导体系统的电容.ppt
半导体器件基础课件(PPT-73页)精选全文完整版

有限,因此由它们形成的电流很小。
电子 技 术
注意:
1、空间电荷区中没有载流子。
2、空间电荷区中内电场阻碍P 区中的空穴、N 区中的电子(
都是多子)向对方运动(扩散 运动)。
所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡, 相当于两个区之间没有电荷运动,空间电荷区的厚 度固定不变。
电子 技 术
二、PN 结的单向导电性
电子 技 术
1. 1 半导体二极管的结构和类型
构成:实质上就是一个PN结
PN 结 + 引线 + 管壳 =
二极管(Diode)
+
PN
-
符号:P
N
阳极
阴极
分类:
按材料分 按结构分
硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 平面型
电子 技 术
正极 引线
N 型锗片 负极 引线
外壳
触丝
点接触型
正极 负极 引线 引线
电子 技 术
半导体中存在两种载流子:自由电子和空穴。 自由电子在共价键以外的运动。 空穴在共价键以内的运动。
结论:
1. 本征半导体中电子空穴成对出现,且数量少。 2. 半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电。 3. 本征半导体导电能力弱,并与温度有关。
电子 技 术
2、杂质半导体
+4
一、N 型半导体
电子 技 术
三、课程特点和学习方法
本课程是研究模拟电路(Analog Circuit)及其 应用的课程。模拟电路是产生和处理模拟信号的电路。 数字电路(Digital Circuit)的知识学习由数字电子技 术课程完成。
本课程有着下列与其他课程不同的特点和分析方 法。
电子 技 术
导体系统的电容.ppt

q U
l
ln
2 0l
RB ln RB
2 0 RA
RA
(3) 球形电容器
E q
U
U
4
0
r
2
E dl
q
q RA
RB
RB q dr q ( 1 1 )
RA 4 0r 2
40 RA RB
C0
U
q U
4 0 RA RB
RB RA
二、部分电容
若电容器由多个导体构成。则电容器之间、导体与地之间均存在电容
1/ r D 1/ r2
S r2
因此当时 r ,上式中第一项的面积分应为零,于是
1
We 2
E DdV
V
电场能量表达式为
We
1 2
E DdV
V
电场能量体密度
we
(r
)
1 2
E(r
)
D(r
)
对于各向同性均匀介质
we
1 E2 1 D2
N个导体存在,导体i上的电量与它和其它导体之间的电位差
(包括大地)有关,即有
q1 C111 C12 (1 2 ) C13 (1 3 ) q2 C222 C21(2 1) C31(3 1) q3 C333 C31(3 1) C32 (3 2 )
C12
1
C11
2
C23
3
C13 C22
D (D) D (D) E D
1
2
V
DdV
1 2
(D)dV
1
V
2
E DdV
V
1 2
S
D
dS
1 2
VE
DdV
人教版(2019)高一物理 必修第三册 第十章:10.4电容器的电容(共30张PPT)

2.哪个储水本领大? 如何反映其储水本领?
水量电荷量Q与电容器两极板
间的电势差成正比,比值Q/U 是一个常量。 不同的电容器,这个比值一般是不同的
.这个比值表征了电容器储存电荷的特性
---电容
二.电容
1、定义:电容器所带电量Q与电容器两极板间的 电势差 U的比值,叫电容器的电容。符号C。
B -Q
电路符号: 或
5、电容器的充放电 (1)充电:使原本不带电的两板带上等量异
种电荷的过程
正极板
+Q
两有极短间暂 有的电压流
++++++++
E
--------
-Q
两板分别带等量异 种电荷,每个极板 带电量的绝对值叫 电容器的带电量
负极板
注意:
①电容器充电的过程中,在两极间的电压、两 板带等量异种电荷不断增大,直到两极电压等于 电源电压为止,该过程中电路中有短暂的充电 电流
2、两个电容器电量之比为2:1,电压之比为1:2, 则它们的电容之比为 4:1 。
3、某电容C=20PF,那么用国际单位表示,它的电 容为__2_×__1_0_-_11_F。
4、对于一个确定的电容器的电容正确的理解 是( )
A、电容与带电量成比 B、电容与电势差成反比 C、电容器带电量越大时,电容越大。
A、Q1>Q2 B、Q1=Q2
√C、Q1<Q2.
D、无法确定Q1与Q2的大小关系
研究平行板电容器 的电容和哪些因素有关
大量实验证明:
平行板电容器的电容C 跟介电常数r 成正比,跟 正对面积S 成正比,跟极板间的距离d 成反比.
公式表示为: C r s 4 kd
S 表示两板的正对面积,d 表示两板间的距离 r是电介质的介电常数,k是静电力常量
双导体系统电容的计算

