MEMS技术 第三讲 工艺设计及版图设计

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版图设计和制作工艺

版图设计和制作工艺

针对SOI 集成传感器芯片结构的特殊性,同时考虑到芯片成品率和器件的可靠性,根据已经开发的普通压阻工艺规则、考虑到光刻和键合设备能力、同时为保证加速度传感器件结构布线的需求制定了集成传感器芯片的工艺规则。

为保证结构加工的成品率,加速度传感器弹性支撑悬臂梁的厚度设计为30um 。

考虑到整个器件的尺寸、加速度传感器的量程等诸多因素,加速度传感器支撑悬臂梁的宽度必须比较小;但为保证在一条弹性悬臂梁的宽度范围内并排放下两个压阻和六条金属导线,同时又要将图形尺寸设计的足够大,以尽可能减少加工偏差对图形尺寸影响的比例,以获得较高的成品率和可靠性。

综合考虑以上因素,布线的工艺规则以5um 为最小图形线宽和间隔、压阻图形面引线孔覆盖最小为2um 、双面光刻和对准键合的图形覆盖最小为4um ,其他还要求器件的焊盘最小间距大于100um 、焊盘面积大于100100um um 、硅片划片槽宽度为200um 。

MEMS 光刻掩模版介绍光刻技术是一种将掩模版的图形转移到衬底表面的图形复制技术,即利用光源选择性照射光刻胶层使其化学性质发生改变,然后显影去除相应的光刻胶得到相应图形的过程。

光刻得到的图形一般作为后续工艺的掩模,进一步对光刻暴露的位置进行选择性刻蚀、注入或者淀积等。

MEMS 掩模版是一块单面附有金属铬层的厚度为c 的石英玻璃平板,掩模图案构造于铬层中。

光刻掩模版的制作是MEMS 器件加工流程的开始。

一般对掩模版的设计要求为:图形的尺寸要准确;图形边缘应光洁,陡直和无毛刺;图形黑白对比要深,图形内无针孔,图形外无黑点;整套版中的各块能一一套准;底版要牢固、耐磨;各图形区内应有掩蔽作用,图形区外应完全透过紫外光或对光吸收极少。

根据制定的集成传感器的工艺规则,结合需要的MEMS 器件结构,就可以开始进行MEMS 掩模版的版图设计。

版图是一组具有一定对应关系的图形,它与器件的结构、所用的加工工艺密切相关,每层版图都对应于不同的工艺步骤。

集成电路设计3版图设计PPT课件

集成电路设计3版图设计PPT课件
N阱
P型衬底
24.09.2020 4
硅芯片上的电子世界--电阻
• 电阻:具有稳定的导电能力(半导体、导体); • 芯片上的电阻:薄膜电阻;
薄膜电阻
宽度:微米
厚度:百纳米 硅片
24.09.2020 5
电阻的版图设计
• 能与CMOS工艺兼容的电阻主要有四种:
• 扩散电阻、多晶硅电阻、阱电阻、MOS电阻
22
硅芯片上的电子世界—晶体管
• 三级管:pnp,npn • 硅芯片上的三极管:
24.09.2020
P+ …N…+. P+
N阱
P型衬底
23
三极管的设计
CMOS工艺下可以做双极晶体管。 以N阱工艺为例说明PNP, NPN如何形成。
(1)多晶硅电阻 最常用,结构简单。在场氧(非薄氧区域)。
多晶硅电阻(poly)
辅助标志层: res_dum
24.09.2020
P型衬底
为什么电阻要做在 场氧区?
6
(2)扩散电阻
在源漏扩散时形成,有N+扩散和P+扩散电阻。在CMOS N阱 工艺下,N+扩散电阻是做在PSUB上,P+扩散是在N阱里。
24.09.2020 13
平板电容
辅助标志层: cap_dum
比例电容的版图结构
P型衬底
24.09.2020
C2=8C1
14
平板电容
常见结构:MIM, PIP, MIP;
PIP、MIP结构,传统结构;
MIM结构,使用顶层金属与其下一层金属;
精度好;
下极板与衬底的寄生电容小;
钝化层
第n层金属
MIM 上电级
集成电路CAD设计

