模拟集成电路设计原理_试题库1

《模拟集成电路设计原理》试卷(答题卷)（1）

一、填空题（共30分，每空格1分）

1. MOSFET 是一个四端器件，现在大多数的CMOS 工艺中，P 管做在_____中，并且，在大

多数电路中，P 管的衬底与______（高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得_________________________________________________。

2. 对增强型NMOS 来说，让其处于饱和时的条件为_______________________________，

增强型PMOS 处于饱和时的条件为__________________________________________。

3. 在两级运放中，通常是用第一级运放实现_____________，用第二级运放实现

_____________。

4. 实际工艺中，本征阈值电压并不适用于电路设计，因此在器件制造过程中，通常通过

向沟道区注入__________来调整阈值电压，其实质是改变氧化层（栅氧）界面附近衬底的_______________。

5. 阈值电压为发生强反型时的栅压，对增强型NMOS 管来说，发生强反型时的条件为

__________________________________________________。

6. 折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅结构相比，输出电压摆幅_______,但这个优点

是以较大的________、较低的_______________、较低的_____________和较高的____________为代价得到的。

7. 对于一个负反馈系统来说，有前馈网络A 和反馈网络β，那么这个系统的开环增益为

_______，闭环增益为________________，环路增益为____________。

8. 对于一个单极点系统来说，单位增益带宽为80MHz ，若现在带宽变为16MHz ，则环路增

益为_________，闭环增益为_______。

9. 为了使系统稳定，零点应处于________平面,并且让极点尽量______。

10. 对单级共源、共漏和共栅放大器来说，dB f 3带宽最小的为__________,原因是由于

_______________的存在，dB f 3带宽最大的为__________。

11. MOSFET 的版图由电路中的器件所要求的_____________和工艺要求的

________________共同决定。例如，选择适当的W/L 来确定跨导和其它电路参数，而L 的最小值由工艺决定。

12. 对于理想的差动电路来说，电路将只对_______________进行放大，而且完全抑制

_______________变化的影响。

在套筒式和折叠式共源共栅这样的一级运放中，为了达到高的电压增益，可使其________________增大。

二、画电路图（共16分，每题4分）

1.电流源做负载的共源共栅

2.PMOS作输入器件的折叠式共源共栅

3.电阻做负载的基本差动对

4.套筒式共源共栅运放

三、简答题（共14分，每题7分）

1．

（A） (B)

如上两图所示：

（1）(A)和(B)的相同点是什么？具体的值为多少？

（2）(A)和(B)的不同点是什么？

2．套筒式共源共栅运放的缺点是什么？

四、分析题（共16分，每题8分）

1.用小信号模型推导出下图的out R ,0,0≠≠γλ

2. 画出完整的MOS 晶体管的小信号模型图，并根据下图，画出图中1M 的mb m g g 和随偏置电流I 1的变化关系图。

五、计算题（共24分，每题12分）

1．如果忽略沟道长度调制效应，请计算下图所表示的共栅级电路的传输函数。

2．请回答问题并分别写出下面所有图的增益表达式。

图A ：(1)这是什么单级放大器？

(2) 0,011==γλ；

（3）0,011=≠γλ；

（4）∞==≠D R ,0,011γλ；

图B ： (1)这是什么单级放大器？

(2) 0,011==γλ；

（3）0,011≠≠γλ；

（4）∞=≠≠D R ,0,011γλ；

图A ：(1)这是什么单级放大器？

(2) 0,011==γλ；

（3）0,011=≠γλ；

（4）∞==≠D R ,0,011γλ；

图B ： (1)这是什么单级放大器？

(2) 0,011==γλ；

（3）0,011≠≠γλ；

（4）∞=≠≠D R ,0,011γλ；

图C ；(1)这是什么单级放大器？

(2) 0,011≠=γλ；

（3）∞=≠=S R ,0,011γλ；

（4）若S R 用一饱和的NMOS 晶体管2M 来替代，且0,0,0,02211=≠≠≠γλγλ