2014年苏州大学模电选择填空题汇编要点
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。
A. 基极电流小于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都反向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C3. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 相差90度D. 相差180度答案：B4. 差分放大器的主要优点是（）。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 放大共模信号D. 放大差模信号和抑制共模信号答案：D5. 场效应管的控制量是（）。
A. 漏极电流B. 栅源电压C. 漏源电压D. 栅漏电流答案：B6. 集成运放的输出电压范围主要取决于（）。
A. 电源电压B. 输入信号C. 反馈电阻D. 负载电阻答案：A7. 负反馈可以（）。
A. 增加放大倍数B. 减少非线性失真C. 增加输入电阻D. 减少输出电阻答案：B8. 直流稳压电源中的滤波电路是（）。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：A9. 正弦波振荡器的振荡条件是（）。
A. 相位平衡条件B. 幅度平衡条件C. 相位平衡条件和幅度平衡条件D. 只有幅度平衡条件答案：C10. 调制的目的是（）。
A. 放大信号B. 改变信号的频率C. 使信号便于传输D. 改变信号的相位答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共基极放大电路中，输入阻抗与输出阻抗相比，输入阻抗________输出阻抗。
答案：小2. 理想运算放大器的差模输入电阻为________，共模抑制比为________。
答案：无穷大，无穷大3. 差分放大器的差模电压增益是共模电压增益的________倍。
答案：1+2Rf/R4. 场效应管的漏极电流与栅源电压的关系是________。
答案：非线性5. 负反馈可以提高放大电路的________。
模拟电子试题库及答案
模拟电子试题库及答案一、选择题1. 在模拟电子电路中，运算放大器的虚短特性指的是：A. 虚地B. 虚短C. 虚断D. 虚接答案：B2. 以下哪个不是模拟电路的特点？A. 线性B. 非线性C. 可处理模拟信号D. 数字信号处理答案：D二、填空题1. 理想运算放大器的输入电阻是_________。
答案：无穷大2. 模拟信号的频率范围通常比数字信号_________。
答案：宽三、简答题1. 简述模拟电子电路与数字电子电路的区别。
答案：模拟电子电路主要处理模拟信号，其特点是连续性、线性和可处理模拟信号。
而数字电子电路主要处理数字信号，其特点是离散性、非线性和数字信号处理能力。
2. 描述运算放大器的基本应用之一：放大器。
答案：运算放大器作为放大器使用时，其增益可以通过外部电阻来设置，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，广泛应用于信号放大。
四、计算题1. 给定一个理想运算放大器构成的反相放大器电路，输入电压为2V，反馈电阻Rf为10kΩ，求输出电压。
答案：根据反相放大器的增益公式，输出电压Vout = - (Rf/Rin) * Vin，其中Rin为输入电阻，理想运放的Rin为无穷大，因此Vout = -2V。
2. 如果一个非理想运算放大器的输入偏置电流为1μA，输入偏置电压为1mV，求该运放的输入偏置电阻值。
答案：输入偏置电阻值Rin可以通过输入偏置电压Vbias和输入偏置电流Ibias来计算，即Rin = Vbias / Ibias = 1mV / 1μA = 1kΩ。
五、分析题1. 分析以下电路图，并说明其工作原理。
[电路图略]答案：[根据电路图进行分析并给出答案，包括电路的组成部分、各部分的作用以及整个电路的工作原理。
]2. 给定一个差分放大器电路，输入信号为差分信号，分析其放大倍数。
[差分放大器电路图略]答案：[根据差分放大器的工作原理，分析其放大倍数的计算方法，并给出具体的计算步骤和结果。
]六、实验题1. 设计一个简单的低通滤波器电路，并说明其设计参数。
苏州大学大二电类专业模拟电路课程试卷及答案9
苏州大学模拟电路课程试卷（9 卷）院系专业成绩年级学号姓名日期一．选择题(20分)1．低频或高频时，负反馈放大电路因附加相移可能发生_________。
A.饱和失真B.截止失真C.自激D.交越失真2运放构成__________电路时，工作于非线性区。
A.比例放大B.比较器C.有源滤波D.加法3希望放大2kHz的有用信号，应该采用_______滤波电路。
A.带阻滤波器B.高通滤波器C.低通滤波器D.带通滤波器4_______负反馈降低输出电阻。
A.串联B..并联C..电压D.电流。
5_______正弦波振荡电路的频率稳定性好。