《MEMS加工工艺》PPT课件

《MEMS加工工艺》PPT课件
1
MEMS加工工艺
精选ppt
1
控制部分 电子学
机械 部分 传感 执行
微电子学 MEMS
3
MEMS结构的特点
可动 三维 微尺度 形状复杂 材料的多样性
精选ppt
3
MEMS加工工艺分类
4
部件及子系统制造工艺
半导体工艺、集成光学工艺、厚薄膜工艺、微机械加 工工艺等
封装工艺
硅加工技术、激光加工技术、粘接、共熔接合、玻璃 封装、静电键合、压焊、倒装焊、带式自动焊、多芯 片组件工艺
这一反应为络合化反应
精选ppt
19
HF的作用
20
显然,HF的作用在于促进阳极反应,使 阳极反应产物SiO2溶解掉,不然,所生 成的SiO2就会阻碍硅与H2O的电极反应。
精选ppt
20
H+离子 浓度的影响
21
HF、HNO3可用H2O或CH3COOH稀释。在HNO3溶 液中HNO3几乎全部电离,因此H+浓度很高,而 CH3COOH是弱酸,电离度较小,HNO3+ CH3COOH的溶液中,H+与CH3COO-发生作用, 生成CH3COOH分子,而且CH3COOH的介电场数 (6.15)低于水的介电场数(81),因此在HNO3 +CH3COOH混合液中H+离子浓度低。
铸形成高深宽比微结构的方法。设备昂贵,需特制的X射线掩模 版,加工周期长,与集成电路兼容性差
精选ppt
6
7
硅基微机械加工技术
体硅微机械加工技术
硅各向异性化学湿法腐蚀技术 熔接硅片技术 反应离子深刻蚀技术
表面微机械加工技术
利用集成电路的平面加工技术加工微机械装置 整个工艺都基于集成电路制造技术 与IC工艺完全兼容,制造的机械结构基本上都是二维的

CMOS集成电路制造工艺及版图设计

CMOS集成电路制造工艺及版图设计

叠放metal1层:
叠放metal2层:
●侧视图显示叠放顺序 ●绝缘层将两金属层分隔开
每层的图形由顶视图表 示,SiO2是透明玻璃
7.2 互连线电阻和电容
互连线电阻和电容使传播延时增加 互连线电阻会消耗功率 互连线电容会偶合进额外的噪声,影响电 路可靠性
不同金属材料电阻率
连线的寄生电容(与衬底或连线之间)
5、氮化硅SiN4淀积
• 用于表面覆盖,对大多数物质原 子有阻挡作用,防污染。 • 介电常数较大:7 0 • 绝缘,可用于在电气上隔离相邻 场效应管。 • 同SiO2一样,能被化学漂洗掉。
6、化学机械抛光CMP
7、刻蚀
• 先将掩模(mask)图案转移到涂上光刻胶的硅片上。 • mask 或 reticle:玻璃上覆盖铬图案。
电路)
• 5.CSP(Chip Size Package)芯片尺寸封装 (引脚多,面积小,频率高)
引线键合封装(wire-bonding)
Substrate Die Pad Lead Frame
倒装片封装(Flip-chip)
优点:压焊块可在芯片上任何位置, 具有非常好的电气性能。
Die
Solder bumps
• CPU的封装发展史:
• 1.DIP(Dual.In-line Package)双列直插式封装 (适合PCB板,pin少,面积比大) • 2.PQFP(Plastic Quad Flat Package)塑料方型扁平式封装和PFP(Plastic Flat Package)塑料扁平组件式封装 (密集,面积比小,适合高频电路) • 3. PGA(Pin Grid Array Package)插针网格阵列封装 (拔插方便,适合高频 电路) • 4.BGA(Ball Grid Array Package)球栅阵列封装 (引脚多,但是间距大,适合更高频率

清华大学MEMS课程讲义

清华大学MEMS课程讲义

3/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics电镀(Electroplating)7/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics MEMS光刻体微加工技术)各向同性湿法刻蚀与刻蚀剂成分比例有关23/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics MEMS光刻体微加工技术Question:What will happen in KOH etching?微电子学研究所刻蚀侧壁与底面垂直不能实现任意开口形状保护方法机械夹具/黑胶/浮片各向异性湿法刻蚀37/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics39/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics 简介MEMS光刻体微加工技术43/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics简介MEMS光刻体微加工技术物理刻蚀利用粒子的能量进行轰击优缺点微电子学研究所Institute o f Microelectronics 电子、离子、中性基团、分子微电子学研究所Institute o f Microelectronics微电子学研究所Institute o f Microelectronics等离子体硅微电子学研究所Institute o f Microelectronicsm/min55/60微电子学研究所Institute o f MicroelectronicsMEMS光刻体微加工技术低温DRIE特性↓↓↓↓等离子体硅片源59/60微电子学研究所Institute o f Microelectronics1B1A’2B 1B’1A 2B’2A’2Ax-轴y-轴z-轴3轴加速C M O S 集成63/60微电子学研究所Institute o f MicroelectronicsMEMS光刻体微加工技术作业100:98:1. 画出刻蚀40秒, 100秒和600秒后的窗口截面图说明厚胶光刻中曝光衍射和散射、分辨率下降、以及曝光剂量不够的解决。

