物理气相沉积真空镀膜设备介绍要点
气相沉积炉介绍及技术参数
气相沉积炉介绍及技术参数一、原理气相沉积炉是一种利用气体在高温条件下附着在基底表面形成薄膜的热处理设备。
其原理主要分为物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD）和化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）两种。
1.物理气相沉积（PVD）物理气相沉积是通过在高真空或惰性气体氛围中将源材料加热到高温，使其蒸发并沉积在基底表面形成薄膜。
常用的物理气相沉积方法包括蒸发法（Evaporation）、溅射法（Sputtering）、分子束外延法（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）等。
2.化学气相沉积（CVD）化学气相沉积是通过在高温条件下将气体中的源材料分解并反应在基底表面上形成薄膜。
常用的化学气相沉积方法包括热CVD、低压CVD、微波CVD、等离子体增强CVD等。
二、技术参数1.温度范围2.压力范围3.反应室尺寸反应室尺寸是根据不同的应用需求设计的，可根据沉积矩阵的尺寸和数量进行调整。
大尺寸反应室通常适用于大面积薄膜的制备，小尺寸反应室则适用于微纳米尺寸器件的制备。
4.加热方式5.气氛控制为了保证沉积过程的成功，气相沉积炉需要精确控制反应室中的气氛，通常通过调整流量控制器和泵等设备来实现。
三、应用1.半导体工业2.光电子工业3.光纤通信总结：气相沉积炉是一种重要的材料制备设备，广泛应用于半导体、光电子和光纤通信等领域。
根据不同的工艺需求，可以选择物理气相沉积或化学气相沉积等工艺。
其技术参数包括温度范围、压力范围、反应室尺寸、加热方式和气氛控制等。
气相沉积炉的应用主要涵盖半导体工业、光电子工业和光纤通信等领域，可以制备出具有特定光学、电学和磁学性质的薄膜和器件。
cvd或pvd镀膜原理
cvd或pvd镀膜原理CVD或PVD镀膜原理引言：随着科技的不断进步，各种高科技产品的需求也越来越大。
在许多电子产品和工业设备中，镀膜技术被广泛应用。
其中，CVD（化学气相沉积）和PVD（物理气相沉积）是两种常见的镀膜方法。
本文将重点介绍这两种方法的原理及其应用。
一、CVD镀膜原理：CVD是一种基于气相反应的镀膜技术。
其原理是通过在高温和低压环境下，将气体中的化学物质分解并沉积在基底表面上，形成一层致密且均匀的薄膜。
具体步骤如下：1. 基底表面的预处理：在进行CVD镀膜之前，需要对基底表面进行预处理，以去除杂质和提高表面的粗糙度，以便更好地与镀膜层结合。
2. 反应物的供给：在CVD过程中，需要提供反应物。
这些反应物可以是气体或液体形式，根据需要选择不同的反应物。
例如，金属气体、有机化合物或金属有机化合物可以作为反应物。
3. 反应室的设置：CVD镀膜通常在封闭的反应室中进行。
反应室内的温度和压力可以根据所需的镀膜材料和薄膜性质进行调节。
4. 反应过程：在反应室内，反应物会在高温下分解，并与基底表面上的活性位点发生反应，生成新的化合物。
这些化合物在基底表面沉积，逐渐形成一层均匀的薄膜。
5. 薄膜性质的调节：通过调节反应室内的温度、压力和反应物的浓度，可以控制薄膜的成分、结构和性质。
这些参数的调节可以实现对薄膜的硬度、抗腐蚀性、电学性能等特性的控制。
6. 后处理：在CVD过程结束后，需要对镀膜进行后处理，以去除残余的反应物和提高薄膜的质量。
这可以通过热处理、溶剂洗涤或化学处理等方法来实现。
二、PVD镀膜原理：PVD是一种基于物理过程的镀膜技术。
其原理是通过蒸发或溅射源，将固体材料转化为气体或离子态，并沉积在基底表面上，形成一层致密且均匀的薄膜。
具体步骤如下：1. 蒸发源或溅射源的选择：PVD镀膜过程需要使用蒸发源或溅射源来提供镀膜材料。
蒸发源可以是电子束蒸发源或电阻加热蒸发源，而溅射源可以是直流或射频溅射源。
半导体pvd设备原理
半导体pvd设备原理
半导体物理气相沉积（PVD）设备是一种常用于制备薄膜材料的技术。
这种设备基于物理原理，通过在真空环境下加热材料，使其升华并沉积在基底上，形成所需的薄膜。
PVD设备的工作原理如下：
将待沉积的材料放置在真空室中。
真空室的设计是为了排除外部空气，以确保材料在无氧环境下处理。
然后，通过加热材料，使其升华成为气态。
升华的材料蒸汽会扩散到真空室中，并沉积在基底表面上。
基底通常是需要涂覆薄膜的物体，例如电子器件或太阳能电池。
沉积过程可以通过不同的方法实现。
其中一种常用的方法是磁控溅射，它利用磁场将金属靶材的离子击打到基底上。
这种方法可以控制沉积速率和薄膜的成分。
另一种常用的方法是电子束蒸发，它使用电子束加热材料，使其升华并沉积在基底上。
电子束蒸发具有较高的沉积速率和较好的薄膜均匀性。
PVD设备的优点在于可以制备高质量的薄膜，并具有较好的控制能力。
通过调节沉积条件，可以控制薄膜的成分、厚度和结构。
这使得PVD设备在半导体制造、光电子学和纳米器件制备等领域得到广泛应用。
然而，PVD设备也存在一些局限性。
首先，沉积速率相对较低，需要较长的时间来制备较厚的薄膜。
此外，PVD设备对材料的选择性较差，只能用于制备一些高熔点的材料。
总的来说，半导体PVD设备是一种重要的制备薄膜材料的工具。
通过控制沉积条件，可以制备具有特定性质和结构的薄膜，满足不同应用的需求。
随着技术的不断进步，PVD设备将继续在材料科学和工程中发挥重要作用。
pvd镀膜设备原理
