亿光光耦EL827
el817工作原理
el817工作原理
EL817是一款光电耦合器，也被称为Optocoupler或光耦，常
用于电气隔离和信号传输。
EL817工作原理如下：
1. 光发射器：EL817的光发射器由发光二极管（LED）构成。
当LED接收到输入电流时，它会发出光信号。
2. 光接收器：光接收器由一个光敏三极管（Phototransistor）
组成。
当光信号照射到光敏三极管时，它的发射电流会改变。
3. 输入端和输出端电气隔离：通过内部结构设计，LED和光
敏三极管之间没有直接的电气联系。
这种隔离设计可以有效防止输入和输出之间的电流泄露，从而提高系统的安全性和可靠性。
4. 光电转换：当输入电流通过LED时，它会产生光信号。
这
个光信号以脉冲的形式传播到光敏三极管。
光敏三极管根据光信号的强弱转换为相应的电流，进而输出一个对应的电信号。
5. 信号传输：光敏三极管的电流输出端可以连接到其他电路中，用于传输光电转换后的信号。
通过光耦的工作原理，输入电路和输出电路之间实现了电气隔离，避免了潜在的干扰和噪声。
总结：EL817的工作原理基于光电耦合效应，利用LED发出
的光信号，通过光敏三极管的光电转换，实现输入和输出之间的隔离和信号传输。
这种工作原理使得EL817在电气隔离和
信号传输方面具有广泛的应用价值。
827电路原理
827电路原理827电路是一种常见的集成电路，具有广泛的应用领域。
它主要由运算放大器、反相输入端、非反相输入端、输出端、正电源和负电源组成。
在实际应用中，827电路可以用于信号放大、滤波、比较、积分、微分等功能。
本文将详细介绍827电路的原理及其在实际电路中的应用。
首先，我们来看827电路的基本原理。
827电路的核心部分是运算放大器，它是一种差动放大器，具有高输入阻抗、低输出阻抗、大增益等特点。
在827电路中，运算放大器的反相输入端和非反相输入端分别连接输入信号和反馈电压，输出端则输出放大后的信号。
通过合理地选择反馈电阻和输入电阻的数值，可以实现不同的电路功能。
例如，当反馈电阻和输入电阻相等时，可以实现单位增益的非反相放大器；当反馈电阻为零时，可以实现比较器功能；当反馈电阻为电容时，可以实现积分器或微分器功能。
827电路在实际应用中具有广泛的用途。
首先，它可以用于信号放大。
通过合理地选择反馈电阻和输入电阻的数值，可以实现不同的放大倍数，满足不同的应用需求。
其次，827电路还可以用于滤波。
通过在反馈回路中引入电容或电感元件，可以实现低通滤波、高通滤波、带通滤波等功能，对信号进行滤波处理。
此外，827电路还可以用于比较。
当输入信号与参考电压进行比较时，可以实现开关控制、触发器等功能。
最后，827电路还可以用于积分和微分。
通过合理地选择反馈元件，可以实现对输入信号的积分或微分运算，满足不同的控制需求。
总的来说，827电路是一种功能强大的集成电路，具有广泛的应用领域。
在实际应用中，我们可以根据具体的需求，合理地选择电路连接方式和元件数值，实现不同的功能。
通过深入理解827电路的原理，我们可以更好地应用它，为电子系统设计和控制提供有效的解决方案。
以上就是关于827电路原理的详细介绍，希望对大家有所帮助。
827电路作为一种常见的集成电路，在实际应用中具有重要的地位，希望大家能够深入理解其原理，并灵活运用于实际电路设计中。
亿光光耦ELM452
Revision :3 © 1 Copyright LifecyclePhase:
Date:2013-07-15 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 13, 2013. Issue Release No: DPC-0000113 Rev.3 Expired Period: Forever
Revision :3 5 Copyright © LifecyclePhase:
2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 13, 2013. Issue No:DPC-0000113 Rev.3
Release Date:2013-07-15 14:59:03.0 Expired Period: Forever
Pin Configuration 1. Anode 3. Cathode 4. Gnd 5. Vout 6. VCC
Description
The ELM452 and ELM453 devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor. A separate connection for the photodiode bias and output-transistor collector increase the speed by several orders of magnitude over conventional phototransistor couplers by reducing the base-collector capacitance of the input transistor.The devices are packaged in industry standard 5pin SOP packages and are suitable for surface mounting.
光耦el817的工作原理
光耦el817的工作原理光耦（Optocoupler）是一种常用的光电器件，也称为光电隔离器或光电耦合器。
其中，EL817是一种常见的光耦型号，被广泛应用于电子设备中。
本文将从工作原理角度解析EL817的原理及其应用。
一、EL817的结构EL817主要由一个发光二极管（LED）和一个光敏三极管（光电晶体管）组成。
其中，LED作为输入端，当输入电流加到LED正极时，LED发出的光线会照射到光敏三极管的基极上，进而激活光敏三极管的发射结。
二、EL817的工作原理EL817的工作原理基于光电效应。
当输入电流加到LED正极时，LED发出的光线会照射到光敏三极管的基极上，光线的能量被吸收后会激活光敏三极管的发射结，形成电流的传导。
这个过程实现了输入信号的光电转换。
具体来说，当LED发出的光线照射到光敏三极管的基极上时，光敏三极管的发射结会受到光线的激发，使得发射结的电流得以流动。
这个电流被称为输出电流，它与输入电流之间存在一定的线性关系。
因此，EL817可以实现输入与输出之间的电隔离与信号转换。
三、EL817的应用由于EL817具有电隔离、信号转换等特点，因此在许多电子设备中得到广泛应用。
1. 电隔离EL817能够实现输入与输出之间的电隔离，从而保护输入与输出之间的电路不受干扰。
例如，在测量仪器中，输入端可能需要测量高压信号，而输出端则需要连接低压电路，这时就可以使用EL817实现输入与输出之间的电隔离，确保安全可靠的信号传输。
2. 信号转换EL817能够将输入信号转换为输出信号，实现不同电平之间的信号匹配。
例如，在数字电路与模拟电路之间，由于电平差异，可能需要使用EL817将数字信号转换为模拟信号，或者将模拟信号转换为数字信号，以实现两者之间的互联互通。
3. 电噪声隔离在一些噪声环境下，输入信号可能会受到电磁干扰或其他干扰源的影响，导致输出信号质量下降。
EL817能够通过电隔离的特性，将输入信号与输出信号隔离开来，从而减少噪声的传递和影响，提高信号的纯净度。
el817光耦工作原理
el817光耦工作原理EL817光耦是一种常见的光电器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光控晶体管）组成。
它的工作原理是利用光敏器件对光信号的感应和转换。
在EL817光耦中，LED作为光源，当施加正向电压时，LED会发出光线。
光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来。
光敏三极管的发射极和基极之间的电流变化取决于LED发出的光强度。
EL817光耦的工作原理可以通过以下几个步骤来解释：1. 发光二极管(LED)发出光信号：EL817光耦中的LED是一个二极管，它在正向电压的作用下发出光信号。
LED的电流和光强度之间存在正比关系，当电流增加时，光强度也随之增加。
2. 光线照射到光敏三极管的基区：发出的光线经过透明封装后，照射到光敏三极管的基区。
光敏三极管的基区是一个光敏材料，当光线照射到基区时，光子能量会激发基区的电子，使之跃迁到导带中。
3. 光敏三极管的电流变化：光敏三极管的发射极和基极之间的电流会随着光敏三极管基区的光电导起变化。
当光敏三极管的基区受到光线照射时，基区的电导率增加，从而导致发射极和基极之间的电流增加。
4. 光敏三极管的输出信号：光敏三极管的输出信号可以通过检测发射极和基极之间的电流变化来获取。
这个输出信号可以用来控制其他电路或器件，实现光电隔离、信号传输等功能。
总结来说，EL817光耦的工作原理是通过LED发出光信号，光线照射到光敏三极管的基区，使之光电导起来，进而影响光敏三极管的输出信号。
这种工作原理使得EL817光耦在电气隔离和信号传输方面有广泛的应用。
它可以用于电路的隔离、电压的检测、电流的测量等领域。
EL817光耦的工作原理为我们提供了一种新的光电转换技术，使得光信号和电信号之间可以进行有效的转换和传输。
在实际应用中，我们可以根据需要选择不同的光敏三极管和LED，以满足不同的光电转换要求。
同时，我们还可以根据实际情况设计合适的电路，以实现更加精确和可靠的光电转换效果。
亿光光耦EL3023