版图技术——CMOS集成电路的版图设计

版图技术——CMOS集成电路的版图设计
版图设计规则一般都包含以下四种规则: (1) 最小宽度 例如,金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小宽度。
(2)最小间距 例如,金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小间距。 (3)最小包围 例如,N阱、N+离子注入和P+离子注入包围有源区应该有足够的余量;多晶硅、 有源区和金属对接触孔四周要保持一定的覆盖。
⑤ 完整的MOS管版版图必须包含两个部分:a)由源、栅和漏组成的器件;b) 衬底连接。
(a)PMOS管
(b)NMOS管 完整的MOS管版图图形
5.1.2 MOS管阵列的版图实现
1.MOS管串联
(1) 两个MOS管的串联。 N1的源、漏区为X和Y,N0的源、漏区为Y和Z。Y是它们的公共区域,如 果把公共区域合并,得到图5.7(d)所示的两个MOS管串联连接的版图。 从电流的方向可以决定,当MOS管串联时,它们的电极按S-D-S-D-S-D方 式连接。
① MOS管的四种布局图
② 直线形排列的NMOS管
结构图 立体结构和俯视图
③ 源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active),而有源区之外的区域 定义为场区(Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面。 Fox + Active = Surface
芯片表面包含有源区和场区两部分
④ N阱CMOS集成电路使用P型衬底,NMOS管直接制作在P型衬底上,PMOS 管做在N阱内。
第5章 CMOS集成电路的版图 设计
主要内容 5.1 MOS 场效应管的版图实现 5.2 版图设计规则 5.3 版图系统的设置 5.4 版图的建立 5.5 版图的编辑 5.6 棍棒图 5.7 版图设计方法概述
5.1 MOS 场效应管的版图实现
5.1.1 单个MOS管的版图实现

基于版图和工艺的MEMS器件三维结构生成算法

基于版图和工艺的MEMS器件三维结构生成算法

基 于 版 图 和工 艺 的 ME MS器 件 三 维结 构 生 成算 法
邓 伟 ● 华 李伟
( 东南 大学 ME MS教育部重点实 验室 , 南京 2 0 9 ) 10 6
摘 要 : 设计了一种 ME 器件三维结构生成的方法, MS 介绍了结合工艺流程实现转换的全过程, 对相关算法进行了详细论
3 St u t r idi g r t m fM EM S De i e Ba e n La o tAn D r c u e Bu l ng Al o ih o vc sd o y u d
DENG W ,L,W — u i ih a
( yL brtr f ME fM ii r f E uain, o tes U ies y,Najn 10 6 hn ) KP a oaoyo MS o ns yo d cto ,S uhat nvri t t n ig2 0 9 ,C ia
Ab ta t A i d o h e - i e so a t u t r u l i g me h d o EM S d v c s p e e t d Th o e sr c : k n ft r e d m n i n ls r c u e b i n t o fM d e ie i r s n e . e wh l D o e u e o e l i g 3 d m e so a t u t r o v r i n i i to u e . o ea e l o ih so o y o r c d r fr a i n - i n i n l r c u e c n e so n r d c d S me r lt d a g rt m fp l g n z s s D r ii n,P o e s e p a a i n a d 3 d m e s o a t u t r u l i g h v e n e p a i e e e Ac o d n a tt o r c s x ln t n 一 i n i n ls r c u e b i n a e b e m h sz d h r . o d c r ig t r c s l wsa d p r m e e s o EM S d v c h s n b s r o v r i n i i lm e t d f o r t e — o p o e sf o n a a t r fM e ie c o e y u e ,c n e so mp e n e r m p e r a S tn f 2 d me so a a o t fl o l a i g o r c s l ws f o c r e a i e p r me e s h o i g t i g o 一 i n i n l l y u i t o d n f p o e s fo , r m o r l t a a t r c o s n o e v P o e sse sm ac i g r c s t p t h n ,u o p o e s s e p a a i n i h n o r a ie 3 d me so a o i t u t r f p t r c s e x ln t n t e e d t e l 一 i n i n ls l s r c u e o o z d d vc s e ie .Ba e n a o e c u s ,a x c t b e fl u l b r g a s d o b v o r e n e e u a l i i b i y p o r mmi g S me k n so EM S d v c s es t n .o id f M e ie l d h v e n d s rb d c r e ty i 一 i e so a p c y t e e e u a l i ih v l a e h s t r e d — a e b e e c i e o r c l n 3 d m n i n l s a e b h x c t b e f e wh c a i t s t i h e - i m e so a u l i g me h d n i n lb i n t o . d Ke r s M EM S d v c ; h e - i n i n l t u t r ; r c s l w ; r c s x l n to a g rt m y wo d : e ie t r e d me so a r c u e p o e s f s o p o e s e p a a i n; l o ih EE ACC: 5 5 27

