外延生长原理概述
第六章外延生长
3、超饱和度（supersaturation）模型 超饱和度（supersaturation）
(1) 超饱和度的定义： 超饱和度的定义：
当超饱和度为正 当超饱和度为正时，系统为超饱和，—— 外延生长； 外延生长； 系统为超饱和， 当超饱和度为负 当超饱和度为负时，系统不饱和， 系统不饱和， —— 刻蚀过程。 刻蚀过程。
d. 其他：RTCVD外延、UHVCVD外延、离子束外延等等 其他：RTCVD外延 UHVCVD外延 外延、 外延、
3、 外延层的作用：独立控制薄膜晶体结构（组分）、厚度、 外延层的作用：独立控制薄膜晶体结构 组分）、厚度、 晶体结构（ ）、厚度
杂质种类及掺杂分布
(1) 双极工艺：器件隔离、解决集电极高击穿电压与串连电阻的矛盾 双极工艺：器件隔离、 (2) CMOS工艺：减小闩锁（Latch-up）效应 CMOS工艺 减小闩锁（Latch-up） 工艺： (3) GaAs工艺：形成特定的器件结构层 GaAs工艺 形成特定的器件结构层 工艺： (4) 其他：制作发光二极管、量子效应器件等 其他：制作发光二极管 量子效应器件等 发光二极管、
超饱和度模型未能预测，因为低浓度下外延生长速率是受气 超饱和度模型未能预测， 相质量输运限制的。 质量输运限制的
c. 超饱和度的值过大，会影响单晶薄膜的质量（与薄膜生长模式 超饱和度的值过大，会影响单晶薄膜的质量（
有关）。 有关）。
4、薄膜生长的三种模式： 薄膜生长的三种模式：
(1) 逐层生长（ 逐层生长（Layer Growth） 理想的外延生长模式 Growth）
该临界尺寸可写为： 该临界尺寸可写为：
其中，U 是表面的界面自由能，V 是原子体 其中， 是表面的界面自由能， 积， σ0 是反应剂的分气压与平衡气压的比 值（称为饱和度）。 称为饱和度 饱和度）。
第5章 硅外延生长
形状象沙丘，用肉眼可看见。
防止角锥体产生采取的措施： ①选择与（111）面朝〈110〉偏离3~4°的晶向切片， 提高临界生长速度； ②降低生长速度；
③防止尘埃及碳化物沾污，注意清洁等。
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雾状表面缺陷 ①雾圈 ②白雾
①雾圈 ②白雾
③残迹
④花雾
③残迹
④花雾
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角锥体
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3.亮点
外形为乌黑发亮的小圆点。 40~60倍显微镜下呈发亮的 小突起。 大者为多晶点，可因系统沾污，反应室硅粉，SiO2粒脱 落，气相抛光不当或衬底装入反应室前表面有飘落的灰 尘等引起。 细小的亮点多半由衬底抛光不充分或清洗不干净造成。
3.气流速度对生长速率的影响
反应物浓度和生长温度一定时，水平式反应器中的生长速率与 总氢气流速的平方根成正比。 立式反应器，流速较低时生长速度与总氢气流速平方根成比例； 流速超过一定值后，生长速率达到稳定的极限值而不再增加。
21
4.衬底晶向的影响
常压外延生长条件下 （SiCl4+H2源，生长温度T=1280℃，SiCl4浓度0.1%）
决定速率的步骤称速率控制步骤。
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低温时，固-气表面上的反应最慢 整个生长过程的速度。
决定
过程称表面反应控制过程或动力学控制过程。
正常条件下，表面反应很快，主气流中的反 应物以扩散方式输运到表面的过程最慢，过程 称质量输运控制过程。
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均质反应模型：