内外 导 体 间 的 电 压 为
以求 同轴线单 位长度 的电容 为例 : 设 同轴线 的内外导体单 位 长度带 电量 分别 为
+ 和 一P ; 内半 径 为 a 外 导 体 半 径 为 b 内 外 导 ; ; 体间填充介 电常数 为 e 均 匀电介质 . 的 由 于 同 轴 线 内外 电 极 的 电 导 率 远 大 于 其 间 填 充 导 电媒 质 的 电 导 率 , 以 可 以 把 内 外 导 体 视 为 所 等 势 体 , 质 中 恒 定 电 场 仅 有 径 向 分 量 , 电场 强 媒 且
t r s s e s c p c t n e o y t m a a ia c .
K e o d c xilln yW rs oa a i e;c p c t n e a a ia c
电容是 导体 系 统 的一 种 基本 属性 , 是 描述 它 导体 系统存储 电荷能力 的物理 量. 个导 体 系统 , 一
物理 与工程
Vo. O N . 2 1 12 o 6 0 0
一
2 2c£ 1 b n 一 2 …n / ) ( ~ C 7
电 容 器 构 成 , 这 无 数 小 的 平 行 板 电 容 器 的 电 容 求 所 满 足 的 和 式 . 是 以 同 轴 还 线 为 例 , 了 求 出 同 轴 线 电 为 容 器 的 电 容 , 们 把 两 圆 柱 我 壳 a b之 间 媒 质 层 看 作 是 、
u fE. l d
间 的电压.
2 d f E.
可 以 视 为 这 一 系 列 的 平 行 板 电 容 器 的 串 联 . 度 厚 为 d , 积 为 2 r 的平 行 板 电 容 器 的 电 容 r面 兀z
d 一 C : e  ̄l T r 2
多金属导体系统的部分电容分析和计算

导体1上的电荷可看成由n份电荷所组成: q1第一部分: q11 C11 (1 0) q11 是导体1与大地之间的部分电容 C11 1 0 q1第二部分: q12 C12 (1 2 ) q12 是导体1与导体2之间的部分电容 C12 1 2 ……
或
…(1)
i ij q j
j 1
n
(i 1, 2, , n)
比例系数 ij 称为电位系数
电位系数 ij
ij
ij
qj
称为互电位系数:在数值上等于第j个导体上的总电量为一个 单位而其余导体上的总电量为零时,第i个导体的电位。
ii
ii
qi
称为自电位系数
电位系数的特性:
或表示为
…(3)
qi Cij (i j ) Ciii
j i
n
(i 1,2,, n)
(i j ) 变换过程中: Cij ij n Cii i1 i 2 in ij
j 1
Cij、Cii
即为“部分电容”
Cij、Cii 即为“部分电容”:
q1 111 122 1nn q 2 21 2 22 2 2n qn n11 n 22 nnn
其中
…(2)
ij
M ij
电位系数组成的行列式 ij
在多导体系统中,一个导体在其余导体的影响 下,与另一个导体构成的电容
Cij qij
i j
(i j ) 是导体i和导体j之间的部分电容,称为导体i和导体j
电容与电感课件ppt

旁路去耦
总结词
电容在电路中具有去耦的作用,能够消除电路中的自激振荡和噪声干扰。
详细描述
在电子电路中,常常通过在关键部位增加适当的去耦电容来消除自激振荡和噪声干扰。去耦电容能够旁路掉电源 中的高频噪声,提高电路的信噪比和稳定性。
能量存储
总结词
电容作为一种储能元件,能够存储电能并在需要时释放。
详细描述
电容的能量存储特性
能量存储
电容可以存储电能。当电压升高时,电容充电并存储能量。当电压降低时,电 容放电并释放能量。
储能计算
电容所储存的能量可以用以下公式表示:E = 1/2CV²,其中C是电容的电容量 ,V是电容两端的电压。
03
电容的应用
滤波稳压
总结词
电容在滤波稳压电路中发挥着重要的作用,能够平滑输出电 压,提高稳定性。
应用场景
扼流圈广泛应用于各种电子设备中 ,如电源、音频设备等,用于稳定 电流和防止电磁干扰。
变压器
定义
变压器是一种利用电磁感应原理 改变交流电压的装置。
工作原理
变压器由两个或多个绕组组成, 当一个绕组上施加交流电压时, 磁场在另一个绕组上产生感应电
动势,从而改变电压的大小。
应用场景
变压器广泛应用于电力系统和电 子设备中,如电源、电机控制、 音频设备等,用于升压、降压、
制造工艺上的联系与差异
总结词
电容和电感的制造工艺既有联系又有差异。
详细描述
它们的基本结构都是由导线绕制成线圈,但 电容的导线之间是并联关系,而电感的导线 之间则是串联关系。此外,电容的内部填充 物通常为绝缘材料,而电感的内部则可能填
充磁性材料。
THANKS。
电容的物理意义
电容的主要作用是储存电能。
第二章 静电场中的导体和电介质:电容器的电容