集成电路工艺和版图设计参考

集成电路工艺和版图设计参考

0.5 m 、 0.35 m -设计规范(最小特征尺寸)
布线层数:金属(掺杂多晶硅)连线旳层数。
集成度:每个芯片上集成旳晶体管数
12/9/2023
2
文档仅供参考,如有不当之处,请联系改正。
IC工艺常用术语
净化级别:Class 1, Class 10, Class 10,000 每立方米空气中含灰尘旳个数 去离子水 氧化 扩散 注入 光刻 …………….
互补对称金属氧化物半导体-特点:低功耗
VDD
C
PMOS
Vi
Vo
I/O
NMOS
VDD I/O
VSS
VSS CMOS倒相器
12/9/2023
C
CMOS传播门
22
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VDD
S
D
P+
P+
N-Si
VG
Vo
D n+
S
VSS
n+
P-阱
CMOS倒相器截面图
12/9/2023
CMOS倒相器版图
双极IC 半导体IC MOSIC
NMOS IC PMOS IC CMOS IC
BiCMOS
12/9/2023
18
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MOS IC及工艺
MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
.
— 金属氧化物半导体场效应晶体管
Hinkle.
12/9/2023
15
文档仅供参考,如有不当之处,请联系改正。
Here we are looking at the Incoming material disposition racks

MEMS设计技术 PPT

MEMS设计技术 PPT
MEMS设计
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课程简介
MEMS是英文micro electro mechanical system的缩写,译作 微电子机械系统,简称为微机电系统。顾名思义,MEMS是由 微机械和微电子线路组成的微系统。它是从20世纪80年代发展 起来的一种综合性的技术。微机电系统,在欧美称为MEMS, 在日本通常称之为称为微机械(micromachining)。
6. 微电子的制造和封装是成熟的技术,有规范成文的工 业标准。微系统的生产与这种成熟程度还有非常大的距离。
1.5 微系统加工工艺与微制造技术
1.5.1 微加工工艺 (1)光刻 (2)扩散 (3)离子注入 (4)氧化 (5)化学气相淀积 (6)物理气相淀积 (7)外延 (8)腐蚀
1.5.2 微制造技术
MEMS具有的共同特点是:尺寸小(1μm-1mm)、重 量轻、性能稳定、功耗低、谐振频率高、响应时间短、易于 大批量生产、生产成本低、产品易于更新换代、比大尺寸设 备更可靠。
微压力传感器封装后产品
利用静电致动的MEMS
Analog Devices公司的ADXL276/250微加速度传感器
汽车气囊展开系统智能惯性传感器
教材及主要参考文献
1.《IntelliSuite CAD of MEMS》美国Intellisense公司. 2002年.
2.《MEMS和微系统——设计与制造》,徐泰然著. 机械工业
出版社ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ2003.
3.《微传感器和微执行器》,戈雷戈里.科学出版社,2003.
第1章 绪 论
主要内容:
1.1 MEMS定义 1.2 典型MEMS产品 1.3 MEMS所涉及的技术领域及应用领域 1.4 MEMS和微电子之间的联系 1.5 微系统加工工艺与微制造技术 1.6 MEMS计算机辅助设计

微机械陀螺仪版图与工艺设计

微机械陀螺仪版图与工艺设计
工艺技 术研 究和 陀螺 结构设 计是 一 个很 好 的借鉴 。
关键词
微机 械音 叉 陀螺
微 系统
体硅 工 艺
1 引 言
陀螺是用 于测量物体旋转速率的传感器。陀
螺的种类很多, 中微 机械 陀螺是指在晶体材料 其
( 主要是 硅材 料 )上 集 成 的包 括 测 量 和驱 动 电路

