激光器基础知识

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激光特性——高方向性
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激光特性——高亮度
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激光特性——单色性
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2 激光器的由来
激光（Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation ，LASER）一词是受 激辐射光放大。
1960年，美国物理学家梅曼（Maiman）在实验室中做成了第一台红宝石 (Al2O3:Cr)激光器。 我国于1961年研制出第一台激光器 （长春光机所，长春光机学院） 从此以后，激光技术得到了迅速发 展，引起了科学技术领域的巨大变 化。
Maiman （梅曼） Charles H. Townes （汤森) Arthur L. Schawlow （肖洛夫）
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不同类型激光器对比
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3 半导体激光器发展历程



1962年，美国，同质结GaAs半导体激光器，液氮温度（-196℃）下脉冲工作。 1967年，液相外延的方法制成单异质结激光器，实现了在室温下脉冲工作。 1970年，美国的贝尔实验室制成了双异质结半导体激光器,实现了室温连续工作。 70年代以后。量子阱技术、MBE、MOCVD新型外延技术---量子阱激光器（阈值 电流密度低、电光转换效率高、输出功率大）。应变量子阱，生长非晶格匹配 的外延材料，拓宽了激光器波长范围。 1965年 中国 北中科院北京半导体所。
激光基础知识简介
——刘天宇
目录
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激光简介 激光器发展历程 半导体激光器简介
光纤激光器简介
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1 激光简介
E3 E2 hv
E1
光子吸收示意图
E3 E2 E1
hv
E3 E2 E1
hv
hv hv
自发辐射示意图
受激辐射示意图
受激辐射Albert Einstein
光放大——激光
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激光特性——相干性
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半导体激光器封装
优点：高转换效率、小体积、寿 命长、输出波长范围广、易调制 缺点：发散角大，光束质量差， 温飘大
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半导体激光器光束整形
FAC
FAC
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HS 手具LD准直模拟
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HS 手具LD准直模拟
Байду номын сангаас14
4 光纤激光器——双包层光纤
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光纤激光器原理图
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光纤激光器实物图
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