路１. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流ﻫ( ）。
ﻫ A.反向 B．近似等于零ﻫ C.不变 D.增大参考答案：B2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为( )。
A.发射结反偏，集电结正偏ﻫB.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏参考答案：C3．晶体管的电流放大系数是指( )。
A.工作在饱和区时的电流放大系数ﻫB.工作在放大区时的电流放大系数ﻫC．工作在截止区时的电流放大系数参考答案:B４. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于（ )。
A. B．C．参考答案：B5．某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在( )。
A.截止状态Ｂ.放大状态Ｃ.饱和状态参考答案：B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为( ）。
Ａ.Ｐ沟道耗尽型MＯS管B．N沟道增强型ＭOS管C．Ｐ沟道增强型MOS管ﻫD．N沟道耗尽型MOS管ﻫ参考答案：B7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约ﻫ为( )。
ﻫ A.0VB.+２V C．－2V Ｄ.－1V参考答案：C8．已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UＤＳ=10V，UGS＝0V处的跨导gｍ约为( )。
A．１mA./V Ｂ.0.5mA．/V C.－1mA./V Ｄ.-０.5ｍA./V参考答案:Ａ９．如图示放大电路中接线有错误的元件是（)。
ﻫ A.RL Ｂ．RB C．C1 D.C２ﻫ参考答案：Ｂ１０．放大电路如图所示,由于ＲB1，和ＲB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真,正确的做法是（ )。
A.适当增加RB２，减小RB１B.保持RB1不变,适当增加RB2ﻫC.适当增加RＢ1,减小ＲＢ2D.保持RB2不变,适当减小ＲB1ﻫ参考答案：C11．图示电路,已知晶体管，,忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到１.５mA.,RB应取( )。
ﻫ A.４80ｋW B.12０kW C.24０kW D．360kWﻫ参考答案:A12. 电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC应等于( ）。
ﻫＡ.６ＶＢ.0V C.0．6V D．5.3Vﻫ参考答案:Ａ13．某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q＇需使( )。
A.偏置电阻RＢ增大B.集电极电阻RC减小Ｃ.偏置电阻ＲB减小ﻫ参考答案:C１４. 单管放大电路如图所示,其交直流负载的正确画法是图2中的( ）。
ﻫ参考答案：A1５. 对放大电路进行动态分析的主要任务是( )。
A．确定静态工作点Ｑ B．确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入,输出电阻ri,r0。
参考答案:C16. 某一固定偏置NＰＮ管共射放大电路如图1所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是（ )。
ﻫ A.管子的值太小Ｂ.电路电源电压太高ﻫ C.偏置电阻太小 D.偏置电阻太大ﻫ参考答案：C17. 如图所示的放大电路（)。
ﻫＡ.不能稳定静态工作点。
B．能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。
C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好ﻫ参考答案：C１8. 与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是( )。
ﻫＡ.输入电阻高,输出电阻低Ｂ.输入电阻低,输出电阻高ﻫ C.输入,输出电阻都很高Ｄ．输入，输出电阻都很低参考答案:A19. 27场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数( ）。
ﻫ A.小于但近似等于1B.约几十倍C.为ﻫ参考答案:A２0. 某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为1０0倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为5０倍,第二级的电压放大倍数为50倍，则该电路总电压放大倍数为（ )。
ﻫＡ.５000倍 B.２５00倍 C.150倍Ｄ. １000倍参考答案：B21. 两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的( ）。
A.输入电阻B.信号源内阻C.负载电阻参考答案：B22．两级阻容耦合放大电路中,若改变第一级静态基极电流IＢ1,则( )。