版图设计时应 考虑到体硅工艺加 工的特殊 性, 在硅/ 玻璃键合过程 中, 硅片是反向倒扣键合
在 玻璃 片 上 , 要 采 用 双 面光 刻 技 术 。因此 在 制 需
版过程 中, 就需要将锚点 的光掩模版镜像 10 。 8。
图 I 微 机械音叉 陀螺 的结构图
在工艺加工过程 中主要采用硅/ 玻璃键合 、 氢氧化 钾化学腐蚀减薄 、 P I 硅深槽刻蚀工艺技术。 C
( 中国兵器 工业 第 24研 究所 1
摘 要
蚌埠
234 ) 302
体硅 M M E S工艺是 一种主要 的微 机 电 系统加 工 手段 , 过 对 陀螺 结构研 究和 体硅 ME 通 MS
工艺的 实验 , 陀螺的版 图设 计 和 工艺加 工方 面积 累 了一 些 实践 经验 。 对 于我们 今后 开展体 硅 M M 在 E S
为 1。 2 3 2 结构分 析 .
对音叉陀螺结构进行模态分析。通过在计算机上
用 有 限元软 件进 行 模 态分 析 , 到该 结 构 的五 个 得
振 型 的变形 。
图 3 振 动 moe 1 d l
图 4 振 动 m dl oe 2
图 5 振 动 m dl oe3
F C的频率与驱动频率相同):
F = 2 ×V C mQ () 1

第三章 MEMS制造技术-2

第三章 MEMS制造技术-2

湿法刻蚀
各向同性湿法刻蚀
– 二倍刻蚀速率 – 与刻蚀剂成分比例有关 – 与晶向有关
湿法刻蚀
各向同性湿法刻蚀
– 保护层 (Passivation layer)
• • • • • • • • SiN 和Au基本不刻蚀 热生长SiO2 刻蚀速度 30-80 nm/min, 慢100x Al 刻蚀极快 正胶可以短时使用 去除表面损伤,消除尖角,降低表面残余应力 其他加工后的表面剖光 减薄和刻蚀 刻蚀圆形通道
• 版图设计时进行部分补偿
厚胶光刻
• 厚胶应用
– 集成电路光刻胶层厚度1 µm – MEMS中光刻胶层厚度1 µm -1mm
• 问题
– 曝光衍射和散射 – 分辨率下降 – 曝光剂量不够
双面光刻
• 激光对准
3 体微加工技术
概述 湿法刻蚀
各向同性湿法刻蚀 各向异性湿法刻蚀
干法刻蚀
概述
• 定义:向基底深度方向进行刻蚀的技术 • 刻蚀方法
湿法刻蚀小结
各向同性刻蚀
–刻蚀剂 –刻蚀参数 –选择比和保护层
湿法刻蚀的优缺点
操作简单 碱金属与IC 不兼容 相对安全和 无毒 不够灵活
各向异性刻蚀
– 刻蚀剂: KOH, EDP, TMAH –刻蚀速率与晶向有关 –刻蚀参数 –选择比和保护层 –刻蚀停止
干法刻蚀
• • • • 简介 刻蚀机理 三维结构 举例
– 集成电路制造中,表面起伏1-2 µm – MEMS制造中,表面带有微结构和深槽,10100 µm
• 旋涂问题
– 聚积 – 解决方法
• 喷涂 (Spray coating ) • 电镀 (Electroplating)
深槽光刻
• 曝光问题

版图设计与工艺.ppt

版图设计与工艺.ppt
模块界面间的综合分析技术:这主要包括IP模块间的胶联 逻辑技术和IP模块综合分析及其实现技术等
Dr.Jian Fang
8
微电子与其它学科结合,带动一系列交叉 学科及相关技术和产业的发展 .
由于微细加工不断成熟和应用领域不断扩大,带 动一系列交叉学科及其有关技术的发展,例如微 电子机械系统(MEMS)、微光电系统(MOES)、 DNA芯片、二元光学、化学分析芯片以及作为电 子科学和生物科学结合的产物——生物芯片的研
究开发等都将取得明显进展。
Dr.Jian Fang
9
其技术突破的关键点有以下几个方面
纳米级光刻及微细加工技术
器件特征尺寸的缩小,取决于曝光技术的进步,在0.07μm阶段,曝 光技术还是一个问题,预计再有1—2年左右时间可获突破。在65nm 以下是采用Extra UV还是采用电子束的步进光刻机,还正在研究之中。 为适应技术的发展,极限紫外线、X射线、准分子激光等超微细图形 曝光技术等将成为今后几年主要的工艺技术而获得更广泛的应用,先 进的集群式全自动智能化综合加工系统将成为新一代的IC制造设备。
Dr.Jian Fang
Байду номын сангаас
5
器件的特征尺寸不断缩小
自1965年提出摩尔定律近40年来,集成电路持续地按此定 律增长,即集成电路中晶体管的数目每18个月增加一倍。 每2-3年制造技术更新一代,这是基于栅长不断缩小的结 果,器件栅长的缩小又基本上依照等比例缩小的原则,促 进其它工艺参数的提高。预计未来10-15年摩尔定律仍将是 集成电路发展所遵循的一条定律,按此规律,在21世纪初 集成电路的基本单元CMOS器件将从亚半微米进入纳米时 代(即器件的栅长小于100nm,2010年后将小于50nm)。

