模拟电路复习资料
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
模拟电路复习资料
3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5）
vo g m vgs Rd
vi vgs ( g m vgs ) R vgs (1 g m R)
g m Rd vo Av vi 1 gm R
Ri Rg1 // Rg2
s
Ro Rd
vo v o v i Ri Avs Av vS v i v S Ri RS
判别方法：反馈端与输入端为同一端，并联反馈； 反馈端与输入端为两端，串联反馈
即 vid=vi- vf iid=ii-if
7.1.5 电压反馈与电流反馈
电压反馈与电流反馈由反馈网络在放大电路输出 端的取样对象决定
电压反馈：反馈信号xf和输出电压成比例，即xf=Fvo
电流反馈：反馈信号xf与输出电流成比例，即xf=Fio
满足 VDS (VGS VT )
假设成立，结果即为所求。
3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） 解：例5.2.2的直流分析已 求得：I DQ 0.5mA VGSQ 2V
VDSQ 4.75V
g m 2K n (VGSQ VT )
s
2 0.5 ( 2 1)mA / V 1mA / V
分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。
五、现有直接耦合基本放大电路如下： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 设Re<Rb，且ICQ、IDQ均相等。 选择正确答案填入空内，只需填A、B、…… （1）输入电阻最小的电路是 ，最大的是 ； （2）输出电阻最小的电路是 ； （3）有电压放大作用的电路是 ； （4）有电流放大作用的电路是 ； （5）高频特性最好的电路是 ； （6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 解：（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E， A D
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模拟电路课程复习考试试题及答案A
《模拟电路》复习纲要A一、单项选择题1．温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变2．场效应管的主要优点是（）。
A、输出电阻小B、输入电阻大C、是电流控制D、组成放大电路时电压放大倍数大3．在负反馈放大电路中，当要求放大电路的输入阻抗大，输出阻抗小时，应选用的反馈类型为（）。
A、串联电压负反馈B、串联电流负反馈C、并联电压负反馈D、并联电流负反馈4．二极管的正向电流在202mA的基础上增加一倍，它两端的压降（）。
A、也增加一倍B、增加一倍以上C、略有增加D、不变5．在一个由NPN型晶体管构成的放大电路中，关于晶体管三个电极的电位，下列说法正确的是（）。
A、集电极电位一定最高B、集电极电位一定最低C、发射极电位一定最高D、基极电位一定最低6．差分放大电路由双端输入变为单端输入，差模电压放大倍数（）。
A、增加一倍B、减小一半C、不变D、按指数规律变化7．电流负反馈在电路中的主要作用是（）。
A、提高输入电阻B、降低输出电阻C、增大电路增益D、稳定静态工作点8．为了稳定放大电路的输出电压，那么对于高内阻的信号源来说，放大电路应引入（）负反馈。
A、电流串联B、电流并联C、电压串联D、电压并联9．欲将正弦波电压移相＋90度，应选用（）。
A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、积分运算电路D、微分运算电路10．放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（）。
A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适二、填空题1. 差分放大器的基本特点是放大______、抑制______。
2. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结______、集电结______。
3. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值______。
模拟电路期末复习题库
模拟电路期末复习题库1. 二极管的正向特性分成两段：一段呈线性，一段呈非线性（平方律）。
2. 二极管的反向特性分成两段：一段呈水平状态（截止），一段呈垂直状态（击穿）。
3. 二极管正向导通时，视同短路；反向截止时，视同断开。
4. 整流、检波、隔离、发光等功能都是二极管的正向运用，其中，发光二极管正向压降最大。
5. 光电二极管、变容二极管和稳压二极管都是二极管的反向运用。
6. 判断二极管在电路中是否导通的方法是，从正极沿着电路兜一圈，回到负极，将各个电压求代数和。
图示三种电路中，二极管有正向导通的，也有反向截止的。
7. 三极管放大的实质是基极电流的微小变化引起了集电极电流很大的变化。
这个电流在负载上形成电压，使信号从电路输出端看起来，比输入电压大了很多。
8. 判断三极管放大电路是何种组态的方法是：先看看基极有没有电容下地，如果有则是共基极放大电路；如果没有，则看看信号从哪个端子输出，从集电极输出则是共发射极放大，否则是共集电极放大。