pvd镀膜设备原理PVD镀膜设备，全称是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）镀膜设备，是一种常用的薄膜制备技术。
它利用高能离子束或高温蒸发源将材料原子或分子蒸发，然后沉积在基底表面，形成均匀的薄膜。
PVD镀膜设备主要包括蒸发源、真空系统和基底台三个组成部分。
蒸发源是主要设备，通过加热材料使其蒸发，并产生高能离子束。
真空系统则能够提供高真空环境，以确保薄膜沉积的质量。
基底台则是放置待镀膜基底的位置。
PVD镀膜设备主要有以下几种工作原理：蒸发、溅射和离子镀。
蒸发是最常见的PVD镀膜技术之一。
蒸发源内的材料通过加热，使其蒸发并沉积在基底上。
蒸发源的加热方式有电阻加热、电子束加热和感应加热等。
蒸发源内的材料蒸发后形成蒸汽，蒸汽经过运输管道进入真空室，在高真空环境下，蒸汽与基底表面相遇，凝结成薄膜。
溅射是另一种常见的PVD镀膜技术。
在溅射过程中，材料源被离子束轰击，使其离子化并溅射出来，然后沉积在基底上。
溅射镀膜可以通过直流溅射、射频溅射、磁控溅射等方式进行。
溅射镀膜的薄膜均匀性更好，适用于复杂形状的基底。
离子镀是一种利用离子束轰击基底表面的技术。
在离子镀过程中，材料被加热并离子化，然后通过高能离子束轰击基底表面，使薄膜原子或分子沉积在基底上。
离子镀技术可用于提高薄膜的致密性和附着力。
PVD镀膜设备在各个领域有着广泛的应用。
在电子行业中，PVD技术可用于制备导电薄膜、光学薄膜和防腐蚀薄膜等。
在光学行业中，PVD技术可用于制备反射镜、透镜和滤光片等。
在装饰行业中，PVD 技术可用于制备金属涂层，增加产品的质感和美观度。
此外，PVD 技术还可用于制备硬质涂层、陶瓷涂层和生物医学涂层等。
总结起来，PVD镀膜设备是一种基于物理气相沉积原理的薄膜制备技术。
通过蒸发、溅射和离子镀等工作原理，能够在基底表面形成均匀致密的薄膜。
该技术在电子、光学、装饰等领域有着广泛应用，为产品的性能和外观提供了强大支持。
气相沉积炉介绍及技术参数
气相沉积炉介绍及技术参数气相沉积炉气相沉积技术是一种发展迅速、应用广泛的表面成膜技术，它不仅可以用来制备各种特殊力学性能（如超硬、高耐蚀、耐热和抗氧化等）的薄膜涂层，而且还可以用来制备各种功能薄膜材料和装饰薄膜涂层等。
气相沉积技术可以分为物理气相沉积（Physical Vapor Deposition,简称PVD）和化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,简称CVD）。
其中化学气相沉积应用最为广泛，技术发展及研究最为成熟化学气相沉积是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
简单来说就是：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内,然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到基片表面上。
CVD和PVD相比，沉积过程要发生化学反应，是一个气象化学生长的过程。
我公司是专业设计、制造工业热处理炉的公司，产品有气相沉积炉、网带钎焊炉，推盘炉、网带退火炉、固化炉、氮化炉、各种燃气炉。
气相沉积炉属于真空设备，就是需要在一定真空环境下进行工作的。
主要部分有：真空反应室，抽气组件，控制面板和水气电部分气相沉积炉技术参数A 有效直径大于2000毫米，有效高度大于3000毫米.B 炉温1050℃.C 先进的底部真空管多路供气，并采用了气体混合器。
D 加热器控制为变压器+调功器。
E 内、外室真空度彩色数显。
F 采用多种节能措施。
G 水、气供给断路声光报警。
H 真空度： Pa。
抽真空时间≤60分钟I 压升率： Pa。
J 采用了马弗罐抗蠕变措施，延长了使用寿命。
K 双罐体过滤气体。
L 内外室压差保护设计。
M 真空阀控制的风机冷却措施。
物理气相沉积(PVD)
片上成膜。
物理气相沉积(PVD)
（3）特点：
优点： a. 使用范围宽，原则上任何物质均可溅 c.可制备掺杂膜、氧化物膜和超高纯膜等。
缺点： a.设备复杂，沉积参数控制较难； b.沉积速率低，约0.01～0.5m/min， 蒸镀： 0. 1～5m/min
① 蒸发速率Ne：
——热平衡条件下，单位时间内，从蒸发源每单位面 积上射出的平均原子数。
N e1 4n
P
2m
3.51 13202 P （1/cm2·s）
kT
MT
(3)
成立条件：S<几个cm2，且P<1Pa 质量蒸发速率G：
——单位时间内，从单位面积上蒸发的质量。
G C m N eC N M 0N e5 .8 3 3 1 0 (g 2 /cP m2·M s) /T
（3）影响因素
1）基底取向及污染问题
基底取向‖单晶膜取向，应力小；
解理面新鲜，可减小污染，但有时也需要引入一点缺陷;
2）外延温度 Te —— 制备单晶膜的临界温度
Te ——提供分子扩散的能量，
是外延生长难易程度的指标。
a. Te与材料性质有关；
b. Te与蒸发速率有关，
蒸发速率↘， Te ↘；
c. Te与表面粗糙度有关，
4）净化处理：对真空系统——烘烤；对基片——加热去污。
物理气相沉积(PVD)
3. 蒸镀分馏问题
由于各组分的饱和蒸气压不同，因而蒸发速率不同，造成 沉积膜的成分与母体不同（分馏），薄膜本身成分也随厚 度而变化（分层）。
合金在蒸发时会发生分馏
设：物质含A，B成分，MA、MB，PA、PB， 则由（3）式，得 ：
物理气相沉积真空镀膜设备介绍.