外延生长反应是在衬底表面几微米的空间中发生； 反应生成的原子或原子团再转移到衬底表面上完成晶 体生长； 反应浓度很大，温度较高时可能在气相中成核并长大； 例，高浓度SiH4高温热分解。 结论：复相反应和均质反应， 都认为反应物或反应生成 物要通过体系中的边界层达到衬底表面。
外延生长工艺原理10
生长速率与温度的关系 在较高高温下，取决于气体源分子转移到生长层表面
的快慢 质量转移控制。 在较底温度时，取决于生长层表面进行的化学反应速
率 表面反应控制。
外延层中的杂质分布
自掺杂：凡是非反应气体中有意掺入的杂质所引起的对外 延层施加的掺杂
原因： 1、由于外延生长必须在1000度以上的高温下进行的，不 可避免的会存在杂质的热扩散和热迁移 2、由于反应产物氯化氢对衬底的腐蚀，其中的杂质就会 释放进入外延层
反应设备
采用卧室的反应器 由石英反应腔，石墨基座，高频感应 加热系统等
反应流程
装片 通氢气清除石英管内中空气 升温，一般为1100－1200℃ 通氢气消除表面氧化层或HCl去除表面损伤层。 去除HCl和杂质 通氢气及掺杂源，获得经过掺杂的硅层 关闭氢气，恒温数分钟。 缓慢降温，300℃下可以取片
外延技术用于MOS器件集成化可显著提高电路的 速度
提高电阻率可以提高载流子的迁移率，从而增大了MOS 电路的充放电电流，缩短了充放电时间，提高工作速度。 减小MOS器件的电容效应，高电阻率的外延层使器件的 寄生电容，扩散电容均减小，缩短了充放电时间。
可以解决CMOS集成电路的闭锁效应
CMOS闭术的灵活性由利于提高IC集成度 实现隔离技术：由于在进行隔离墙扩散时，横向扩散与纵 向扩散的距离几乎相等，如果外延层较厚，相应的增加了 横向扩散的距离，降低了集成度。
有利于提高少子寿命，降低IC存储单元的漏电流 集成电路的有源区在高温的条件下常会诱生处大量的热缺 陷和微缺陷 ，这些缺陷加速了金属杂质的扩散，杂质与 微缺陷相互作用，导致漏电流增大，发生低击穿现象，功 耗增大，成品率降低。
采用RF射频加热的理由：
1、升温速度快，降温速度快 2、温度稳定性好
工艺晶体外延生长技术
工艺晶体外延生长技术工艺晶体外延生长技术是一种关于在晶体中维持一个晶体的生长界面，使得它能够以相同的晶体结构在另一个晶体表面上增长的方法。
这种技术在许多领域中都有广泛的应用，例如半导体材料生长、太阳能电池、发光二极管（LED）等。
工艺晶体外延生长技术的基本原理是利用外延原理，通过在已有的晶体表面上沉积新的晶体材料来实现晶体的生长。
在这个过程中，需要先选择一个基底晶体材料，然后在基底上通过一系列的加热和化学反应来使新的晶体材料生长。
这种技术的主要步骤包括：首先，选择一个合适的基底晶体材料，通常是具有与待生长晶体材料相同或相近晶格结构的材料。
然后，在基底的表面上制备一个“种子层”，这个层往往通过物理气相沉积或化学气相沉积等方法制备。
接下来，在种子层上进行外延生长，一般采用化学气相沉积、分子束外延或金属有机气相外延等方法。
在晶体的生长过程中，需要控制和调节温度、压力、气氛等参数，以实现所需的晶体质量和生长速度。
工艺晶体外延生长技术的优点之一是能够控制晶体的尺寸和形状，可以生长出具有高度均匀性和大面积的晶体。
另外，这种技术还可以在晶体中引入掺杂物，使得晶体具有特殊的电学、光学、磁学性质，进而应用于各种领域。
然而，工艺晶体外延生长技术也存在一些挑战和问题。
例如，晶体生长过程中的杂质和缺陷会对晶体的质量和性能产生不利影响，需要通过优化生长条件和材料选择来解决。
此外，这种技术还需要高精度的仪器和设备来控制生长过程中的各种参数，因此对实验条件和实验操作人员的要求较高。
总之，工艺晶体外延生长技术以其精确控制晶体生长和材料性能的能力，在半导体材料生长、光电子器件等领域具有重要的应用前景。