9．为保证信号被放大后不失真，必须为三极管设置合理的静态工作点。
10. 由于受温度影响，放大电路必须保证三极管的静态工作点稳定。
11. 共发射极放大电路既有电压放大能力又有电流放大能力，但是输出信号与输入信号是反相的。
12. 共集电极放大电路又称为射极跟随器，无电压放大能力，有电流放大能力，输入电阻最大，输出电阻小。
13. 共基极放大电路有电压放大能力，无电流放大能力，输入电阻小，频率特性好。
14. 无论是NPN还是PNP三极管，都服从电流分配规律和电流放大规律：I B+I C=I E，I C＝βI B。
此外，反向饱和电流也服从上述规律：I CE0＝（1+β）I CB0例如，一只三极管工作在放大区，测量I B从20μA增大到40μA时，I C 从1mA增大到2mA，则ΔI B＝20μA，ΔI C＝1mA，它的交流放大β值为50。
一只三极管的I CE0＝200μA，当基极电流为20μA时，集电极电流为1mA，则该管的直流β＝50，I CB0＝4μA。
模拟电路复习题
模拟电路复习题### 模拟电路复习题#### 一、填空题1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是将输入信号的______放大。
2. 运算放大器的开环增益通常非常高，可以达到______以上。
3. 共模抑制比（CMRR）是衡量运算放大器对共模信号抑制能力的指标，其单位是______。
4. 理想运算放大器的输入阻抗是______，输出阻抗是______。
5. 反馈在放大器中的作用包括稳定增益、提高输入阻抗和降低输出阻抗，其中负反馈可以提高放大器的______。
#### 二、选择题1. 下列哪个不是模拟电路中常用的放大器类型？A. 共射放大器B. 共基放大器C. 共集放大器D. 差分放大器E. 运算放大器2. 运算放大器的输入端通常连接有：A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 晶体管3. 在模拟电路设计中，为了减少噪声，通常采用以下哪种措施？A. 增加电源电压B. 减小电源电压C. 使用低噪声元件D. 增加电路复杂度4. 以下哪个参数不是衡量放大器性能的重要指标？A. 增益B. 带宽C. 线性度D. 功耗#### 三、简答题1. 简述共模抑制比（CMRR）在模拟电路中的重要性。
2. 描述负反馈在放大器设计中的作用及其对放大器性能的影响。
3. 运算放大器在理想情况下的输入和输出特性是什么？#### 四、计算题1. 给定一个共射放大器，其静态工作点的集电极电流为2mA，集电极电阻为2.2kΩ，求该放大器的静态集电极电压。
2. 假设一个运算放大器的开环增益为100dB，求其闭环增益为10时的反馈因子。
#### 五、分析题1. 分析在模拟电路中，为什么需要对运算放大器进行补偿？2. 讨论在设计模拟电路时，如何平衡放大器的带宽和增益。
#### 六、设计题设计一个简单的非反相放大器，要求输入阻抗大于10kΩ，增益为20dB。
请给出电路图，并说明各元件的作用。
通过这些复习题，可以对模拟电路的基本概念、放大器的工作原理、运算放大器的特性以及反馈在放大器中的应用有更深入的理解。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图示电路中，二极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管，当I B =20μA 时，I C =1mA ，当I B =60μA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
二：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（ ） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（ ） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ ） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体是（ ） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ）A ）放大状态B ）截止状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%，流过的电流增大量为（ ） A ）大于10% B ）小于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（）A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．无法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
模拟电路考研复习及答案(十套)
最宽的是
组态。
二．
选择题
1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE 的变化情况为（
A．β增加，ICBO,和 uBE 减小
B. β和 ICBO 增加，uBE 减小
C．β和 uBE 减小，ICBO 增加
D. β、ICBO 和 uBE 都增加
2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（ ）
，要消除此失真，应改用
。
8．理想运算放大器工作在线性放大区时具有
和
特性。
