太阳能电池背表面钝化的研究
氟化物对钙钛矿太阳能电池的钝化研究进展
第52卷第9期 辽 宁 化 工 Vol.52，No. 9 2023年9月 Liaoning Chemical Industry September，2023基金项目： 和田地区本级技术研究与开发经费项目（项目编号：202205）。
收稿日期： 2023-01-26氟化物对钙钛矿太阳能电池的钝化研究进展孟文兵，郝志杰（和田师范专科学校，新疆 和田 843800）摘 要：目前钙钛矿太阳能电池因溶液法工艺制备的多晶薄膜具有大量的缺陷，分布在钙钛矿薄膜内部和钙钛矿薄膜与电荷传输层的界面上，由此导致的非辐射复合极大地降低了钙钛矿太阳能电池器件的光伏性能，同时也成为钙钛矿太阳能电池稳定性问题和迟滞效应的产生的重要原因。
研究证明，钝化处理是解决该问题的重要手段，它可以有效地减少钙钛矿薄膜中的陷阱状态，减少钙钛矿太阳能电池工作过程中的非辐射复合，进而减少光电转换过程中的能量损失，因此提升器件的性能。
综述了氟化物作为钝化材料对钙钛矿太阳能电池的钝化机理及其优势，氟化物分别在钙钛矿薄膜与电荷传输层界面处以及在薄膜内晶界处的钝化研究进展，进一步提出氟化物作为钝化材料对于提升钙钛矿太阳能电池光伏性能、稳定性的意义及今后展望。
关 键 词：钙钛矿太阳能电池；氟化物；缺陷；钝化中图分类号：TK514 文献标识码： A 文章编号： 1004-0935（2023）09-1344-11有机-无机金属卤化物钙钛矿因其独特的光物理性质成为光伏领域的研究热点。
在过去的短短十余年间，钙钛矿太阳能电池的效率由最初被报道的3.8%[1]增长到如今的26.1%[2]，一跃成为与晶硅太阳能电池相媲美的光电转换器件, 根据Shockley-Queisser 极限，钙钛矿光伏器件的效率还存在进一步提高到31%~33%的空间，展示出巨大的发展前景。
然而，随着研究的深入，人们发现关于钙钛矿太阳能电池(PSCs)的研究必须面对的难题，包括稳定性和迟滞效应等问题。
太阳能电池钝化的原理
太阳能电池钝化的原理
太阳能电池钝化是指在电池的表面形成一层钝化膜，阻止了电荷的流动。
其原理如下：
1. 太阳能电池的表面常常被氧化物覆盖，例如二氧化硅或氧化铝。
这些氧化物在电池运行时，会与空气中的水分发生反应形成一层很薄的钝化膜。
2. 钝化膜是一种绝缘体，阻碍了电子和离子的流动，从而减少了电池的效率。
3. 钝化膜的形成是一个自然发生的过程，可以通过对电池进行特殊处理来减缓或阻止钝化的形成。
4. 钝化膜的形成速度与电池的工作温度和湿度有关。
在高温高湿环境下，钝化膜形成速度更快。
5. 钝化膜的厚度非常薄，通常在几纳米至几十纳米之间，但即使是这么薄的一层膜也足以阻碍电子和离子的流动。
6. 钝化膜的形成对太阳能电池的性能有影响，可以减少电池的效率和寿命。
因此，研究钝化膜的形成和控制对于提高太阳能电池的效率和稳定性非常重要。
晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究
晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究
晶体硅太阳电池作为一种新兴的太阳能发电技术，其外表面应具有良好的表面活性性能，以保证电池的高效发电性能。
但晶体硅表面的活性性能往往受到空气中的污染物的影响，为了改善这一现象，研究人员开展了对晶体硅太阳电池表面的氮化硅钝化研究。
氮化硅钝化研究是指在高温下，将蒸气中的氮源添加到晶体硅表面，形成一层厚薄的氮化硅膜，以钝化晶体硅表面，减少表面污染，改善电池的稳定性。
首先，在实验中，研究人员使用电弧气体溅射机对晶体硅表面进行氮化硅钝化处理。
在氮化硅钝化处理过程中，将电弧气体添加到晶体硅表面，在高温环境下产生自熔合效应，形成一层薄的氮化硅膜。
氮化硅膜的厚度一般在1~3微米之间，具有良好的耐磨性能，能够有效阻止污染物的吸附，改善晶体硅表面的稳定性。
其次，在试验中，研究人员还将晶体硅表面的氮化硅膜进行了多种改性处理，包括气相添加、物相添加和加热处理等。
通过改性处理，可以提高氮化硅膜的耐磨性能，改善晶体硅表面的表面活性性能，有效阻止污染物的吸附，以保证电池的高效发电效果。
最后，通过对晶体硅表面的氮化硅钝化处理，可以有效抑制污染物的吸附，降低表面活性能，抑制电池表面的电池浪涌现象，保证电池的可靠性。
此外，氮化硅膜也具有良好的耐热和耐腐蚀性能，可以有效保护晶体硅太阳电池免受外界空气环境和污染物的损害，以便提高太阳电池的发电效率和使用寿命。
综上所述，晶体硅太阳电池表面的氮化硅钝化处理，可以有效抑制污染物的吸附，改善电池的稳定性，降低太阳电池的耗能，保证其高效发电性能。
由此，氮化硅钝化技术将成为太阳能发电领域的一项重要技术，对于提高太阳电池的发电性能具有重要意义。
钙钛矿太阳能电池钝化的方法
钙钛矿太阳能电池钝化的方法1. 简介钙钛矿太阳能电池是一种新型的太阳能电池技术，具有高转换效率和低制造成本的特点。
然而，钙钛矿太阳能电池在长期使用过程中容易发生退化，降低其性能。
本文将探讨钙钛矿太阳能电池钝化的方法，以提高其持久性能。
2. 钝化机制钙钛矿太阳能电池的钝化主要是由以下因素引起的： - 钙钛矿层元素的游离和迁移 - 界面电荷传输的损失 - 结晶缺陷和非晶态形成2.1 钙钛矿层元素的游离和迁移钙钛矿太阳能电池的活性层中含有钙钛矿晶体，其中的阳离子可能会因为光照、温度等因素的影响而发生游离和迁移。
这种游离和迁移会导致钙钛矿晶体结构的破坏和性能的下降。
2.2 界面电荷传输的损失在钙钛矿太阳能电池中，界面是电荷传输的关键区域。
然而，由于界面的缺陷和杂质，电荷传输时会发生能量的损失和电子的复合现象。
这些损失会降低电池的转换效率。
2.3 结晶缺陷和非晶态形成钙钛矿太阳能电池在制备过程中可能会产生结晶缺陷或形成非晶态结构，这些缺陷和结构不稳定性会导致电池的性能下降。
3. 钝化方法3.1 光照循环光照循环是一种常用的钝化方法，通过在特定光照条件下，周期性地曝光和关闭钙钛矿太阳能电池，可以减缓元素游离和迁移的速度，从而提高电池的长期稳定性。
3.2 界面工程界面工程是通过控制电池界面的化学和结构特性，减少电荷传输损失的方法。