物理气相沉积真空镀膜设备介绍（上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系，上海200444）摘要：本文主要介绍了五类物理气相沉积的真空镀膜设备。
五种设备分别为：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置以及空心阴极蒸发装置。
介绍了相关设备的原理，优缺点等。
其中，着重列出了有关电子束蒸发装置的其中一个应用，是厚度为200μm左右的独立式的铁铬-Y2O3非晶态/晶态复合涂层的已经从基板温度500ºC左右的铁铬和氧化钇材料的电子束物理气相沉积产生。
Abstract:It describes the five physical vapor deposition vacuum coating equipment in this article.Five kinds of equipment are: resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, laser evaporation apparatus and a hollow cathode evaporation apparatus.It introduces the principle of related equipment, advantages and disadvantages. Emphatically identifies the electron beam evaporation apparatus in which an application.It is that Freestanding FeCrAl-Y2O3 amorphous/crystalline composite coating with a thickness of about 200nm has been produced from electron-beam physical vapor deposition of FeCrAl and yttria materials with a substrate temperature of 500 ℃ around.关键词：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置、空心阴极蒸发装置Keyword :Resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, a laser evaporation apparatus, a hollow cathode evaporation device一、电阻式蒸发装置电阻式蒸发装置的电加热方法是钨丝热源，针对这种加热方式，其主要的特点在于：第一它主要用于块状材料的蒸发、可以在2200K下工作；其次就是有污染；但仪器操作简单、经济实惠。
pvd真空镀膜设备,PVD真空镀膜设备注意事项
pvd真空镀膜设备,PVD真空镀膜设备注意事项
PVD是物理气相沉积的意思，在真空的条件下，采用低电压大电流的电弧放电技术。
PVD技术生产的产品可以附着绚丽的色彩，具有高耐磨损性，其利用电场的作用使其反应产物沉积在工件上。
PVD真空镀膜设备顾名思义是通过PVD技术利用真空环境实现对基材的覆膜的机器，东莞汇成真空是一家生产制造PVD真空镀膜设备的厂家，设备具有以下优点：
1.具有出色的附着力。
2.高抗氧化性，高硬度，高抗磨损性。
3.大批量生成。
4.不限制产品的形状、大小。
5.其他请咨询。
PVD设备注意事项:
一、开机要先检查水路的畅通性，确定冷却塔、真空泵是否正常工作，检查气路是
否畅通，确定空压机是否正常工作。
二、要确定真空室内的膜料、离子源灯丝、工件架是否按要求放置。
三、工艺完成后要关闭电子枪和离子源等开关，待真空镀膜设备冷却一消失后方可
关闭电源。
四、未经允许不可开店电柜、真空室的屏蔽门。
镀膜机工作原理
镀膜机工作原理
镀膜机是一种用于在材料表面上涂覆薄膜的设备，它在各种工业领域中都有着
广泛的应用。
镀膜技术可以改善材料的表面性能，增加其耐磨性、耐腐蚀性和光学性能，因此受到了广泛的关注和应用。
在本文中，我们将介绍镀膜机的工作原理，从而更好地理解这一技术的应用。
镀膜机主要由真空腔体、镀膜材料、加热系统、抽气系统和控制系统等部分组成。
在进行镀膜过程时，首先将待镀膜的材料放置在真空腔体中，然后通过抽气系统将腔体内的空气抽出，形成高真空环境。
接下来，通过加热系统对镀膜材料进行加热，使其达到一定温度，从而使镀膜材料蒸发并沉积在材料表面上。
控制系统则用于控制整个镀膜过程的参数，确保镀膜的均匀性和稳定性。
在镀膜机工作时，主要有两种镀膜方式，分别是物理气相沉积和化学气相沉积。
物理气相沉积是指利用高能粒子轰击材料表面，使其表面原子或分子蒸发并沉积在基底表面上。