二．选择题
1． 在一个由 NPN 型晶体管构成的放大电路中,关于晶体管三个电极的电位,下列
说法正确的是( )
D．阻当层变厚，反向电流减小
3．某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 3kΩ的负载电阻后输出电压
降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）
A. 10kΩ B. 2kΩ C. 1kΩ D. 0.5kΩ
4.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（ ）
A. 输入电阻小，输出电阻大
）。
A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导
3．双端输出的差分放大电路主要（ ）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大
B. 利用两个
C. 利用参数对称的对管子
D. 利用电路的对称性
4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（ ）。源自A. 变大B. 变小
C. 不变
4．如图所示运放电路，已知 R1=6k，R2=4k，R3= R4= R5=6k，R6= R7=12k，R8=6k， RF1=24k，RF2=4k，RF3=6k，R=2k，ui1=5mv，ui2=-5mv, ui3=6mv, ui4=-12mv。 试求：（1）运放电路 A1、A2、A3 的功能。（2）uo1、 uo2、 uo
模拟集成电路设计原理复习第一部分
rout
ro2
8000 1.6 0.1
128k
If : Vout 0.5V
I o u t
V rout
0.5 128k
3.9A
1 gm
vgs2
gm2vgs2
i rgs2 vx
改进的电流镜
共源共栅电流镜
VN VGS0 VX VY VN VGS3 VX VGS0 VGS3 VGS0 VGS3 VY VX
用电阻模拟gmb—对源跟随器成立
戴维南等效电路--〉分压电路
共栅级
AV
Vout Vin
gm gmb go go gD
AV
gm
gmb ro 1RD ＝gm
RD ro
gmb ro RD
ro
gm gmb RD 1 gmRD
共栅级
共栅级输出阻抗：
Vin 0
gm Vin Vs ro
Vin
gm Vin Vs ro
gmbVs
Vs
Rs
Io gm Vin Vs
Vs ro
gmbVs
Io
Vs Rs
Io gm Vin Io RS
Io RS ro
gmbIo RS
Gm
Io Vin
Rs 1
g m ro gm gmb
Rs
ro
gm 1 gm Rs
共源级
考虑输出阻抗：输入接地，输出加激励
非全差分输入电路分析 输入信号不是大小相等、方向相反、Vp不是交流地 将输入分为差模输入部分和共模输入部分
Vin1
Vin1
Vin 2 2
Vin1
Vin 2 2
Vin2
Vin2
Vin1 2
Vin1
模拟电路分析与设计复习题
模拟电路分析与应用 期末总复习第一章 半导体基本器件及应用1) 半导体基本名词的理解2) PN 结的单向导电性与PN 结方程 3) 二极管特性及应用4) PN 结的反向击穿及应用基本名词：本征半导体、杂质半导体、施主杂质、受主杂质； 自由电子、空穴、 N 型半导体、P 型半导体； 多数载流子、少数载流子、漂移电流与扩散电流。
一、二极管的单向导通特性定义：VON 为二极管的导通电压 VTH 为二极管的开启电压 对于硅二极管： VON ≈0.7V VTH ≈0.5V 。
在电路分析中，二极管的正向和反向伏安特性可由PN 结方程来近似表征。
ID ≈ – IS二极管伏安特性近似分析方法-----二极管模型的建立引入模型的目的：简化电路计算；方法：非线性元件作线性化处理。
主要有以下三个模型：1).理想开关模型vD > 0时,二极管导通;vD ≤ 0时,二极管截止。
二极管导通时vD = 0VD(V) ID(mA)BRV O ISVONVTH vD iDT T V V V V e I e I I /S /S D D D )(≈-=12).恒压降模型特点：VD≥0.7V(硅管)时,二极管导通，VD＜0.7V(硅管)时,二极管截止。
二极管导通(iD > 0)时，vD= VON3). 折线模型特点：当VD ＞V th 时；VD= V th + iD rD ;rD为Q点折线斜率的倒数。
V th是二极管的开启电压。
二﹑二极管限幅电路由于二极管具有单向导通性，利用这种特性，可以实现电压限幅的功能。
当输入电压小于电池电压E时，二极管两端电压处于反向偏置，ui < E 时，D截止，uo= ui当输入电压大于电池电压时，二极管两端电压处于正向偏置，导通，二极管两端电压为0，所以输出电压与电池电压相同。
即：ui > E时，D导通，uo= E三﹑二极管开关电路vDiDQ V th半导体二极管的开关特性：利用二极管的单项导电性，相当于一个受外加电压极性控制的开关。
模拟电路知识点复习
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法
1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 iD = IS(e分vD段VT线性1) 化，得到二极管特性的
等效模型。 （1）理想模型
（a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型
（2）恒压降模型
（3）折线模型