P e 0 E
§2.8 电容器的电容
一.孤立导体的电容
q C V
单位:F(法拉)
C是与导体的尺寸和形状以及周围的电介质有 关,与q,V无关的常数。
1F 10 F 10 PF
6 12
例1 .求半径为R的孤立导体球的电容。
q1:q2: · :qn = C1:C2: · :Cn · · · ·
q qi (V A VB ) C i ,
i 1 i 1
n
n
n q C Ci VA VB i 1
并联电容器的总电容等 于各电容器的电容之和 2. 串联
C Ci
i 1
n
A +
VA +q –q +q –q 。
q dA udq dq C
从开始极板上无电荷直到极板上电量为Q的过 程中,电源作的功为
2 q 1 Q 1Q dq 0 qdq C C 2 C
A dA 0
Q
Q CU
U为极板上电量为Q时两板间的电势差
1 Q2 1 1 2 A CU QU 2 C 2 2
E
0
( r R1 , r R2 )
λ er 2πεr
B A
( R1 r R2 )
2
VA VB
R E dl R Edr
1
λdr R1 2πεr
R2
R2 q R2 λ ln ln 2πε R1 2πεL R1
q 2πεL C V A VB ln( R2 / R1 )
②所求的C = q/VA–VB一定与q和VA–VB无关,仅 由电容器本身的性质决定。
高二物理竞赛课件:电容 电容器(共15张PPT)

ε
B A
+ Q 和 - Q,即=Q/L
L
-Q +Q
R2
R1
例3. 圆柱形电容器的电容 解:设内外筒分别带电荷
ε
A
+ Q 和 - Q,即=Q/L
r
作高斯面
B
L l
-Q +Q
R2
R1
例3. 圆柱形电容器的电容 解:设内外筒分别带电荷
ε
B A
+ Q 和 - Q,即=Q/L
r
作高斯面
L
∮D•dS = D 2rl = l
C =εS / d
σ
dε
D
+ + + + + +σ
材料介电常数ε实用测量方法: 先测量没有介电材料时电容器的电容 Co =εo S / d
再在两平板之间填满被测介质而重测电容 C = εS / d
于是得: C / Co =ε/εo =εr 所以两电容之比就是放在两平板之间材
料的相对介电常数。 根据电容的定义和串并联的特点,同学
串联公式:1 / C = 1 / C1 + 1 / C2 + 1 / C3+ … 并联公式: C = C1 + C2 + C3+ …
例 2 试求同心球形电容器的电容
( 介质为真空 ) 解:两导体之间的电场为
E = Q / 4πεo r2 ro 电极 A、B UA - UB =∫AB E ·d l
Q +Q
1μF = 10-6 F, 1 pF = 10-12 F。
二、电容器及其电容 电容的概念可推广到一个导体系统上。
让我们考虑电荷各为 + Q 和 - Q
金属球和无限大导体平板系统的电容的高精度计算

03
以促进相关领域的发展。
未来研究方向
可以进一步研究导体系统的电导 率、温度等因素对电容的影响, 以更全面地了解导体系统的电学
特性。
可以尝试将该公式应用于实际工 程问题,如电磁屏蔽、电磁兼容 性和天线设计等,以提高相关产
品的性能和可靠性。
可以探索其他类型的电容计算方 法,如有限差分法、有限元法等, 以比较不同方法的优缺点和应用
范围。
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感谢您的观看
金属球和无限大导体 平板系统的电容的高 精度计算
目录
• 引言 • 金属球和无限大导体平板系统的电容理论 • 高精度计算方法 • 数值模拟与结果分析 • 结论与展望
01
引言
研究背景
金属球和无限大导体平板系统是经典 的双电层模型,广泛应用于电化学、 电子工程和物理学等领域。
电容是描述电容器存储电荷能力的物 理量,其精确计算对于理解双电层行 为、优化电容器设计和提高能量存储 效率具有重要意义。
电容的单位是法拉(F),1F=1C/V。
金属球和无限大导体平板系统的电容公式
01
对于金属球和无限大导体平板系统, 其电容公式为$C=frac{kpi R}{d}$, 其中R为金属球的半径,d为导体 平板与金属球心之间的距离,k为
02 电介质常数。
当电介质为真空时,k=1;当电介 质为空气或其他介质时,k值需根 据具体介质属性确定。
研究目的
• 本文旨在研究金属球和无限大导体平板系统的电容的高精度 计算方法,以提高计算精度和效率,为相关领域的研究和应 用提供更准确的理论支持。
02
金属球和无限大导体平 板系统的电容理论
电容的基本概念
电容是衡量电场中储能的物理量,其大小与电场中电荷分布和介质属性有 关。
电容ppt课件