《MEMS微电感》课件

《MEMS微电感》课件

应用领域
01
通信领域
用于无线通信、卫星通信、雷达等高频信号处理系统。
02
能源领域
用于微型电源、储能系统等。
03
生物医学领域
用于生物传感器、医学诊断和治疗等。
02 MEMS微电感的设计与制造
设计流程
A
需求分析
明确MEMS微电感的应用场景和性能要求,如 工作频率、Q值、尺寸等。
原理图设计
根据需求,设计MEMS微电感的原理图, 包括结构、形状、尺寸等。
B
C
仿真优化
利用仿真软件对设计的MEMS微电感进行性 能分析和优化,提高性能参数。
版图绘制
将原理图转化为制版图,为后续制造提供依 据。
D
材料选择
01
02
03
材料类型
选择适合MEMS微电感制 造的材料,如单晶硅、多 晶硅、氮化硅等。
材料纯度
确保所选材料的纯度,以 满足MEMS微电感的性能 要求。
材料特性
《MEMS微电感》 PPT课件
目录
• MEMS微电感简介 • MEMS微电感的设计与制造 • MEMS微电感的性能测试与评估 • MEMS微电感的发展趋势与挑战 • MEMS微电感的应用案例
01 MEMS微电感简介
定义与特性
定义
MEMS微电感是指利用微电子机械系 统(MEMS)技术制作的微型电感器 。
案例二:MEMS传感器
总结词
MEMS传感器是利用微电感技术实现传感器功能的重要应用,具有高精度、高可靠性、低功耗等优点 。
详细描述
MEMS传感器利用微电感作为敏感元件,可以感知温度、压力、磁场、加速度等物理量,广泛应用于 汽车、医疗、航空航天等领域。MEMS传感器的精度和可靠性高,能够提供准确的测量数据,并且具 有低功耗的特点,能够延长设备的续航时间。

MEMS器件工艺设计

MEMS器件工艺设计
原位掺杂和注入掺杂及退火的优化
炉退火对多晶硅膜应力和应力梯度的影响

工艺条件
退火温度 退火时间 应力 应力 梯度

(o C)
(h)
X108Pa X108Pa/μ
1
610o C 淀积,
未退火
-2.5
-1.25
2
610o C 淀积,注磷,
950
0.5
-1.10
-0.96
100kev,1E15cm-2
3
KOH腐蚀速 率与硼掺杂 浓度的关系
B. EPW腐蚀系统:
乙二胺(NH2(CH2)2NH2) E
邻苯二酚(C6H2(OH)2) P

W
反应: 电离: NH2(CH2)2NH2+H2O—NH2(CH2)2NH3++(OH)氧化还原:Si+2 (OH)- +4H2O—Si(OH)6=+2H2 络合过程: Si(OH)6=+ C6H2(OH)2—Si(C6H4O2)3=+6H2O
Ⅲ MEMS器件工艺设计
美国:MEMS—
MicroElectroMehanical System 欧洲:Micro System 日本:Micro Machine 其它:Micro & Nano 技术
3.0 绪论:MEMS工艺特点 3.1 表面微机械加工工艺 (实例:RF MEMS谐振器) 3.2 体硅微机械加工工艺 (实例:全硅微机械加速度计) 3.3 LIGA技术
MEMS设计过程
3.0 绪论:MEMS工艺特点
MEMS工艺与集成电路工艺
➢集成电路工艺的应用
➢与集成电路特点比较
集成电路:薄膜工艺; 制作各种晶体管、电阻电容等 重视电参数的准确性和一致性

第三章 版图的设计

第三章 版图的设计

逻辑图 电路图,参数,开关特性 版图,版图面积,开关特性
(W L)pn p(W L)n2.4*49.6
CMOS反向器的直流特性
OUT
VM A
要求
VM

1 2 VDD
则 n p

(W L)p
n p
(W L)n
k' n
kp'
(W L)n
k' n
nCox
k' n
pCox
例题1
一个CMOS反向器, 其工艺具有下列参数
第九步:后工序加工
以上对应教科书的3.1节
版图设计师
通晓基础电学概念、工艺限制及特性 对版图规则拥有良好的相像和直觉的能力 能够学习和使用各种各样的CAD工具
绘制反相器版图
版图编辑工具使用
OK!!!
器件加工工艺流程
画N阱 画扩散区 画多晶硅 画接触孔contact 画金属1
VDD 3.3V
Cout 150fF
(W L
)n