（a）V-I特性 （b）电路模型
模拟电路知识体系
• 总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主 线。
• 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压 放大级、功率放大级、偏置电路。
• 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性应 用。
• 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外 部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号 源产生等展开。
（a）V-I特性 （b）电路模型
（4）小信号模型
iD
=
1 R
vD
1 R
(VDD
vs )
vs =0 时, Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。
vs =Vmsint 时（Vm<<VDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到
小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。
过Q点的切线可以等 效成一个微变电阻
下面举两个例子说明虚短和虚断的运用。
几种常见的基本运算电路
• 反相比例运算 • 同相比例运算 • 电压跟随器 • 加法电路 • 减法电路 • 积分电路
3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管
3.1.4 杂质半导体
3.3.2 二极管的伏安特性
一、PN 结的伏安方程
iD = IS (euD /nVT 1)
《模拟电路》重点复习内容
《模拟电路》重点复习内容第一章半导体器件掌握：1，二极管、稳压管二极管的伏安特性。
2，三极管的输入特性、输出特性。
3，场效应管的输出特性、转移特性。
理解：1，PN结的单向导电性。
2，三极管的放大作用。
3，场效应管的放大作用。
了解：1，半导体中的两种载流子。
2，N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。
第二章放大电路的基本原理和分析方法（重点）掌握：1，放大的基本概念；放大电路主要技术指标的含义。
2，放大电路的静态和动态、直流通路和交流通路的概念及其画法。
3，放大电路的静态工作点（Q点）求解以及动态技术指标A u,R i,R o的分析和计算。
（必考）理解：1，三极管放大电路的三种组态（共射、共集、共基）的电路组成、工作原理和性能特点。
2，场效应管组成的共源和共漏放大电路的电路组成、工作原理和性能特点。
了解：1，多级放大电路的三种耦合方式（阻容耦合、变压器耦合、直接耦合）的原理和特点。
2，多级放大电路放大倍数和输入电阻、输出电阻的估算方法。
3，场效应管放大电路与双极型放大电路相比较的特点。
第三章放大电路的频率响应掌握：1，频率响应的基本概念。
理解：1，含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L、f H的估算方法。
2，波特图的意义和画法。
了解：1，频率失真的含义。
2，三极管频率参数的含义。
3，多级放大电路的通频带与其各级放大电路的通频带之间的定性关系。
第四章功率放大电路理解：OTL和OCL互补对称电路的组成和工作原理，最大输出功率和效率的估算。
了解：1，功率放大电路的主要特点和类型；2，集成功率放大电路的特点。
第五章集成运算放大电路（重点）掌握：1，集成运放主要技术指标的含义。
2，差分放大电路的静态工作点，以及差模电压放大倍数、差模输入电阻和差模输出电阻的计算方法。
理解：1，差分放大电路的组成和工作原理，以及差分放大电路在四种不同输入、输出方式时差分放大电路的性能特点。
2，各种电流源（镜像电流源、比例电流源、微电流源）的工作原理和特点。
模拟电路复习资料
一、填空题1、画放大器的直流通路时，将视为开路，画出直流通路是为了便于计算；画交流通路是为了便于计算、和三个交流性能指标。
2、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。
3、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
4、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结时，工作在饱和区；发射结、集电结时，工作在截止区。
5、放大器的静态是指时的工作状态，分析静态工作点的方法有两种，一种是法，另一种是法。
6、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻些，以减轻信号源的负担，输出电阻些，以增加带负载的能力。
7、三极管具有两PN结：结、结；还有三个区：、，。
8、固定偏置放大电路如图（a）所示，三极管的输出特性曲线及直流负载线MN，交流负载线AB如图（b）所示，由图可知，电源电压V G= ，I CQ= ，V CEQ= ，R C= ，R L= ，β=（a）（b）二、判断题1、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
（）2、二极管具有单向导通性。
（）3、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压波动。