常用的界面工程手段包括改善电池表面材料、优化电池结构和添加界面材料等。
3.3 添加稳定剂钙钛矿太阳能电池中添加稳定剂是一种有效的钝化方法。
合适的稳定剂可以稳定钙钛矿晶体结构，减缓元素游离和迁移的速度，提高电池的稳定性。
3.4 温度控制温度对钙钛矿太阳能电池的性能有重要影响。
适当的温度控制可以减缓钙钛矿层元素的游离和迁移速度，从而降低钝化速度，提高电池性能的持久性。
3.5 添加玻璃保护层添加玻璃保护层可以有效地降低钙钛矿太阳能电池的钝化速度。
玻璃保护层可以阻隔外界对钙钛矿层的侵蚀，减少元素游离和迁移的速度。
电池表面钝化
电池表面钝化摘要：文章从提升N型太阳能电池发电效率和降低其加工成本入手，分析了如何通过钝化机制来降低电池的复合，通过对Al2O3薄膜制备过程中臭氧浓度、沉积温度、烧结温度以及Al2O3薄膜的厚度进行对比和分析，发现Al2O3薄膜在一个较宽的范围内能够达到较稳定的钝化效果，因此其工业应用前景广阔。
随着气候条件的不断恶化以及不可再生能源的不断开采，为了保证能源的持续利用，可再生能源受到青睐，尤其是太阳能不断被关注和利用。
但是由于其效率偏低且成本偏高，导致其利用率并未达到最大化。
为了进一步降低太阳能电池的生产成本并提高其转换效率，应用更薄的硅片成为太阳能行业的发展趋势。
随着硅片厚度的减薄，硅片的表面复合就越来越重要，因此需要开发更优异的表面钝化方法。
表面钝化的方法可以归纳为化学钝化和场效应钝化两类。
由于表面复合的速率直接与界面缺陷的密度相关，化学钝化是通过减少界面处的缺陷数量来达到减少表面复合速率的。
通常使用氢原子或一层薄的半导体膜来实现化学钝化作用，它们可以同未配位的原子（悬挂键）结合，从而减少界面缺陷密度。
场效应钝化是通过内建电场来减少硅片界面处电子或空穴的浓度从而达到表面钝化的作用。
由于复合过程需要同时有电子和空穴的存在，当两者在界面处的浓度在约同一个数量级（假定电子和空穴具有相同的捕获截面）时会达到最高的复合速率，其他情况下复合速率与界面处电子的浓度相关。
在场效应钝化中，硅片界面处的电子或空穴的浓度被界面处的内建电场屏蔽。
这种内建电场可以通过向界面下掺杂或是在界面处形成固定电荷来获得。
1Al2O3薄膜的制备方法沉积Al2O3薄膜的方法有原子层沉积法（ALD）、等离子增益化学气相沉积法（PECVD）、溶胶凝胶法（Solgel）以及属于物理气相沉积的溅射法（sputtering）。
原子层沉积法分为热原子层沉积和等离子辅助原子层沉积，通常使用三甲基铝（TMA）为前驱体，使用水、臭氧或氧气作为氧化剂。
perc电池背钝化机理
perc电池背钝化机理摘要：perc电池是一种高效的太阳能电池，其背钝化机理是实现高转换效率的关键因素之一。
本文将介绍perc电池的背钝化机理，包括背电场和背面结构优化等方面的内容，以期对perc电池的工作原理有更深入的理解。
引言：太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的装置，其效率的提升一直是研究的重点。
在太阳能电池中，背钝化是一种常见的技术，用以提高光电转换效率。
perc电池正是利用了背钝化机理，成为太阳能电池中的佼佼者。
一、perc电池背钝化机理概述perc电池（Passivated Emitter and Rear Cell）是一种具有背钝化层的太阳能电池。
在perc电池中，背钝化层的作用是限制电荷载流子的复合，提高电池的效率。
背钝化层是通过在太阳能电池的背面形成一个接近电池表面的电场，使得电荷载流子在背面上被集中，减少了电子和空穴的复合，从而提高了电池的光电转换效率。
二、perc电池背钝化机理详解1. 背电场的形成在perc电池中，背电场是通过某种方式形成的。
一种常见的方式是在背面上制备一个透明导电氧化物层（TCO），然后在背面形成一个p型掺杂层。
通过这种方式，在背面形成了一个电场，使得电子和空穴在背面上被分离，从而减少了电荷载流子的复合。
2. 背面结构优化除了背电场的形成，背面结构的优化也是perc电池背钝化的重要因素。
一种常见的优化方式是在背面形成一个反射层，用以增强光的吸收。
此外，还可以在背面添加一层反射层或衬底层，以增加光的路径长度，提高光的吸收效果。
3. 背钝化层的材料选择背钝化层的材料选择也对perc电池的效率有着重要影响。
目前常用的背钝化层材料有氮化硅、氧化锌等。
这些材料具有优良的电子和光学特性，能够有效地限制电荷载流子的复合，提高电池的光电转换效率。
三、perc电池背钝化机理的应用perc电池背钝化机理的应用已经广泛存在于太阳能电池的生产中。
perc电池以其高转换效率和良好的性能稳定性，成为了目前太阳能电池市场的主流产品。
hjt本征层的钝化原理 -回复
hjt本征层的钝化原理-回复HJT（Heterojunction with Intrinsic Thin layer）太阳能电池是一种新型的太阳能电池技术。
它采用了多层结构，其中最关键的一层是本征层。
本征层的钝化原理是HJT太阳能电池能够实现高效能转换的基础。
在探讨本征层的钝化原理之前，我们首先需要了解HJT太阳能电池的基本结构。
HJT太阳能电池由p型硅基片、N型硅基片和本征层组成。
p 型硅基片和N型硅基片分别具有正向电压和负向电压特性。
而本征层位于p型硅基片和N型硅基片的交界面上，起到了调节电荷载流子转移的作用。
本征层的钝化作用可以通过以下几个方面来解释。
首先，本征层能够有效地控制电子和空穴在p-N结之间的扩散。
本征层具有高浓度的本征载流子，这些本征载流子能够阻止杂质和缺陷的形成，从而提高了太阳能电池的效率。
其次，本征层能够抑制表面的反射和吸收。
在太阳能电池的工作过程中，大量的光线会被反射或吸收，并且导致能量的损耗。
本征层能够将光线引导到p-N结附近，减少反射和吸收，从而提高能量的利用率。
此外，本征层还能够减少表面缺陷和电荷重新组合。
表面缺陷是影响太阳能电池性能的一个重要因素，会导致电荷的重新组合和损失。
本征层的存在可以降低表面缺陷的生成，从而减少电荷的重新组合，提高电池的效率。
最后，本征层还能够增强太阳能电池的稳定性和寿命。
由于本征层的存在，太阳能电池能够更好地抵抗外界环境的影响，如湿度、温度等因素。