敏度和快速响应的特点。
电容在电力系统的应用
无功补偿
电容可以提供无功功率,提高电力系 统的功率因数,减少线路损耗。
滤波和消除谐波
电容可以吸收谐波电流,减少对电力 系统的干扰和损耗。
储能
电容可以存储电能,用于平衡电力系 统中的有功和无功功率。
瞬态保护
微法拉是法拉的千分之 一,常用于表示小电容
值。
皮法拉(pF)
皮法拉是微法拉的千分 之一,常用于表示非常
小的电容值。
纳法拉(nF)
纳法拉是皮法拉的千分 之一,常用于表示非常
小的电容值。
电容的表示方法
01
02
03
直标法
直接在电容器上标明电容 值。
色标法
通过不同颜色的环来表示 电容值,不同颜色代表不 同的有效数字和倍率。
爆炸或冒烟
可能是由于内部短路或使用不当等原因引起,需 要立即切断电源并更换损坏的电容器。
05
电容RS TO CREATE A NEW
ERA
电容技术的发展趋势
要点一
总结词
小型化、高性能、环保化
要点二
详细描述
随着电子设备向便携化、智能化方向发展,对电容器的体 积、性能和环保性提出了更高的要求。未来电容技术的发 展将更加注重小型化设计,以适应更紧凑的电子设备内部 空间。同时,高性能、高稳定性的电容器将成为主流,以 满足电子设备高效率、高可靠性的需求。环保材料和生产 工艺的应用也将成为电容技术发展的重点,以降低对环境 的影响。
数字表示法
通过数字和字母来表示电 容值,例如104K表示 10,000pF的电容,K表示 误差为±10%。
02
电容 电容器 (大学物理)ppt课件

例:导体球,外包一层电介质
求:电容
解: 0
E
Q
4
0
r
r
2
r R1 R1 r R2
Q
r
O
R1
Q
4 0r 2
r
U=
Ecosdl
=
R1
= Q (1 1) +
40r R1 R2
R2
R2
R2
R1
Q 4
40 R1Q20r=r24dQr0[+1rR(2R 141 Q0R r122)d r R12]
2d
= 120rE2Sd120rE2V
r
能量分布在电场中 电场是能量的携带者
适用任意
E
dW
dV
电场能量密度 w dW
电场
dV
w dW dV
=
1 2
0
r
E
2
1
DE
1
rr DE
,
wE2
22
均匀电场, WwV
非均匀电场,W dW wdV = V
例:孤立导体球电场的能量
V
120r
E2dV
dV4r2dr
U q
4 0r R
注:电容与导体是否带电无关 与导体几何因素和周围介质有关
CU q40rRrC0
二、电容器及电容
UABUAUB
实验与理论证明:
q 常量 U AB
q C :电容 U AB
由彼此绝缘、相距很 近的两导体构成
q
q
U A
UB
r
A(正极板) B(负极板)
注意:C 取决于电容器的形状、大小、相对位置及其间介 质
解:
E
2.9导体系统的电容

p
1
(4 0
)2
[
1 ab
1 b2
]
18
第二章 2.9
求 p 的代数余子式:
1
p
1
4 0
a 1
b
1
p#
1
4 0
b1
b
1
b 1
b
1 b
1
a
P 的伴随矩阵。
2019/6/10
19
第二章 2.9
故
试求各部分电容.
解: 当三根心线用细导线连接在一起时,
测得它与外壳之间的电容为 0.054F
C11 C22 C33 0.054 F
当两根心线与外壳连接时,测得另一
心线与外壳之间的电容为 0.036F
C33 C23 C13 0.036 F 由于对称性.则 0.018F 0.009F
ii
电容系数
ij (i j)
感应系数
q p 1
ij ji
互易 12
2019/6/10
10
第二章 2.9
i ii 为除 导体以外,其余导体均接地时,i导体上 的电荷量与其自身电位之比。
q ii qi
当 i 1V 时, ii i
2
q2
4 0b
p22 q2
p 22
p12
1
4 0b
0
1
b
a
2
2019/6/10
17
第二章 2.9
1 1
p
电容的计算