而化学气相沉积则是通过在真空腔体中引入一定的气体，使其在表面反应生成所需的薄膜材料，然后沉积在基底表面上。
镀膜机的工作原理可以简单概括为，首先，将待镀膜的材料放置在真空腔体中，然后通过抽气系统将腔体内的空气抽出，形成高真空环境。
接下来，通过加热系统对镀膜材料进行加热，使其达到一定温度，从而使镀膜材料蒸发并沉积在材料表面上。
最后，控制系统用于控制整个镀膜过程的参数，确保镀膜的均匀性和稳定性。
总的来说，镀膜机是一种利用真空环境下的物理或化学方法，将薄膜材料沉积
在材料表面上的设备。
通过对镀膜机的工作原理进行了解，可以更好地应用和控制这一技术，满足不同材料的表面处理需求。
真空镀膜机工作原理
真空镀膜机工作原理
真空镀膜机是一种用于在材料表面上形成薄膜的设备。
它的工作原理基于真空环境下的物理气相沉积（PVD）过程。
首先，将待镀膜的材料（通常是固体或液体）放置在真空镀膜室内。
然后，将室内的气体抽空，创建一个低压环境，即真空状态。
一旦环境达到所需的真空度，就可以开始镀膜过程。
这一步通常需要在高温条件下进行，以增加镀膜的结实度和附着力。
高温还有助于使镀膜材料达到蒸发或溅射状态。
在真空中，采用以下方法之一将材料以原子或分子形式释放到空气中：
1. 蒸发：将材料加热至其蒸汽压力足够高，使其以原子或分子形式释放。
这些蒸发物质会在室内的附着底座上沉积形成薄膜。
2. 溅射：通过在一个阳极上加高电压，将材料表面的原子或分子从阴极上击落。
击落的材料会飘散在室内，然后沉积在附着底座上。
镀膜材料形成薄膜的速率和均匀性会受到多种因素的影响，例如加热温度、反应气体的压力和浓度、沉积时间等。
在整个过程中，可以通过监测和调节这些参数来控制膜的厚度、成分和质量。
最后，在完成沉积后，停止材料释放并将室内气体重新恢复到大气压。
此时的薄膜就形成在物体表面上，并具有所需的特性和功能。
总体而言，真空镀膜机的工作原理可以简单描述为在真空环境下将材料以原子或分子形式释放，并沉积在物体表面上，以形成一层均匀的薄膜。
pvd镀膜机原理
pvd镀膜机原理PVD镀膜机是一种常用的表面处理设备，主要用于对物体表面进行镀膜处理。
PVD是Physical Vapor Deposition的缩写，即物理气相沉积，是一种利用物理方法将物质从固体转变为气体状态，然后沉积在物体表面上的技术。
PVD镀膜机的工作原理可以简单理解为以下几个步骤：准备工作、气体离子化、离子轰击和沉积。
准备工作包括对待镀物体进行清洗和表面处理。
这是为了确保待镀物体的表面干净且具有一定的粗糙度，以增加镀层的附着力。
接下来，将待镀物体放置在真空腔室中。
真空腔室的作用是将气体抽取出来，以创建一个低压环境，避免气体分子与镀层材料反应。
通过真空泵等设备，将腔室内的气体抽取至较低的压强。
在真空腔室中，待镀物体与镀层材料之间的距离应尽量缩短，以提高镀层的均匀性。
气体离子化是PVD镀膜的关键步骤之一。
在真空腔室中，向气体供应源中通入所需的镀层材料气体，如金属蒸发源中通入金属蒸发材料。
然后，通过电子束加热或电阻加热等方式，将镀层材料加热至气化温度，使其从固体转变为气体状态。
这些气体分子随后会与待镀物体表面进行碰撞。
离子轰击是气体分子与待镀物体表面碰撞后的过程。
离子源通常是通过电离或放电等方式将气体离子化，然后加速并引导离子轰击到待镀物体表面。
离子轰击能够清除待镀物体表面的氧化物、油脂和杂质等，并提高表面的粗糙度，从而增强镀层与基材的结合力。
沉积是将离子轰击后的镀层材料沉积在待镀物体表面的过程。
在离子轰击的作用下，镀层材料的离子会沉积在待镀物体表面，并与其结合形成均匀的镀层。
通过控制离子的能量、束流密度和沉积时间等参数，可以获得不同厚度和性质的镀层。
总的来说，PVD镀膜机利用物理气相沉积技术，将固态材料转变为气态材料，然后通过离子轰击和沉积的方式将镀层材料沉积在待镀物体表面上。
这种技术可以提供高质量的镀层，具有良好的附着力、硬度和耐磨性等特点。
PVD镀膜机在许多领域中得到广泛应用，如光学、电子、汽车和航空航天等行业。
pvd真空渐变镀膜
pvd真空渐变镀膜摘要：1.PVD真空渐变镀膜的概述2.PVD真空渐变镀膜的工艺原理3.PVD真空渐变镀膜的应用领域4.PVD真空渐变镀膜的优点与缺点5.我国在PVD真空渐变镀膜技术的发展现状6.未来PVD真空渐变镀膜的发展趋势与展望正文：一、PVD真空渐变镀膜的概述PVD（Physical Vapor Deposition，物理气相沉积）真空渐变镀膜是一种在低温条件下，通过真空蒸发、溅射等方法在基材表面沉积一层渐变膜的技术。
这种镀膜技术能够在基材表面形成具有良好性能的薄膜，具有广泛的应用前景。
二、PVD真空渐变镀膜的工艺原理PVD真空渐变镀膜工艺主要包括真空蒸发、溅射等沉积过程。
在真空环境中，将靶材与基材置于同一腔体内，通过控制真空泵、蒸发源、溅射源等设备，使靶材表面逐渐形成一层渐变的薄膜。
这种薄膜具有优异的性能，如耐磨、耐腐蚀、导电等。
三、PVD真空渐变镀膜的应用领域PVD真空渐变镀膜技术在许多领域都有广泛的应用，如电子、光学、建筑、汽车、航空航天等。