同时，本征层也能够减少与其它材料之间的相互作用，保护太阳能电池的结构完整性。
综上所述，HJT太阳能电池的本征层通过钝化作用，实现了高效能转换。
它能够控制电荷载流子的转移、减少能量损耗、降低表面缺陷和提高太阳能电池的稳定性。
随着技术的不断进步，本征层的钝化原理将会继续发展，为太阳能电池的效率和可靠性带来更大的提升。
(完整word版)背钝化简介
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重.从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化,再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。
虽然这一结构暂时缓解了背面钝化的问题,但并未根除，开孔处的高复合速率依然存在，而且使工艺进一步复杂.表面钝化的演进钝化的“史前时代"SiNx:H 第一次进化90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备含氢的氮化硅（SiNx:H）薄膜用作电池正面的减反射膜。
其中原因之一在于相对合适的折射率，但更重要的原因则在于氮化硅优良的的钝化效果。
氮化硅除了可以饱和表面悬挂键，降低界面态外，还通过自身的正电荷，减少正面n型硅中的少子浓度,从而降低表面复合速率。
SiNx中携带的氢可以在烧结的过程中扩散到硅片中，对发射极和硅片的内部晶体缺陷进行钝化，这对品质较低的多晶硅片尤其有效，大幅提高了当时太阳能电池的效率。
伴随着钝化材料上的创新，银浆材料与烧结工艺上的变革也同时到来，那就是可以烧穿的浆料和共烧（Co—firing）烧结工艺.有了烧穿特性后，可以先进行减反射膜的沉积，后网印浆料,然后烧结.由于顺序的颠倒，不用再担心金属栅线上覆盖的减反射层影响焊接，也省去了沉积TiO2需要的部分遮挡。
同时人们发明了将正反面浆料一次烧结的共烧工艺，在一次烧结中，正面的银浆穿过SiNx与硅形成接触，而背面的铝浆也同步形成背面电极和背电场（back surface field）.这一系列改进大大简化了丝网印刷电池的工艺，并逐渐成为了晶硅电池生产的主流。
AlOx 第二次进化随着电池正面的钝化效果和接触性能由于SiNx的使用和银浆改进在不断提高，进一步优化正面已经进入瓶颈阶段，人们把视线投向了另一个复合严重的区域，那就是电池的背表面.虽然在传统丝网印刷的晶硅电池中,铝背场可以减少少子浓度，减少复合，但仍然无法与使用介质层带来的钝化效果相比较。
太阳能电池片制造工艺及铝背场钝化工艺的研究
太阳能电池片制造工艺及铝背场钝化工艺的研究多晶硅太阳能电池制造工艺是目前应用最广泛的太阳能电池制造工艺之一、该工艺涉及到硅单晶和硅多晶两种材料的制备和加工过程。
制备硅单晶的方法主要有Czochralski法和多晶硅熔融法，而制备硅多晶的方法主要是室温下的溶液冷凝法和高温下的溶液蒸发法。
制备好的硅单晶或硅多晶通过切割、打砣、酸洗等工艺处理得到太阳能电池片的初始材料。
接下来，将初始材料通过刻蚀、掺杂、扩散等加工工艺形成太阳能电池片的结构。
最后，将电极连接并封装完成太阳能电池的制造。
该工艺能够制造出转化效率较高的太阳能电池，但制造成本较高。
薄膜太阳能电池制造工艺是相对于多晶硅太阳能电池制造工艺而言的一种新兴工艺。
薄膜太阳能电池的制造主要包括物理气相沉积法、化学气相沉积法、溅射法和旋涂法等几个主要过程。
其中，物理气相沉积法通过将薄膜材料沉积在基板上来制备薄膜太阳能电池；化学气相沉积法利用化学反应沉积薄膜材料；溅射法通过蒸发源将材料蒸发并沉积到基板上；旋涂法利用离子束和离子束辅助沉积原理来沉积薄膜。
这些工艺制造薄膜太阳能电池的成本较低，但转化效率相对较低。
铝背场作为太阳能电池生产中极其重要的一步，在制造工艺中起到了关键的作用。
铝背场的钝化工艺能够保证太阳能电池片的背面材料不易与空气中的水汽及氧气发生氧化反应，从而提高太阳能电池的使用寿命和稳定性。
钝化工艺一般采用化学氧化或电化学氧化的方法。
通过使用一系列的酸碱溶液和经过精确控制的温度和时间，可以使铝背场得到适当的氧化层，形成一种更稳定的材料。
这样可以防止铝背场对水和氧的进一步反应，并且提高太阳能电池的背结的性能。
综上所述，太阳能电池片制造工艺和铝背场钝化工艺是提高太阳能电池转化效率和降低制造成本的关键因素。
随着技术的进一步发展，太阳能电池的制造工艺和铝背场钝化工艺将会不断改进和创新，以满足人们对太阳能电池的需求，并推动太阳能产业的发展。
单品硅太阳能电池的背场钝化技术研究
关键 词 钝化
ｓＮ 背场 ＳＯ 背场 Ｉ Ｅ响应 ｉｘ ｉ： Ｑ
Ｂａ ｋｓ ｆ ｃ ｓ ｉ ａ ｉ ｎ ｍ ｅ ｈ ｄ ｏ ｉ ｃ ｏｌｒｃ ｌ ｃ ｕｒａ ｅ ｐａ ｓ ｖ ｔ ｔ ｏ ｏｆｍ ｎｏ ｓ ｌ ｏｎ ｓ ａ ｌ ｏ ｉ ｅ Ｅ ｕＲ ｎ ｉ ＊Ｗ ａ ｇＸ ｓ ｅ ｇａ ｄＺ ａ ｇＬ ｊｎ ｈ ａｑｎ ， ｎ ｕ ｈ ｎ ｎ ｈ ｎ ｉｕ ｇ ｎ
使用 了ＳＯ 或 ＳＮ 背场钝化层 后， ｉ： ｉ 长波 区域 的 Ｉ Ｅ响应相 比正 常电池片有明显提升， 明 ＳＯ 或 ＳＮ 确实起到钝化 作用。而再 对电 Ｑ 说 ｉ： ｉ
性参数分析后发现，ｉ： Ｓ ＳＯ 与 ｉ 相比可 以有效提高 电池的 Ｒ ｈ降低反 向电流 。同时在 Ｅ Ｆ测试 方面， Ｏ 与 ＳＮ 相 比， Ｎ ｓ， Ｆ Ｓ ｉ ｉ 也具有 一定 的
Ａｂ ｔ ａ ｔ ｐ ｌ ａｏ ｌｒ ｎｒｙｉ ａ ｅｔ ｅａｄｐ ｓ ｉ ｅｈｄｔ ｓｌ ｈ ｎ ｉ ｎ ｅｔａｄｅ ｒ ｒ ｉ ｎｗ ｄｙ． ｉｈ ｓｒ ｃ Ａ ｐｉ ｔ ｎｏ ｓ ａ ｅｇ ｎｅ ｃｉ ｎ ｏｉ ｅｍ ｔｏ ｏ ｅｔｅｅｖｒ ｍ ｎ ｎ ｎ ｇ ｃｉｓ ｏ ａ ａｓ Ｈｇ ｃｉ ｆ ｏ ｅ ｓ ｆ ｖ ｔ ｖ ｏ ｖ ｏ ｅ ｙ ｓ ｅ ｃ ｎｙ ｌ ｏｔ ｎ ａｉ ｏｓｐｏｕｔ ｎｉ ｔｅｕｔ ａ ｏｌｏ ｔ ｏａ ｅｌ ｅｅ ｐ ｅ ｔＩ ｅｅｔ ｅ ｓ ｍ ｎ ｉ ｆ ｉ ｃ ｅ ｆ ｉ ｃ， ｏ ｃｓ ａｄｅｓｙＦ ｓ ｒｄｃｉ ｈ ｌｍ ｔ ｇａ ｆ ｈ ｓｌ ｃｌ ｄｖｌ ｍ ｎ ｎ ｒ ｎ ａ ， ａｙｈ ｈｅ ｃ ｎｙｃｌ ｉ ｆ ｅ ｗ ｌ ｎ ｏ ｓ ｉ ｅ ｅ ｒ ｏ ． ｃ ｙｒ ｇ ｆ ｅ ｉ ｌ