A RC桥式B LCC 石英晶体D RC移相式6 运算放大器的输入级采用差动放大电路是因为。
A.输入阻抗高B.输出阻抗低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大7．三极管工作于放大区时，。
A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结正偏，集电结反偏C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏8．放大电路在高频信号作用时放大倍数下降原因是。
A．耦合电容的存在B．三极管的非线性C．放大电路静态工作点不合适D．三极管极间电容的存在9．两只硅稳压管的稳压值分别为6V和9V，将它们并联相接可以得到稳压值。
A．9VB．15VC．3VD．6V10．要将方波电压转换成三角波电压，应选用电路。
A．反相比例放大B．积分运算C．微分运算D．乘法运算二．分析计算题：1. （14分）图示三极管电路中，已知稳压管的稳定电压Uz，试求Ic的表达式。
2．（12分）图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r=1KΩ，be(1)试求Aud，Rid，Ro(2) 若Ui1=7mV，Ui2=15mV，Ac=0.5，求Uo3．（12分）如图，Ui=50mV，试求Uo=?4. （8分）判断如下电路的反馈类型（电压/电流，并联/串联，正/负）。
若电路中存在本级和级间反馈，只需判断级间反馈。
(a)(b)5．（8分）分析下列电路能否产生正弦波振荡。
大学模电试题及答案
大学模电试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的理想输入电阻是：A. 无穷大B. 零C. 1欧姆D. 1千欧姆2. 以下哪个元件不是模拟电路中常用的元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门3. 模拟信号放大电路中，负反馈的主要作用是：A. 增加增益B. 减小增益C. 增加稳定性D. 减小稳定性4. 运算放大器的输出电压与输入电压的关系是：A. 线性关系B. 非线性关系C. 无关系D. 取决于反馈类型5. 以下哪种耦合方式不适用于模拟电路？A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合6. 模拟电路中的滤波器按照频率响应可以分为：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 所有以上7. 以下哪个参数不是运算放大器的主要性能指标？A. 增益带宽积B. 电源电压C. 输入偏置电流D. 共模抑制比8. 在模拟电路设计中，通常使用哪种方法来减小噪声？A. 增加电源电压B. 使用低噪声元件C. 增加信号频率D. 减少信号幅度9. 模拟电路中的积分器和微分器分别对应数学中的：A. 微分和积分B. 积分和微分C. 加法和减法D. 乘法和除法10. 模拟电路中的振荡器产生的波形是：A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 所有以上二、填空题（每空1分，共10分）1. 运算放大器的______反馈可以提高电路的稳定性。
2. 在模拟电路中，______电路通常用于信号的放大。
3. 模拟电路中的______元件可以改变电流的方向。
4. 模拟电路中的______元件可以储存电荷。
5. 模拟电路中的______元件可以储存磁能。
6. 运算放大器的______参数表示其对共模信号的抑制能力。
7. 模拟电路中的______滤波器可以允许低频信号通过，而阻止高频信号。
8. 模拟电路中的______滤波器可以允许高频信号通过，而阻止低频信号。
9. 模拟电路中的______滤波器可以允许特定频率范围内的信号通过。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
苏州大学大二电类专业模拟电路课程试卷及答案11
苏州大学模拟电路课程试卷（11 卷）院系专业成绩年级学号姓名日期一．选择题(20分)1．桥式整流电路中若有一个二极管正负极接反，则。
A．输出电压降低一半B．输出电压基本不变C．没有输出电压D．输出电压增加一倍2．信号频率等于放大电路的上限截止频率时，放大倍数约降为中频时的。
A．1/2B．1/3C．1/3D．1/23．选择功放电路的晶体管时，应当特别注意以下参数。
A．βB．fTC．PCMD．α4. 晶体管共发射极输出特性经常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。
A. iCB.uCEC.iBD.iE5. 某个放大电路，当输入电压从 10mV增大到15mV时，输出电压从 7V变为6.5V，则它的放大倍数为。
A. 100B. 700C. -100D. -7006．共模信号是差动放大电路二个输入端对地电压的。
A. 和的二倍B. 差的二倍C. 和的二分之一D. 差的二分之一7. 滞回比较器当输入幅值足够大的正弦波信号后，其输出为。
