tanner L-edit 软件基本操作知识

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(12)修改对象:可选择编辑 ---编辑物项命令,在 Show box 表框中选择 bottom left corner and dimensions选项, 如图 所示,再将 Width 微 调框改为2.000,单击“确 定”按钮,即可修改完成。 也可以利用 Alt 键加鼠标拖 曳的方式来修改对象大小。 修改宽度为两个格点后, 再进行设计规则检查,这 时已无错误
三、使用L_EDIT绘制版图
(8)选择绘图形状: 绘制布局图,除了 选择要绘制的图层 外,还要在 Drawing 工具栏中 选择绘图方式,如 右图所示:
三、使用L_EDIT绘制版图
(9)选择绘图形状:绘制布局图, 除了选择要绘制的图层外,还 要在 Drawing 工具栏中选择绘 图方式,如图 10.9 所示,例 如,选择工具,按鼠标左键拖 曳可画方形。如要绘制一个方 形的 Poly 图层,横向占据1个 格点(1um), 纵方向占据 10 个 格点(10um),结果如图,注意 左下角有状态栏,标明绘制的 形状、图层、宽度(W)、高度 (H)、面积(A)与周长(P)。按住 “Home”键可以全屏显示
三、使用L_EDIT绘制版图
(10)设计规则检查: 由于绘制的图样是要 制作集成电路的掩膜 图样,必须配合设计 规则绘制图层,才能 确保制程时的效率。 选择 工具---DRC 命令, 打开 Design Rule Check 对话框,如右图 所示,报错“最小宽 度少于两个Lambda”
三、使用L_EDIT绘制版图
三、使用L_EDIT绘制版图
(6)编辑组件L-Edit 编辑方式是以 组件(Cell)为单位而不是以文件 (File)为单位的,每一个文件可有 多个 Cell, 而每一个 Cell 可表示 一种电路布局图或说明, 每次打 开新文件时也自动打开一个 Cell 并将之命名为 Ce110其中,编辑 画面中的十字为坐标原点。
• 详细安装过程可以参看我编写的Tanner13.0安装 流程(13.0版图在windows7里面可以安装,下面 表格为Tanner对电脑的要求)
三、使用L_EDIT绘制版图
(1)打开 L-Edit 程序:在“开始”菜单“程序”里可以 找到,也可以在桌面创建快捷方式。
(2)出现界面如下
(3)L-Edit 会自动将工作文件命名为 Layoutl.sdb 并显示 在窗口的标题栏上,如上图所示
wenku.baidu.com
三、使用L_EDIT绘制版图
(13)修改对象:此 已经无错误
三、使用L_EDIT绘制版图
(14)绘制多边型: 在长方形 Poly旁间 隔 1 个格点处,选 择 Drawing 工具栏 中的多边形工具, 可利用鼠标左键拖 曳并点出多边型的 端点,单击结束, 如右图
三、使用L_EDIT绘制版图
(14)设计规则检查 DRC报错,查看 DRC设置,发现两 个相邻poly之间距 离最小为2个 lambda
三、使用L_EDIT绘制版图
(13)修改对象:可选择编辑 ---编辑物项命令,在 Show box 表框中选择 bottom left corner and dimensions选项, 如图 所示,再将 Width 微 调框改为2.,单击“确定” 按钮,即可修改完成。也 可以利用 Alt 键加鼠标拖曳 的方式来修改对象大小。 修改为宽度为两个格点后, 再进行设计规则检查,这 时已无错误
一、Tanner软件简介:
Tanner Pro 是一套集成电路设计软件,包括 SEdit, T-Spice, W-Edit, L-Edit与 LVS, 各软件的主要功 能整理如表 1.1 所示。
TANNER软件简介
Tanner Pro的设计流程可 以用右图 1.1 来表示。
三、TANNER软件的安装
(11)检查错误:打开 “设置”--DRC设置, 则可以观看详细的设 计规则,, 从Rules list列表框中选择3.1
Poly Minimum Width 选项中可以观看该条 设计规则设定poly最小 宽度为2个lambda,依 此修改poly宽度为2个 lambda,那么如何修 改呢?
三、使用L_EDIT绘制版图
三、使用L_EDIT绘制版图
(15)改错、移动对 象:点中多边形, 选择菜单栏中的 “画”,然后“移 动至..”,如右图 设置x为1.000,即 右移一格即可或者 选中多边形后,按 住鼠标中间键不放 向右移动一格也可。 再做DRC检查则无 错误。
四、使用L_EDIT绘制PMOS版

(1)选取图层:在画面左边有一个 Layers 面板,其中有一个下拉列表, 可选取要绘制的图层,例如,Poly, 则 Layers 面板会选取代表 Poly图层的红 色。在 L-Edit 中的 Poly图层 代表制作 集成电路中多晶硅(Poly Silicon)所需要 的掩膜图样。 本范例绘制 PMOS 布局 图会用到的图层包括(N Well 图层)、 (Active 图层)、(N Select 图层)、(P Select 图层)、(Poly 图层)、(Metal1 图 层)、(Metal 2 图层)、(Active Contact图 层)、(Via 图层),其各自的绘制
(4)文件---保存,保存在自己所选目录下,注意不含中文, 这里选择E:\L_edit,并命名为EX1。
三、使用L_EDIT绘制版图
(5)取代设定:选择 “文件”--“替换设 置”,从Browse选 择“D:\Program
Files\Tanner EDA\L-
Edit and
LVS\SPR\Lights\Lay out\lights.tdb”,主要 是采用其内的DRC 信息、layers信息。
三、使用L_EDIT绘制版图
(7)环境设定:绘制布局图, 必须要有确实的大小,因此 绘图前先要确认或设定坐标 与实际长度的关系。选择 “设置”命令,打开 “设计” 对话框,在其中的 Technology 选项卡中出现使用技术的名 称、单位与设定,本范例中 的技术单位 Technology units 为以 Lambda 为单位, 而 Lambda单位与内部单位 Internal Unit的关系可在 Technology setup选项组中进 行设定,我们设定一个 Lambda 为1000个 Internal Unit, 也设定一个 Lambda 等于一个 Micron。
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