的 目标。近年来 高转换效 率技术层 出不穷， 例如 Ｓ Ｅ电池（ ｌｃｖ ｍ ｔｒＣ ｌ， Ｓ ｅｔｅｅ ｉｅ ｅ） ｅ ｉ ｔ １ＭＷＴ电池ｆ ｔ ａ ｒｕｈｃｌ和 Ｅ Ｍｅ ｌ ｒ ｔ ｏｇ ｅ ） ＷＴ 电池（ｍ ｔｒ ａｗ ｐ ｈ １ Ｅ ｉｅ ｔ
topcon电池钝化结构及制备方法
topcon电池钝化结构及制备方法
TOPCon电池，全称为Tunnel Oxide Passivated Contact，即隧穿氧化层钝化接触电池，是一种基于选择性载流子原理的太阳能电池技术。
其电池结构主要为n型硅衬底电池，通过在电池背表面制备一层超薄氧化硅，并沉积一层磷掺杂非晶硅薄膜，共同形成钝化接触结构。
这种结构中的磷掺杂非晶硅层提供了良好的场钝化效果，并对载流子具有选择性透过性，对提升电池电流和填充因子起到了至关重要的作用。
TOPCon电池的钝化结构主要包括n型硅基底、隧穿氧化硅层、含碳的隧穿氧化硅层、第一poly层、轻掺磷poly硅层、重掺磷poly硅层、重掺含磷含碳poly硅层和背面减反层。
其中，隧穿氧化硅层、含碳的隧穿氧化硅层和第一poly层共同形成了隧穿氧化层钝化接触结构，对电池性能有着重要影响。
制备TOPCon电池钝化结构的方法主要包括以下步骤：首先，在n型硅基底上制备隧穿氧化硅层；然后，在隧穿氧化硅层上沉积含碳的隧穿氧化硅层；接着，在第一poly层上依次沉积轻掺磷poly硅层、重掺磷poly硅层和重掺含磷含碳poly硅层；最后，在重掺含磷含碳poly硅层上制备背面减反层。
总的来说，TOPCon电池的钝化结构及制备方法对于提升太阳能电池性能具有重要意义。
通过优化钝化结构的设计和制备方法，可以进一步提高TOPCon电池的效率和稳定性，为太阳能电池的商业化应用提供更好的技术支持。
硼添加剂对背钝化太阳能电池的性能影响及机理研究
硼添加剂对背钝化太阳能电池的性能影响及机理研究刘长海;张进;陈智栋;VITYUK Sergey【摘要】以3种含硼化合物作为添加剂,对背钝化(PERC)太阳能电池铝浆进行了系统地性能研究.其中,Na2B4O7·10H2O的添加质量分数为1.0％时,填充因子最大可达到78.5％,太阳能电池光电转换效率可达到20.2％.通过SEM和EDS对PERC电池片的横截面进行微观形貌表征和元素分析,发现硼添加剂对于PERC电池的局部背表面层(LBSF)的厚度产生一定的影响,从而会进一步影响背钝化太阳能电池的电性能;另外,EDS结果表明靠近LBSF层及界面铝浆中的硅含量都有增加.因此可以推断,局部背表面层厚度的增加与硼添加剂可以增加铝硅在烧结时的互扩散有关.【期刊名称】《常州大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2018(030)005【总页数】8页(P9-16)【关键词】背钝化太阳能电池;硼添加剂;背表面层【作者】刘长海;张进;陈智栋;VITYUK Sergey【作者单位】常州大学材料科学与工程学院,江苏常州 213164;常州大学材料科学与工程学院,江苏常州 213164;常州大学石油化工学院,江苏常州 213164;摩诺克里斯光伏科技(常州)有限公司,江苏常州 213164【正文语种】中文【中图分类】TM914.41在工业化制备晶体硅太阳能电池中，丝网印刷制备铝层是应用最为广泛的技术。
铝层不仅可以用于太阳能电池背面电接触层，而且，在丝网印刷退火过程中，铝原子会与硅原子进行相互扩散，形成Al-Si合金层。
形成的p-p+结可以引入一个内部电场，叫做背表面场(back surface field, BSF)，BSF层可以阻止少数电子载流子并且阻止他们在背表面发生复合。
同时，铝层还可以有助于吸收硅中的缺陷，尤其是金属杂质引入的缺陷，从而可以降低载流子复合并提升太阳能电池的性能。
不同于传统太阳能电池的是，背钝化(PERC)太阳能电池技术(首先由Blakers提出[1])是在太阳能电池背面进行钝化处理和激光开槽，从而有效降低表面复合速率并提高硅片内部反射率的技术[2]。
钙钛矿太阳能电池钝化的方法
钙钛矿太阳能电池钝化的方法钙钛矿太阳能电池是近年来发展迅速的一种新型太阳能电池，具有高效能、低成本等优点，成为太阳能领域的热门研究对象。
然而，其表面易受污染和氧化，导致电池性能下降，因此，针对钙钛矿太阳能电池的钝化问题，针对性地提出了几种措施。
第一种方法是表面修饰。
通过在钙钛矿太阳能电池表面修饰一层防护膜，可以有效避免其表面受到沾污和氧化影响。
常用的表面修饰方法有几种：一是利用有机分子修饰表面，如利用硫醇分子等连接在钙钛矿表面，起到保护作用；二是采用无机离子修饰表面，如钙离子、氟离子等，能够形成一层致密的保护薄膜；三是使用纳米材料修饰表面，如氧化锌纳米棒，可以形成纳米级别的保护层，提高表面防护性能。
第二种方法是防护处理。
防护处理的目的是形成一层保护层，隔绝外部环境对钙钛矿太阳能电池的影响。
此方法常用的是溅射技术，将一层致密厚度适宜的金属膜或氧化物膜溅射在钙钛矿表面，起到保护作用。
常见的防护材料有氮化硅、氧化铝等。
第三种方法是化学处理。
化学处理主要是采用化学方法改变钙钛矿表面的化学性质，防止其在光和氧的作用下发生氧化和还原反应。
在处理钙钛矿表面时，可以采用一些氧化剂和还原剂，如过氧化氢、氨水、硫酸氢钠等，与表面钙钛矿发生反应，形成化学性质稳定的覆膜。
同时，在使用化学方法钝化钙钛矿表面时，应注意溶液的浓度、反应时间和反应温度等条件，以避免对电池本身产生不良影响。
总之，钝化是保障钙钛矿太阳能电池长期稳定性能的必要措施。
通过选用合适的钝化方法，能够有效地提高钙钛矿太阳能电池的使用寿命和性能，为太阳能领域的可持续发展做出贡献。
PERC太阳能电池的背面钝化工艺研究
2020年12月第33卷第6期山西能源学院学报Journal of Shanxi Institute of EnergyDec.,2020Vol.33No.6•自然科学研究•PERC太阳能电池的背面钝化工艺研究梁玲1郭丽1张波1孟秀峰2（1.山西潞安太阳能科技有限责任公司，山西长治046000；2.山西能源学院，山西太原030006）【摘要】区别于太阳能电池采用SiOx或AlOx与SiNx的叠层结构的背面钝化工艺，本文采用一种PERC太阳能电池的背面钝化工艺的新方法来叠层表面具有较高的固定正电荷。