6PIN DIP RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER PHOTOCOUPLER EL301X, EL302X, EL305X SeriesFeatures:• Peak breakdown voltage -250V: EL301X -400V: EL302X -600V: EL305X• High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms )• Compact dual-in-line package • Pb free and RoHS compliant.•UL and cUL approved(No. E214129)• VDE approved (No.132249)• SEMKO approved • NEMKO approved • DEMKO approved •FIMKO approvedDescriptionThe EL301X, EL302X and EL305X series of devices each consist of a GaAs infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon random phase photo Triac.They are designed for interfacing between electronic controls and power triacs to control resistive and inductive loads for 115 to 240 VAC operations.Applications●Solenoid/valve controls ●Lamp ballasts●Static AC power switch●Interfacing microprocessors to 115 to 240Vac peripherals ●Incandescent lamp dimmers ●Temperature controls ●Motor controlsSchematic126543Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode3. No Connection4. Terminal5. Substrate(do not connect)6. Terminal亿光一级代理商超毅电子Absolute Maximum Ratings (Ta=25 )Parameter Symbol Rating Unit Input Forward current I F60mA Reverse voltage V R6VPower dissipationDerating factor (above T a = 85 C)P D100mW3.8mW/°COutputOff-state OutputTerminal Voltage EL301XV DRM250V EL302X400EL305X600Peak Repetitive Surge Current(pw=100μs,120pps)I TSM1A On-State RMS Current I T(RMS)100mAPower dissipationDerating factor (above T a = 85 C)P C300mW7.4mW/Total power dissipation P TOT330mW Isolation voltage*1V ISO5000Vrms Operating temperature T OPR-55 to 100 Storage temperature T STG-55 to 125 Soldering Temperature*2T SOL260 Notes:*1AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2&3are shorted together, and pins4, 5 & 6are shorted together. *2 For 10 secondsElectro-Optical Characteristics (Ta=25 unless specified otherwise)InputParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit Condition Forward Voltage V F- 1.18 1.5V I F=10mA Reverse Leakage current I R--10µA V R=6V OutputParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit ConditionPeak Blocking Current I DRM--100nA V DRM = Rated V DRM I F=0mAPeak On-state Voltage V TM-- 2.5V I TM=100mA peak, I F=Rated I FTCritical Rate of Rise off-state Voltage EL301XEL302X dv/dt-100-V/µsV PEAK=Rated V DRM,I F=0 (Fig. 8)EL305X1000--V PEAK=400V,I F=0 (Fig. 8)Transfer CharacteristicsParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit ConditionLED Trigger Current EL3020I FT30mA Main terminal Voltage=3V EL3010EL3021EL3051--15EL3011EL3022EL3052--10EL3012EL3023EL3053--5Holding Current I H-250-µA * Typical values at T a= 25°CTypical Electro-Optical Characteristics CurvesFigure 8. Static dv/dt Test Circuit & WaveformMeasurement MethodThe high voltage pulse is set to the required V PEAK value and applied to the D.U.T. output side through the RC circuit above. LED current is not applied. The waveform V T is monitored using a x100 scope probe. By varying R TEST , the dv/dt (slope) is increased, until the D.U.T. is observed to trigger (waveform collapses). The dv/dt is then decreased until the D.U.T. stops triggering. At this point, τRC is recorded and the dv/dt calculated.For example, V PEAK = 400V for EL302X series. The dv/dt value is calculated as follows:V PEAKApplied V T WaveformτRC0.632 x V PEAK50 Ω10 k ΩD.U.T.R TESTHigh Voltage Pulse SourceC TESTV T A KT1T20.63 x 400τRCdv/dt = = 252τRC0.632 x V PEAK τRCdv/dt =Order InformationPart NumberEL301XY(Z)-Vor EL302XY(Z)-Vor EL305XY(Z)-VNoteX = Part No. for EL301x (0, 1 or 2)X = Part No. for EL302x, EL305x (1, 2 or 3)Y = Lead form option (S, S1, M or none)Z = Tape and reel option (TA, TB or none).V = VDE safety approved (optional)Option Description Packing quantity None Standard DIP-665 units per tube M Wide lead bend (0.4 inch spacing)65 units per tube S Surface mount lead form65 units per tube S(TA)Surface mount lead form + TA tape & reel option1000 units per reel S (TB)Surface mount lead form + TB tape & reel option1000 units per reel S1 (TA)Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option1000 units per reel S1 (TB)Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option1000 units per reelPackage Dimension(Dimensions in mm) Standard DIP TypeOption M TypeOption S TypeOption S1 TypeRecommended pad layout for surface mount leadformDevice MarkingNotesEL denotes EVERLIGHT3053 denotes Device NumberY denotes 1 digit Year codeWW denotes 2 digit Week codeVdenotes VDE (optional)EL3053YWWVTape dimensionsDimension No.A B Do D1E F Dimension (mm)10.4±0.17.5±0.1 1.5±0.1 1.5+0.1/-01.75±0.17.5±0.1Dimension No.Po P1P2t W K Dimension (mm)4.0±0.1512±0.12.0±0.10.35±0.0316.0±0.24.5±0.1Revision : 7Release Date:2014-09-24 17:43:02.011Copyright © 2010, Everlight All Rights Reserved.Release Date:September 3, 2014. Issue No:DPC-0000059 Rev.7Precautions for Use1. Soldering Condition1.1 (A) Maximum Body Case Temperature Profile for evaluation of Reflow ProfileNote: Reference: IPC/JEDEC J-STD-020DPreheatTemperature min (T smin ) 150 °C Temperature max (T smax )200°CTime (T smin to T smax ) (t s )60-120 seconds Average ramp-up rate (T smax to T p ) 3 °C/second maxOtherLiquidus Temperature (T L )217 °C Time above Liquidus Temperature (t L )60-100 sec Peak Temperature (T P )260°C Time within 5 °C of Actual Peak Temperature: T P -5°C 30 sRamp-Down Rate from Peak Temperature 6°C /second max.Time 25°C to peak temperature 8 minutes max.Reflow times 3 times .Revision : 7Release Date:2014-09-24 17:43:02.012 2010, Everlight All Rights Reserved.Release Date:September 3, 2014. Issue No:DPC-0000059 Rev.70 DISCLAIMER1.Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority on material change for abovespecification.2.When using this product, please observe the absolute maximum ratings and the instructions for using outlined in thesespecification sheets. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification sheets.3.These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHT corporation. Please don’treproduce or cause anyone to reproduce them without EVERLIGHT’s consent.。