随着技术的进步和发展，相信这种技术将在更多领域中发挥作用，为科学研究和工业应用提供更多可能性。
工艺晶体外延生长技术在半导体材料生长领域有着重要的应用。
半导体材料是制造集成电路和光电子器件的基础材料，而工艺晶体外延生长技术可以实现高质量、大面积的半导体晶体生长。
mocvd外延生长原理
mocvd外延生长原理MOCVD（金属有机化学气相沉积）是一种常用的外延生长技术，它被广泛应用于半导体材料制备中。
MOCVD外延生长原理是基于气相反应，通过将金属有机化合物和气相反应物输送到晶体表面，使晶体在表面逐层生长。
在MOCVD过程中，首先需要准备金属有机化合物和气相反应物。
金属有机化合物通常是金属元素与有机基团结合形成的化合物，如三甲基镓（TMGa）和三乙基铝（TEAl）。
气相反应物则是提供晶体生长所需的原子或分子，如氨气（NH3）和磷化氢（PH3）。
MOCVD外延生长的关键步骤是将金属有机化合物和气相反应物输送到晶体表面，并在表面发生化学反应。
这一过程需要在特定的反应条件下进行，如温度、压力和反应时间等。
通过控制这些条件，可以实现对外延生长过程的精确控制。
在MOCVD外延生长过程中，金属有机化合物首先被蒸发或气化，形成气态的金属有机分子。
然后，这些气态分子通过惰性气体（如氩气）被输送到反应室中。
同时，气相反应物也被输送到反应室中。
当金属有机分子和气相反应物达到晶体表面时，它们会发生化学反应，生成新的化合物。
这些新的化合物沉积在晶体表面，逐渐形成新的晶体层。
这一过程是一个层层生长的过程，通过控制反应条件和物质输送速率，可以实现对外延生长过程的控制。
MOCVD外延生长技术具有许多优点。
首先，它可以在较低的温度下进行，从而有效降低了能耗和设备成本。
其次，通过调整反应条件和物质输送速率，可以实现对晶体生长过程的精确控制，从而获得高质量的晶体材料。
此外，MOCVD技术还可以实现对晶体结构、组分和形貌的调控，从而满足不同应用的需求。
然而，MOCVD外延生长技术也存在一些挑战。
首先，金属有机化合物和气相反应物的选择对外延生长过程至关重要，需要根据具体材料的要求进行合理选择。
其次，控制反应条件和物质输送速率需要精确的仪器和设备，以确保外延生长过程的稳定性和可重复性。
此外，MOCVD外延生长过程中产生的废气和副产物对环境有一定的影响，需要采取相应的措施进行处理和排放。
分子束外延生长的原理
分子束外延生长的原理
分子束外延生长（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）是一种用于在晶体表面上逐层生长单晶薄膜的方法。
其原理如下：
1. 分子束发射：首先，通过热蒸发或激光蒸发等方法，将所需材料制成独立的分子束。
这些分子束含有待生长薄膜的原子或分子。
2. 分子束定向：分子束通过使用适当的准直光学系统进行定向，确保其能够以高度定向的方式击中生长基底。
3. 生长基底准备：生长基底（通常是单晶基底）表面需要被清洁和准备好，以确保分子束能够有效地吸附和生长。
4. 吸附和生长：当分子束击中生长基底时，原子或分子会吸附在基底上。
在吸附过程中，吸附物与基底原子相互作用，形成一个层状结构。
分子束在生长过程中控制的参数包括温度、压力和生长速率等。
5. 脱附和富集：一旦层状结构形成并达到所需厚度，可以停止分子束的发射并降低温度，以使薄膜表面的非平衡态物种重新脱附。
这一步骤可以减少杂质和缺陷的存在，提高薄膜质量。
MBE方法能够实现高度控制的单层生长，具有较低的污染和表面缺陷，被广泛应用于半导体器件和纳米结构材料的制备中。
外延生长的基本原理
外延生长的基本原理一、引言外延生长是一种重要的制备薄膜和纳米结构的方法，它在微电子学、光电子学、能源材料等领域得到广泛应用。
本文将介绍外延生长的基本原理。
二、外延生长的定义外延生长是指在晶体表面上沉积一个与衬底同晶向的单晶薄膜或纳米结构。