A. 正弦波B. 三角波C. 锯齿波D. 矩形波8．需要一个阻抗变换电路，要求输入阻抗大，输出阻抗小，应该选用负反馈放大电路。
A. 电压并联B. 电压串联C. 电流并联D. 电流串联9．带有放大环节的稳压电路中，被放大的量是。
A. 误差电压B. 基准电压C. 输入电压D. 输出取样电压10．互补对称功率放大器的效率最高可达。
A. 100%B. 78.5%C. 50%D. 82.5%二．分析计算题：1. （12分）=1.8K，β=60，Ui=15mV如图，三极管参数rbe(1)试求输出电压Uo(2)试求Ri、Ro2．（12分）如图，t=0时，Uc=0，Ui=1V，试求t=10s后Uo=?已知某电路电压放大倍数为 )101)(101(105f j f j jf A ++-= (1) 试求Aum ，f H ，f L(2) 画出幅频特性。
4．（12分）OCL 互补功放电路如图，已知电源电压为±12V ，T1、T2的饱和压降U CES =2V ，R L =8Ω，(1) 当Ui=8sin ωt 时，输出功率Po=?此时输出波形存在什么失真?(2) 当输入信号足够大时，求电路能达到的最大不失真输出功率Pom 。
苏州大学模拟电子技术试题及答案
苏州大学模拟电子技术试题及答案《模拟电子期末练习题》13电气本专联合仲济磊《模拟电子技术》模拟试题一填空题：（每空1分共40分后）1、pn结正偏时（导通），反偏时（截止），所以pn结具有（单向）导电性。
2、飘移电流就是（）电流，它由（）载流子构成，其大小与（）有关，而与另加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具备压缩促进作用外部电压条件就是发射结（正偏），erf（反偏）。
6、当温度增高时，晶体三极管集电极电流ic（变小小），发射结压降（变大）。
7、三极管压缩电路共计三种组态分别就是（共）、（）、（）压缩电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数af=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数af=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度bwf=（）bw，其中bw=（），（）称为反馈深度。
11、差分压缩电路输出端的加之大小成正比、极性相同的两个信号，称作（）信号，而加之大小成正比、极性相反的两个信号，称作（）信号。
12、为了消解乙类优势互补功率放大器输入波形的（交越）杂讯，而使用（甲乙类）类优势互补功率放大器。
13、ocl电路就是（双）电源优势互补功率放大电路；otl电路就是（单）电源优势互补功率放大电路。
14、共集电极电路电压压缩倍数（1），输入电阻（小），电阻值（大），常用在输出级，输入级或缓冲器级。
15、差分压缩电路能遏制（零点）飘移，也表示（温度）飘移，所以它广为应用于（内置）电路中。
16、用待传输的低频信号回去发生改变高频信号的幅度表示（调幅），未被调制的高频信号就是载运信息的工具表示（载波信号）。
17、演示乘法器输入与输出的关系式就是u0=（kuxuy），电路符号就是（）。
大学基础的数电模电试题及答案
大学基础的数电模电试题及答案一. 填空题1、继电保护装置必须满足选择性、（快速性）、灵敏性和（可靠性）四个基本要求。
2、安全工作规程是中规定：设备对地电压高于（250V ）为高电压；在250V 以下为低电压；安全电压为36V以下；安全电流为（10mA ）以下。
3、软件测试时需要三类信息：软件配置、（测试配置）、（测试工具）。
4、存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为（12 ）条、数据线为（8 ）条。
5、产品质量特性包括：性能、（寿命）、可信性、（安全性）和经济性。
6、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
7、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
8、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开。
9、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
10、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
11、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
12、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
13、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
14、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F）。