（）4、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向反向击穿电压时，其反向电流迅速增大。
（）5、 二极管加正向电压时一定导通。
（ ）6、 晶体三极管有两个PN 结，因此它具有单向导电性。
（ ）7、放大器具有能量放大作用。
（ ）8、晶体三极管集电极和发射极可以互换使用。
（ ）9、发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。
（ ） 10、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量。
( ) 三、选择题1、把电动势为1.5V 的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（ ）。
A 、基本正常B 、将被击穿C 、将被烧坏D 、电流为零 2、当硅二极管加上0.4V 正向电压时，该二极管相当于（ ）。
A 、很小的电阻 B 、很大的电阻 C 、短路 D 、电阻 3、PN 结的最大特点是具有（ ）。
(完整版)模拟电路总复习知识点1(DOC)
第一章绪论1． 模拟信号和数字信号·模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图1。
1。
8）。
·数字信号：时间、幅度离散的信号(图1.1.10) 2．放大电路的基本知识·输入电阻i R ：是从放大器输入口视入的等效交流电阻.i R 是信号源的负载,i R 从信号源吸收信号功率。
·输出电阻o R ：放大器在输出口对负载L R 而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载L R 输出功率o P ），该信号源的内阻即为输出电阻。
·放大器各种增益定义如下: 端电压增益：oV iV A V = 源电压增益:o iVS V s s iV R A A V R R ==+ 电流增益:o I i I A I =互导增益:o G iI A V =互阻增益：o IiV A I =负载开路电压增益（内电压增益）：0L oV iR V A V →∞=,00LV V LR A A R R =+功率增益：0||||P V I iP A A A P == ·V A 、G A 、R A 、I A 的分贝数为20lg A ；p A 的分贝数为20lg p A 。
·不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须1>P A 。
·任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种（图1。
2.2）. ·频率响应及带宽:o ()()()V i V j A j V j ωωω=或()()V V A A ωϕω=∠()V A ω—— 幅频相应（图1。
2.7）：电压增益的模与角频率的关系. ()ϕω—— 相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。
BW -— 带宽:幅频相应的两个半功率点间的频率差H L BW f f =-。
·线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真(图1。
2。
9) ·非线性失真：器件的非线性造成。
第二章 晶体二极管及应用电路一、半导体知识 1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si ）和锗（Ge)（图2。
模拟电路-期末复习资料
模拟电路—期末复习资料一、判断题1．构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。
( )2.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
( )3. 在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
( )4.由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。
（ ）5.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是输入电压幅值不变，改变频率。
（ ）6. 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
（ ）7.反馈量仅仅决定于输出量。
（ ）8.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ）9. 运放的共模抑制比c d CMR A A K 。
( ) 10. 图题图1所示电路中，若Ce 突然开路，则中频电压放大倍数usmA &减小。
（ ）11. 运算电路中一般均引入负反馈。
（ ） 12.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
（ ）13.功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。
（ ）14. 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（）15.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）16.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）17.当集成运放工作在非线性区时，输出电平不是高电平，就是低电平。