el817用法
el817用法EL817是一种光电耦合器，也被称为光耦，是一种将输入电信号转换为光信号，再将光信号转换回电信号的器件。
它由一个发射机和一个接收机组成，通过光传输实现输入和输出的电隔离。
EL817具有广泛的应用领域，包括工控、通信、电力电子、汽车等多个领域。
EL817的基本结构由一颗发光二极管和一颗光探测器组成。
发光二极管通常使用红外LED作为发射源，而光探测器常用的是光敏三极管、光电二极管或光敏晶体管。
发射机和接收机之间通过一个透明的隔离壳相互隔离，使输入和输出之间不会相互影响。
EL817的工作原理基于光的传导。
当输入信号施加在发光二极管上时，发光二极管会产生相应的光信号，光信号经过隔离壳传输到光探测器上。
光探测器接收到光信号后，会产生相应的电信号输出，完成信号的光电转换。
EL817的优点之一是具有电隔离功能。
电隔离是指将高电压电路与低电压电路有效地隔离开，以防止高电压干扰低电压电路，提高整体系统的安全性和稳定性。
EL817通过光信号进行电隔离，使输入和输出之间不存在直接电流或电压连接，从而实现了电隔离的效果。
EL817的另一个优点是具有高速度和快速响应的特点。
它能够在微秒级的时间内完成发射和接收的过程，适用于需要高速信号传输的场合。
并且EL817还具有低功耗、小尺寸、抗干扰等特点，使其成为一种理想的电隔离解决方案。
在工业自动化领域，EL817常用于数字输入输出模块、变频器和PLC等设备中。
它能够将电机驱动回路与PLC控制回路进行电隔离，确保高压电源不会对PLC 控制回路产生干扰，提高设备的稳定性和可靠性。
此外，EL817还可以用于高压开关电源、电液伺服系统、通信设备等。
在电力电子领域，EL817可以用于电力开关设备中的电隔离过程。
在大功率电网中，为了保护低压控制回路和高压电路之间的可靠隔离，常使用EL817光耦来实现电隔离的效果。
光耦能够将高压电路信号转换为光信号，再将光信号转换为低压电路信号，从而避免高压电路对低压电路的干扰。
亿光光耦EL814
09:38:06.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 4 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER AC INPUT PHOTOCOUPLER EL814 Series
Electro-Optical Characteristics (Ta=25
unless specified otherwise)
Input
Parameter Forward Voltage Input capacitance Symbol VF Cin Min. Typ. 1.2 50 Max. 1.4 250 Unit V pF Condition IF = ± 20mA V = 0, f = 1KHz
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min 80 6 Typ. Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
Transfer Characteristics
Parameter Current Transfer ratio EL814 CTR EL814A 50 0.7 VCE(sat) RIO fc CIO Tr Tf 5×10 10
Symbol
Min 20
Typ. -
Max. 300
Unit
Condition
Option None M S (TA) S (TB) S1 (TA) S1 (TB) S (TU) S (TD) S1 (TU) S1 (TD) Standard DIP-4
亿光的光耦el817的工作寿命评估方式
亿光的光耦el817的工作寿命评估方式光耦是一种将输入光信号和输出电信号进行电光转换的器件，广泛应用于各种电子设备中。
其中，亿光的光耦型号el817是一种常用的光耦产品。
在评估el817的工作寿命时，可以考虑以下几个方面：光电转换性能、环境因素、温度、电器荷电量、加电击波和终端压力。
首先，光电转换性能是评估el817工作寿命的重要指标之一。
光电转换性能包括光耦的转换速度、滞后时间和线性度等方面。
在实际应用中，光耦的转换速度要求越高，生命周期就越短。
因此，使用el817作为光耦时，需要根据具体需求选择合适的型号，并根据其提供的转换速度等参数进行评估。
其次，环境因素也会对el817的工作寿命产生影响。
环境因素主要包括湿度、光照强度和尘埃等。
湿度过高会导致光耦内部元件的腐蚀，从而降低工作寿命；光照强度过高会导致光耦内部元件的老化，同样会缩短工作寿命；而尘埃对光耦的外部结构形成阻隔，影响光信号的输入和输出，进而影响光耦的转换性能和工作寿命。
此外，温度对el817的工作寿命也有重要影响。
温度过高会使光耦内部元件的粘结材料老化，导致光电转换性能下降，从而缩短工作寿命。
因此，在设计电路时，需要根据实际环境温度，选择合适的散热措施，以保证el817在合适的温度范围内工作。
同时，电器荷电量也是评估el817工作寿命的重要因素之一。
电器荷电量是指光耦元器件上积累的电荷量，过高的电器荷电量会导致静电放电现象，进而对光电转换性能和工作寿命造成不可逆的损害。
此外，加电击波也是一个重要的评估因素。
在实际应用中，电路开关和继电器的加电冲击会影响光耦的工作寿命。
因此，在电路设计中，需要考虑合适的保护电路来减小电路开关对光耦产生的冲击，从而提高工作寿命。
最后，终端压力也是影响el817工作寿命的因素之一。
终端压力过大，会使光耦内部元件的结构变形，进而影响光电转换性能和工作寿命。
因此，在应用中需要注意处理好终端压力，避免对光耦造成不可逆的损害。
亿光光耦含命名规则
CTR (%)
BVeco (V)
Vce (sat) (V)
Iceo (nA)
0.5
20
7
50
1.0
10
7
0.5
50
100
7
0.3
50
15
6 PIN DIP Darlington Photocoupler
Key Features:
• Wide Current Transfer Ratio selections
100
100
7
1.0
100
50
7
1.2
100
17
Current Optocoupler Offering
6-Pin DIP
****Launched***
Input / Output Function
DC Input / Phototransistor Output
Part Numbers
4N25, 4N26, 4N27, 4N28, 4N35, 4N36, 4N37, 4N38, CNY17-1, CNY17-2, CNY17-3, CNY17-4, H11A1, H11A2, H11A3, H11A4,
1
6
2
5
3
4
Pin Configuration 1. Anode 2. Cathode 3. No Connection 4. Emitter 5. Collector 6. Base
16
6 PIN DIP Transistor Photocoupler
Model Number
4N32 4N33 4N29 4N30 4N31
2
Photo Coupler Construction
亿光光耦含命名规则53页PPT
Trimming & Forming High Pot Test Function Test Marking V/M & Packing
Process control
• IR / PT Auto mount
– Die Shear
• IR /PT Auto bond
6
4 Pin Transistor -பைடு நூலகம்EL817 series
Model Number
Absolute Maximum Ratings
Electro-optical Characteristics
IF (mA)
VBceo (V)
Ic (mA)
Viso (Vrms)
CTR (%)
BVeco (V)
multiple CTR range selections • High isolation voltage between
input and output (Viso=5000 Vrms ) • Operating temperature up to +110°C
Datasheet Link: everlight/upload/product_pdf/EL817_198.pdf
Infrared Product Group
1. Photo Coupler 2. Infrared Receiver Module 3. Infrared LED 4. Phototransistor 5. Photo Diode 6. Photo Interrupter 7. Photo Link 8. Ambient Light Sensor 9. Color Sensor
亿光EL827中文描述
EL827
1 87
2
3 65
4
深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３
代替：ＴＬＰ５２１－２
特点：
＊ 电流转移比
（ＣＴＲ：５０至６００％时Ｉｆ＝ ５ｍＡ，Ｖｃｅ＝ ５Ｖ）
＊ 之间的高隔离电压输入与输出（Ｖｉｓｏ＝ ５０００Ｖｒｍｓ）＊ 紧凑型小外形封装？无铅，符合。