A.第二级的基极电流随之而改变B．第二级的静态值(，,)均不改变C.第二级的静态电流不改变,但要改变参考答案：Ｂ23．直流放大器中的级间耦合通常采用（ )ﻫ A.阻容耦合（b)变压器耦合参考答案:D9. 某一理想运算放大器开环工作，其所接电源电压为,当输入对地电压>时的输出电压为( ）。
ﻫ A.-2U Ｂ．－U C．+２U Ｄ.+U参考答案:D１0．理想运算放大器的共模抑制比为（ )。
Ａ.零Ｂ.约1２０dB Ｃ.无穷大参考答案:C11. 理想运算放大器的开环电压放大倍数是（）。
Ａ.无穷大 B.零 C.约120dB参考答案：Ａ12．理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是( )。
A.无穷大B.零Ｃ.约几百千欧Ｄ.约几十欧姆参考答案：A第４章集成运算放大电路１．电路如下图所示，R1、R2支路引入的反馈为( )。
A.串联电压负反馈Ｂ.正反馈 C.并联电压负反馈参考答案:Ｂ２. 在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
A.工作在线性区,降低稳定性ﻫB.工作在非线性区，提高稳定性ﻫＣ.工作在线性区，提高稳定性参考答案：C3．放大电路如下图所示，当RF增加时,该电路的通频带( )。
A．变宽 B.变窄 C.不变ﻫ参考答案:B4．比例运算电路如下图所示，同相端平衡电阻Ｒ应等于( )。
ﻫ A.R1 B.R1+RF Ｃ.Ｒ1与RF 并联参考答案：C第５章放大电路的频率相应1. 比例运算电路如下图所示,该电路的输入电阻为( )。
ﻫA．零 B.R1 Ｃ.无穷大参考答案：B2. 同相输入的运算放大器电路如下图所示，该电路的输入电阻为( ）。
ﻫ A.零Ｂ.R C.无穷大参考答案:C第６章放大电路中的反馈1. 场效应管放大电路如下图所示，该电路的输入电阻应等于( )。
A.无穷大B.C.ﻫ参考答案：Ｃ2．共源场效应管放大电路中，若将源极旁路电容去掉,则该电路的电压放大倍数将( )。
Ａ．增大 B.减小Ｃ.不变参考答案：B3. 场效应管放大电路如下图所示，耦合电容约几十微法,则的取值通常( ）。
ﻫA．大于Ｂ．等于 C.比小得多,约0．0１~0.0４7ﻫ参考答案：C4. 场效应管放大电路如下图所示,该电路的电压放大倍数等于( )。
ﻫ A.B. C.参考答案：Ａ第7章信号的运算和处理1. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( 第一空 ),而低频作用时放大倍数数值下降的原因是（第二空 )。
第一空选择为:( )A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管级间电容和分布电容的存在ﻫ C．半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适参考答案:Ｂ2．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( 第一空 ),而低频作用时放大倍数数值下降的原因是( 第二空 )。
第二空选择为：( ）A.耦合电容和旁路电容的存在 B．半导体管级间电容和分布电容的存在C．半导体管的非线性特性 D．放大电路的静态工作点不合适参考答案：A３. 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )。
Ａ. 输入电压幅值不变,改变频率 B. 输入电压频率不变，改变幅值C. 输入电压的幅值与频率同时变化 D．输入电压频率随机改变参考答案:A4. 交流负反馈是指( ）。
Ａ．阻容耦合放大电路中所引入得负反馈B. 只有放大交流信号时才有的负反馈ﻫC．在交流通路中的负反馈ﻫＤ. 在直流通路中的负反馈参考答案：C第8章波形的发生和信号的转换１. 振荡器之所以能获得单一频率的正弦波输出电压,是依靠了振荡器中的( )。
A.选频环节 B．正反馈环节 C.基本放大电路环节参考答案：A２. 自激正弦振荡器是用来产生一定频率和幅度的正弦信号的装置，此装置之所以能输出信号是因为( )。
A.有外加输入信号B.满足了自激振荡条件C．先施加输入信号激励振荡起来,然后去掉输入信号参考答案：B3. 一个振荡器要能够产生正弦波振荡，电路的组成必须包含(）。
ﻫ A．放大电路,负反馈电路ﻫ B．负反馈电路、选频电路C.放大电路、正反馈电路、选频电路参考答案:C4. 振荡电路的幅度特性和反馈特性如图所示，通常振荡幅度应稳定在( ）。
Ａ.Ｏ点 B.Ａ.点 C．Ｂ点Ｄ.C点参考答案：C5. 一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为，反馈系数为，该振荡器要能自行建立振荡，其幅值条件必须满足（)。
Ａ. B.Ｃ.参考答案：C６．一个正弦波振荡器的开环电压放大倍数为,反馈系数为F，能够稳定振荡的幅值条件是（ )。
Ａ. B.Ｃ．参考答案:C７. 反馈放大器的方框图如图所示，要使放大器产生自激振荡,其相位条件是( )。
ﻫA．反馈电压与电压之间的相位差为B.反馈电压与电压之间的相位差为C.反馈电压与电压之间的相位差为零ﻫ参考答案:C8．一个正弦波振荡器的反馈系数,若该振荡器能够维持稳定振荡,则开环电压放大倍数必须等于( ）。
Ａ. B. C.参考答案：C9．电路如图所示，参数选择合理，若要满足振荡的相应条件,其正确的接法是( ）。
ﻫＡ.1与3相接，2与4相接ﻫB．1与4相接,2与3相接ﻫC．1与3相接,2与5相接ﻫ参考答案：A第９章功率放大电路1. 对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有（ )。