通过研究发现，优化后的新工艺制得的PERC 高效电池具有更好的光电转换效率，较常规工艺电池片效率提高了0.4%。
并对PERC高效电池的下一步优化和设计以及对工业应用提供了方法。
【关键词】太阳能电池;硅片；背面钝化；转化效率；工艺研究【中图分类号】TM914.41【文章编号】2096-4102（2020）06-0094-02随着高效太阳能电池研发的不断推进,优质的表面钝化已成为高转换效率太阳能电池不可或缺的组成部分。
表面钝化通过饱和半导体表面处的悬挂键,可降低界面态密度；同时钝化膜的存在避免了杂质在表面层的引入，而形成复合中心，降低了表面活性，以此来降低少数载流子的表面复合速率，提高少子寿命。
同时钝化膜中的固定电荷能使半导体表面反型或堆积，形成表面结,阻止少子载流子流向表面，减小了表面复合的损失，从而提高了表面光生载流子的收集率。
但常规PECVD法制备的SiON与SiNx的叠层膜中，缺陷主要以K0、K+和N-三种形式存在，由于薄膜中的K中心的数量远远多于N中心，从而使薄膜与晶体硅的界面表现为正电性。
在P型硅背面出现正电荷层，会形成反转层造成漏电,增加表面复合速率。
通用的太阳能电池采用SiOx或AlOx与SiNx 的叠层结构的背面钝化工艺，会使叠层表面具有较高的固定正电荷。
鉴于此，如何合理、有效地降低叠层表面固定正电荷，是优化电池PECVD镀减反射膜钝化工艺重点。
钙钛矿缺陷化学和表面钝化研究
钙钛矿缺陷化学和表面钝化研究Calcium titanium oxide (CaTiO3), also known as perovskite, has attracted considerable attention in recent years due to its excellent photovoltaic properties. However, the performance of perovskite solar cells is often limited by defects and surface instabilities. In order to optimize the device efficiency and stability, extensive research hasbeen conducted on defect chemistry and surface passivation techniques.钙钛矿氧化物（CaTiO3），也被称为钙钛矿，由于其优异的光伏特性而在近年来引起了广泛的关注。
然而，钙钛矿太阳能电池的性能往往受到缺陷和表面不稳定性的限制。
为了优化器件的效率和稳定性，科学家们进行了大量关于缺陷化学和表面钝化技术方面的研究。
Defects in perovskite materials can arise from various sources, including lattice imperfections, impurities, and vacancies. These defects lead to trap states within the bandgap of the material, which can affect charge carrier dynamics and recombination processes. To understand and characterize these defect states, advanced spectroscopictechniques such as photoluminescence spectroscopy and transient absorption spectroscopy have been employed.钙钛矿材料中的缺陷可能来自多个来源，包括晶格缺陷、杂质和空位。
双面钝化接触太阳能电池
双面钝化接触太阳能电池1.引言1.1 概述概述：双面钝化接触太阳能电池是一种新型的太阳能电池技术，其基本原理是通过在太阳能电池的正、负两侧分别添加一层钝化层，使得太阳能电池能够同时吸收前后两面的太阳能，从而提高了电池的能量转换效率。
这种新型太阳能电池具有制备简单、结构紧凑、能效高等优势，成为了太阳能电池领域的研究热点。
随着全球能源需求的不断增长，太阳能作为一种清洁、可再生能源备受关注。
然而，传统的太阳能电池主要依赖于正面吸收太阳能进行能量转换，而背面的太阳能则未能得到充分利用，导致能量转换效率较低。
为了提高太阳能电池的能源利用率，研究人员提出了双面钝化接触太阳能电池这一新型技术。
在双面钝化接触太阳能电池中，通过在太阳能电池的前后两面分别添加一层钝化层，可以实现双面接触太阳能的效果。
这种钝化层能够有效地抑制电池的反射损失，并提高电池吸收太阳能的能力。
同时，由于钝化层的存在，太阳能电池可以在双面接触太阳能的同时，避免了背面吸收太阳能时受到的辐射损伤，进一步提高了太阳能电池的稳定性和寿命。
制备双面钝化接触太阳能电池的方法也相对简单，主要包括钝化层材料的选择、制备工艺的优化等方面。
目前已经有许多研究表明，不同材料的钝化层能够实现不同的效果，如提高太阳能电池的吸收能力、减少反射损失等。
另外，制备工艺的优化也可以进一步提高双面钝化接触太阳能电池的能效，如通过改变钝化层的厚度、结构等参数来调控电池的性能。
综上所述，双面钝化接触太阳能电池作为一种新型的太阳能电池技术，具有制备简单、结构紧凑、能效高等优势。
在未来的应用前景中，双面钝化接触太阳能电池有望成为太阳能领域的重要突破，为人类的能源需求提供更为可靠、高效的解决方案。
1.2文章结构文章结构部分的内容可以写为：文章结构部分旨在介绍本文的内容安排和组织方式。
本文主要分为引言、正文和结论三个部分。
在引言部分，我们将对双面钝化接触太阳能电池进行概述，说明其重要性和研究意义。
氮化硅薄膜的钝化作用对太阳能电池片性能的影响分析和研究
氮化硅薄膜的钝化作⽤对太阳能电池⽚性能的影响分析和研究氮化硅薄膜的钝化作⽤对太阳能电池⽚性能的影响分析和研究摘要作为⼀种器件表⾯介质膜，SiNx薄膜已被⼴泛应⽤于IC以及太阳能光伏器件的制造中。