这个过程可以通过化学气相沉积（CVD）、分子束外延（MBE）等方法实现。
三、衬底选择衬底是外延生长中非常重要的因素，因为它决定了沉积物的结构和性质。
通常选择衬底与待沉积物具有相同或相似的晶格常数和热膨胀系数，以便保证外延层与衬底之间具有良好的匹配度。
同时，衬底表面应该光滑平整，以便于沉积物在其上均匀生长。
四、晶体表面准备在进行外延生长前，需要对晶体表面进行处理，以去除表面杂质和缺陷，并提高其结晶质量。
这个过程称为表面准备。
表面准备的方法包括机械抛光、化学腐蚀、离子注入等。
五、生长过程在外延生长的过程中，先将衬底放置于反应室中，然后向反应室中送入所需气体，通过加热或辅助电场等手段使气体分解并在衬底表面上沉积出晶体。
沉积物的厚度和形貌可以通过控制反应条件（例如温度、压力、气体流量等）来调节。
六、外延生长的基本原理外延生长的基本原理是晶体生长原理。
当气相中存在足够多的原子或分子时，它们会在晶体表面吸附并形成临界核心。
随着吸附原子或分子数量的增加，临界核心逐渐扩大并形成一个新的晶体层。
这个过程可以持续进行直到达到所需厚度。
七、结论综上所述，外延生长是一种重要的制备薄膜和纳米结构的方法，其基本原理是晶体生长原理。
在进行外延生长前需要选择合适的衬底和进行表面处理。
通过控制反应条件可以调节沉积物的厚度和形貌。
半导体外延技术基本原理
半导体外延技术：突破新时代的先驱半导体外延技术是指在一种晶体基底上通过生长的方法，制备出具有其他晶体结构和组分的薄膜。
它作为现代电子技术中的一个重要分支，极大地拓展了半导体材料的种类和应用领域，成为推动信息产业快速发展的关键支撑技术之一。
本文将从外延生长的基本原理、外延材料的种类及其特点、外延膜的表征方法等方面进行介绍。
一、外延生长的基本原理外延生长的基本原理是将原材料在晶体生长介质表面上沉积并由此形成新晶体的生长过程。
晶体生长方式有三种，即气相、液相及固相生长。
气相生长是将气体混合物通过催化剂作用，沉积在晶体基底上，形成一层新晶体。
液相生长是将置于基底上的生长介质在高温或压力下熔融，然后逐渐冷却，从而得到一片新的晶体。
固相生长是将硫酸铜等物质溶解在水溶液中，通过浸没样品逐渐形成靠近基底的新片晶体。
其中，气相生长被广泛应用在半导体外延技术中。
二、外延材料的种类及其特点不同外延材料的选用对外延生长膜的性质、品质及功效有着直接的影响。
外延材料可以分为硅、砷化镓、氮化镓等几类。
其中，硅的单晶在电子学器件中应用较广泛，它具有良好的稳定性、结构简单、制备工艺成熟等特点。
砷化镓和氮化镓则因其大的能隙、高速度、较小的噪声系数和较好的高电子迁移率而被广泛应用于微波等高频电子器件。
此外，氮化镓还因具有优越的光电特性，被广泛应用于LED、LD 等光电领域。
三、外延膜的表征方法外延生长的薄膜在应用过程中需要对其各种性能进行表征。
常用的表征方法有XRD衍射技术、AFM原子力显微成像技术、SEM扫描电镜技术、SIMS静电质谱技术等。
其中，XRD衍射技术可以清晰地表征薄膜的颗粒尺寸、结晶度、拓扑结构等信息；AFM原子力显微成像技术则可以清晰地观察薄膜表面形貌，确定其光学和机械性能；SEM扫描电镜技术则可以对薄膜的表面形貌、粗糙度、微观孔洞、表面缺陷等进行表征。
总之，半导体外延技术具有重要的发展意义和应用价值，通过对其基本原理、外延材料的种类及其特点、外延膜的表征方法等方面进行深入了解，有助于更好地推动半导体外延技术的发展。
纳米薄膜的外延生长
外延生长的纳米薄膜具有晶体质量高 、完整性好、界面清晰、晶体取向一 致等优点，广泛应用于电子、光学、 磁学等领域。
历史与发展
早期发展
当前进展
20世纪60年代，人们开始研究外延生 长技术，主要应用于半导体材料的外 延生长。