5.3 电容的计算1.孤立导体的电容2.双导体系统的电容3.多导体的部分电容QC φ=1. 孤立导体的电容式中:为导体所带的电荷量,为导体的电位。
φQ 孤立导体的电容指的是该导体与零电位参考导体之间的电容。
QC φ=例:在无限大接地导体平面上方h 高处,有一半径为a 的长直圆柱导体,其轴线与平面平行,求:圆柱导体单位长度上的电容。
解:圆柱导体单位长度上的电容指的是该导体与导体平面之间的电容。
圆柱导体单位长度上的电荷量圆柱导体的电位haha hahacclρlρ-yx圆柱导体的电位用镜像法求解:haφ=hahacclρlρ-yx圆柱导体的电位计算:根据电轴法:22c h a=-p假设:电轴的线电荷密度为lρ圆柱导体表面P 点的电位:0()ln2π()l c h a c h a ρφε+-=--圆柱导体单位长度上的电荷量:lQ ρ=导体圆柱单位长度的电容:QC φ=2ln()ln()C c h a c h a πε=+---+0()ln2π()l c h a c h a ρφε+-=--lQ ρ=可得:22ch a=-其中:2. 双导体系统的电容Q C U=Q U 式中为带正电导体的电荷量,为两导体间的电压。
d SQ E Sε=⋅⎰d lU E l=-⋅⎰d d SlE SC E lε⋅=-⋅⎰⎰必须求出其间的电场。
由上式可见:欲计算两导体间的电容,C Ed ()d ()lU E l E r r E r r αϕα=-⋅==⎰⎰设两极板间电压为U则:()UE r rα=21r r r =-ε例:如图所示,电容器可以用圆柱坐标系表示,一极板位于xoz 平面,另一极板和xoz 面成角,电容器高为h ,径向尺寸,内部填充介质的介电常数为。
求:电容。
α解:忽略边缘效应,由边界条件判断,则极板间电场与有关,与无关,r ϕˆ()E E r aφ=xyz1r 2r hαOS n nD E ρε==的极板处,根据电场边界条件:在0ϕ=2121d d d ln h r S Sr r U Uh Q S r z r r εεραα===⎰⎰⎰U r εα=在极板上总电荷为:21lnr Q h C U r εα==所以电容为:例:一无限长同轴电缆的内外半径分别为a 和b ,其间填充介电常数为的两层介质,如图所示。
12章电容器电介质12

★ 结论:充满电介质电容器的电容是真空时电容的
r 倍。
C rC0 2. 电介质的相对电容率 r
(12.11)
r — 称电介质的 相对电容率 (相对介电常数)。
是表征电介质电学性质的物理量(纯数)。
空气: r
1;
一般电介质: r
1;
导体: r
.
3. 电介质的电容率
q, 两板间场强:
(2) 两极板间电势差:
E 2 0 r q q
RB U AB dr ln RA 2 0 r 2 0 RA q 2 0 L (3) 电容:
RB
RA
B A
RB
L
C
U AB
ln( RB RA )
圆柱形电容器电容:
2 0 L C ln( RB RA )
U
§2 电介质的极化
电介质 — 不导电的绝缘物质。
q0 C0 q0 U0
一、电介质对电场的影响
1. 充电介质时电容器的电容
(1) 两极板间为真空时:
以平板电容器 为例:
q0 C0 U0
(2) 两极板间充满各向同性的均匀电介质时: 实验测得:
r C q0
q0
U
U 0 C q0 q0 C U , r r 0 U U0 r
D
两极板的电势差为
E2
p分子 0
p分子 0
结果:在垂直于电场的端面上产生了极化电荷. 极化电荷只能在分子范围内移动,故又称束缚电荷.
结论、电介质的极化
1. 无极分子的位移极化
2. 有极分子的转向极化 极化的结果是在垂 直场强的方向上出现 极化电荷。 3. 极化电荷(束缚电荷)
电容器培训课件