在⾼效太阳能电池研究中，发射结表⾯钝化和减反射⼀直是其研究的主题。
电池正⾯发射结不仅要求表⾯钝化层有优良的钝化性能，同时也要求介质层能够与表⾯层减反射膜⼀起产⽣很好的减反射效果，从⽽进⼀步提⾼太阳电池器件的光⽣电流、开路电压以及电池效率。
本⽂阐述了⾼效太阳电池研究中正⾯发射结上的钝化与减反射⼯艺与原理，重点对PECVD法制备SiNx的钝化机制，H 钝化进⾏了详细的分析。
主要对⽣产中常使⽤的管式PECVD和板式PECVD 制备的薄膜，通过少⼦寿命测试仪(WT2000）检测少⼦寿命，椭偏仪测试膜厚和折射率，积分反射仪测试反射率以及利⽤HF腐蚀来检验薄膜致密性等⼿段对薄膜性能进⾏了分析和⽐较。
⼜对板式PECVD 制备薄膜条件进⾏了优化。
研究发现，氮化硅最佳的沉积条件是：温度370℃，SiH4:NH3=500:1600，时间3min；获得了沉积氮化硅后硅⽚少⼦寿命⾼钝化效果好、膜厚与折射率搭配好反射率低的⼯艺条件。
关键词：氮化硅薄膜；PECVD；减反膜；钝化；太阳能电池THE PASSIVATION OF SILICON NITRIDEFILM ON SOLAR CELLS ANALYSIS ANDRESEARCHABSTRACTAs a dielectric thin film of device, SiNx has been widely used in IC and Solar cells manufacturing . In the research and investigation of high efficiency silicon solar cell, the passivation of front emitter and anti reflection has been their focus. Because，for the front emitter, we need it have excellent passivation quality and good antireflection property, in this way to improve the Isc an d Uoc, further more to get much high efficiency.In this thesis we describe the passivation & Antireflection of high efficient Silicon Solar cells on the front emmiter and then we focus on PECVD analysising the Mechanism of hydrogen passivation. In the experiments I used the tubular and plate PECVD preparing silicon nitride thin film.Then,I texted minority carrier lifetime by minority carrier lifetime tester(WT2000),film thickness and refractive index by ellipsometer,reflectivity by D8 integral reflectivity,and using HF solution tested the film density.These were used to ailalyze the properties of silicon nitride films.Another,Improving the condition of the plate PECVD deposition .The results show that the temperature of deposition is 370, SiH4:NH3=500:1600, time:3min.In this condition Silicon have a good passivation quality, film thickness and refractive index well matching and low reflectance.KEY WORDS: silicon nitride film ; PECVD; ACR; passivation; silicon solar cells⽬录第⼀章绪论 (1)§1.1 太阳电池的应⽤前景 (1)§1.1.1 能源危机 (1)§1.1.2 光伏政策及现状 (1)§1.2 光伏太阳电池钝化减反射膜介绍 (3)§1.2.1 减反射介绍 (3)§1.2.2 钝化介绍 (6)§1.3 实验意义 (7)第⼆章实验⽅法和过程 (9)§2.1 样品制备选择 (9)§2.2 管式PECVD与板式PECVD对⽐实验 (9)§2.1.2 实验⼯艺过程 (10)§2.3 NH3与SiH4不同流量⽐对薄膜性能的影响 (12)§2.4 实验设备及检测 (13)§2.4.1 设备与仪器 (13)§2.4.2 检测⼿段 (15)第三章实验结果与分析 (17)§3.1 板式PECVD和管式PECVD对⽐实验 (17)§3.1.1 膜厚和折射率对⽐ (17)§3.1.2 两种设备制得薄膜反射率对⽐ (18)§3.1.3 镀膜后钝化效果的⽐较 (18)§3.2 NH3/SiH4对薄膜性能的影响 (19)§3.2.2 NH3/SiH4对SiNx薄膜厚度的影响 (19)§3.2.3 NH3/SiH4对SiNx 薄膜折射率的影响 (21)§3.2.4 NH3/SiH4对SiNx薄膜反射率的影响 (22)§3.2.5 NH3/SiH4对SiNx薄膜钝化效果的影响 (23)结论 (25)参考⽂献 (26)致谢 ...................................................错误！未定义书签。
硅晶电池表面钝化作用
硅晶电池表面钝化作用
硅晶电池是一种常见的太阳能电池，其主要材料是硅。