在电子产品中，PVD真空渐变镀膜可以提高散热性能，延长产品使用寿命；在建筑领域，PVD真空渐变镀膜可提高玻璃的隔热性能，降低能耗；在汽车工业中，PVD真空渐变镀膜可提高零部件的耐磨性和耐腐蚀性。
四、PVD真空渐变镀膜的优点与缺点优点：1.优异的薄膜性能，如耐磨、耐腐蚀、导电等；2.低温沉积，对基材影响小；3.工艺过程可控，可实现对薄膜厚度、成分等参数的精确控制；4.广泛的应用领域。
缺点：1.设备投入高，成本较高；2.生产效率相对较低；3.薄膜性能与靶材、基材的选择及工艺参数密切相关，优化过程复杂。
五、我国在PVD真空渐变镀膜技术的发展现状近年来，我国在PVD真空渐变镀膜技术方面取得了显著的成果，不仅在薄膜制备工艺方面有所突破，还成功应用于多个领域。
然而，与发达国家相比，我国在PVD真空渐变镀膜技术方面仍有一定差距，尤其是在设备研发、工艺优化、应用领域等方面。
PVD薄膜沉积工艺及设备
PVD薄膜沉积工艺及设备薄膜沉积工艺是指将材料以薄膜的形式沉积在基底上的过程。
薄膜沉积广泛应用于半导体、光电子、化学、材料等领域，对于制备各类微电子器件、光电子器件、传感器、涂层材料等起着重要作用。
其中，物理气相沉积（PVD）是一种常用的薄膜沉积工艺，本文将对PVD薄膜沉积工艺及设备进行详细介绍。
PVD薄膜沉积工艺是通过物理方法，将目标材料表面原子或分子从固体态转化为气相态，并在此过程中形成凝聚到基底表面的薄膜。
PVD薄膜沉积工艺包括了蒸发沉积、溅射沉积和离子束沉积等几种不同的方法。
以下分别对这几种方法进行介绍。
蒸发沉积是最简单的一种PVD薄膜沉积方法。
其基本原理是将固态目标材料加热到一定温度，使其表面原子或分子获得足够的热能，从而转化为气相态，并经过扩散到基底表面沉积形成薄膜。
蒸发沉积可以通过热蒸发、电子束蒸发和激光蒸发等方法实现。
溅射沉积是一种利用目标材料被离子轰击而从固态转化为气相，然后沉积到基底表面的PVD薄膜沉积方法。
溅射沉积主要包括磁控溅射和电弧溅射两种方式。
在磁控溅射中，通过施加磁场使得离子在靶表面形成环状轨道，从而实现离子轰击靶材并将其剥离成粒子，最终沉积到基底表面形成薄膜。
电弧溅射则是通过高能电弧加热靶材并使用气体离子轰击的方式实现薄膜的沉积。
离子束沉积是一种将目标材料通过离子化并施加高能电场使其沉积到基底表面的薄膜沉积方法。
离子束沉积主要包括了离子束辅助沉积和离子束极化沉积两种方式。
离子束辅助沉积利用高能离子束轰击基底表面，提高基底表面的活性，从而促进薄膜的成核和生长。
离子束极化沉积则是通过施加电场使离子束发生极化，改变离子束的性质，进而实现薄膜的沉积。
PVD薄膜沉积设备是实现PVD薄膜沉积工艺的关键工具。
常见的PVD薄膜沉积设备包括蒸发器、溅射器和离子束设备等。
蒸发器通常由源材料装置、加热装置和抽气系统等组成。
源材料装置用于装载目标材料，加热装置则用于加热目标材料，使其蒸发成为气相。
PVD真空镀膜简介
PVD真空镀膜简介
一、PVD的含义
PVD是英文Physical Vapor Deposition的缩写，中文意思是“物理气相沉积”，是指在真空条件下，用物理的方法使材料沉积在被镀工件上的薄膜制备技术。
二、PVD镀膜和PVD镀膜机
PVD（物理气相沉积）镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。
对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。
近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是最快的，它已经成为当今最先进的表面处理方式之一。
我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。
三、PVD镀膜技术的原理
PVD镀膜（离子镀膜）技术，其具体原理是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。
四、PVD镀膜膜层的特点
采用PVD镀膜技术镀出的膜层，具有高硬度、高耐磨性（低摩擦系数）、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点，膜层的寿命更长；同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。
五、PVD镀膜能够镀出的膜层种类
PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法，它能够制备各种单一金属膜（如铝、钛、锆、铬等)，氮化物膜（TiN、ZrN、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN),以及氧化物膜（如TiO等)。
爱特斯光学是一家专业的真空镀膜材料生产厂家。