＊ ＵＬ认可（第ｅ２１４１２９）＊ ＶＤＥ批准（１３２２４９号）＊ ＳＥＭＫＯ批准＊ ＮＥＭＫＯ批准＊ ＤＥＭＫＯ批准＊ＦＩＭＫＯ批准＊ ＣＳＡ批准＊ 认证批准
描述：
该ｅｌ８２７ｓｅｒｉｅｓ设备每包括一个红外发光二极管，光学耦合到一个光电探测器。
封装：８引脚 ＤＩＰ直插与ＳＭＤ贴片
应用范围：
＊ 可编程控制器示意图＊ 系统设备，测量仪器＊ 电信设备
＊ 家用电器，如风扇加热器等。
＊ 信号传输电路之间的不同电位和阻抗
电路原理图引脚说明１，３：阳极２，４：阴极５，７：发射器６，８：收集器
8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
TIME (S)
EL827深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３
回流焊温度曲线。
亿光光耦(光电耦合器)的性能特点
亿光光耦（光电耦合器）的性能特点文章出处：广州市超毅电子有限公司亿光光耦的主要优点是单向传输信号,输入端与输出端完全实现了电气隔离,抗干扰能力强,使用寿命长,传输效率高。
它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。
由于光耦的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小,因此分压在电耦的输入端的干扰电压较小,它所能提供的电流并不大,不易使半导体二极管发光;由于光电耦的外壳是密封的,它不受外部光的影响;电耦的隔离电阻很大(约1012Ω)、隔离电容很小(约几个pF)所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。
线性方式工作的电耦是在光耦的输入端加控制电压,在输出端会成比例地产生一个用于进一步控制下一级的电路的电压。
亿光电耦由发光二极管和光敏三极管组成,当发光二极管接通而发光,光敏三级管导通,电耦是电流驱动型,需要足够大的电流才能使发光二极管导通,如果输入信号太小,发光二极管不会导通,其输出信号将失真。
在开关电源,尤其是数字开关电源中,利用线性光耦可构成光耦反馈电路,通过调节控制端电流来改变占空比,达到精密稳压目的。
亿光光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR) CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
电流传输比是光耦的重要参数,通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时,它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
其公式为：采用一只光敏三极管的光耦,CTR的范围大多为20%～300%(如4N35),而PC817则为80%～160%,达林顿型光耦如4N30)可达100%～5000%。
这表明欲获得同样的输出电流,后者只需较小的输入电流。
因此,CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
亿光光耦ELT3021
4PIN DIP RANDOM-PHASE TRIAC DRIVER PHOTOCOUPLER ELT302X, ELT305X SeriesFeatures:• Peak breakdown voltage -400V: ELT302X -600V: ELT305X• High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms )• Compact dual-in-line package • Pb free and RoHS compliant.•UL and cUL approved(No. E214129)• VDE approved (No.40028391)• SEMKO approved • NEMKO approved • DEMKO approved •FIMKO approvedDescriptionThe ELT302X and ELT305X series of devices each consist of a GaAs infrared emitting diode optically coupled to a monolithic silicon random phase photo Triac.They are designed for interfacing between electronic controls and power triacs to control resistive and inductive loads for 115 to 240 VAC operations.Applications●Solenoid/valve controls ●Lamp ballasts●Static AC power switch●Interfacing microprocessors to 115 to 240Vac peripherals ●Incandescent lamp dimmers ●Temperature controls ●Motor controlsSchematicPin Configuration 1. Anode 2. Cathode 3. Terminal 4. TerminalAbsolute Maximum Ratings (Ta=25 )Parameter Symbol Rating Unit Input Forward current I F60mA Reverse voltage V R6VPower dissipationDerating factor (above T a = 85 C)P D100mW3.8mW/°COutput Off-state OutputTerminal Voltage ELT302XV DRM400V ELT305X600Peak Repetitive Surge Current I TSM1APower dissipationDerating factor (above T a = 85 C)P C300mW7.4mW/Total power dissipation P TOT330mW Isolation voltage*1V ISO5000Vrms Operating temperature T OPR-55 to 100 Storage temperature T STG-55 to 125 Soldering Temperature*2T SOL260 Notes:*1AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1& 2 are shorted together, and pins3 & 4are shorted together. *2 For 10 secondsElectro-Optical Characteristics (Ta=25 unless specified otherwise)InputParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit Condition Forward Voltage V F- 1.18 1.5V I F=10mA Reverse Leakage current I R--10µA V R=6V OutputParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit ConditionPeak Blocking Current I DRM--100nA V DRM = Rated V DRM I F=0mAPeak On-state Voltage V TM-- 2.5V I TM=100mA peak, I F=Rated I FTCritical Rate of Rise off-state Voltage ELT302Xdv/dt-100-V/µsV PEAK=Rated V DRM,I F=0 (Fig. 8)ELT305X1000--V PEAK=400V,I F=0 (Fig. 8)Transfer CharacteristicsParameter Symbol Min.Typ.*Max.Unit ConditionLED Trigger Current ELT3021ELT3051I FT--15mA Main terminal Voltage=3V ELT3022ELT3052--10ELT3023ELT3053--5Holding Current I H-250-µA * Typical values at T a= 25°CTypical Electro-Optical Characteristics CurvesFigure 8. Static dv/dt Test Circuit & WaveformMeasurement MethodThe high voltage pulse is set to the required V PEAK value and applied to the D.U.T. output side through the RC circuit above. LED current is not applied. The waveform V T is monitored using a x100scope probe. By varying R TEST , the dv/dt (slope) is increased, until the D.U.T. is observed to trigger (waveform collapses). The dv/dt is then decreased until the D.U.T. stops triggering. At this point, τRC is recorded and the dv/dt calculated.For example, V PEAK = 400V for EL302X series. The dv/dt value is calculated as follows:V PEAKApplied V T WaveformτRC0.632 x V PEAK50 Ω10 k ΩD.U.T.R TESTHigh Voltage Pulse SourceC TESTV T A KT1T20.63 x 400τRCdv/dt = = 252τRC0.632 x V PEAK τRCdv/dt =Order InformationPart NumberELT302XY(Z)-Vor ELT305XY(Z)-VNoteX = Part No. (1, 2 or 3)Y = Lead form option (S, S1, M or none)Z = Tape and