溶出伏安法

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溶出伏安法(stripping voltammetry)是先将待测物质 预电解富集在电极表面,然后施加反向电压使富集的物质
重新溶出,根据溶出过程的伏安曲线进行分析的方法。
分类: 1.一般溶出伏安法 阴极溶出伏安法:阳极富集,阴极溶出 阳极溶出伏安法:阴极富集,阳极溶出 2.吸附溶出伏安法:吸附作用富集
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一、阳极溶出伏安法(用于金属离子的测量)
溶出伏法包含电解富集和电解溶出两个过程。
1、电解富集
在选定的恒定电位下,对待测溶液进行电解,将溶液中的痕
源自文库量待测物富集到电极表面的过程。
待测金属离子通过电解还原成金属,与汞电极形成
汞齐(或者直接将金属沉积在惰性电极表面)富集过程表示
富集

Mn+ + ne + Hg
n—电极反应电子转移数 A—电极面积 D—金属在汞齐中扩散系数 t—富集时间 μ—溶液黏度 ω—电极旋转速度 v—电位扫描速度 c —待测物质浓度 当测定条件一定时
ip= Kc
----溶出伏安法定量的基础
例:在盐酸介质中测定痕量铜、铅、镉时,首先将悬汞电 极的电位固定在-0.8V,电解一定的时间,此时溶液中的一 部分 Cu2+, Pb2+ , Cd2+ 在电极上还原,并生成汞齐,富集在 悬汞滴上。电解完毕后,使悬汞电极的电位均匀地由负向正 变化
特点及应用: ①灵敏度高10-10~10-12 M (超痕量分析) ②选择性好:选择性吸附
③方法适用范围广:电活性的有机物、金属阴阳离子、生 物大分子应用
缺点:①富集较为费时,一般需3~15min;
②富集后只能记录一次溶出曲线,方法的重现性也 往往不够理想。
2. 阴极溶出伏安法(CSV): 工作电极上还原 反应
例:S2-+Hg-2e = HgS (-0.4V阳极富集)
阴极溶出(-0.4V→-1.0V,阴极线性扫描,HgS 还原)
应用:测阴离子S2-、Cl-、Br-、I-等
3. 吸附溶出法:吸附富集→溶出 溶出:正向或负向扫描→对称峰形波 ip=Kc
M(Hg)
溶出
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为了提高富集效果,可同时使电极旋转或搅拌溶液,以加快 被测物质输送到电极表面,富集物质的量则与电极电位、电 极面积、电解时间和搅拌速度等因素有关。
2、溶出过程 经过一定时间的富集后,停止搅拌,再逐渐改变工作
电极电位,电位变化的方向应使电极反应与上述富集过 程电极反应相反,使富集金属重新以离子状态溶入溶液。
记录所得的电流-电位曲线,称为溶出曲线。
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溶出伏安曲线呈峰状,如下图所示。曲线中峰尖对应的电流
称峰电流(ip—定量分析依据)、对应的电位称峰电位(φP— 定性分析依据)。
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3、溶出峰电流公式
溶出峰电流与电极类型和被测物质
浓度的关系(对汞膜电极):
ip = K’n2AD2/3ω1/2 u-1/6 tvc
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