（）18.在稳压管稳压电路中，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。
（）19. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
20.电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
21.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（）22.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
模电复习题及答案
模电复习题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 滤波B. 信号放大C. 信号调制D. 信号解调答案：B2. 什么是负反馈放大器？A. 反馈信号与输入信号相位相反B. 反馈信号与输入信号相位相同C. 反馈信号极性与输入信号相同D. 反馈信号极性与输入信号相反答案：A3. 运算放大器（Op-Amp）的开环增益通常有多大？A. 10^2B. 10^3C. 10^5D. 10^6 及以上答案：D4. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 可以是数字信号C. 可以是周期性变化D. 可以是瞬时值答案：B5. 在模拟电路设计中，温度漂移通常是由什么引起的？A. 电路元件的老化B. 环境温度的变化C. 电源电压的波动D. 所有上述因素答案：B二、简答题1. 简述差分放大器的工作原理。
答案：差分放大器是一种具有两个输入端的放大器，其工作原理是基于两个输入端电压差的变化进行放大。
当两个输入端的电压差发生变化时，差分放大器会放大这个差值，而对两个输入端共同的直流分量不敏感，从而提高电路的稳定性和抗干扰能力。
2. 什么是积分器和微分器？它们在电路中有什么应用？答案：积分器是一种将输入信号的瞬时值转换为输出信号的积分值的电路。
在电路中，积分器常用于模拟信号的低通滤波、信号的平滑处理等。
微分器则是将输入信号的瞬时值转换为输出信号的导数，常用于检测信号的变化率，如在控制系统中用于快速响应输入信号的变化。
三、计算题1. 如果一个共射放大器的β值为100，输入电压为10mV，求输出电压。
答案：假设共射放大器的放大倍数为Av = β * (1 + R'L/Rin)，这里R'L是负载电阻，Rin是输入电阻。
由于题目没有给出具体的电阻值，我们只能假设一个简单的情况，即R'L远大于Rin，可以忽略Rin的影响。
那么Av ≈ β。
输出电压Vout = Av * Vin = 100 * 10mV = 1V。
模拟电路复习资料Ⅰ
模拟电路复习资料Ⅰ一、填空题1. P型半导体的多子是，N型半导体的少子是，PN结具有特性。
2. 在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。
3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于，少子的浓度受的影响很大。
4. 当PN 结正向偏置时，耗尽层将，反向偏置时空间电荷区将。
5. 引起PN结击穿的机理一般认为有两种，即击穿和击穿。
6. PN结之间存在着两种电容，分别叫作电容和电容。
7．在PN结形成过程中，载流子扩散运动是由于作用下产生的，漂移运动是由于作用下产生的。
8．当环境温度升高时，二极管的死区电压将，二极管的反向饱和电流将。
9．稳压二极管有作用，在电路中是将其阳极接于电源的极，阴极接于电源的极。
10．利用二极管的特性可以制成稳压管。
利用二极管在反向偏置时的电容效应可制成。
11. 晶体管三极管在作正常放大运用时,必须使处于正向偏置, 处于反向偏置。
12. NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中极电位最高，极电位最低。
13. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是失真，失真的主要原因是。
14．若三级放大电路中A u1= A u2=30dB，A u3==30dB ，则其总电压增益为dB，折合为倍。
15．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态电压增益最小，组态输入电阻最小。
16．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态输入电阻最大，组态放大倍数最大且为正。
17．实验中用直流电流表测量三极管的静态电流,其中流进电极的电流为3.66mA,流出电极的电流分别为0.06mA和3.6mA。
则该管是型三极管，其β值为。
18．场效应管属于____控制型器件，它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
19．耗尽型N沟道FET的导电载流子是，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压U GS 叫做。
20. 结型场效应管利用栅源极间所加的(反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压U GS为(正值、负值、零) 。
