半导体器件基础PPT
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第一章 半导体器件基础-PPT精品文档
按照功率可分为小功率二极管和大功率二极管；
按照材料又可以分为硅二极管和锗二极管
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+ + + + + +
+ + +
+ + +
PN结P端接高电位，N端 接低电位，称PN结外加正向 电压，又称PN结正向偏置， 简称为正偏，如图所示
结论：
PN结外加正向电压（正偏）时处于导通状态，外加反向电 压（反偏）时处于截止状态
四、PN结
4.PN结的用途 • 整流半导体器件 • 可变电容 • 稳压器件
一、引言
用一个PN结制成的半导体器件叫做二极管 接在二极管P区的引出线称二极管的阳极，接在N区的 引出线称二极管的阴极。
阳极 阴极 阳极
P
N
阴极
（a） 结构示意图
（b）电路符号
一、引言
二极管有许多类型。 从工艺上分，有点接 触型和面接触型
二、各类二极管及命名
1.分类 按封装形式可封为玻璃封装的、塑料封装的和 金属封装二极管；
二、本征半导体
2.本征激发
结论：
①半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电 子， 另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷 形成电流。 ②本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相 同。 ③一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复 合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 ④温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的 导电能力增强。
三、杂质半导体
在本征半导体掺入微量的其它适当元素后形成的半 导体叫做杂质半导体。掺入杂质后的半导体，导电性能 大大的增强。根据掺入杂质的不同分为两种：掺入五价
半导体器件的基础知识幻灯片PPT
将而要施主出杂现质电因子失数去一大个于价空电穴子数成为或正空离穴子数。大而在于这电种子半数导。体 把 数中目载多流的子载主流要子是称自多数由 载电流子子，，自数由目电少子的带载负流子电 称荷少 数〔载Ne流ga子tiv。e〕是，自故由命电名为子N为型多半数导体还。是于空是穴用为这样多的数示，意取图 决 于表掺示。杂物质。少数载流子的浓度取决本征激发。
2. P型半导体
+4
+4
+4
+4
++43
+4
P型
+4
+4
+4
受主杂质
受主杂质容易获得一个价电子成为负离子，而在这种半 导体中载流子主要是空穴，空穴带正电荷〔Positive〕故命 名为P型半导体。于是用这样的示意图表示。
P型半导体中的多数载流子为空穴，少数载流子 为自由电子
1.1.4 PN结
1.PN结的形成
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体， 这类材料大都是三、四、五价元素,主要有：硅、锗、磷、
硼、在砷这、铟里等，，我他们们的的电目阻的率不在是10研-3～究10半7欧导.厘体米材。料 ， 而是借助半导体材料的特性来建立一些概念和术 语半，导体如材多料数的、广少泛数应用载，流并子不，是P因型为半它导们的体导、电N能型力半介 于导导体体与，绝P缘N体结之，间载，而流是子它的们扩具散有一与些漂重移要运特动性：， PN 结1〕的当正半反导偏体置受，到外PN界结光的和热导的通激与发截〔止本等征。激发〕时，
2.PN结的单向导电性
1〕PN结的电阻
2〕由导于通空的间含电义荷区中的载流子极少，故PN结 改 的的的降3在〕厚导截变外电多落实P止度通和 加P阻，在N用N。越，控 电P很 假结结中N厚是制 压大 设的电结，电指电，， 在偏阻上为P阻此阻P与 两置。的N了的称越P端结大区改大为大加呈小和变小给电，现与N、。P压反区低N空控常，之结的电间制在可越设体阻电P认P小电置NN值荷为。结阻偏结，区其所N的相置上的反电谓厚比电加厚之压P要度压上度，N全大，一，有结 称部定简以关的 为， 称偏置。