reel option (TA, TB ,TU, TD or none).V = VDE safety approved (optional)Option Description Packing quantity None Standard DIP-4100units per tube M Wide lead bend(0.4 inch spacing)100units per tube S(TA)Surface mount lead form+ TA tape & reel option1000units per reel S(TB)Surface mount lead form+ TB tape & reel option1000units per reel S1(TA)Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option1000 units per reel S1(TB)Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option1000 units per reel S (TU)Surface mount lead form + TU tape & reel option1500units per reel S(TD)Surface mount lead form + TD tape & reel option1500units per reel S1(TU)Surface mount lead form (low profile) + TU tape & reel option1500units per reel S1(TD)Surface mount lead form (low profile) + TD tape & reel option1500 units per reelPackage Dimension(Dimensions in mm) Standard DIP TypeOption M TypeOption S TypeOption S1 TypeRecommended pad layout for surface mount leadformDevice MarkingNotes EL denotes EverlightT3053denotes Device Number Y denotes 1 digit Year code WWdenotes 2 digit Week code Vdenotes VDE optionT3053EL YWW VTape dimensionsDimension No.A B Do D1E FDimension No.Po P1P2t W K Dimension(mm) 4.0±0.112.0±0.1 2.0±0.10.35±0.116.0±0.3 4.75±0.1Tape dimensionsDimension No.A B C D EF Dimension(mm)16.00±0.37.5±0.1 1.75±0.18.0±0.1 2.0±0.1 4.0±0.1Dimension No.G H I J K L Dimension(mm)1.55±0.0510.4±0.10.4±0.054.60±0.15.1±0.11.55±0.05Precautions for Use1. Soldering Condition1.1 (A) Maximum Body Case Temperature Profile for evaluation of Reflow ProfileNote: Reference: IPC/JEDEC J-STD-020DPreheatTemperature min (T smin) 150 °CTemperature max (T smax)200°CTime (T smin to T smax) (t s)60-120 secondsAverage ramp-up rate (T smax to T p) 3 °C/second maxOtherLiquidus Temperature (T L)217 °CTime above Liquidus Temperature (t L)60-100 secPeak Temperature (T P) 260°CTime within 5 °C of Actual Peak Temperature: T P-5°C 30 sRamp-Down Rate from Peak Temperature 6°C /second max.Time 25°C to peak temperature8 minutes max.Reflow times 3 times.DISCLAIMER1.Above specification may be changed without notice. EVERLIGHT will reserve authority on material change for abovespecification.2.When using this product, please observe the absolute maximum ratings and the instructions for using outlined in thesespecification sheets. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of the product which does not comply with the absolute maximum ratings and the instructions included in these specification sheets.3.These specification sheets include materials protected under copyright of EVERLIGHT corporation. Please don’treproduce or cause anyone to reproduce them without EVERLIGHT’s consent.。
亿光高性能光耦应用
功能
通道 8-pin DIP
高速
. M+ Y+ Q% V7 w( G# |
照片耦合器的应用
单 1Mbps
双
单 10Mbps
双
达林顿管 300K
单
通道
8-pin DIP 6N135 6N136
EL4502 EL2530 EL2531 6N137 EL2601 EL2611 EL2630 EL2631
网络控制/工业缝纫机统
高速耦合器 串行总线接口隔离
, F, i% ?$ u/ [; X
- y) j- P, q& u) T8 T4 _$ ^
现场总线网络
2 d" \, U2 Y- k+ ~4 H$ m
描述
总线接口隔离 控制器和FA设备之间的分 隔阀（I/O，伺服电机， 面板等） 应用 工厂自动化网络（Profi Bus, DeviceNet, CCLINK）
& f2 c6 v; _6 r& `
数据传输框图
* K( W# W. `( d% O2 n- c
应用 WRS485和RS-422隔离接口 隔离接口 推荐器件
5-pin SOP：ELM600、ELM0601、 ELM0611 8-pin DIP：EL2601、EL2611
8-pin SOP：EL0500、EL0501、 EL0601、EL0611
]: F2 K& C" A0 g
EL306x、EL308x q7 E
}4 x; H9 w6 P7 _" p S
ELM302x、ELM305x、 ELM304x、ELM306x、 ELM308x, E2 |. @2 Z8 T
EL817
EVERLIGHT ELETCRONICS CO., LTDTechnical Data Sheet Photocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ ＥＬ８１７是台湾亿光（ＥＶＥＲＬＩＧＨＴ）生产的线性光耦，用在电源的反馈回路，用来稳定电压和隔离。
亿光电子的光耦合器可提供各式封装型式 （４－Ｐｉｎ ＳＳＯＰ， ４－Ｐｉｎ ＳＯＰ， ４－Ｐｉｎ ＤＩＰ， ６－Ｐｉｎ ＤＩＰ， ８－Ｐｉｎ ＳＯＰ 与 ８－Ｐｉｎ ＤＩＰ） 且客户可依据产品输出功能，选用适合的产品。
ＥＬ８１７ 亿光光耦合器主要使用在电源设备上，隔离高低 电压的用途。
相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调（ＨＶＡＣ）、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。
E -Mail:1091944079@Photocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series S1 TypeNotes:1.Rank shall be or shall not be marked2.Factory code shall be marked (T: Taiwan / C: China)3.Year date code4.2-digit work week5.All dimensions are in millimeters6.Specifications are subject to change without noticePhotocoupler-RoHS Compliant深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 SeriesAbsolute Maximum Ratings ( Ta=25°C )UnitRatingParameter SymbolmACurrent I F 50ForwardVVoltage V R 6Input ReversemWDissipation P 70PowermWCollector Power Dissipation P C 150mAOutput CollectorCurrent I C 50VVoltageV CEO 35Collector-EmitterVVoltageEmitter-CollectorV ECO 6Total Power Dissipation Ptot 200 mW＊1 Isolation Voltage Viso 5000rmsVOperating Temperature Topr -55~+110 °CStorage Temperature Tstg -55~+125 °C＊2 Soldering Temperature Tsol 260°C*1 AC for 1 minute, R.H= 40~ 60%RH-Isolation voltage shall be measured using the following method.