硅晶电池的表面钝化作用是指在硅晶电池表面形成一层氧化硅薄膜，以提高硅晶电池的效率和稳定性。
硅晶电池表面钝化作用的原理是利用氧化硅薄膜的电学特性，将硅晶电池表面形成一层氧化硅薄膜，以提高硅晶电池的效率和稳定性。
氧化硅薄膜具有很好的电学特性，可以防止电荷复合和电子回流，从而提高硅晶电池的效率。
此外，氧化硅薄膜还可以防止硅晶电池表面受到氧化和腐蚀，从而提高硅晶电池的稳定性。
硅晶电池表面钝化作用的方法有很多种，其中最常见的方法是利用化学氧化和热氧化。
化学氧化是指将硅晶电池表面浸泡在一种含有氧化剂的溶液中，使硅晶电池表面形成一层氧化硅薄膜。
热氧化是指将硅晶电池表面加热到一定温度，使硅晶电池表面形成一层氧化硅薄膜。
这两种方法都可以有效地实现硅晶电池表面钝化作用。
硅晶电池表面钝化作用对硅晶电池的性能有很大的影响。
首先，硅晶电池表面钝化作用可以提高硅晶电池的效率。
由于氧化硅薄膜可以防止电荷复合和电子回流，从而提高硅晶电池的效率。
其次，硅晶电池表面钝化作用可以提高硅晶电池的稳定性。
由于氧化硅薄膜可以防止
硅晶电池表面受到氧化和腐蚀，从而提高硅晶电池的稳定性。
最后，硅晶电池表面钝化作用可以延长硅晶电池的使用寿命。
由于氧化硅薄膜可以防止硅晶电池表面受到氧化和腐蚀，从而延长硅晶电池的使用寿命。
总之，硅晶电池表面钝化作用是一种非常重要的技术，可以提高硅晶电池的效率、稳定性和使用寿命。
随着太阳能电池技术的不断发展，硅晶电池表面钝化作用将会得到更加广泛的应用。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
收稿日期:2008-11-04作者简介:周国华(1981-),男,江苏泰州人,检测技术与自动化装置。
主要从事高效太阳能电池方面的研究。
太阳能电池背表面钝化的研究周国华1,施正荣2,3,朱 拓2,吴 俊3,梅晓东3,姚海燕3(1.江南大学信控学院,江苏无锡214122;2.江南大学理学院,江苏无锡214122;3.无锡尚德太阳能电力有限公司,江苏无锡214000)摘 要:利用PC1D 模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系,采用氮化硅和及其与二氧化硅薄膜的叠加层作为背面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250μm,间距2mm 。
经过RTP 处理之后,两种不同的接触方式存在相同的问题,串联电阻大,并联电阻小,而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。
结果表明,在正常的烧结状态下,常规铝浆很难完全穿透氮化硅薄膜及其叠加层背面钝化层。
而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。
关键词:背面钝化;背面局域接触中图分类号:T M914.4 文献标识码:A 文章编号:1004-3950(2009)01-0017-04Study on the rear surface pa ssi va ti on of sol ar cellsZHOU Guo 2hua 1,SH I Zheng 2rong2,3,ZHU Tuo 2,et al(1.School of Communicati on &Contr ol Engineering,Southern Yangtze University,W uxi 214122,China;2.School of Science,Southern Yangtze University,W uxi 214122,China;3.Suntech,W uxi 214000,China )Abstract:The relati onshi p bet w een the battery efficiency with different m inority carrier life and the conversi on efficien 2cy on the backside surface different bulk life ti m e silicon was si m ulated by using PC1D.The SI N and SI N /SI O stacks were used as the dielectric rear passivati on layers .The screen p rinting technol ogy was used t o f or m the grid back con 2tact with the area of the rear surface 25%and point contact with dia meter of 250u m and s pace 2mm.There is the sa me p r oble m in the t w o different f or m s .The series resistance is t oo big,and the shunt resistance is t oo s mall .By using acid method,the electric perfor mance para meters become a little better .The results above indicate that it is difficult t o go thr ough the dielectric rear passivati on layers by using the common A l paste,while using acid method,the electric per 2f or mance para meters become a little better .Key words:rear surface passivati on;l ocal back contact0 引 言降低晶体硅成本,是竞争日益激烈的光伏产业追求的目标之一,降低硅原料成本,一般需要向更薄的硅片发展,采用更薄的硅片是以后晶体硅太阳能电池产业发展的趋势之一。
