杭州电子科技大学考研专业课历年真题试卷_运筹学2011--2014
11年研究生试卷(答案)
五．(10分)今有赵、钱、孙、李、周五位教师，要承担语文、数学、物理、化学、英语五门课程。已知赵熟悉数学、物理、化学三门课程，钱熟悉语文、数学、物理、英语四门课程，孙、李、周都只熟悉数学、物理两门课程。问能否安排他们都只上他们熟悉的一门课程，使得每门课程都有人教（用图论方法求解）。
3．设 是图 的推广邻接矩阵，则 的 行 列元 等于由 中顶点 到顶点 的长度为_n_途径数目。
4．完全图 的邻接矩阵的最大特征值为_n_。
5.不同构的3阶单图共有___4___个。
6.设 阶图 是具有 个分支的森林，则其边数 。
7. 阶树( )的点连通度为___1___；边连通度为____1___；点色数为__2___； 若其最大度为 ，则边色数为___ __。
8.图 是 连通的，则 中任意点对间至少有_k__条内点不交路。
9.5阶度极大非哈密尔顿图族为___ ___和__ _____。
10.完全图 能够分解为 个边不相交的一因子之并。
11. 设连通平面图 具有5个顶点，9条边，则其面数为__6_； ( )阶极大平面图的面数等于__ ___； ( )阶极大外平面图的顶点都在外部面边界上时，其内部面共有 个。
A1: LA, S ; A2: MA, LA, G ; A3: MA, G, LA;
A4: G, LA, AC ; A5: AC, LA, S ; A6: G, AC;
A7: GT, MA, LA ; A8: LA,GT, S ; A9: AC, S, LA;
A10: GT, S。人只上一门自己所熟悉的课程。
六．(6分)设 是赋权完全偶图G=(V,E)的可行顶点标号，若标号对应的相等子图 含完美匹配 ,则 是G的最优匹配。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】692专业课真题
∑ 2.
已知
0
<
a
<
1
，那么幂级数
∞ n=0
1
a +
n
a
n
z
n
的收敛半径为
(
)
1
(A)
a (B) a
(C) 1
(D) 2a
∞
∞
∑ ∑ 3. 设正项级数 an 收敛，正项级数 bn 1
∞
∑ (A) anbn 必收敛 n =1
∞
∑ (B) anbn 必发散 n =1
∞
∑ (C)
2 i 1 T =−i 2 i
1 − i 2
(b) 根据 det(T ) = λ1λ2 Lλn ,Tr(T ) = λ1 + λ2 +L + λn ，求 T 的本征值；验证它们的和与积同
(a)中结果相同。写出T 的对角形式。 (c) 求T 的本征矢，并在简并区，构造两个线性无关的本征矢。使它们正交，并验证它们都和
第三个本征矢正交。（三个本征矢都需要归一化）
(d) 构造幺正矩阵 S ,使T 对角化，证明相似变换 S 使T 变换成适当的对角形式。
共5页 第5页
二．填空题（10 个空，每空 3 分，共 30 分）
∫ 11. 计算积分 zdz = ( C
),其中 C 为从原点到点 3 + 4i 的直线段。
∫ 12.
计算积分
z
=2
1 z2 −1
dz
=
(
)，（注：其中积分路径是绕原点为圆心，2 为半径的圆逆
时针方向）。
共5页 第3页
13. 在下列场中运动时动量 P 和角动量 M 的哪些分量守恒?
电子科技大学2014年《820计算机专业基础》考研专业课真题试卷
电子科技大学2014年《820计算机专业基础》考研专业课真题试卷电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：820计算机专业基础注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
《计算机操作系统》一、填空题（10分，每空2分）1.现有3个同时到达的作业J1、J2和J3，它们的执行时间分别为T1、T2和T3，且T1<t3<t2。
< bdsfid="72" p=""></t3<t2。
<> 若这三个作业在同一台处理器上以单道方式运行，则平均周转时间最小的执行顺序是____。
2.若一个信号量的初值是5，经过多次P、V操作以后，其值变为-3，则此时等待进入临界区的进程数目是____。
3.某基本分页存储管理系统具有快表，内存访问时间为2sμ，检索快表的时间为0.5sμ。
若快表的命中率为80%，且忽略快表更新时间，则有效访问时间是____sμ。
4.在段页式存储管理系统中，若不考虑快表，为获得一条指令或数据，至少需要访问_____次内存。
5.某虚拟存储器中的用户空间共有32个页面，每页1KB，主存16KB。
假设某时刻系统为用户的第0、1、2、3页分别分配的物理块为5、10、4、7，则虚拟地址0A6F对应的物理地址是_______（请使用十六进制表示）。
二、选择题（14分，每题2分）1.现代操作系统中最基本的两个特征是（）。
A. 共享和不确定B. 并发和虚拟C. 并发和共享D. 虚拟和不确定2.引入多道程序技术的前提条件之一是系统具有（）。
A. 分时功能B. 中断功能C. 多CPU技术D. SPOOLing技术3.操作系统是根据（）来对并发执行的进程进行控制和管理的。
A. 进程的基本状态B. 进程调度算法C. 进程的优先级D. 进程控制块4.在段页式存储管理系统中，地址映射表是（）A. 每个进程一张段表，一张页表。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】832专业课真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。