(1) Short between anode and cathode on the primary side andbetween collector, emitter and base on the secondary side.(2) The isolation voltage tester with zero-cross circuit shall be used.(3) The waveform of applied voltage shall be a sine wave*2 For 10 secondsPhotocoupler-RoHS CompliantEL817 SeriesElectro-Optical Characteristics (Ta=25°C)Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit ConditionForwardV F - 1.2 1.4 V I F =20mA ReverseCurrent I R - - 10 uAV R =4VInputTerminal Ct - 30 250 pF V=0,f=1kHz Collector Dark currentI CEO - - 100 nAV CE =20VOutputCollector- Emitter breakdown voltage BV CEO 35 - - V Ic=0.1mACurrent Transfer ratio CTR 50-600 % I F =5mA ,V CE =5VCollector- Emitter saturation voltageV CE(sat) - 0.1 0.2 V I F =20mA ,Ic=1 mAIsolation resistance R ISO 5×1010 1011 - ΩDC500V,40~60%R.HFlotation capacitance Cf - 0.6 1.0 pF V=0, f=1MHz Cut-off frequency fc - 80 - kHz V CE =5V, I C =2 mA R L =100Ω, -3dBRise time t r - 4 18 us Transfer CharacteristicsFall timet f - 3 18 usV CE =2VI C =2mA,R L =100Ω深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series SupplementEL817 Series RELIABILITY PLANz The reliability of products shall be satisfied with items listed below.Confidence level : 90 % , LTPD : 10 %Classification Test Item Description & Condition (Acc.)Sample FailureCriteriaReferenceStandardOperation Life * Ta = 25±3°CIR: If = 50 mAPt: Pc = 130 mW ( Vf=1.4v) , 1000 hrs 0 / 22 MIL-S-750 : 1026MIL-S-883 : 1005JIS C 7021 : B-1High Temperature / High Humidity Reverse Bias (H3TRB) Ta = 85 ±3°C , Humi. = 85 % rhPt: 80% * Vce (max rating) , 1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-11High Temperature Reverse Bias (HTRB) Ta = 105 ±3°CPt: 100% * Vce (Max rating) ,1000 hrs0 / 22 JIS C 7021 : B-8Low Temperature Storage Ta = -50 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-12High Temperature Storage Ta = 125 ±3°C , 1000 hrs 0 / 22 JIS C 7021 : B-10MIL-S-883 : 1008 Endurance testAuto clave P = 15 PSIG , Ta = 121 °C ,Humi. = 100 % rh , 48 hrs0 / 22 JESD 22-A102-BTemperature Cycling (Air to Air) 125°C ~ - 55 °C30 ~ 30 min , 100 cycles0 / 22 MIL-S-883 :1010JIS C 7021 : A-4Thermal Shock (Liquid to Liquid) 125 ~ - 55°Ct (dwell) = 5 mint (trans.) = 10 sec , 100 cycles0 / 22 MIL-S-202 : 107DMIL-S-750 : 1051MIL-S-883 :1011Solder Resistance Ta = 260 ±3°Ct (dwell) = 10 ±1 sec 0 / 22 MIL-S-750 : 2031JIS C 7021 : A-1Environmental TestSolder Ability Ta = 230 ±3 °Ct (dwell) = 5 ±1 sec 0 / 22CTR shift > 1.2Vf > U* 1.0Ir > U * 1.0Vce(sat) >U*1.0Bvceo < L*1.0Bveco < L*1.0L :LowSpec.LimitU : Up Spec.LimitMIL-S-883 : 2003JIS C 7021 : A-2深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 Series2.25 Tubes / Inner Carton3.12 Inner Cartons / Outside Carton深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍEL817 SeriesEL817 Series3. 10 Inner Cartons / Outside CartonTEL:755-36627339集成电路，光电藕合器，三端稳压管，二三极管，电阻电容深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ深圳市恒科信电子有限公司 电子元件一站式 Ｅ－Ｍａｉｌ：１０９１９４４０７９＠ｑｑ．ｃｏｍ。
亿光光耦ELT3041,6PIN光电耦合器
Applications
Solenoid/valve controls Light controls Static power switch AC motor drivers E.M. contactors Temperature controls AC Motor starters
063x600?rcvpeak0appliedvtwaveform?rc0632xvpeakdvdt378?rc0632xvpeak?rcdvdt50?10k?dutrtesthighvoltagepulsesourcectestvtakt1t2zerocrossingcircuit亿光一级代理商超毅电子lifecyclephase
For example, VPEAK = 600V for ELT306X series. The dv/dt value is calculated as follows: dv/dt = 0.63 x 600 RC = 378 RC
6 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 4 PIN DIP ZERO-CROSS TRIAC DRIVER PHOTOCOUPLER ELT304X, ELT306X, ELT308X Series
Electro-Optical Characteristics (Ta=25
unless specified otherwise)
1 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date :June 14, 2014. Issue Release No: DPC-0000134 Rev.4 Expired Period: Forever
EL827亿光光藕
Features:• Current transfer ratio(CTR: 50~600% at I F =5mA, V CE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Compact small outline package • Pb free and RoHS compliant. • UL approved (No. E214129) • VDE approved (No. 132249) • SEMKO approved • NEMKO approved • DEMKO approved • FIMKO approved • CSA approved • CQC approvedDescriptionThe EL827series devices each of consist of an infraredemitting diodes, optically coupled to a phototransistor detector. Th p ey are packaged in a 8-pin DIP package and available in wide-lead spacing and SMD option.Applications• Programmable controllersSchematic• System appliances, measuring instruments • Telecommunication equipments• Home appliances, such as fan heaters, etc. 1 87• Signal transmission between circuits of different otentials and impedances2 3 654Pin Configuration 1, 3. Anode 2, 4. Cathode 5, 7. Emitter 6, 8. Collector8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３Absolute Maximum Ratings (T a=25°C)Parameter Symbol Rating Unit Forward current I F60 mAPeak forward current (1us, pulse) I FP 1 AInputReverse voltage V R 6 VPower dissipation P D100 mWPower dissipation P C150 mWCollector current I C50 mA OutputCollector-Emitter voltage V CEO80 VEmitter-Collector voltage V ECO7 VTotal power dissipation P TOT200 mW Isolation voltage *1V ISO5000 V rms Operating temperature T OPR-55 ~ +110 °C Storage temperature T STG-55 ~ +125 °C Soldering temperature *2T SOL260 °C Notes*1AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1 & 2 are shorted together, and pins 3 & 4 are shorted together.