15、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH –fL），（1+AF）称为反馈深度。
16、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
18、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
原苏大模拟电路试卷答案
原苏大模拟电路试卷答案苏州大学模拟电路课程试卷（1卷）参考答案 共2 页一． 填空题：1．)1(/-=T U U S e I I1． A2． B3． A B4． A5． A6． C7． C8． LC RC 石英晶体10．滤除无用信号二．分析计算题1．（1）I CQ =2mA, U CEQ =3.32V（2）r be =1.3k（3）（4）Au=-163，Ri=1.3k ，Ro=4.3k2．(1) I CQ1 =0.2mA, U C1=6V(2) Aud=-59.4，Rid=16.2k ，Ro=60k(3) Auc=03.(a)电压并联正反馈(b)电流并联负反馈苏州大学模拟电路课程试卷（2卷）参考答案共2 页一．填空题：1．A2．直接阻容变压器3． b e c B4．h参数混合π5．B6．积分7． A8．迟滞比较器9． A10．A二．分析计算题：1．（1）I CQ=1.16mA,U CEQ=10.2V（2）r be=2.46k（3）（4）Au=-20.3，Ri=1.9k，Ro=1k2．Au=-256，Ri=1.5k，Ro=803．(a) 电压串联负反馈(b) 电压并联正反馈4.1)121(34254Ui R RR R Ui R R Uo +--=5.(1)R=27K R4=20K(2) 负温度系数的热敏电阻.6.(1)Vcc=17.3V(2)I CM ≥1.15A, P CM ≥2W,U BR(CEO)≥34.6V(3)Uo 波形存在交越失真7．(1)R=127-135Ω。
(2)U2=12.5V苏州大学模拟电路课程试卷（3卷）参考答案 共2 页一． 填空题：1． 频率响应好2． 低频响应差3． B C4． 恒流区5． 电压串联6． 对数7． D8． 单限电压比较器9． 交越10．|AF|=1二．分析计算题：1．(1)I CQ =1.3mA, U CEQ =5.4V(2)r be =2.1K(1) 画出微变等效电路(4) Au=-121，Ri=2.1K ，Ro=5.1K(5)最大不失真输出电压Uom=2.3V2.Au=-14，Ri=10M ，Ro=803.)/21(R Rf A u +-=4.(1)13131)3/41(C R j C R j R R A u ωω++= (2) 高通5.(a)电流并联负反馈(b)电流串联负反馈6.(1) 放大电路为共基电路，振荡电路为变压器耦合的LC振荡电路。
模电考试题及答案
模电考试题及答案一、选择题（每题3分，共30分）1. 在模拟电路中，三极管的主要作用是（）。
A. 放大信号B. 整流C. 滤波D. 调制答案：A2. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。
A. 0B. 1ΩC. 1kΩD. 无穷大答案：D3. 共发射极放大电路中，若要增大输出电压，应增大（）。
A. 集电极电阻B. 发射极电阻C. 基极电阻D. 电源电压答案：A4. 差分放大电路的主要优点是（）。
A. 放大差模信号B. 抑制共模信号C. 增加输出电压D. 减小输入阻抗答案：B5. 负反馈可以（）。
A. 增加放大倍数B. 减小非线性失真C. 增加输入阻抗D. 减小输出阻抗答案：B6. 场效应管的控制量是（）。
A. 电压B. 电流C. 电荷D. 电场答案：D7. 在模拟电路中，为了减少噪声，通常采用（）。
A. 增加电源电压B. 减小电源电压C. 增加信号源阻抗D. 减小信号源阻抗答案：D8. 集成运算放大器的输出电压范围受到（）的限制。
A. 电源电压B. 输入电压C. 负载电阻D. 放大倍数答案：A9. 为了使共发射极放大电路工作在放大区，基极与发射极之间的电压应满足（）。
A. V_BE > 0.7VB. V_BE < 0.7VC. V_BE = 0.7VD. V_BE ≥ 0V答案：A10. 理想二极管的正向导通电压为（）。
A. 0VB. 0.7VC. 1VD. 2V答案：B二、填空题（每题2分，共20分）11. 在共基极放大电路中，输出电压与输入电压相位______。
答案：相同12. 集成运算放大器的差模输入阻抗是指两个输入端之间的阻抗，而共模输入阻抗是指两个输入端对地的阻抗，理想情况下，差模输入阻抗应为______，共模输入阻抗应为无穷大。
答案：无穷大13. 场效应管的跨导定义为输出电流与输入电压之间的比值，即 g_m = ______。
答案：I_D / V_GS14. 为了提高放大电路的输入阻抗，可以在三极管的基极与信号源之间串联一个______。
模电数电笔试题及答案
