VM真空蒸镀资料(工程师)

五.RF(Radio frequency)原理與設備
1. Ar 氣體原子的解離 Ar Ar+ ＋ e－ +pigments 2.利用通入高頻率 (13.42MHz)正,負交叉電 流於銅電極上使通入的氣體 產生解離. 3.功能:助鍍與清潔的效果
RF設備構造
RF控制箱
六 . 鍍 膜 製 程 技 術 的 特 點
真空鍍膜技朮講義 工程師
真空鍍膜技術教育訓練 ( 工程師 )
塑膠外觀金屬化製程簡介
蒸鍍(Evaporation)
一.Film Deposition
3
Evaporation
Substrate Cloud Material
Vacuum
chamber
Heater
薄膜沈積(Thin Film Deposition)
在機械工業、電子工業或半導體工業領域，為了 對所使用的材料賦與某種特性在材料表面上以各 種方法形成被膜（一層薄膜），而加以使用，假 如此被膜經由原子層的過程所形成時，一般將此 等薄膜沈積稱為蒸鍍（蒸著）處理。 採用蒸鍍處理時，以原子或分子的層次控制蒸鍍 粒子使其形成被膜，因此可以得到以熱平衡狀態 無法得到的具有特殊構造及功能的被膜。
成本:400NT/台 蒸鍍須外加治具成本及上下治具人工成本 產能:1爐/15分鐘(1日工作時數:20小時=80 爐) 1爐=14*4*6=336PCS 1天=336 *80爐=26K 1月=26*20=500K E line=500*4=2,000k
九.常見的外觀裝飾性PVD之製程
素材直接鍍膜(RF+VM+Top coat) 配合噴塗之鍍膜(Base coat+VM+Top coat) 其他
1.2真空度的分類:
1.2.1低真空度:760torr~1*10-2torr 1.2.1中真空度:1*10-2torr~1*10-4torr 1.2.3高真空度:1*10-4torr~ ~1*10-6torr 1.2.4極限真空: 1*10-6torr~ ~1*10-8torr
三.蒸鍍(Evaporation)原理
物 理 氣 相 沈 積 - - P V D （Physical Vapor Deposition）
真空電鍍特點
被鍍物與塑膠不產生化學反應
環保製程；無化學物污染 可鍍多重金屬 生產速度快 可對各種素材加工 屬低溫製程
蒸鍍(Evaporation)
Substrate Cloud Material Vacuum chamber
關於鍍膜的形成，首先利用強大電流將鍍膜源 (鎢絲) 加 熱，然後把掛在鎢絲上的鍍材(鋁片或鋁線)熔解。鋁材從 而蒸發、飛散到各方面並附著於被鍍件上。熔解的鋁為鋁 原子，以不定形或液體狀態存在並附著於被鍍件上，經冷 卻結晶後從而變為鋁薄膜。 因此設定鎢絲為定數時，由真空度至蒸發鋁的飛散方向、 鎢絲的溫度，鎢絲到被鍍件的距離等；依其鍍膜條件，鍍 膜的性能也除著改變而發生變化。
蒸鍍(EvaporatBiblioteka Baiduon)原理
一如前述，鍍膜在真空度10 –4 Torr左右下進行 如真空度過低時(，其蒸發中的鋁遇到殘留的氣體或者碰 著鎢絲被加熱時產生的氣體，發生衝突而冷卻，形成的鋁 粒 (10 –4 Torr以下)非常小的鋁粒子集合體) 會附著于 被鍍膜件上。此時所形成的鍍膜因微細鋁粒中可能仍含有 殘留氣體而令其失去光澤，也會大大降低鍍膜與底塗的密 著性。 如真空度高時((10 –5Torr以上)，而且鎢絲的溫度亦高時， 蒸發鋁的運動能量也因此會提高，被鍍膜件表面所附著的 會是純鋁 (並沒有殘留氣體)，而且密度非常高，鍍膜性能 因此而得到提升 (包括密著性等)。
電漿性質
1.整體來說，電漿的內部是呈電中性的狀態， 也就是帶負電粒子的密度與帶正電粒子的密 度是相同的。 2.因為電漿中正、負離子的個數幾乎是一比 一，因此電漿呈現電中性。 3.電漿是由一群帶電粒子所組成，所以當有 一部分受到外力作用時，遠處部份的電漿， 乃至整群的電漿粒子都會受到影響，這叫做 「電漿的群體效應」。 4.具有良好的導電性和導熱性。
薄膜沈積的兩種常見的製程
物理氣相沈積--PVD （Physical Vapor Deposition） 化學氣相沈積CVD （Chemical Vapor Deposition）
C V D 薄 膜 沈 積 機 制 的 說 明 圖
PVD顧名思義是以物理機制來進行薄膜堆 積而不涉及化學反應的製程技術，所謂物 理機制是物質的相變化現象-------蒸鍍 (Evaporation)
三.蒸鍍機構造簡介
電極
真空爐體
觀景窗
蒸鍍機構造簡介
發射源 治具架自轉
蒸鍍機構造簡介
發射源
公轉盤
蒸鍍機構造簡介
白色為鋁絲
黑色為鎢絲
蒸鍍機台掛治具
四.電漿(PLASMA)介紹
物質的第四態
什麼是電漿
藉由外加的電場能量來促使氣體內的電子 獲得能量並加速撞擊不帶電中性粒子，由 於不帶電中性粒子受加速電子的撞擊後會 產生離子與另一帶能量的加速電子，這些 被釋出的電子，在經由電場加速與其他中 性粒子碰撞。如此反覆不斷，進而使氣體 產生崩潰效應(gas breakdown)，形成電 漿狀態。
成長速度快 大面積且平面均勻度高 附著性佳可改變薄膜應力 金屬或絕緣材料(素材)均可鍍製 適合鍍製合金材料
六.蒸鍍與濺鍍製程上運用之差異
素材形狀:平 面:濺鍍 立體複雜:蒸鍍 鍍膜材質之要求:皆多樣化 半透光均勻度:平 面:濺鍍 立體複雜:蒸鍍 鍍膜方向:單方向性:濺鍍 立體複雜:蒸鍍
八.蒸鍍產能與成本
素材直接鍍膜
A „thin“ coating of a substance
onto a substrate
素材直接鍍膜
運用於平面的素材:如FILM鍍膜 素材材質:PC,PMMA,PET,PC+ABS..等等 運用:1.Lens(平板切割,PMMA,PC) 2.銘版 3.按鍵(IMD,IMR) 4.背光板
配合噴塗之鍍膜
Hard coated
Metal Primer
Substrate
配合噴塗之鍍膜
運用於立體的素材:如按鍵及機殼鍍膜 素材材質:大部分塑膠皆可 運用:1.機殼及按鍵 2.銘版 3.數位相機自拍鏡 4.半透光燈罩
十 . 蒸 鍍 配 合 其 他 製 程 之 運 用
搭配印刷(移印/熱轉印) 搭配雷雕(Laser Etching) EMI(防電磁波)
Heater
二.真空度定義
1.1真空度:
在一大氣壓的狀態下,一莫爾之氣體佔有22.4公升的空間,相當於1cm3的 空間內有1019氣體分子,氣體對氣壁碰撞會產生壓力 .當密閉空間內氣體殘留 越少時,真空度越高,氣體金屬原子貨梨子運動的速度越快,撞擊或沉積於工件 上的原子越多.真空度單位以torr為單位.