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学习资料第一章 半导体器件 一、学习要求1. 掌握半导体管的伏安特性和主要参数（U ON 、I S 、U BR 、I Z 、P ZM )2. 掌握三极管的输入和输出特性（1.3.3）3. 掌握场效应管的工作原理（如何形成导电沟道然后工作在恒流区）4. 理解PN 结的单向导电性5. 理解三极管的放大原理二、复习思考题1. 选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度，在P 型半导体中，电子浓度 空穴浓度。
当PN 节外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
2、 电路如图所示，V CC ＝15V ，β＝100，U BE ＝0.7V 。
试问： （1）R b ＝50k Ω时，u O ＝？ （2）若T 临界饱和，则R b ≈？3、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？第二章放大电路的基本原理和分析方法一、学习要求1. 掌握放大电路的主要技术指标（2.2节、放大电路技术指标测试示意图）2. 掌握放大电路静态和动态的概念和分析方法（直流通路和交流通路的概念、图解法、微变等效电路法）3. 掌握两种单管共射放大电路的工作原理（估算静态工作点Q、A U、R I、R O)4. 掌握放大电路三种基本组态的性能特点（2.6.3节）5. 理解图解法的对输出波形失真情况的分析；最大不失真输出电压的概念和求解6. 理解放大电路的三种耦合方式；直接耦合放大电路的温漂现象二、复习思考题1. （1）共集电极放大电路的特点是电压放大倍数A__________，输入电阻_________，输出电阻_________。
（2）对于共射、共基和共集三种基本组态放大电路，若希望带负载能力强，应选用____组态；若希望频率响应好，应选用_____组态。
（3）三极管工作在饱和区的条件是。
A 发射结正偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结正偏C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏(4) 在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的。
A. 恒流区B. 可变电阻区C. 截止区D. 预夹断点(5) 对于单管共射电路，静态工作点设置过低，其结果是输出波形（）。
A 容易出现截止失真B 容易出现饱和失真C容易出现交越失真 D 不会出现失真(6) 为了放大变化缓慢的微弱信号，放大电路应采用_____耦合方式。
A直接B阻容C变压器D光电2. 试分析下图 2.1所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)图2.13. 电路如图 2.2所示，已知晶体管β＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V C C ＝12V ，晶体管饱和管压降U C E S ＝0.5V 。
（1）正常情况 （2）R b 1短路 （3）R b 1开路（4）R b 2开路 （5）R C 短路图 2.24. 按要求填写下表。
电路名称连接方式（e 、c 、b ） 性能比较（大、中、小）公共极输入极输出极 uAiA R i R o 其它 共射电路 共集电路 共基电路5. 如图2.3图所示的分压式工作点稳定电路中，已知1212, 2.5,7.5CC b b V V R K R K ，2,1C L e R R K R K ，三极管的 =50，（1）试估算放大电路的静态工作点； （2）估算放大电路的u i o A R R 、和。
图2.3r=100Ω。
6. 电路如图2.4所示，晶体管的β＝100，'bbA 、R i和R o；（1）求电路的Q点、u（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图2.47. 在图 2.5.1所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图 2.4.2（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图2.5.1图2.5.2第三章放大电路的频率响应一、学习要求1.掌握频率响应的基本概念（3.1)2.理解含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L和f H的含义。
二、复习思考题1. 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化2. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适3. 当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。
A.3dBB.4dBC.5dB4. 已知某电路的幅频特性如右图所示，试问：（1）该电路的耦合方式；（2）该电路由几级放大电路组成；（3）当f ＝104Hz时，附加相移为多少？当f ＝105时，附加相移又约为多少？第四章功率放大电路一、学习要求1.掌握功率放大电路与电压放大电路的区别2.掌握功率放大电路的主要特点3.掌握OTL和OCL甲乙类互补对称电路的组成和工作原理、最大输出功率和效率的估算。