模电数电笔试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，运算放大器的输入端通常使用：A. 差分放大器B. 共射放大器C. 共基放大器D. 共集电极放大器答案：A2. 数字电路中，与门的逻辑表达式是：A. A + BB. A * BC. A - BD. A / B答案：B3. 以下哪个元件不是模拟电路中的元件？A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 逻辑门答案：D4. 在数字电路中，一个触发器的输出Q与输入D的关系是：A. Q = DB. Q = ¬ DC. Q = D'D. Q = D + D5. 模拟电路中，放大器的增益通常用以下哪个参数表示？A. 电阻值B. 电容值C. 电压增益D. 电流增益答案：C6. 在数字电路中，一个D触发器的时钟输入端的信号是：A. 正脉冲B. 负脉冲C. 正弦波D. 锯齿波答案：A7. 模拟电路中，滤波器的作用是：A. 放大信号B. 衰减信号C. 过滤噪声D. 产生振荡答案：C8. 在数字电路中，一个计数器的输出Q0、Q1、Q2、Q3表示的是：A. 十进制数B. 二进制数C. 八进制数D. 十六进制数答案：B9. 模拟电路中，理想运算放大器的输入阻抗是：B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B10. 数字电路中，一个寄存器的输出Q与输入D的关系是：A. Q = DB. Q = ¬ DC. Q = D'D. Q = D + D答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，理想运算放大器的输出阻抗是______。
答案：零2. 数字电路中的逻辑门电路包括与门、或门、非门、______。
答案：异或门3. 在模拟电路中，电压跟随器的电压增益是______。
答案：14. 数字电路中，一个D触发器的时钟输入端的信号是______。
答案：正脉冲5. 模拟电路中，滤波器的截止频率是指______。
答案：通过频率6. 数字电路中，一个计数器的输出Q0、Q1、Q2、Q3表示的是______进制数。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模拟电子技术复习题（填空选择）
模拟电子技术复习题（填空选择）填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th 约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连续变化的稳态响应。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
模电试题及答案(大学期末考试题)汇编
《模拟电子技术》期末考试试卷一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
2014年苏州大学模电选择填空题汇编
2014年苏州学院模电复习试题--仲济磊命制（I）一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在反偏状态。
2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为V A=-2V，V B=-2.2V，V C=-6V，则该管的管型是_PNP 型锗管__。
3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是___AF．．=-1__。
4.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在非饱和区和_截止区__之间转换。
5.晶体管的高频参数f T是指β(ω)下降到___0_dB时所对应的频率。
6.集成运算放大器最大输出电压为±V om，若该运放工作在开环或正反馈状态，其输出电压是_正负Vom_。
7.在放大电路中，要稳定输出电压，应引入_电压_负反馈。
8.在差分放大器中，已知V i1=15mv，V i2=10mv，则输入差模电压V id=_5mv=Vi1-Vi2_。
9.理想集成运放的共模抑制比为__正无穷大，因此具有很强的抑制共模信号的能力。
10.场效应管工作在饱和区时，其漏极电流i D和栅源电压V GS之间呈_平方_关系。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.二极管的伏安方程是( A )A.i D=I s(错误!未找到引用源。
-1)B.i D=I sC.i D=-I sD.i D=I s错误!未找到引用源。
2.晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是( A )A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏3.场效应管共漏极放大电路的信号是从( C )A.栅极输入，漏极输出B.源极输入，漏极输出C.栅极输入，源极输出D.漏极输入，源极输出4.设计一运算电路实现三角波——方波的变换，应选用______实现。