*2 For 10 seconds.8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLERElectrical Characteristics (T a=25°C unless specified otherwise)InputParameter Symbol Min. Typ.* Max. Unit Condition Forward voltage V F- 1.2 1.4 V I F= 20mA Reverse current I R- - 10 µA V R = 4VInput capacitance C in- 30 250 pF V = 0, f = 1kHzOutputParameter Symbol Min. Typ.* Max. Unit Condition Collector-Emitter darkcurrentI CEO- - 100 nA V CE= 20V, I F = 0mACollector-Emitterbreakdown voltage BV CEO80 - - V I C = 0.1mAEmitter-Collectorbreakdown voltageBV ECO7 - - V I E = 0.1mATransfer Characteristics (T a=25°C unless specified otherwise)Parameter Symbol Min. Typ.* Max. Unit Condition Current Transfer ratio CTR 50 - 600 % I F= 5mA ,V CE= 5VCollector-Emittersaturation voltage V CE(sat)- 0.1 0.2 V I F = 20mA ,I C = 1mAIsolation resistance R IO5×1010- - ΩV IO = 500Vdc, 40~60% R.H.Floating capacitance C IO- 0.6 1.0 pF V IO = 0, f = 1MHz Cut-off frequency fc - 80 - kHzV CE = 5V, I C = 2mAR L = 100Ω, -3dB Rise time t r- 3 18 µsFall time tf - 4 18 µsV CE = 2V, I C = 2mA,R L = 100Ω* Typical values at T a = 25°C深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLERTypical Performance Curves深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLERFigure 10. Switching Time Test Circuit & WaveformsOutput深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３8 PIN DIP PHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLER深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３Order InformationPart NumberEL827X(Z)-VNoteX = Lead form option (S, S1, M or none)Z = Tape and reel option (TA, TB or none)V = VDE safety (optional)Option Description Packingquantity None Standard DIP-8 45 units per tubeM Wide lead bend (0.4 inch spacing) 45 units per tubeS (TA) Surface mount lead form + TA tape & reel option 1000 units per reelS (TB) Surface mount lead form + TB tape & reel option 1000 units per reelS1 (TA) Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option 1000 units per reelS1 (TB) Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option 1000 units per reel8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLERPackage Drawing(Dimensions in mm)Standard DIP TypeOption M Type深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLEROption S TypeOption S1 Type深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLERRecommended pad layout for surface mount leadformDeviceMarkingEL827YWWVNotesEL827 denotes Device NumberY denotes 1 digit Year codeWW denotes 2 digit Week codeV denotes VDE (optional)深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLERTape & Reel Packing SpecificationsOption TAOption TBDirection of feed from reel Direction of feed from reel深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３Solder Reflow Temperature Profile8 PIN DIP PHOTOTRANSISTORPHOTOCOUPLERDISCLAIMER. The specifications in this datasheet may be changed without notice. EVERLIGHT reserves the authority on material change for above specification.. When using this product, please observe the absolute maximum ratings and the instructions for use as outlined in this datasheet. EVERLIGHT assumes no responsibility for any damage resulting from use of ximum ratings and the instructions included in this protected under copyright of EVERLIGHT. Reproduction in he specific consent of EVERLIGHT.12the product which does not comply with the absolute ma datasheet.3. These specification sheets include materials any form is prohibited without t深圳部：恒信宇０７５５－８３６６ ３０８３。
el817共阴极应用电路
el817共阴极应用电路EL817是一种共阴极光耦合器，也称为光电耦合器。
它是一种集成电路，由一个红外发射二极管和一个NPN型光敏三极管组成。
在实际应用中，EL817常用于光电隔离和信号传输的电路。
共阴极光耦合器主要用于隔离输入和输出，电气隔离可以有效地阻止器件之间的电流和电压传导，提高电路的可靠性和稳定性，从而保护接收器和发送器。
因此，EL817广泛应用于多种电子设备和系统中，如工业自动化、仪器仪表、通信设备和家用电器等。
在工业自动化领域，EL817可以用于解决接口电路之间的地线传导问题。
由于工业现场存在较大的电磁干扰和噪声，为了保护控制电路和测量电路的正常运行，常需要将输入和输出信号进行隔离。
采用共阴极光耦合器可以实现输入和输出信号的电气隔离，提高系统的抗干扰能力。
在仪器仪表领域，EL817可以用于仪器仪表的漏电检测和信号隔离。
通过将待检测电路和测量电路进行隔离，可以减小测量误差，提高仪器的精度和稳定性。
此外，EL817还可以用于信号的放大和传输，可以扩大信号的幅度，使信号能够传输到远距离。
在通信设备领域，EL817可以用于光纤通信系统中的光电转换。
光电转换是将光信号转化为电信号的过程。
光信号在光纤中传输，当光信号到达接收端时，需要将其转化为电信号进行处理。
EL817可作为光电转换的核心元件，将光信号转化为电信号，实现通信信号的传输和处理。
在家用电器领域，EL817可以用于家用电器的控制电路。
通过采用共阴极光耦合器，可以实现电器的远程控制和智能化控制。
例如，通过EL817将电机控制电路和控制面板进行隔离，可以减小因电气干扰和噪声引起的故障，提高电器的使用安全性和可靠性。