目前，纳米薄膜外延生长技术已经广 泛应用于各种材料体系，如半导体材 料、氧化物材料、铁电材料等。
光学滤镜和反射镜
通过外延生长不同折射率的薄膜， 可以制作出高性能的光学滤镜和 反射镜，应用于光学仪器、摄影 等领域。
在生物医学中的应用
生物传感器
利用外延生长的纳米薄膜可以制作出高灵敏度和选择性的生物传 感器，用于检测生物分子、细胞和微生物等。
药物输送
通过外延生长技术将药物分子嵌入纳米薄膜中，可以实现药物的 精准输送和治疗。
基底材料的表面粗糙度和清洁度会影响薄膜的附 着力和均匀性。
基底材料的导热性能和热膨胀系数对生长温度和 薄膜质量有影响。
生长温度的影响
1
生长温度是影响纳米薄膜外延生长的关键因素之 一。
2
温度的高低直接影响到原子或分子的运动速度和 扩散能力，从而影响薄膜的生长速率和晶体结构。
3
在适宜的温度范围内，提高生长温度可以促进原 子或分子的扩散和迁移，有利于薄膜的生长。
探索纳米薄膜在新能源、生物医学、环境治理等新兴领域的应用， 开发具有市场潜力的新产品。
跨学科合作
加强与其他学科领域的合作，推动纳米薄膜在交叉学科中的应用研 究，拓展应用领域。
国际化合作与交流
加强国际合作与交流，引进先进技术和管理经验，提高纳米薄膜外 延生长的国际竞争力。
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成核
在原子吸附的基础上，通过扩散和迁移，原子聚集形成晶核，进而发展成为完 整的晶体结构。
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MOCVD设备 Thomas Swan的设备外型
MBE
分子束外延（MBE）是70年代在真空蒸发的基础上迅速发展起来 的制备极薄单晶层和多层单晶层薄膜的新技术。其基本原理是在超高真 空系统中（真空度优于10-11Pa，分子平均自由程可达1m）将组成化合 物的元素材料分别装入喷射炉内，对面喷射炉相隔一定距离放置衬底 （加热到600-700℃）。从喷射炉喷出的热分子或热原子束射到衬底表 面并延表面移动，与表面发生反应生长成单晶薄膜。
瞬态法共有：平衡冷却法，分步冷却法，过冷法和两相溶液法四种
1）平衡冷却法 当温度达到T1时，溶液刚好饱和，使衬底与溶液接触，即在接触瞬间
两种处于平衡状态。然后以恒定的降温速率，一边冷却，一边生长（本方 法对应于过冷度ΔT=0，降温速率α≠0）。 2）分步冷却法
这种工艺首先使溶液在温度T1下饱和，将衬底与溶液接触，并迅速冷却 到Tg（不能出现自发结晶），此后保持Tg不变进行生长直至结束。 3）过冷法
LED制造系列之---外延生长
外延生长的定义与种类
定义：外延生长就是指在某种起始单晶（衬底）上生长 具有相同或接近的结晶学取向的薄层单晶的过程
1. 液相外延（LPE） 2. 金属有机化学汽相沉积（MOCVD） 3. 分子束外延（MBE） 4. 化学分子束外延（CBE）
液相外延（LPE）
液相外延是指在某种饱和或过饱和溶液中在单晶衬底 上定向生长单晶薄膜的方法。生长的单晶薄膜可以与衬底 的晶向相同，也可以相对于衬底表面的晶向具有另一种特 定的晶格取向。液相外延时，首先在较高温度下把加有溶 质的溶剂溶解成溶液，当冷却到较低温度时，溶液就变成 过饱和状态。当衬底与这种溶液接触并逐渐降温时，溶质 就将从溶剂里析出，在衬底上延伸出新的单晶层，生长层 的组分（包括掺杂）由相图来决定。
微细加工技术06外延生长
第六章 外延生长（epitaxy growth）§6.1引言6.1.1外延生长外延生长实质上是一种材料科学的薄膜加工方法，其含义是：在一个单晶的衬底上，定向地生长出与基底晶态结构相同或类似的晶态薄层。
外延生长过程中，一般要求能控制生长的结晶取向和杂质的含量，是产生具有特殊物理性质的半导体薄膜层的重要方法。