苏州大学模拟电路课程试卷(总集)下
苏州大学模拟电路课程试卷（16 卷）共3页院系专业成绩年级学号姓名日期填空（20分）：1.本征半导体中掺入三价元素的院子，形成型半导体。
2.PN结在平衡的条件下，N区侧带离子。
3.三级管掺杂浓度最高的是区。
4.稳压管稳压工作时接正电压的是极。
5.P型半导体中少子是，且随变化而变化。
6.理想运放的差模放大倍数为，共模抑制比为。
7.射极输出器的输入电阻，而输出电阻。
8.采用差模放大电路是为了抑制。
9.在示波器上看到的单级共射放大电路的饱和失真是在半周，而截止失真是在半周。
10.小型直流稳压电源一般分为四个环节，第二个环节是。
分析计算：（10分）试用同相乘法器构成立方运算电路，使uo与（uI）3成正比。
2. （10分）测得一晶体管的二个管脚上流进的电流为0.05mA和2mA，求另一管脚上的电流大小、方向及计算β值并判断该管为NPN型还是PNP型。
3.（10分）电路如图，求Uo～Ui的关系式。
4. （15分）一放大电路如图：已知rbe=1k, β=50,试求：（1）小信号模型图；（2）电压放大倍数Au=Uo/Ui ；（3）输入电阻Ri,输出电阻Ro。
5.（12分)理想运放组成的电路如图，试：导出Uo～Ui的关系式；若R1=20 kΩ, R2=200 kΩ, R3=20 kΩ,R4=10 kΩ,Au=Uo/Ui=?6.（11分）上题电路中，要求︱Au︱=60，调整R4来达到要求，则R4=？7. （12分）利用W7805组成的稳压电路，若想得到1~10V得可调电压，试设计电路。
苏州大学模拟电路课程试卷（17 卷）共3页院系专业成绩年级学号姓名日期填空（20分）：1.P型半导体是在本征半导体的基础上掺入了元素。
2.PN结又称为区。
3.晶体管的输出特性分为个区，模拟电子线路工作在区。
4.晶体管参数ICBO、ICEO的关系式是。
5.绝缘栅型场效应管的三个极分别是、、。
6.放大电路的输出电阻越，带负载能力越强。
7.对信号而言，射极输出器放大的是信号的。
《模电试题及答案》word版
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
苏州大学大二电类专业模拟电路课程试卷及答案8
苏州大学模拟电路课程试卷（8 卷）院系 专业 成绩 年级 学号 姓名 日期一.填空：(20分)1. 差动放大电路共模抑制比越高，表明抑制零点漂移的能力越_____(A. 强 B.弱)。
2. 理想运放的Aod=________,Rid=__________,Ro=____________。
3. 若放大器内部存在非线性失真，则引入负反馈后失真系数_______(A. 增大 B.减小 C.不变)。
4. 放大电路为稳定静态工作点, 应该引入_______(A. 交流B. 直流)负反馈。
5. 当运放处于深度负反馈时，可以运用_____和_______概念，_____是______的特殊情况(A. 虚地 B.虚短 C.虚断)。
6. 已知则此电路为_________(A. HPF B. LPF C. BPF D. BEF)滤波电路。
7. _________比较器只有一个阈值。
2. 文氏电桥振荡器的选频网络具有_______(A. 带通 B. 带阻)特性。
3. 整流电路的主要目的是____________________________________。
4. 共模抑制比是指_______________和__________________的比值。
二．分析计算题：1. （10分）图示场效应管电路中，已知场效应管的I DSS =1mA 、U GS(off)=-1V ，试求I D 。
2. （12分）图示差动放大电路中，两个三极管的β=60，r bb'=200，(1)试求I CQ2 ,U C2(2) 求Aud ，Rid ，Ro111020)(++=f f Q j f f j Aup Au3. （10分）已知，试推导图示电路的Au、Ri、Ro。
若gm4. （14分）图示电路，试求开关K打开和闭合两种情况下Uo 和Ui关系。
分析下列电路能否产生正弦波振荡。
(a) (b)6．（12分）图示电路中，已知A1、A2为理想运放，其最大输出电压幅度为±15V，试求(1) Ui=1V时的UO1、UO2、UO(2) Ui=1V时的UO1、UO2、UO(3)说明A1、A2各构成什么电路。
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2014年苏州学院模电复习试题--仲济磊命制（I）一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在反偏状态。
2.晶体三极管的三个电极对地电位分别为V A=-2V，V B=-2.2V，V C=-6V，则该管的管型是_PNP 型锗管__。
3.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是___AF．．=-1__。