总的来说，EL817作为一种共阴极光耦合器，被广泛应用于工业自动化、仪器仪表、通信设备和家用电器等领域中。
它通过电气隔离和信号转换，实现输入和输出之间的隔离和传输。
EL817的应用可以提高系统的抗干扰能力、稳定性和安全性，为电子设备和系统的正常运行提供保障。
亿光光电开关(对射式光耦)ITR9707规格书
Opto Interrupter 020-22074733 QQ 2462655096
█ Features
․Fast response time ․High analytic ․Cut-off visible wavelength λp=940nm ․High sensitivity ․Pb free ․This product itself will remain within RoHS compliant version
Prepared date：2009/4/14
Rev .3
Page: 5 of 8
Prepared by：huangzw
█ Typical Electrical/Optical/Characteristics Curves for PT
ITR9707
cycle
value>20%
L : -40℃ 15 min
H : +100℃ 5 min
300
3
Thermal Shock
10 sec
22 PCs
0/1
cycle
L : -10℃
5 min
4
High Temperature TEMP. : +100℃
1000 hrs 22 PCs
0/1
Storage
Everlight Electronics Co., Ltd. Device No：DRX-0000017
Prepared date：2009/4/14
Rev .3
Page: 2 of 8
Prepared by：huangzw
█ Absolute Maximum Ratings (Ta=25℃)
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10:05:22.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 series
Package Dimension (Dimensions in mm)
Standard DIP Type
Option M Type
7 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
10:05:22.0
亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 series
Typical Electro-Optical Characteristics Curves
4 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
2 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
IR
Cin
Output
Parameter Collector-Emitter dark current Collector-Emitter breakdown voltage Emitter-Collector breakdown voltage Symbol ICEO BVCEO BVECO Min. 80 7 Typ.* Max. 100 Unit nA V V Condition VCE = 20V, IF = 0mA IC = 0.1mA IE = 0.1mA
Wide lead bend (0.4 inch spacing) Surface mount lead form + TA tape & reel option Surface mount lead form + TB tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TA tape & reel option Surface mount lead form (low profile) + TB tape & reel option
Transfer Characteristics
Parameter Current Transfer ratio Collector-Emitter saturation voltage Isolation resistance Floating capacitance Cut-off frequency Rise time Fall time * Typical values at Ta = 25°C Symbol CTR VCE(sat) RIO CIO fc tr tf Min 50 5×10 10
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
10:05:22.0
Typ. 18 18
Unit % V pF kHz µs µs
Condition IF = 5mA ,VCE = 5V IF = 20mA ,IC = 1mA VIO = 500Vdc, 40~60% R.H. VIO = 0, f = 1MHz VCE = 5V, IC = 2mA RL = 100, -3dB VCE = 2V, IC = 2mA, RL = 100
Applications
• Programmable controllers • System appliances, measuring instruments • Telecommunication equipments • Home appliances, such as fan heaters, etc. • Signal transmission between circuits of different potentials and impedances
Operating temperature Storage temperature Soldering temperature
*2
TSOL
Notes: *1 AC for 1 minute, R.H.= 40 ~ 60% R.H. In this test, pins 1, 2 & 3, 4are shorted together, and pins 5, 6 & 7, 8 are shorted together. *2 For 10 seconds
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亿光一级代理商超毅电子
DATASHEET 8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 series
Absolute Maximum Ratings (Ta=25
)
Parameter Forward current Peak forward current (1us, pulse) Input Reverse voltage Power dissipation Power dissipation Output Collector current Collector-Emitter voltage Emitter-Collector voltage Total power dissipation Isolation voltage
10% 90%
tf toff
5 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
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DATASHEET 8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 series
Order Information
Part Number
EL827X(Z)-V
Note X Z V = Lead form option (S, S1, M or none) = Tape and reel option (TA, TB or none) = VDE safety (optional)
*1
Symbol IF IFP VR PD PC IC VCEO VECO PTOT VISO TOPR TSTG
Rating 60 1 6 100 150 50 80 7 200 5000 -55 to 110 -55 to 125 260
Unit mA A V mW mW mA V V mW V rms °C °C °C
3 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
Option None M S (TA) S (TB) S1 (TA) S1 (TB) Standard DIP-8
Description
Packing quantity 45 units per tube 45 units per tube 1000 units per reel 1000 units per reel 1000 units per reel 1000 units per reel
6 Copyright Revision :4 © LifecyclePhase:
Date:2014-06-26 2010, Everlight All Rights Reserved. Release Date : May 31, 2014. IssueRelease No: DPC-0000047 Rev. 4 Expired Period: Forever
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8 PIN DIP PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER EL827 Series
Schematic
Features:
• Current transfer ratio (CTR: 50~600% at IF =5mA, VCE =5V) • High isolation voltage between input and output (Viso=5000 V rms ) • Compact small outline package • Pb free and RoHS compliant. • UL and cUL approved(No. E214129) • VDE approved (No. 132249) • SEMKO approved • NEMKO approved • DEMKO approved • FIMKO approved • CQC approved Pin Configuration 1, 3. Anode 2, 4. Cathode 5, 7. Emitter 6, 8. Collector