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PECVD镀膜设备
PECVD镀膜设备PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种通过在低压下使用等离子体来沉积薄膜的技术。
PECVD镀膜设备结合了化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）技术的优点，可在较低的温度下制备优质的薄膜。
PECVD镀膜设备的工作原理是将气体引入真空室中，在等离子体的作用下，气体分解成离子和自由基，并沉积在衬底表面上形成薄膜。
反应气体通过电极引入真空室，并在电场的作用下形成等离子体。
等离子体中的电子被加热并激发，产生高能量且高活性的粒子，如离子和自由基。
这些粒子可以与反应气体发生化学反应，并在衬底表面沉积成薄膜。
PECVD镀膜设备具有许多优点。
首先，PECVD可以在相对较低的温度下进行镀膜，以避免对衬底的热损伤。
这对于具有较低熔点和热敏感性的材料是非常重要的。
其次，PECVD可以制备多种类型的薄膜，如氧化物、氮化物、硅酸盐等。
这些薄膜具有不同的物理和化学特性，满足各种特定应用的需求。
PECVD还可以实现薄膜的选择性沉积，通过调整反应气体成分来控制薄膜的成分和性质。
在PECVD镀膜设备中，反应气体的选择和比例起着至关重要的作用。
常用的反应气体包括硅源气体（如二甲基硅烷、三甲基硅烷等）、氮源气体（如氨气、含氮有机化合物等）和辅助气体（如氢气、氧气等）。
反应气体的比例可以通过控制气体流量来调节，以达到所期望的薄膜成分和性质。
设备中还包括真空系统、电源和控制系统等组件，以确保设备的正常运行和薄膜的质量控制。
PECVD镀膜设备广泛应用于微电子、光电子、显示器、太阳能电池等领域。
例如，在微电子领域，PECVD可以用于制备硅氧化物薄膜，用作绝缘层和通道隔离。
在光电子领域，PECVD可以制备氮化硅薄膜，用作光波导层和反射层。
在太阳能电池领域，PECVD可以制备氨基硅薄膜，用作抗反射层。
总之，PECVD镀膜设备是一种高效、灵活和可靠的薄膜制备技术。
表面处理第十二讲气相沉积常用文档
表面处理第十二讲 气相沉积
夲讲主要内容
一、物理气相沉积（PVD） 二、化学气相沉积（CVD）
一、物理气相沉积（PVD）
概念：在真空条件下，以各种物理方法产生的原子 或分子沉积在基材上，形成薄膜或涂层的过程。 按照沉积物理机制不同，分为真空蒸发镀膜、真 空溅射镀膜、离子镀膜和分子束外延等几种技术。
的物质或具有高蒸气压的液体或固体。一 般为氢化物、卤化物以及金属有机化合物。 气体组成比例会严重影响镀膜质量及生长 率。
3）压力：在负压反应器内成膜质量、速率较 好。
一、物理气相沉积（PVD）
2、溅射镀膜： 1）原理： 用高能粒子轰击固体（靶材）表面，通过能量传递，
半导体pvd设备原理 -回复
半导体pvd设备原理-回复半导体PVD设备原理半导体物理气相沉积技术（Physical Vapor Deposition，PVD）是一种常用于半导体工业的薄膜沉积技术。
PVD设备基于物理过程，通过在真空环境中蒸发源产生蒸气来沉积薄膜。
本篇文章将详细介绍半导体PVD设备的原理。
一、真空环境的创建与维持在半导体PVD设备中，首先需要创建一个高真空环境，以确保蒸发源内蒸气分子几乎没有与气体分子碰撞的机会，从而保证沉积的薄膜具有良好的质量。
为了维持高真空环境，PVD设备通常配备有真空泵和真空阀。
真空泵通过抽取装置中的气体将压力降低到所需的真空级别。
真空阀用于控制气体的流动，如进气和排气。
二、蒸发源的选择与设计在半导体PVD设备中，蒸发源被用来产生蒸气。
蒸发源的选择取决于要沉积的物质类型。
常见的蒸发源包括石墨舟、钨篮、电子束蒸发源等。
蒸发源设计的关键在于能够提供足够的热量来使物质蒸发，并且能够控制蒸发的速率。
同时，蒸发源还需要具备适当的几何形状以确保均匀的沉积。
三、蒸发过程中的蒸气输运在蒸发源产生蒸气后，蒸气需要在真空环境中输运到待沉积的表面。
输运过程中，蒸气分子会与气体分子碰撞，因此输运路径越长，分子碰撞的机会越大，从而会影响薄膜的均匀性。
因此，PVD设备通常会通过一系列管道和抽取装置来将蒸气输送到待沉积的表面。
四、薄膜的沉积与控制薄膜的沉积是半导体PVD设备的核心过程。
在沉积过程中，蒸气会附着在待沉积表面上，并逐渐形成一个薄膜。
沉积的薄膜的性质与沉积速率、沉积温度、沉积时间以及蒸气的输送量有关。
通过调节这些参数，可以控制沉积薄膜的成分、结构和厚度。
五、薄膜的后处理完成薄膜沉积后，通常需要对薄膜进行后处理以提高其性能。
常见的后处理方法包括退火、氧化和形成合金。
这些后处理方法可以改善薄膜的结晶度、致密性和界面质量。
六、薄膜的特性测试与应用最后，对沉积的薄膜进行特性测试是判断PVD设备性能的重要指标。
简单的测试方法包括膜厚测量和表面形貌观察。
物理气相沉积真空镀膜设备介绍.