4.MOS管作为开关应用时，其工作状态应在非饱和区和_截止区__之间转换。
5.晶体管的高频参数f T是指β(ω)下降到___0_dB时所对应的频率。
6.集成运算放大器最大输出电压为±V om，若该运放工作在开环或正反馈状态，其输出电压是_正负Vom_。
7.在放大电路中，要稳定输出电压，应引入_电压_负反馈。
8.在差分放大器中，已知V i1=15mv，V i2=10mv，则输入差模电压V id=_5mv=Vi1-Vi2_。
9.理想集成运放的共模抑制比为__正无穷大，因此具有很强的抑制共模信号的能力。
10.场效应管工作在饱和区时，其漏极电流i D和栅源电压V GS之间呈_平方_关系。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.二极管的伏安方程是( A )A.i D=I s(错误！未找到引用源。
-1)B.i D=I sC.i D=-I sD.i D=I s错误！未找到引用源。
2.晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是( A )A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏3.场效应管共漏极放大电路的信号是从( C )A.栅极输入，漏极输出B.源极输入，漏极输出C.栅极输入，源极输出D.漏极输入，源极输出4.设计一运算电路实现三角波——方波的变换，应选用______实现。
( D )A.同相比例电路B.反相比例电路C.积分电路D.微分电路5.当集成运放工作在线性放大状态时，可运用______两个重要的概念。
( B )A.开环和闭环B.虚短和虚断C.虚短和虚地D.线性和非线性6.要增大放大器的输出电阻及减小输入电阻，可采用______放大电路。
( A )A.电流并联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电压串联负反馈7.由运算放大器构成的电压比较器，抗干扰能力最强的是( C )A.单限电压比较器B.过零电压比较器C.迟滞电压比较器D.窗口电压比较器8.负反馈放大电路的开环增益是A，反馈系数为k f，则闭环增益A f的表达式是( A )A.错误！未找到引用源。
B.错误！未找到引用源。
C.Ak fD.1+Ak f9.设计一负反馈放大器，实现电压——电流的变换，应引入( C )A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10.放大电路在信号的高频段时，放大倍数下降的原因是( B )A.耦合电容和旁路电路的存在B.晶体管极间电容和分布电容的存在C.晶体管非线性的影响D.放大电路的静态工作点设置不合理11.放大器产生零点漂移的主要原因是( B )A.电压增益太大B.环境温度变化C.采用直接耦合方式D.采用阻容耦合方式12.由NPN管组成的单级共发射电路，当集电极电阻R c增大时，工作点Q的I CQ和V CEQ的变化是( C )A.I CQ增大、V CEQ增大B.I CQ增大、V CEQ减小C.I CQ不变、V CEQ减小D.I CQ不变、V CEQ不变13.随着温度的升高，晶体三极管的______将减小。
( B )A.βB.V BE(on)C.I CBOD.I CEO14.集成运算放大电路的输入级通常采用______电路。
( C )A.共集电极放大B.共发射极放大C.差分放大D.共基极放大15.设计一单级晶体管放大器，要求输入电阻大，输出电阻小，应选择______电路。
( D )A.共发射极放大B.共基极放大C.共源极放大D.共集电极放大（II）一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.在N型半导体中，掺入__+5__价杂质元素。
2.半导体中有__自由电子__和空穴两种载流子。
3.晶体三极管工作在放大状态时，其发射结应正偏，集电结应__反偏___。
4.PNP型晶体三极管处于放大状态时，三个电极中_发射__极电位最高。
5.N沟道MOS管，V GS越向正值方向增大，I D越_大___。
6.MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和_耗尽型__两种类型。
7.与共发、共集组态相比较，共基组态的输入电阻较__小_。
8.晶体管放大电路的非线性失真分为饱和和_截止__两种。
9.希望增大放大电路的输入电阻并稳定输出电流，应引入___电流串联__负反馈。