6
(W L
)p

8
1
Rp

822.9
p(VDDVTp)
tr2.2R pC out271.55ps
Rnn(VDD 1VTn)427.35 tf 2.2RnC out 141ps
fmax
tr
1 tf
2.42109Hz
晶体管级电路设计
建议用orcad(spice)(PC版) 与cadence软件较相似
3.2 绘图层
版图设计师所需绘制版图的分层数目已经减小 到制版工艺所要求的最小数目,这种最小数目 的层称为绘图层。
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器件设计
• 原理
• 性能
第三讲主要内容
(3)
1、系统设计与器件设计 2、工艺设计 3、版图设计 4、关于微器件的一般知识
电容原理加速度传 感器

工艺流程设计
• Substrate passivation and poly ground plane
• n+ diffusion, 0.5 m thermal oxide, 0.15 m LPCVD nituride • 0.3 m phosphorus-doped LPCVD poly
进口

出口
利用这种双金属 片致动原理研制 的阀如图4-319 所示。其中,硅 膜厚、直径为, 铝层厚,常开间 隙为的阀可控 0.2MPa、的气流, 泄漏仅为 45μL/min
体积膨胀和相变执行器
• 不利用固体的线形膨胀,而是利用体积膨胀也可
以制造出微机械执行器。一种典型的方法是形成 带有密封流体的空腔(如:空气、水蒸汽和液态 水等),这些物质可以被加热,然后就会膨胀。 但是,就象别的许多热驱动方法一样,这种方法 功耗较大,带宽较低,这是由于热时间常数所致。 变相的热执行器包括加热时相态可变的材料,这 样体积发生膨胀从而产生压力以及机械载荷。例 如,可以通过加热将水从液态转变为气态,产生 的气泡可以用作驱动力。
-Depositon of material Pattern transfer Removal of material
probe testing secticning individual DIE Assembly into package package seal final test
MEMS和微系统设计
课程内容
• • • • • • • •
MEMS概述及MEMS设计的概述 工艺简要回顾 系统设计、工艺设计及版图设计 主要的机械、电子元件及其设计基础 多域耦合设计:以机电耦合为例子 器件性能的估计 简单的其他域的元件及其简要设计要点 设计实例
第三讲主要内容
(3)
1、系统设计与器件设计 2、工艺设计 3、版图设计 4、关于微器件的一般知识
Phase Shift Mask
• Add one 180° phase shift layer on mask
• The feature size can achieve about 100 nm
• First introduce in 1982. New software developed recently.
• Sacrifical layer deposition and patterning
• 2 m LPCVD PSG
• Densify and reflow PSG at 100 ℃, 1 h • Timed etch to creat dimples, wet etch • Etch anchors, reactive ion etch
• 版图什么样 • 版图的制作过程 • 对准问题 • 正胶和负胶问题 • 版图设计工具
Mask Type
• Binary Mask • Proximity correction mask
• Phase shift mask
Binary Mask
• The patternarea is either clear or opaque • The mask pattern design as same as
活塞执行器
• 一个膨胀气体驱动的活塞执行器,它的运
动是沿着衬底所在的平面平行移动。在多 晶硅加热器的作用下形成了水蒸汽的气泡, 并在活塞腔内膨胀,将活塞向外推。当加 热停止时,活塞腔内的气泡就破裂,于是 活塞就返回原来的位置。在衬底表面差不 多的情况下,基于表面张力的执行器所能 提供的力能达到其它方式所能提供的力的 两个数量级以上。
气泡表面张力致动器简图
缺点
• 可惜的是,它们的工作环境必须是液体环
境,这就限制了它们的最大工作速度(由 于阻尼)和效率(由于液体的热导)。 • 热驱动方法功耗较大,而且由于热时间常 数的缘故,其带宽比较低。热气动式由于 要有密封腔,所以生产装配工艺较为复杂。
• 热气动微阀[28]
玻璃 出口 进口 铝膜 硅
的不同热膨胀系数,被称为双晶片热激励。 一个加热器常被夹在两层“活动”的材料中间, 加电后,就会使它们产生不同的膨胀。该方案 的优点包括线性的偏移量-能量关系以及环境稳 定性,如这些执行器能运行于热传导相当低的 液体中。 缺点包括高功耗、低带宽(由热时间常数决定) 以及比静电执行器更复杂的结构。

