第三章 金属的塑性变形和加工硬化解读
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第三阶段特征: 1)加工硬化速率( Ⅲ )降低,曲线呈抛物 线型; 2)变形温度和层错能对第三阶段有影响; 3)该阶段是一个热激活过程,该阶段开始时 的应力随温度的增加而快速减少; 4)内部组织变化的特征是:出现了滑移带。 随着变形量的增加,滑移都集中于滑移带内, 在滑移带之间不再出现新的滑移痕迹,而在滑 移带内可以看到交滑移。
第3章 金属的塑性变形和加工硬化
3.1
单晶体的塑性变形
加工硬化-金属塑性变形中,变形程度增 加,其强度和硬度提高而塑性则降低。 金属在冷塑性变形过程中,为什么会出 现强化现象 ? 如何实现强化 ? 受哪些因素 影响以及其强化的变化规律如何呢?
首先来分析纯金属单晶体的塑性变形过程
图3.1 典型金属的应力-应变曲线
3) 温度的影响 温度升高时,0略有降低, Ⅲ而则显著降低,
Ⅱ , Ⅲ 变短, Ⅰ 和 Ⅱ 与温度关系不大,而 Ⅲ
则随温度升高而减小。
3、FCC金属形变单晶体的表面现象
面心立方晶体研究发现,无论层错能高低,只要是 处于同一个阶段形变,都具有相同特征的表面现象。 各阶段观测研究的结果简述如下: 第1阶段;用光学显微镜一般看不到滑移线。 第Ⅱ阶段:光学显微镜在暗场下可以看到滑移线, 线长随应变的增加而递减。电镜观察到的单个滑移 线比第1阶段的粗而短。 第Ⅲ阶段:出现滑移带,带中包括靠得很近的滑移 线。应变增加时,带间不再增加新线,形变集中在 原来的带中,带端出现了碎化现象。所谓碎化现象, 系指相互连接着的滑移带的侧向移动现象。
图3.5 锌单晶的加工硬化
3.2 金属多晶体的塑性变形
使用的大多数金属材料都是多晶体。多晶体是 通过晶界把取向不同、形状大小不同、成分结 构不同的晶粒结合在一起的集合体。多晶体的 塑性变形是许多单晶体塑性变形的集合。但是, 由于组成多晶体的各个晶粒取向不同,由于存 在着晶界及晶粒大小有差别,使得多晶体的塑 性变形和强化有许多不同于单晶体的特点。
二、 BCC晶格单晶体的塑性变形
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高纯度的BCC金属室温的应力应变曲线与FCC 金属的曲线相似。 如果含有微量杂质原子或在低温形变时,将产 生明显的屈服现象而得不到三个阶段的硬化曲 线。
图3.4 铌单晶体的加工硬化
三、HCP晶格单晶体的塑性变形 HCP金属的应力应变曲线的第Ⅰ阶段硬化率 θⅠ与FCC金属相近,但通常限于一组基面滑移 ,出现很长的第Ⅰ阶段,远远超过其他结构的 晶体,以致其第Ⅱ阶段还未充分发挥时试样就 已经断烈了。但条件合适时也会出现完整的三 个阶段。
一、晶界在塑性变形中的作用
为了显示晶界对变形的影响,可将由几个晶粒 组成的大晶体承受变形并观察和测量它的变形 分布情况。如下图:
图3.6 总变形量相同时多晶铝的几个晶粒各处的实际变形量
由图可知: 1)总变形量相同时,在多晶体内,不仅各晶 粒所承受的实际变形量不同,而且每个晶粒内 部各处的实际变形程度也不一致。 2)在晶粒边界处变形程度都比晶粒内部小, 这既表明晶界处较难变形;也显示出晶界在促 进变形的不均匀分布上起很大作用。