2. P型半导体
+4
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++43
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P型
+4
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受主杂质
受主杂质容易获得一个价电子成为负离子，而在这种半 导体中载流子主要是空穴，空穴带正电荷〔Positive〕故命 名为P型半导体。于是用这样的示意图表示。
P型半导体中的多数载流子为空穴，少数载流子 为自由电子
1.1.4 PN结
1.PN结的形成
导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体， 这类材料大都是三、四、五价元素,主要有：硅、锗、磷、
硼、在砷这、铟里等，，我他们们的的电目阻的率不在是10研-3～究10半7欧导.厘体米材。料 ， 而是借助半导体材料的特性来建立一些概念和术 语半，导体如材多料数的、广少泛数应用载，流并子不，是P因型为半它导们的体导、电N能型力半介 于导导体体与，绝P缘N体结之，间载，而流是子它的们扩具散有一与些漂重移要运特动性：， PN 结1〕的当正半反导偏体置受，到外PN界结光的和热导的通激与发截〔止本等征。激发〕时，
2.PN结的单向导电性
1〕PN结的电阻
2〕由导于通空的间含电义荷区中的载流子极少，故PN结 改 的的的降3在〕厚导截变外电多落实P止度通和 加P阻，在N用N。越，控 电P很 假结结中N厚是制 压大 设的电结，电指电，， 在偏阻上为P阻此阻P与 两置。的N了的称越P端结大区改大为大加呈小和变小给电，现与N、。P压反区低N空控常，之结的电间制在可越设体阻电P认P小电置NN值荷为。结阻偏结，区其所N的相置上的反电谓厚比电加厚之压P要度压上度，N全大，一，有结 称部定简以关的 为， 称偏置。
半导体器件基础要点课件
变。
05 半导体器件应用与展望
半导体器件在电子设备中的应用
集成电路
01
半导体器件是集成电路的基础组成部分，用于实现各种逻辑功
能和电路控制。
数字逻辑门
02
半导体器件可以构成各种数字逻辑门，如与门、或门、非门等
，用于实现数字信号的处理和运算。
微处理器和存储器
03
微处理器和存储器是半导体器件的重要应用领域，用于实现计
详细描述
半导体器件可以分为分立器件和集成电路两大类。分立器件 包括二极管、晶体管等，它们主要用于信号放大、转换和控 制。集成电路是将多个器件集成到一个芯片上，实现更复杂 的功能，如运算、存储和处理等。
半导体器件的发展历程
总结词
半导体器件的发展经历了三个阶段，即晶体管的发明、集成电路的诞生和微电子技术的 飞速发展。
包括热导率、热膨胀系数等参数，影 响半导体的散热性能和可靠性。
光学性能
包括能带隙、光吸收系数、光电导率 等参数，影响半导体的光电转换性能 。
03 半导体器件工作原理
PN结的形成与特性
PN结的形成
在半导体中，通过掺杂形成P型和N型半导体，当P型和N型半导体接触时，由 于多数载流子的扩散作用，在接触面形成一个阻挡层，即PN结。
硅基MEMS器件的特点与优势
高度集成
硅基MEMS器件可以在微米尺 度上实现复杂的功能，具有极
高的集成度。
长寿命
硅基材料具有优异的机械性能 和化学稳定性，使得硅基 MEMS器件具有较长的使用寿 命。
低功耗
硅基MEMS器件的功耗较低， 适用于对能源效率要求较高的 应用场景。
可靠性高
硅基MEMS器件的结构简单， 可靠性高，不易出现故障。
05 半导体器件应用与展望
半导体器件在电子设备中的应用
集成电路
01
半导体器件是集成电路的基础组成部分，用于实现各种逻辑功
能和电路控制。
数字逻辑门
02
半导体器件可以构成各种数字逻辑门，如与门、或门、非门等
，用于实现数字信号的处理和运算。
微处理器和存储器
03
微处理器和存储器是半导体器件的重要应用领域，用于实现计
详细描述
半导体器件可以分为分立器件和集成电路两大类。分立器件 包括二极管、晶体管等，它们主要用于信号放大、转换和控 制。集成电路是将多个器件集成到一个芯片上，实现更复杂 的功能，如运算、存储和处理等。
半导体器件的发展历程
总结词