硅原料的缺乏,加速了硅片向薄片化发展,许多光伏企业所用的硅片的厚度已经在180～220μm 之间,而现阶段的太阳能电池背面基本上是采用ALBSF (铝背场),这种BSF (背场)起到一个P +层的作用,阻止少数载流子向背表面的迁移,虽然可以减少背面的复合速度,使背面复合速度在1000～10000c m /s,但同时也会带来一些新的问题,由于铝和硅的热膨胀系数的不同,在硅片小于150μm 的时候,经过fire (烧结)之后,片子就会弯曲,在一定程度上提高了电池生产线和组件的碎片率,影响产能输出。
而且由于晶体硅是间隙带材料,光吸收系数小,太阳能电池厚度减小时,由于透射光引起的损失随着厚度的减小而增大,对于间接禁带材料硅来说,这种损失比直接禁带材料的大,但硅片减薄时,怎样保证光的吸收也是一个难题。
这就需要新的技术和薄片化相结合。
一方面,开发出新的抗弯曲的浆料(对于薄片)是一种途径,虽然这方面已经取得不错的成绩,但是由于铝背场的本征缓和钝化的特性[1],当硅片的厚度小于150μm 的时候,铝背场的这种特性就会对太阳能电池效率存在很大的限制。
另一方面,对于薄片化的电池片,需要很好的背面钝化效果。
有研究表明,许多介质膜可以有很好的背面钝化效果,诸如氮化硅、非晶硅、热生长的二氧化硅、二氧化硅叠层等等[2]。
本文采取低温PECVD 氮化硅、二氧化硅和氮化硅叠加层(Stack )作为背面钝化介质膜。
1 实 验为了保持实验的稳定性选择由德国Dus olar公司提供的cz 单晶片,厚度在210μm 左右,实测电阻率范围为0.5～2Ωm 。
利用PC1D 软件模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系。
采用条形装背接触和背面点接触的形式制成背面局域接触电池,并对其结果进行分析。
2 结果及分析2.1 背面复合损失在太阳能电池的电性能参数中,背面复合究竟会带来哪些损失,文献[3]提到有效的扩散长度l eff ,与背面复合体材料,硅片的厚度的关系,如方程l eff =l b(D +S rear tanhw l b)Dtanh wl b+S rear l b(1)式中:l b 为基区的扩散长度,w 为硅片的厚度,D 为少数载流子的扩散系数,S rear 为背面复合速度。
而有效扩散长度又和J 0b 有一定的关系J 0b =q DN 2iL effN a (2)又因为J 0=J 0b +J 0e (3)V oc =KT q (J lJ 0)(4)综合式(1)～(4)可得出背面复合速度对太阳能电池的扩散长度和电池的开路电压有一定的影响。
文献[4]提到当基区扩散长度和有效扩散长度相等时,硅片的厚度要超过基区扩散长度3倍以上,即对于100μm 厚度的硅片来说,体少子寿命必须低于0.4μs,这样电池开路电压和有效扩散长度才不会受背面复合速度的影响。
而对于一般的硅片来说,硅片的体少子寿命都在几十个微秒内,所以在体少子寿命正常的情况下,背面复合速度对有效扩散长度和电池电压有很大的影响。
2.2 PC1D 模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系 图1显示了背面复合速度对不同少子寿命电池效率的影响。
图1 不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系从图1可以看出,当体少子寿命很低的时候,背面复合速度对电池效率的影响不是很大,而当体少子寿命很高的时候,背面复合速度就显得很重要了,这与方程(1)理论分析的结果基本一致。
2.3 背面钝化电池2.3.1 实验方案及过程传统高效背面钝化电池采用CT O 的方法进行背面钝化,背面接触采取光刻工艺或激光烧成,本实验采取丝网印刷的方法尝试背面电极的制备。
工艺流程如图2。
图2 形成局域背电极的工艺流程在表1和表2中,后表面钝化膜采取几种不同方式的钝化介质膜———不同氮化硅薄膜及其叠加层钝化膜。
表1 电池背面钝化结构A参考电池=全铝背场B sin1和全铝背场(前表面氮化硅,厚度75n m)C sin1和条形状背场(前表面氮化硅,厚度75n m)D SI O2/sin和条形状背场(前表面SI O2/sin,厚度75n m)E sin点接触电池(前表面氮化硅,厚度75n m)F sin2条形状背场(前表面氮化硅,厚度75n m) 注:表中sin1的折射率2.1左右,sin2折射率为2.3,经过烧结的温度在840℃左右,测试条件在1000W/m2光强,25℃,AM1.5G,丝网印刷背面点接触的间距2mm,孔径250μm表2 测试A,B,C,D,E,F效率的数据V oc/mV I sc/A FFηcell/% A62.85.2077.116.94B5904.6769.812.96C5934.5868.912.56D5934.6268.512.64E5944.5669.012.58F6004.0055.58.96标准全铝场的各个电学参数都比其他电池参数要好的多,当把全铝背场印刷到背面有氮化硅上(电池B),开压的损失很大,氮化硅膜在这里就相当于起到一个掩膜的作用[5],阻止铝在烧结的状态下扩散,很难形成铝硅合金,背面场效应很低,同时,在铝的扩散过程中,也破坏了氮化硅背面钝化的作用。
用条形状背场替代全背场之后,开压有少许提高,在这种情况下,虽然背场效应很差,但是氮化硅层还有一部分没有与铝接触,保留了一部分的背面钝化效果,导致开压有一点提升。
对于二氧化硅和氮化硅的叠加层条形状背场来说,开压并没有比其他电池开压高。
背面点接触的电池开压在除A电池之外最高,但由于丝网点接触的铝点在烧结状态下没有形成很好的铝硅合金,导致欧姆接触很差。
填充因子下降很大,效率很低。
在上述电性能参数中看出,无论是条形状背面场还是丝网印刷点接触电池,主要均是填充因子很低,导致效率很差,而影响填充因子有两个重要因素,串联电阻和并联电阻。
在电性能参数测试的过程中,并联电阻只有零点几个欧姆,远远低于正常值。
针对上述问题,对这两种电池结构扫描其串联。
图3是条形状背场串联电阻三维图。
图3 条形接触的串联电阻图在标准电池中,Z坐标的参数应该不超过15 mV,而图3中远远超过这个值。
从图3中看出:条形状背场的串联电阻远远大于标准全背场。