物理气相沉积真空镀膜设备介绍（上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系，上海200444）摘要：本文主要介绍了五类物理气相沉积的真空镀膜设备。
五种设备分别为：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置以及空心阴极蒸发装置。
介绍了相关设备的原理，优缺点等。
其中，着重列出了有关电子束蒸发装置的其中一个应用，是厚度为200μm左右的独立式的铁铬-Y2O3非晶态/晶态复合涂层的已经从基板温度500ºC左右的铁铬和氧化钇材料的电子束物理气相沉积产生。
Abstract:It describes the five physical vapor deposition vacuum coating equipment in this article.Five kinds of equipment are: resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, laser evaporation apparatus and a hollow cathode evaporation apparatus.It introduces the principle of related equipment, advantages and disadvantages. Emphatically identifies the electron beam evaporation apparatus in which an application.It is that Freestanding FeCrAl-Y2O3 amorphous/crystalline composite coating with a thickness of about 200nm has been produced from electron-beam physical vapor deposition of FeCrAl and yttria materials with a substrate temperature of 500 ℃ around.关键词：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置、空心阴极蒸发装置Keyword :Resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, a laser evaporation apparatus, a hollow cathode evaporation device一、电阻式蒸发装置电阻式蒸发装置的电加热方法是钨丝热源，针对这种加热方式，其主要的特点在于：第一它主要用于块状材料的蒸发、可以在2200K下工作；其次就是有污染；但仪器操作简单、经济实惠。
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物理气相沉积真空镀膜设备介绍（上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系，上海200444）摘要：本文主要介绍了五类物理气相沉积的真空镀膜设备。
五种设备分别为：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置以及空心阴极蒸发装置。
介绍了相关设备的原理，优缺点等。
其中，着重列出了有关电子束蒸发装置的其中一个应用，是厚度为200μm左右的独立式的铁铬-Y2O3非晶态/晶态复合涂层的已经从基板温度500ºC左右的铁铬和氧化钇材料的电子束物理气相沉积产生。
Abstract:It describes the five physical vapor deposition vacuum coating equipment in this article.Five kinds of equipment are: resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, laser evaporation apparatus and a hollow cathode evaporation apparatus.It introduces the principle of related equipment, advantages and disadvantages. Emphatically identifies the electron beam evaporation apparatus in which an application.It is that Freestanding FeCrAl-Y2O3 amorphous/crystalline composite coating with a thickness of about 200nm has been produced from electron-beam physical vapor deposition of FeCrAl and yttria materials with a substrate temperature of 500 ℃ around.关键词：电阻式蒸发装置、电子束蒸发装置、电弧蒸发装置、激光蒸发装置、空心阴极蒸发装置Keyword :Resistive evaporation apparatus, an electron beam evaporation apparatus, arc evaporation apparatus, a laser evaporation apparatus, a hollow cathode evaporation device一、电阻式蒸发装置电阻式蒸发装置的电加热方法是钨丝热源，针对这种加热方式，其主要的特点在于：第一它主要用于块状材料的蒸发、可以在2200K下工作；其次就是有污染；但仪器操作简单、经济实惠。
电阻式蒸发装置主要由难熔金属蒸发舟：W, Ta, Mo等材料制作，它一般用于粉末、块状材料的蒸发。
利用大电流通过一个连接着靶材材料的电阻器,将产生非常高的温度,利用这个高温来升华靶材材料。
通常使用钨(Tm=3380℃),钽Ta(Tm=2980℃), 钼Mo(Tm=2630℃) ,高熔点又能产生高热的金属,做成电阻器【1】。
电阻式蒸发装置的加热方式对被蒸发的物质可以采取两种方法，即普通的电阻加热法和高频感应法。
前者依靠缠于坩锅外的电阻丝实现加热，而后者依靠感应线圈在被加热的物质中或在坩锅中产生出感应电流来实现对蒸发物质的加热。
在后者情况下，需要被加热的物质或坩锅本身具有一定的导电性。
电阻器可以依被镀物工件形状,摆放方式,位置,腔体大小,旋转方式,而作成不同的形状。