半导体器件的发展经历了三个阶段，即晶体管的发明、集成电路的诞生和微电子技术的 飞速发展。
包括热导率、热膨胀系数等参数，影 响半导体的散热性能和可靠性。
光学性能
包括能带隙、光吸收系数、光电导率 等参数，影响半导体的光电转换性能 。
03 半导体器件工作原理
PN结的形成与特性
PN结的形成
在半导体中，通过掺杂形成P型和N型半导体，当P型和N型半导体接触时，由 于多数载流子的扩散作用，在接触面形成一个阻挡层，即PN结。
硅基MEMS器件的特点与优势
高度集成
硅基MEMS器件可以在微米尺 度上实现复杂的功能，具有极
高的集成度。
长寿命
硅基材料具有优异的机械性能 和化学稳定性，使得硅基 MEMS器件具有较长的使用寿 命。
低功耗
硅基MEMS器件的功耗较低， 适用于对能源效率要求较高的 应用场景。
可靠性高
硅基MEMS器件的结构简单， 可靠性高，不易出现故障。
《半导体器件基础》课件
《半导体器件基础》PPT 课件
这个PPT课件将带你深入了解半导体器件基础知识，从定义和分类开始，逐步 介绍固体物理基础、材料特性及应用等内容。
第一章 概述
半导体器件的定义和分类
从理解半导体器件的概念和分类开始，打下良好的基础。
固体物理基础
了解固体物理基础和半导体的结构特性，为后续内容打下坚实的基础。
介绍在半导体器件制造过程中使用的工艺辅助设备和材料。
第八章 半导体器件测试与可靠性
半导体器件生产过程中的测试
讨论半导体器件生产过程中的测试方法和步骤，确保 产品质量。
半导体器件的可靠性分析方法
介绍半导体器件的可靠性分析方法，以提高产品可靠 性和寿命。
结语
1 半导体器件的未来发展趋势
2 学习资源和参考文献
CMOS电路的设计原理 和技巧
讲解CMOS电路设计的原理和技巧， 探索其优势和应用范围。
第五章 光电子器件
光电二极管和光电晶体管
了解光电二极管和光电晶体管的原理和结构，以及其在光电子学中的应用。
光电耦合器件和光电器件应用
探索光电耦合器件和其他光电器件的特性和应用领域。
第六章 集成电路和MEMS器件
展望半导体器件领域的未来，包括新技术和应用。
提供学习资源和参考文献，以便进一步学习和探 索。
2
稳压二极管
介绍稳压二极管及其在电路中的应用，以及其工作原理。
3
功率晶体管
理解功率晶体管的工作原理和应用，探讨其在电路中的功能。
第四章 MOS场效应管
基础概念和原理
深入了解MOS场效应管的基本概 念、工作原理和操作特性。
MOSFET的模型和特性
介绍MOSFET的模型和特性，包括 负载线和阈值电压等。各种应用中的表现。
这个PPT课件将带你深入了解半导体器件基础知识，从定义和分类开始，逐步 介绍固体物理基础、材料特性及应用等内容。
第一章 概述
半导体器件的定义和分类
从理解半导体器件的概念和分类开始，打下良好的基础。
固体物理基础
了解固体物理基础和半导体的结构特性，为后续内容打下坚实的基础。
介绍在半导体器件制造过程中使用的工艺辅助设备和材料。
第八章 半导体器件测试与可靠性
半导体器件生产过程中的测试
讨论半导体器件生产过程中的测试方法和步骤，确保 产品质量。
半导体器件的可靠性分析方法
介绍半导体器件的可靠性分析方法，以提高产品可靠 性和寿命。
结语
1 半导体器件的未来发展趋势
2 学习资源和参考文献
CMOS电路的设计原理 和技巧
讲解CMOS电路设计的原理和技巧， 探索其优势和应用范围。
第五章 光电子器件
光电二极管和光电晶体管
了解光电二极管和光电晶体管的原理和结构，以及其在光电子学中的应用。
光电耦合器件和光电器件应用
探索光电耦合器件和其他光电器件的特性和应用领域。
第六章 集成电路和MEMS器件
展望半导体器件领域的未来，包括新技术和应用。
提供学习资源和参考文献，以便进一步学习和探 索。
2
稳压二极管
介绍稳压二极管及其在电路中的应用，以及其工作原理。
3
功率晶体管
理解功率晶体管的工作原理和应用，探讨其在电路中的功能。
第四章 MOS场效应管
基础概念和原理
深入了解MOS场效应管的基本概 念、工作原理和操作特性。
MOSFET的模型和特性
介绍MOSFET的模型和特性，包括 负载线和阈值电压等。各种应用中的表现。
半导体器件基础课件(PPT 73页)
电子 技 术
2000年以来，以集成电路为基础的电子信息产业 已成为世界第一大产业。电子信息产业的发展在国民 经济发展中具有十分重要的战略意义。科学家认为人 类继石器、青铜器、铁器时代之后进入了硅石时代。