• 晶界对塑性变形过程的影响,主要是在温度较 低时晶界阻碍滑移进行引起的障碍强化作用和 变形连续性要求晶界附近多系滑移引起的强化 作用。 1.晶界的障碍强化作用 • 由于晶界两侧晶粒取向不同,滑移从一个晶粒 延伸到下一个晶粒是不容易的,晶界存在着阻 碍塑性变形进行的作用。 • 要实现塑性变形从一个晶粒传递到下一个晶粒, 就必须外加以更大的力,这就是晶界的障碍强 化作用。
第二阶段特征: 1)加工硬化率( Ⅱ )很高,且和应变量呈线 性关系; 2)加工硬化率对金属的种类或合金的成分(只 要为面心立方晶体)不敏感,对晶体的位向也不 敏感; 3)滑移线长度随应变量有如下规律:
2 l2
4)每根滑移线上位错数大致不变; 5)其位错结构缠结,形成胞状结构。
加工硬化第三阶段有加工软化现象。 Cottrell和Stoke发现,如纯铝在90K变形至第 二阶段,继之升高温度,于室温下再进行实验 时,就有明显的屈服降落。这说明低温时的硬 化会部分地突然去除,显然低温变形时形成的 位错结构是不稳定的,到室温时发生某种变化 。由此证明,铝在室温下出现的屈服点,并不 是由于点缺陷的扩散或杂质原子偏聚到位错线 ,钉扎了位错所造成的。 由以上实验结果可知,易滑移阶段只在主滑移 系统上运动,第二阶段次滑移系统上的位错参 与了滑移变形,第三阶段则产生了螺位错的交 滑移。
在各种结构的金属中,面心立方金属的硬化机 理研究得比较深入,下面重点以FCC金属为例 加以说明。
一、FCC晶格单晶体的塑形变形 1、应力一应变曲线
图3.2 面心立方单晶体典型的应力-应变曲线
典型曲线的三个阶段特征: 第一阶段特征: 1)加工硬化率( Ⅰ)很低; 2)滑移线细而长且均匀分布; 3)加工硬化速率对晶体位向和杂质十分敏感; 4)滑移线上的位错数可以很大; 5)三类晶体结构中,没有螺位错存在,这可能 是由于在相邻滑移面上两个异号螺位错相遇时, 由于交滑移而湮灭了。只有在层错能低的合金( 如Cu-10%Al)中才可以看到螺位错。 其位错组态常呈刃位错多极子排列。
2.多系滑移强化作用
• 多晶体材料中,一个晶粒产生滑移变形而不破坏 晶界连续性,相邻的晶粒必须有相应协调变形才 行。多晶体的塑性变形,一旦变形传播到相邻的 晶粒,就产生了多系滑移。位错运动遇到的障碍 比单系滑移多,阻力要增加。而且随着变形量的 增加,阻力增加很快,这就是多系滑移所产生的 强化作用。 • 在不同的晶体结构中,多系滑移强化和障碍强化 所起作用的大小是不同的。体心和面心立方晶体 金属中,滑移系统多,多系滑移强化效果比障碍 强化大得多;室温下变形的六方金属晶界的障碍 强化是主要的。
2、影响应力一应变曲线的主要因素 1) 取向的影响
FCC金属单晶体的应力一应变曲线形状和试样的 取向关系很密切。
图3.3 单晶铝不同取向拉伸时 的应力-应变曲线 ---室温;—77K
2)金属的层错能和纯度的影响
层错能的高低影响到第Ⅲ阶段前的变形发展。 室温下的层错能高的金属,扩展位错很容易束 集及产生交滑移, Ⅱ 值不超过 4 % -5 %,应力 应变曲线很快进入第Ⅲ阶段;层错能低的金属, 因为扩张位错不易束集,位错交割困难,不易 产生多系滑移,则 Ⅱ可能超过20%以上。 杂质原子明显地影响到第Ⅰ阶段的长度。主要 从杂质原子对层错能影响和形成弥散的第二相 两个方面。