4.理解交越失真的含义和克服失真的措施5.了解功率放大电路中甲类、甲乙类和乙类的含义二、复习思考题1.（1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大。
A．交流功率B．直流功率C．平均功率（2）功率放大电路的转换效率是指。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B．最大输出功率与电源提供的平均功率之比C．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比（3）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为。
A．1W B．0.5W C．0.2W （4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有。
A．βB．I C M C．I C B OD．B U C E O E．P C M F．f T（5）OCL甲乙类互补对称电路和OTL乙类互补对称电路相比，最大的优点是______。
A. 效率高B. 电路更对称C. 输出端不用接大电容D. 减小交越失真2. 已知电路如图4.1所示，T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │＝3V ，V C C ＝15V ， R L ＝8Ω，分析回答以下问题：图 4.1（1）电路中D 1和D 2管的作用是什么？（2）静态时，晶体管发射极电位U E Q 是多少? （3）求最大输出功率P o m 和效率η?（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压会发生什么变化？（5）若D 1虚焊，将产生什么后果？3. 分析如图4.2所示的OTL 电路原理，回答下列问题：（1）若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？ （2）静态时发射级电位是多少？（3）已知6,8CC L V V R ==，假设三极管的饱和压降CES U =1V ，估算电路的最大输出功率O P 和效率 ？（4）为了使输出功率达到P o m ，输入电压的有效值约为多少？图4.24. 已知图 4.3所示电路中T1和T2管的饱和管压降│U C E S│＝2V，导通时的│U B E│＝0.7V，输入电压足够大。
图 4.3（1）A、B、C、D点的静态电位各为多少？（2）为了保证T2和T4管工作在放大状态，管压降│U C E│≥3V，电路的最大输出功率P o m和效率η各为多少？5.图4.4中的哪些接法可以构成复合管？标出它们等效管的类型（如NPN型、PNP型）及管脚（b、e、c）(a) (b) (c)图4.4五、集成运算放大电路一、学习要求1.掌握差分放大电路的工作原理2.掌握集成电路的组成原理3.掌握恒流源式差分放大电路的静态工作点、差模电压放大倍数估算方法。
4.掌握电流源的工作原理和特点5.理解零点漂移和共模抑制比的概念二、复习思考题1. （1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
A．可获得很大的放大倍数B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C．参数一致性好（3）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻（4）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路B.共集放大电路C．共基放大电路2. 电路如图5.1所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的U B E均为0.7V，试求I C2的值。
图5.13. 比较图5.2所示两个电路，分别说明它的是如何消交越失真和如何实现过流保护的。
图 5.24.图5.3所示电路参数理想对称，β1＝β2＝β，r b e1＝r b e2＝r b e。
（1）说明R W、R e 的作用。
（2）写出R W的滑动端在中点时A d的表达式；（3）写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式，比较两个结果有什么不同。
图5.35. 如图5.4所示的恒流源式差分放大电路中，12CC EE V V V ，三极管的1250βββ＝＝＝，100C R ，10R K ，33e R ，稳压管的6Z U V ，33R ，200W R ，且滑动端调在中点，（1）说明三极管VT3和电阻R W 的作用；（2）试估算静态工作点Q ；（3）试估算差模电压放大倍数d A 。
图5.4r=100Ω，静态6. 电路如图 5.5所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bb时｜U B E Q｜≈0.7V。
试求：（1）电路由几级放大电路组成，分别是什么？（2）静态时T1管和T2管的发射极电流。
（3）若静态时u O＞0，则应如何调节R c2的值才能使u O＝0V？若静态u O＝0V，则R c2＝？电压放大倍数为多少？图5.5第六章放大电路中的反馈一、学习要求1. 掌握反馈的基本概念2. 掌握放大电路是否存在反馈及反馈类型的判断；3. 掌握反馈对放大电路的性能有哪些影响4. 掌握深度负反馈条件下闭环电压放大倍数的估算（例6.4.1、例6.4.2）5. 理解如何根据实际要求在电路中引入适当的反馈二、复习思考题1. （1）对于放大电路，所谓开环是指。