二、课程的性质和任务
本课程是高职高专电类专业通用的技术基础课程， 也是实践性较强的一门主干课程。在专业人才培养过 程中具有重要的地位和作用。
电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：
IC ICBO IB ICBO
ICIB(1)ICBOIBICEO
1
若IC>>ICEO，IC IB
IE(1)IB IE=IB+IC IE(1)IB
电子 技 术
（5）晶体管的电流分配关系
IC IB
电子 技 术
模块二 半导体三极管
2.1 晶体三极管 2.2 晶体三极管的特性曲线 2.3 晶体三极管的主要参数 2.4 特殊的晶体三极管
电子 技 术
2.1 晶体三极管
一、结构、符号和分类
集电极
C
集电结
基本结构一 NPN型
符号
C
B
E
N
B
P
基极
N
发射结
E 发射极
电子 技 术
制造工艺上的特点
集电区：面积较大, 掺杂浓度低
电子 技 术
1.4 特殊二极管 一 . 稳压二极管
符号
工作条件：反向击穿
稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其 次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电 压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流 ，从而起到稳压作用。
电子 技 术
《半导体基础》课件
在温度升高或电场加强时，电 子和空穴的输运能力增强。
掺杂可以改变半导体的导电性 能，增加载流子的数量。
半导体中的热传导
01 热传导是热量在半导体中传递的过程。
02 热传导主要通过晶格振动和自由载流子传 递。
03
半导体的热传导系数受到温度、掺杂浓度 和材料类型的影响。
04
在高温或高掺杂浓度下，热传导系数会增 加。
模拟电路和数字电路中均有广泛应用。
场效应晶体管
总结词
场效应晶体管是一种电压控制型器件，利用电场效应来控制导电沟道的通断。
详细描述
场效应晶体管可分为N沟道和P沟道两种类型，通过调整栅极电压来控制源极和漏极之 间的电流。场效应晶体管具有低噪声、高输入阻抗和低功耗等优点，广泛应用于放大器
和逻辑电路中。
集成电路基础
掺杂半导体
N型半导体
通过掺入施主杂质，增加自由电子数量，提高导电能力。
P型半导体
通过掺入受主杂质，增加自由空穴数量，提高导电能力。
宽禁带半导体
碳化硅（SiC）
具有宽禁带、高临界击穿场强等特点， 适用于制造高温、高频、大功率的电子 器件。
VS
氮化镓（GaN）
具有宽禁带、高电子迁移率等特点，适用 于制造蓝光、紫外线的光电器件。
详细描述
二极管由一个PN结和两个电极组成，其单 向导电性是由于PN结的正向导通和反向截 止特性。根据结构不同，二极管可分为点接 触型、肖特基型和隧道二极管等。
双极晶体管
总结词
双极晶体管是一种电流控制型器件，具有放 大信号的功能。
详细描述
双极晶体管由三个电极和两个PN结组成， 通过调整基极电流来控制集电极和发射极之 间的电流，实现信号的放大。双极晶体管在
20-半导体基础知识PPT模板
电工电子技术
半导体之所以被作为制造电子器件的主要材料在于它 具有热敏性、光敏性和掺杂性。
热敏性：是指半导体的导电能力随着温度的升高而迅 速增加的特性。利用这种特性可制成各种热敏元件，如热 敏电阻等。
光敏性：是指半导体的导电能力随光照的变化有显著 改变的特性。利用这种特性可制成光电二极管、光电.1 半导体的基本特性
根据导电性能的不同，自然界的物质大体可分为导体、 绝缘体和半导体三大类。其中，容易导电、电阻率小于 10-4Ω·cm的物质称为导体，如铜、铝、银等金属材料；很难 导电、电阻率大于104Ω·cm的物质称为绝缘体，如塑料、橡 胶、陶瓷等材料；导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 称为半导体，如硅、锗、硒及大多数金属氧化物和硫化物 等。
（2）反向偏置
给PN结加反向偏置电压，即N区接电源正极，P区接电源 负极，称PN结反向偏置，如下图所示。