选择质量可靠的电容器制造商,确保产品质量;在安装 和使用过程中,注意避免过压、过温等不利条件;定期 检查和维护电容器,及时发现并解决问题。
电容器端电压升高
总结词
电容器端电压升高可能是由于电源波动、负载变化等原因导致的。
详细描述
电容器端电压升高可能会导致电容器过压损坏,影响设备的性能和寿命。端电压升高可能 是由于电源波动、负载变化等原因导致的。
单位
欧姆(Ω),兆欧(MΩ),千兆欧(GΩ)
计算公式
3
R = U/I,其中U是电压,I是电流
品质因数(Q)
定义:电容器储存的能量与损耗之比
计算公式:Q = 2πfC/R,其中f是频率,C是容量,R 是电阻
单位:无量纲
高品质因数:意味着电容器具有高能量储存和低损耗 的特点,通常用于高频电路中
03
电容器的性能测试
充放电测试
充放电速度
电容器充电和放电的速度是衡量其性能的重要指标。一般来说,充放电速度 越快,电容器的效率就越高。
充放电循环寿命
电容器在反复充放电过程中,其性能会逐渐下降。充放电循环寿命越长,电 容器的使用寿命就越长。
温度测试
工作温度范围
电容器的工作温度范围越宽,其适用的环境就越广泛。
温升
电容器在正常工作时,其表面温度会升高。温升越低,说明电容器的散热性能越 好。
电容器的基本结构可以分为两个主 要部分:极板和电介质。
电介质可以是气体、液体或固体绝 缘材料。
电容器的工作原理
电容器的基本工作原理是存储 电荷。
当电容器两端的电压增加时, 电容器会充电,电荷会储存在
电介质中。
当电容器两端的电压减少时, 电容器会放电,电荷会从电介
导体系统的电容的计算方法

C
说明:
q
导体电容是指:使导体得到单位电势所必需给予的电量。但孤立导
体电容都很小,最大的即为地球,大约为710μF.不具有实际意义,
而两个相互靠的很近的彼此绝缘的导体构成的电容器电容很大,才 得到广泛运用的。
两个带等量异号电荷(q)的导 体组成的电容器,其电容为 q q C U 1 2
导体系统的电容
电容器广泛应用于电子设备的电路中: • 在电子电路中,利用电容器来实现滤波、移相、隔直、旁 路、选频等作用;
•
•
通过电容、电感、电阻的排布,可组合成各种功能的复杂
电路; 在电力系统中,可利用电容器来改善系统的功率因数,以 减少电能的损失和提高电气设备的利用率;
1. 电容 电容是导体系统的一种基本属性,是描述导体系统 储存电荷 能力的物理量。 孤立导体的电容 孤立导体的电容定义为所带电量q与其电位 的比值,即
电容的大小只与导体系统的几何尺寸、形状和及周围电介质
的特性参数有关,而与导体的带电量和电位无关。 若已知导体之间的电场分布 q E dS
s
U E dl
l
sE dS C E dl
l
由以上电容的定义,可以得到规则双导体系统的电容
故可近似地认为电荷分别均匀分布在两 导线的表面上。应用高斯定理和叠加原
y
理,可得到两导线之间的平面上任一点
P 的电场强度为
两导线间的电位差
1 l 1 E ( x) ex ( ) 2 0 x D x
2
z
a
x D
x
U
1
l E l d 2 0
故单位长度的电容为
的计算步骤: (1) 假定两导体上分别带电荷+q 和 -q ; (2) 计算两导体间的电场强度E; 2 (3) 由 U E dl,求出两导体间的电位差;
多导体系统的部分电容

2 、 双导体的电容
3 、 多导体系统的部分电 容
1 、孤立导体 电容
C
q
➢ 导体上的电量 q C
➢ 电容 C 只与导体几何性质和周围介质有关
➢ 空气中半径为 的孤立导体球的电容
a = Q 4 0 a
C
=
Q
=
4πεa0
➢ 如何估算人体的电容?
2 、双导体的电容
两导体电位分别为 和1 ,2带电量分别为 q 和 -q
✓导体 1 无电荷时 q1 0 1 0
C13 0
✓导体 1 、 2 、 3 均有电荷时
q1 C101 C12 1 q2 C211 C23 3 � q3 C323 C30 3
导体 1 与导体 3 被互相隔离,不 存在导体间静电耦合
q C
1 2
➢ 导体上的电量 q C(1 2)
➢ 平行板电容器电容
q C
1 2
S S
Ed
S S 0 d S
S
0d
3 、 多导体系统的部分电容
多导体系统中一个导体与另一个 导 体之间的电容
q0 q1 q2 q3 0
1 11q1 12q2 13q3 2 21q1 22q2 23q3 3 31q1 32q2 33q3
q2
C21 (
2 1) C20 ( 2 0 ) C23 ( 2 3 )
q3 C31( 3 1) C32 ( 3 2 ) C30 ( 3 0 )
导体自有部分电容
导体互部分电容
Ci0
Cij Cji
N
Ci 0
ij
j 1
Cij ij i j
静电屏蔽问
题
q1 C10 1 C12 1 C13 1 3 q2 C21 1 C20 0 C23 3 q3 C31 3 1 C323 C303
电容分类与应用课件