10.某一放大电路，其信号源内阻很大，应引入__并联__负反馈电路，才能使反馈更加有效。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.当PN结外加正向电压时，阻挡层的宽度将( B )A.增大B.减小C.不变D.近似不变2.当PN结反向工作时，其结电容主要是( A )A.势垒电容B.扩散电容C.平面电容D.势垒和扩散电容并存3.晶体三极管工作在饱和区时，要求( B )A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏4.三极管的I CEO大，说明其( D )A.工作电流大B.击穿电压高C.寿命长D.热稳定性差5.结型场效应管的基本工作原理是( B )A.改变导电沟道中的载流子浓度B.改变导电沟道中的横截面积C.改变导电沟道中的有效长度D.改变导电沟道中的体积6.衡量场效应管控制能力的主要参数是( C )A.电流放大倍数B.电压放大倍数C.跨导D.转移电阻7.有两个放大电路Ⅰ和Ⅱ，其|A v|都为100，它们分别与具有相同内阻的电压源连接后，测得V01=4.85V,V02=4.95V，由此得知电路Ⅱ比Ⅰ好，因为它的( B )A.放大倍数大B.输入电阻高C.输出电阻小D.频带宽8.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的( D )A.和值B.差值C.迭加D.平均值9.已知某一放大器的A=100，现要求引入负反馈后，增益A f=10，问反馈系数k f应为多少?( C )A.0.01B.0.05C.0.09D.0.1010.反馈量是指( B )A.反馈网络从放大电路输出回路中取出的信号B.反馈到输入回路的信号C.前面两信号之比D.前面两信号之差11.稳压二极管正常工作时，它处在______状态。
( B )A.截止B.击穿C.导通D.不定12.已知三极管的I CQ=1mA，则在常温下跨导g m为( B )A.19.2msB.38.5msC.77msD.154ms13.已知场效应管的λ=0.01，I DQ=1mA，则r ds为( C )A.10kΩB.50kΩC.100kΩD.200kΩ14.下列哪个答案不是共集电极电路的特点？( D )A.输入电阻很高B.电压增益约为1C.输出电阻很低D.输入输出电压反相15.某放大电路的增益为105，则折算成dB数为( C )A.60dBB.80dBC.100dBD.120dB（III）一、填空题（本大题共10小题，每小题1分，共10分）请在每小题的空格中填上正确答案。
错填、不填均无分。
1.温度升高，对二极管的各种参数将发生影响，其中反向饱和电流将_变大___。
2.半导体有两种导电方式：在外加电场作用下将形成__漂移_电流。
3.晶体三极管I CEO的中文含义是_ 基极开路时集射极之间穿过的电流_____。
4.晶体三极管工作在放大区时具有_电流放大_作用。
5.MOS管作开关应用时，其工作状态应在截止区和__非饱和区__之间转换。
6.场效应管的非饱和区又称变阻区，它是沟道未被__夹断__的工作区。
7.三种基本组态晶体管放大电路中，_共基__组态输入电阻最低。
8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察v0和v i的波形，当放大电路为共射电路时，则v0和v i的相位__相反_。
9.某一放大电路，要使输出电压稳定，应引入_电压_负反馈电路。
10.已知放大电路输入信号电压为1mV，输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出时需要的输入信号为10mV，该电路的反馈系数F为_0.009_。
二、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.PN结击穿后，它的反向电流将（ D ）A.急剧减小B.减小C.几乎不变D.急剧增大2.PN结反向工作时，流过的电流主要是（ B ）A.扩散电流B.漂移电流C.传导电流D.扩散和漂移电流并存3.工作在放大状态的某NPN晶体三极管，各电极电位关系为（ B ）A.V C<V B<V EB.V C>V B>V EC.V C<V E<V BD.V C>V E>V B4.以下晶体管的参数中，不属于管子的极限参数的是（ D ）A.V BR（CEO）B.I CMC.P CMD.β5.场效应管工作在饱和区时具有______的转移特性。
（ C ）A.线性B.指数律C.平方律D.对数律6.场效应管是一种（ A ）A.电压控制器件B.电流控制器件C.双极型器件D.少子工作的器件7.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）A.10kΩB.2kΩC.4kΩD.3kΩ8.设单级共射放大电路A vsm=100dB，f H=105Hz，当输入信号频率f=106Hz时，该电路的电压放大倍数约为（ C ）A.100dBB.90dBC.80dBD.70dB9.反馈放大电路的含义是（ B ）A.输出与输入之间有信号通路B.电路中存在反向传输的信号通路C.除放大电路以外还有信号通路D.电路中存在使输入信号削弱的反向传输通路10.负反馈放大电路产生自激的条件是（ B ）A.T （jωo）=1B.T （jωo）=-1C.T （jωo）<1D.T （jωo）>111.在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（ B ）A.本征半导体B.N型半导体C.P型半导体D.杂质半导体12.温度减少时，晶体三极管的______将增加。