镀膜主要的考虑因素,是让靶材的蒸发分布均匀,能让工件上面的沉积薄膜厚度均匀,镀膜成品才能得到一致的光学功能。
细丝状的金属靶材(Al, Ag, Au, Cr...)是最早被热蒸镀使用的靶材形式,后来则依不同需要,发展出舟状,篮状等各种形状的电阻器。
如图1所示：针对电阻式蒸发装置，我们需要注意的是：（1）避免被蒸发物质与加热材料之间发生化学反应的可能性，可以考虑使用表面涂有一层Al2O3的加热体；（2）防止被加热物质的放气过程可能引起的物质飞溅。
对于电阻式蒸发装置，其优点主要在于：（1）电阻式蒸镀机设备价格便宜,构造简单容易维护。
（2）靶材可以依需要,做成各种的形状。
相对的，电阻式蒸发装置其缺点也是蛮多的：（1）因为热量及温度是由电阻器产生,并传导至靶材,电阻器本身的材料难免会在过程中参加反应,因此会有些微的污染,造成蒸发膜层纯度稍差,伤害膜层的质量。
（2）热阻式蒸镀比较适合金属材料的靶材,光学镀膜常用的介电质材料,因为氧化物所需熔点温度更高,大部分都无法使用电阻式加温来蒸发。
（3）蒸镀的速率比较慢,且不易控制。
（4）化合物的靶材,可能会因为高温而被分解,只有小部分化合物靶材可以被闪燃蒸镀使用。
（5）电阻式蒸镀的膜层硬度比较差,密度比较低。
因此，由于电阻式蒸发装置的缺点较多，一般在应用的时候，很少使用到这种装置来进行高空蒸发镀膜。
二、电子束蒸发装置电阻加热装置的缺点之一是来自坩埚、加热元件以及各种支撑部件的可能的污染。
另外，电阻加热法的加热功率或加热温度也有一定的限制。
因此其不适用于高纯或难熔物质的蒸发。
电子束蒸发装置正好克服了电阻加热法的上述两个不足。
在电子束加热装置中，被加热的物质被放置于水冷的坩埚中，电子束只轰击到其中很少的一部分物质，而其余的大部分物质在坩埚的冷却作用下一直处于很低的温度，即后者实际上变成了被蒸发物质的坩埚。
因此，电子束蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，这使得人们可以同时分别蒸发和沉积多种不同的物质应用各种材料，如高熔点氧化物，高温裂解BN、石墨、难熔金属硅化物等制成的坩锅也可以作为蒸发容器。
这时，对被蒸发的物质可以采取两种方法，即普通的电阻加热法和高频感应法。
前者依靠缠于坩锅外的电阻丝实现加热，而后者依靠感应线圈在被加热的物质中或在坩锅中产生出感应电流来实现对蒸发物质的加热。
在后者情况下，需要被加热的物质或坩锅本身具有一定的导电性。
电子束蒸发装置的电子束加热枪由灯丝、加速电极以及偏转磁场组成。
电子束蒸发设备的核心是偏转电子枪，偏转电子枪是利用具有一定速度的带点粒子在均匀磁场中受力做圆周运动这一原理设计而成的。
其结构由两部分组成：一是电子枪用来射高速运动的电子；二是使电子做圆周运动的均匀磁场。
电子束蒸发的特点主要有：（1）工作真空度比较高，可与离子源联合使用；（2）可用于粉末、块状材料的蒸发；（3）可以蒸发金属和化合物；（4）可以比较精确地控制蒸发速率；（5）电离率比较低。
图2 电子束蒸发装置示意图电子束装置的电子束绝大部分能量要被坩埚的水冷系统带走，因而其热效率较低。
另外，过高的加热功率也会对整个薄膜沉积系统形成较强的热辐射。
由于电子束自身高能量等原因，所以，电子束蒸发对源材料的要求也会比较高。
首先，熔点肯定要高。
蒸发材料的蒸发温度多数在1000－2000℃之间，所以加热源材料的熔点必须高于此温度。
其次，饱和蒸汽压要低。
这是为了防止或减少在高温下加热材料，随蒸发材料一起蒸发而成为杂质进入淀积膜，只有当加热材料的饱和蒸发气压足够低，才能保证在蒸发过程中具有最小的自蒸量，而不致于影响真空度，不产生对薄摸污染的蒸发。
最后，化学性能要稳定。
加热材料在高温下不应与蒸发材料发生化学反应，如果加热材料和蒸发形成工熔点合金，则会降低加热材料的寿命。
电子束物理气相沉积的应用：Freestanding FeCrAl-Y2O3 Amorphous/Crystalline Composite Coating Fabricated by Electron-Beam Physical Vapor Deposition摘要：Freestanding FeCrAl-Y2O3 amorphous/crystalline composite coating with a thickness of about 200um has been produced from electron-beam physical vapor deposition of FeCrAl and yttria materials with a substrate temperature of 500 ℃around. The microstructure was composed of columnar grains near the substrate side and an amorphous top layer. Local crystallization occurred during room temperature preservation. It is inferred that the crystallization activation energy of the material is very low.非晶涂层具有优异的耐腐蚀性【1】，高弹性模量，更好的耐磨性【2-3】，以及独特的磁特性等许多优点【4】。
目前，金属玻璃涂层的大多是用磁控溅射法制作出来的，每分钟几纳米的增长速度【5-6】。
电子束物理气相沉积（EBPVD）是一种将制作涂层用每分钟几微米的沉积速率的更有效的方法。
通过电子束物理气相沉积（EBPVD）技术所提供的高效率可以有利于制造耐磨损性或耐腐蚀性的无定形涂层的其工业应用。
但是，一直没有使用EBPVD制造非晶涂层的任何报告。
实验方法：直径98.5毫米FeCrAlTi(Fe-19.7Cr-5.3Al-5.5Ti)锭和直径68.5毫米的Y2O3锭放入二水冷铜坩埚，同时由两个独立的电子束蒸发。
衬底放置在远离锭的表面350mm处。
利用电子束电流预热锭直至明显的稳定熔化物在晶棒的顶端逐渐增加，则去除沉积阻挡板，沉积开始。
FeCrAlTi与Y2O3电子束电流分别控制在1.3A和0.5 A，在沉积过程中，大约有0.05A的误差范围。
当淀积期间基片温度从440ºC逐渐升高至560ºC，不提供额外的加热器到衬底上。
沉积持续约15分钟。
平均沉积速率是大约13um /min。
沉积之前的加热斜率约38℃/min，沉积后的基片冷却速度为约为47℃/min。
实验讨论：图3 XRD patterns of the foil.(a) amorphous/crystalline composite coating; (b)crystalline coating.择优选取非晶/结晶复合涂层（100）方向的XRD图，可以看出，作为用于复合涂层的沉积表面侧，没有结晶峰被检测到。