风力发电
用于电机控制和能源管理 的滤波和去耦,提高发电 效率和稳定性。
04 电容的发展趋势与展望
电容材料的发展趋势
高介电常数材料
随着电子设备向小型化、高性能 化发展,对电容器的容量和性能 要求越来越高,高介电常数材料
成为研究热点。
环保型材料
随着环保意识的提高,无毒、环 保的电容材料逐渐取代传统有害 材料,成为未来电容材料的重要
智能化封装
利用传感器、执行器等器件,实现电容器工作状态的实时监测和调 控,提高电容器的可靠性和稳定性。
电容在新能源领域的应用展望Fra bibliotek风力发电
01
利用超级电容器储能系统,解决风力发电的不稳定性问题,提
高风电并网效率。
太阳能发电
02
利用超级电容器为太阳能逆变器提供快速稳定的储能系统,提
高光伏发电的效率。
电动汽车
03
移动电话
用于射频滤波和去耦,确 保信号传输的稳定性和清 晰度。
路由器和交换机
用于信号传输的滤波和去 耦,提高数据传输的可靠 性和稳定性。
卫星通信
用于高频信号的滤波和去 耦,确保信号的有效传输 。
电力系统中的应用
高压直流输电
用于传输线的去耦和滤波 ,降低线路损耗和提高传 输效率。
智能电网
用于智能电表的去耦和滤 波,确保数据采集的准确 性和稳定性。
谐振电容器
定时电容器
与电感器一起用于产生谐振回路,常用于 调谐电路中。
用于电路中的定时控制,如延时继电器等 。
03 电容的应用
家电中的应用
冰箱
用于温度控制和电机启动的滤波 和保护。
洗衣机
用于电机启动和洗涤定时控制的滤 波和保护。
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2.7导体系统的电容
主要内容
❖ 电位系数 ❖ 电容系数 ❖ 部分电容
学习目的
❖ 掌握两导体系统之间电容的求解 ❖ 了解电位系数、电容系数的物理意义
一、两导体间的电容
1、电位系数 例:设内导体球带电量为q1,外导体球壳 带电量为q2,可求得:
内球上电位 外球壳上电位
1
1 a
1 b
1 c
+++++++++++++ d
-------------
1.电容是反映电容器本身性质的物理量。(大小仅与导体的 形状、相对位置、其间的电介质有关。与所带电荷量无关。) 2.电容是描述电容器容纳电荷或储存电能的物理量。
如图1所示,若在一平行板电容器中 置入一金属球,请问:平行板间的电
容如何变化?
C
C12
: :
qn n1 1 n22 ....... nn n
n
n
qi qij ij j
j 1
j 1
ij称为电容系数
βij物理意义:
它表示当导体j电位为1v,其余导体均接地时,导体i 上的感应电荷量。即:
qij
ij j j 1,k 0(k j )
当i=j时, β ii 称为电容系数;i≠j时, β ij称为感应系 数,它满足:
ij ji ij 0(i j)
ii 0
3、部分电容
为表示系统中各导体之间的电容关系,将(3)、(4)
式改写为:
q1 11 12 1 12 1 2
q2 21 2 1 21 22 2
n
令
Cii ij , Cij ij (i j)
j 1
自部分电容 互部分电容
代入后得 q1 C111 C12 1 2
Pn
P (ez )
20U0 ( 0 ) ( 0 )d
故介质上表面的极化电荷面密度为
sp上
Pn
P ez
20U0 ( 0 ) ( 0 )d
(2)由于
s
Q S
Q ab
2 0U 0 ( 0 )d
可得极板间电压为 U0
( 0 )dQ 20 ab
所以下极板极化电荷面密度为
sp下
(
0)Q ab
: :
n pn1q1 pn2q2 ...... pnnqn
n
n
i ij pijq j
j 1
j 1
pij称为电位系数
pij物理意义: 电位系数pij表示当导体j带1库仑正电荷,而其他导体不
带电时,导体j对导体i产生的电位,即
ij
p ij q j q j 1,qk 0(k j )
当i=j时,pii称为自电位系数;i≠j时,pij称为互电位 系数,它满足:
所以上极板极化电荷面密度为
sp上
(
0)Q ab
(3)电容器的电容为 C Q 20 ab
U0 ( 0 )d
【思考】:同轴线的内导体半径为a,外导体半径为b,其间填充
相对介电常数为r 时,求:
r a
的介质。当外导体接地,内导体的电位为U
0
(1)介质中的 E 和 D (2)介质中极化电荷分布 (3)同轴线单位长度的电容。
【解】:设内外导体单位长度带电分别为l 和l 。由高斯定理得:
当 a r r0 时,
s D dS q ll
2πrlD ll
D
l 2πr
er
E1
D 1
l 2π1r
er
1 2
a
当 r0 r b 时,
E2
D 2
l 2π 2 r
er
r0
b
内外导体间电压为:U