由于外加电场与内电场的 方向一致，因而加强了内电场， 促进了少子的漂移运动，阻碍 了多子的扩散运动，使空间电 荷区变宽。此时，主要由少子 的漂移运动形成的漂移电流将 超过扩散电流，方向由N区指向 P区，称为反向电流。由于常温 下少子的数量很少，所以反向 电流很小。此时，PN结处于截 止状态。
（2）P型半导体
在本征半导体硅（或锗）中掺入微量三价元素硼，由 于硼原子只有3个价电子，它与周围硅原子组成共价键时， 因缺少一个价电子而形成一个空穴，相邻的价电子很容易 填补这个空穴，形成新的空穴。这种半导体导电主要靠空 穴，所以称为空穴型半导体或P型半导体，如下图所示。P 型半导体中，空穴是多子，自由电子是少子。
2．PN结的单向导电性
（1）正向偏置
给PN结外加正向偏置电压，即P区接电源正极，N区接电 源负极，称PN结为正向偏置，如下图所示。
《半导体器件基础》课件
计算机的CPU、内存等核心硬件都离不开半导体器件，如晶体管、电容
、电阻等。
03
消费电子中的半导体器件
手机、电视、音响等消费电子产品中，半导体器件广泛应用于信号处理
、显示控制等方面。
光电器件在通信与显示领域的应用
光纤通信中的光电器件
光纤通信系统中的光电器件，如激光器、光电探测器等，用 于实现高速、大容量的信息传输。
成。
工作原理ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
02
通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
特性
03
具有低噪声、高速、低功耗等优点，常用于高频率信号处理。
04
半导体器件的工作原理
半导体的能带模型
原子能级与能带
描述原子中的电子能级如何形成连续的能带结构。
价带与导带
解释半导体的主要能带特征，包括价带和导带的定义与特性。
禁带宽度
讨论禁带宽度对半导体性质的影响，以及如何利用禁带宽度进行电 子跃迁。
半导体器件的交流参数
阐述半导体器件的交流参数，如频率响应、噪 声系数等。
半导体器件的可靠性参数
介绍半导体器件的可靠性参数，如寿命、稳定性等。
05
半导体器件的应用
电子设备中的半导体器件
01
集成电路中的半导体器件
集成电路是现代电子设备的基础，其中的晶体管、二极管等半导体器件
起着关键作用。
02
计算机硬件中的半导体器件
ABCD
通过掺入不同元素，可以 调控半导体的导电类型（ N型或P型）和导电性能 。
在实际应用中，通常将硅 或锗基体材料进行掺杂， 以实现所需的导电性能。
宽禁带半导体材料
宽禁带半导体的特点是其具有高热导率、高击 穿场强和高电子饱和速度等优异性能。
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后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子
空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位
电子浓度 空穴浓度
n NC e
p NV e
( EC E f ) kT
( E f EV ) kT
其中NC、NV分别为等效态密度，Ef为费米能级
半导体器件
半导体、绝缘体和导体
半导体器件
平衡载流子浓度
导带中的电子浓度：
价带中的空穴浓度：
半导体器件
平衡载流子浓度
如果Ev+3kT<=EF<=Ec-3kT
半导体器件
n和p的其他变换公式
本征半导体时， n p ni
( Ei EC ) / kT ( EC Ei ) / kT
ni Nቤተ መጻሕፍቲ ባይዱC e ni NV e
半导体器件
P型半导体
施主能级
受主能级
施主和受主的相互补偿
半导体器件
态密度
根据量子力学，当电子能量为E，且距带边不远时，态 密度为：
半导体器件
费米分布函数
在热平衡条件下，能量为 E的有效状态被电子占据 的几率为
半导体器件
平衡载流子分布
简单用态密度和费米-迪拉克分布函数的 乘积表示：
半导体模型
价键模型
空穴
电子
半导体器件
半导体的能带 （价带、导带和带隙〕
半导体器件
半导体的能带结构
导带 Eg
价带
价带：0K条件下被电子填充的能量的能带
导带：0K条件下未被电子填充的能量的能带
带隙：导带底与价带顶之间的能量差
半导体器件
半导体中的载流子
电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚
半导体器件
有效质量
在一个电场中，电子和空穴的加速度为：