热双晶片执行器的截面图
desired device’s pattern • May cause serrated edges and nonuniformity across the mask
Proximity Correction Mask
• Modify the mask •
pattern Final Mask pattern may contain serifs at feature corners
双金属致动器
• 严格说来双金属致动器也是一种热致动器,
但它不利用固体的体积膨胀,而是利用固 体的线形膨胀来制造微致动器。双金属热 致动是通过加热,使得驱动元件本身的温 度升高,结构内部产生热应力,导致薄膜 产生线性应变,从而达到驱动目的。
• 双金属热致动方式具有驱动电压低、驱动
力大、行程大、线性的位移—能量关系、 结构及制造工艺简单(相对热气动等方式 而言)、驱动能源易于实现、易于集成等 特点,因而应用前景广泛。
驱动方式(原理及实例)
静电式微执动器(重点内容,以后章节) 热力 压电式微执动器 形状记忆合金微执动器 电磁式微执动器 生物
热执行器
• 有一些基于固体或液体膨
胀的热执行方式。它们中 的许多已在微机械器件中 得到应用 ; 利用热来驱动的热致动器 或简单的加热器(一个电 阻器)广泛应用于微机械 器件中,是一种十分常见 的驱动方式。从原理上分, 热致动器可以分为热气动 式和热膨胀式两种。
• Link CAD
电容谐振器的版图
•?
第三讲主要内容
(3)
1、系统设计与器件设计 2、工艺设计 3、版图设计 4、关于微器件的一般知识
•微执行器
•微传感器
• • •
微机械执行器是组成微机电系统的要素之一。 如,力学执行器是将电能或其它能量转换为机 械能 。 理想的执行器应该是使用很少的能源,具有很 高的机械效率,对机械状态和环境条件适应性强, 需要时能产生高速运动,具有高的能量-质量比, 在控制信号与力、扭矩和速度之间呈线形比例关 系。

入口
加热电阻
• 热气动蠕动泵,
出口
蠕动膜
流道
图4-331 热气动蠕动泵
膜片与管道间的 间隙处于常开状 态,加热驱动将 使间隙关闭,膜 片的顺序动作促 使流体定向流动。 该泵流量和背压 都比较低。
微机械波形管执行器
• 表面微机械“波
形管”执行器, 这种执行器带有 一个环形的折叠 状薄膜结构,相 对于简单的薄膜, 这种结构可以得 到更大的偏移。

“Heatuator”
• Current runs through loop of released structure (usually polysilicon, “cold arm” with gold layer) • Regions with higher current density (“hot arm”) are heated up more and expend more (“pseudo bimorph”)
系统设计的目的
Байду номын сангаас
MEMS Design
System Requirments
•Sensitivity •Responsivity •Freq response •Loss •Power consumption •etc •System level simulation (e.g. optical simulation for optical systems)
• Structure poly deposition, doping, and anneal
• 2 m LPCVD poly (undoped), 610 ℃ • 0.3 m PSG on top • Symmetric doping occurs during anneal at 1050 ℃ in N2 for 1 hour
•Microstructure release
• HF to etch PSG • Water rinse • Dry, avoiding surface tension of water
第三讲主要内容
(3)
1、系统设计与器件设计 2、工艺设计 3、版图设计 4、关于微器件的一般知识
版图设计
加热电阻
玻璃
a)
压力腔内注有 氯甲烷,利用 其液态-气态相 变控制流体, 控制氮气流量 达15L/min。
磁执行器
通电线圈
• 通电导体产生磁场。
平行的两条导线中 通以相同方向的电 流则彼此之间相互 吸引, 如果通以相 反的电流,则彼此 之间相互排斥。
• 类似的,通电线圈也能产生磁场,它可与
磁铁或相隔一定距离的线圈产生的外磁场 相互作用而产生机械力。电磁力的优点在 于其值可以很高,并且既可以吸引也可以 排斥。缺点是功耗一般较高,而且产生的 磁场会对附近的物体产生一些影响,例如 移动带电微粒或影响磁数据存储介质。
【Bright rt al., U. Colorado】
• 热膨胀式是利用执行器加热时本身材料的
体积膨胀制造的。 • 热气动式一种典型的方法是形成带有密封 流体(如空气、水蒸汽和液态水等)的空 腔,气腔中的流体被加热后就会膨胀,压 力增大,从而推动薄膜运动。
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