b
a
E
dr
r0 a
E1
dr
b
r0
E2
dr
l ln b l ln r0 2π2 r0 2π1 a
单位长度电容为:
C
Q U
l U
1
ln
2π b1
ln r0
2 r0 1 a
【例3】:平行板电容器的长宽分别为a和b,极间距离为d.电容
器的一半厚度用介电常数为 的介质填充。如图。
(1)板上外加电压U0,求板上的自由电荷面密度、极化电荷面 密度。
C12 C21
q2 C21 2 1 C222
1
2
Cij满足:
Cij C ji
C11
C22
Cij 0
两导体构成电容器时,电容C为
C
1
p11 p22 2 p12
用导体间的电位差表示时,各导体的电荷量q表示为:
q1 C111 C12 (1 2 ) ....... C1n (1 n ) q2 C21(2 1) C222 ....... C2n (2 n )
: : qn Cn1(n 1) Cn2 (n 2 ) ....... Cnn (n n )
Ci称j 为部分电容
(2)若已知极板上的自由电荷总量Q,求此时极板间电压和极 化电荷面密度。
(3)求电容器的电容量。
z
d
2
0
d 2
U0
【解】(1)设介质中的电场为 E ezE,空气中的电场为E0 ezE0 在介质分界面上由于 s 0 故边界条件 D1n D2n
0E0 E
E
d 2
E0
d 2
U0
解得
由边界条件 D1n D2n s
E 20U0 ( 0 )d
E0
2U0 ( 0 )d
故下极板自由电荷面密度为
s
D1n
E
2 0U 0 ( 0 )d
故上极板自由电荷面密度为
s
0 E0
2 0U 0 ( 0 )d
电介质中的极化强度为P
D
0
E
(
0 )E
ez
20U0 ( 0 ) ( 0 )d
故介质下表面的极化电荷面密度为
sp下
q1
4π 0
q2
4π 0c
2
q1 q2
4π 0c
因此可将1 、2与 q 之间的关系表示如下:
1 p11q1 p12q2 2 p21q1 p22q2
(1) (2)
b● a b
c
对于由N个导体构成的导体系统,系统中各导体的电 位表示为:
1 p11q1 p12q2 ...... p1nqn 2 p21q1 p22q2 ...... p2nqn
a O
b
1 p11q1 p12q2 ...... p1nqn 2 p21q1 p22q2 ...... p2nqn
: :
n pn1q1 pn2q2 ...... pnnqn
内容小结
pij 称为电位系数,物理意义表示当导 体j带1库仑正电荷,而其他导体不带 电时,导体j对导体i产生的电位
,求
【解】:设内、外导体的带电量分布为Q、-Q。由高斯定理得:
D(r)
Q 4πr 2
er
E(r)
D(r)
Q 4π0a2
er
因此导体内外间的电压为
U
b
E dr
a
b a
Q 4π 0 a 2
er
dr
Q(b a) 4π 0 a 2
故电容器的电容为 C Q 4π0a2
U ba
a O
b
【例2】 一同轴线内导体的半径为a,外导体半径为b,内外导体间 填充两种绝缘材料,a r r0 的介电常数为1 ,r0 r b的介电常数为 2 如图所示,求单位长度的电容。(教材2-12)
pij p ji pij 0
2、电容系数 由(1)、(2)式可改为用 表示电荷量q,如下:
q1 111 122 q2 211 222
(3) (4)
对于由N个导体构成的导体系统,各导体的电荷量q表 示为:
q1 111 122 ....... 1nn q2 211 22 2 ....... 2nn
: : qn Cn1(n 1) Cn2 (n 2 ) ....... Cnn (n n )
N
qi Cii i 0 Cij i j
j1
ji
qii
与导体i的电
位成正比
qij
与导体i、j的
电位差成正比
其比值:
Cii
qii i
0
Cij
qij i j
qij U
电容器的电容:
C q U
q1 111 122 ....... 1nn q2 211 222 ....... 2nn
: : qn n1 1 n22 ....... nn n
ij称为电容系数,表示导体j电位为1V, 而其他导体均接地时,导体i上的感应电 荷量。
q1 C111 C12 (1 2 ) ....... C1n (1 n ) q2 C21(2 1) C222 ....... C2n (2 n )
C13C23 C13 C23
式中 C12、C13和 C23 称为导体系统的 部分电容,其等效电路如图2所示。
图1 含金属球的平行板电容器
图2 三导体系统的等效电路
【例1】:在导体半径为a和b的球形电容器内充满电介质,电介
质的介电常数与离中心的距离r有关,并按规律变化 该电容器的电容。
(r
)
0
a2 r2