半导体器件
半导体的掺杂
施主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的电子， 并成为带正电的离子。如Si中的P 和As 受主：掺入在半导体中的杂质原子，能够向半导体中提供导电的空穴， 并成为带正电的离子。如Si中的B
As
B
N型半导体
一．半导体概要 二．载流子模型 9. BJT静态特性
10. BJT动态响应模型 11. MOS结构基础
三．载流子输运
四．pn结的静电特性
五．pn结二极管：I-V特性 六．pn结二极管：小信号导纳 七．pn结二极管：瞬态特性 八．BJT的基础知识
12. MOSFET器件基础
13. JFET 和 MESFET简介
半导体器件
半导体概要
微电子学简介:
固态电子学分支之一 微电子学 光电子学
研究在固体（主要是半导体〕材料上构成 的微小型化器件、电路、及系统的电子学 分支学科
半导体器件
半导体概要
微电子学研究领域
•半导体器件物理 •集成电路工艺 •集成电路设计和测试
微电子学发展的特点
向高集成度、低功耗、 高性能高可靠性电路方 向发展 与其它学科互相渗透， 形成新的学科领域： 光电集成、MEMS、生 物芯片
半导体器件
半导体及其基本特性
什么是半导体？ 固体材料分成：超导体、导体、半导体、绝缘体
半导体器件
半导体器件
半导体材料的纯度和结构
纯度
极高，杂质<1013cm-3
结构
半导体器件
晶体结构
单胞
对于任何给定的晶体，可以用来形成其晶体结构的
最小单元
三维立方单胞
简立方、
体心立方、
面立方
半导体器件
半导体的结合和晶体结构
原子结合形式：共价键 形成的晶体结构： 构成一个正四面体， 具有 金 刚 石 晶 体 结 构
半导体器件
12. MOSFET器件基础
13. JFET 和 MESFET简介
载流子模型
半导体中有两类重要的载流子：
电子和空穴
本章将将介绍载流子的定义、性质、相 关术语、载流子分布等
半导体器件
量子化概念
电子的能级是量子化的
n=2 8个电子 +14 n=3 四个电子
H 半导体器件
n=1 2个电子 Si
半导体器件
举例
半导体器件
掺杂半导体
电中性条件：
半导体器件
特殊情况
半导体器件
举例
掺杂浓度分别为(a) 和 硅中的电子和空穴浓度？(b) 再掺杂 10 3 是多少？( ni 10 cm ) 的 的Na又
半导体器件
载流子浓度与温度的关系
半导体器件
小结
P47
半导体器件
半导体器件基础
金刚石结构
半 导 体 有:
•元 素 半 导 体 如Si、Ge •化 合 物 半 导 体 如GaAs、InP、ZnS
半导体器件
半导体器件基础
一．半导体概要 9. BJT静态特性
二．载流子模型
三．载流子输运
10. BJT动态响应模型 11. MOS结构基础
四．pn结的静电特性
五．pn结二极管：I-V特性 六．pn结二极管：小信号导纳 七．pn结二极管：瞬态特性 八．BJT的基础知识
半导体器件基础
教材:
半导体器件基础，Robert F. Pierret著，黄
如等译，电子工业出版社
参考书：
微电子技术基础---双极、场效应晶体管原
理，电子工业出版社，曹培栋编著
半导体器件
半导体器件基础
一．半导体概要 二．载流子模型 三．载流子输运 9. BJT静态特性
10. BJT动态响应模型 11. MOS结构基础
2 kT
NV N C e
E g 2 kT
本征费米能级
EC EV kT NV Ei E f ln 2 2 NC
半导体器件
n 对掺杂半导体， EF Ei kT ln n i
半导体器件
接近室温时
EF-Ei=kTln(ND/ni)
N C ni e ( EC Ei ) / kT NV ni e
( E F Ei ) / kT ( Ei E F ) / kT
( Ei EV ) / kT
n ni e
p ni e
半导体器件
本征载流子
本征载流子浓度
n p ni NV N C e
EC EV
半导体器件
载流子的特性
电荷 有效质量
An electron moves with a certain characteristic mass
(from F=ma) in vacuum In a solid, F=ma changes, so we can model this change via an “effective” mass