半导体PN结的形成

漂移运动：载电流（自由电子和空穴）在电场力的作 用下产生的定向移动，称为漂移运动。
19/65 空穴
自由电子
负离子 P区
N区 正离子
内电场阻碍多子向对方的扩散 即阻碍扩散运动 同时促进少子向对方漂移 产生了漂移运动
扩散运动
载流子从浓度大向浓度小 的区域扩散,称扩散运 形动 成的电流成为扩 流
散电
扩散运动=漂移运动时
P区
达到动态平衡
负离子区
内电场 耗尽层
PN结
N区 正离子区
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二、PN结的接触电位差
•内电场的建立，使PN结中产生 了电位差 ，从而形成接触电位U。
•接触电位U决定于材料及掺杂浓度
硅： U≈0.7 V
U
锗： U≈0.3 V
制作单位：北京交通大学电子信息工程学院 《模拟电子技术》课程组
半导体PN结的形成
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2.1.4 PN结
一、PN结的形成 二、PN结的接触电位差 三、PN结的伏安特性 四、PN结的反向击穿特性 五、PN结电容 六、PN结的电致发光 七、PN结的光电效应
ห้องสมุดไป่ตู้
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一、PN结的形成
P区
N区
概念：
扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运
动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。