在硅IC集成技术中，与扩散方法相比，它不需很长的扩散时间，还能产生均匀的掺杂层。
在GaAs等新IC和集成光学技术中，它更是产生特殊的纳米厚度多层结构，包括异质结、超晶格、量子阱等的重要手段。
下图为外延生长技术制备的单量子阱和多量子阱激光器的结构原理图例。
图6.1 外延技术形成的单量子阱和多单量子阱结构根据外延生长物质的来源，外延分汽相外延与液相外延两种。
在微电子与光电子技术中，以汽相外延为主。
又可根据汽相外延过程的性质，分为以物理过程为主的（典型例子是分子束外延－MBE ），和以基于化学反应过程的化学汽相外延（典型例子是金属有机物化学汽相外延生长－MOVPE ）。
现代的外延生长主要是汽相生长。
在汽相外延生长过程中，汽相原子的凝结（淀积）与蒸发是相逆的两个环节。
沉积到固体表面的原子经历的不是一个简单的过程。
它可能被固体表面粘附、沿表面扩散和迁移，还可能从固体表面再蒸发出去。
如果一个原子入射到表面，并且没有足够的、向外运动的动量，它就停留在表面上，称为粘附。
否则，这个原子具有足够的能量和向外运动的动量，则发生再蒸发。
粘附的原子可能再蒸发，其间有一个停留时间。
在此时间范围，它可能迁徙运动到合适的晶格位置，自由粘附的原子才对薄膜的生长做出贡献。
粘附原子数目与入射原子的数目比值，称为粘附系数。
在温度高于某个临界的温度，或基片表面前汽相原子的密度低于某个临界值时，以再蒸发为主，就不可能淀积成膜。
临界温度和临界密度的关系是：()224.710exp 2800/c c n T =×−基片的温度低于临界温度，或蒸汽密度高于临界密度时，以凝结为主，但一般也不是100％凝结，有一个小于1的凝结（粘附）系数α。
外延生长
外延生长百科名片在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。
目录简介原理外延生长过程外延层质量检测外延工艺进展编辑本段简介外延生长技术发展于50年代末60年代初。
当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又外延生长要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。
外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。
外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术（见隔离技术）和大规模集成电路中改善材料质量方面。
编辑本段原理图一生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺。
图1为硅(Si)气相外延的装置原理图。
氢(H2)气携带四氯化硅(SiCl4)或三氯氢硅(SiHCl3)、硅烷(SiH4)或二氯氢硅(SiH2Cl2)等进入置有硅衬底的反应室，在反应室进行高温化学反应，使含硅反应气体还原或热分解，所产生的硅原子在衬底硅表面上外延生长。
其主要化学反应式为（图一），硅片外延生长时，常需要控制掺杂，以保证控制电阻率。
N型外延层所用的掺杂剂一般为磷烷(PH3)或三氯化磷(PCl3);P型的为乙硼烷(B2H6)或三氯化硼(BCl3)等。
编辑本段外延生长过程气相外延生长常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中。
此外，也有采用红外辐照加热的。
为了制备优质的外延层，必须保证原料的纯度。
对于硅外延生长，氢气必须用钯管或分子筛等加以净化,使露点在-7℃以下，还要有严密的系统，因微量水汽或氧的泄漏会产生有害的影响；为获得平整的表面，衬底必须严格抛光并防止表面有颗粒或化学物质的沾污；在外延生长前，反应管内在高温下用干燥氯化氢、溴或溴化氢进行原位抛光，以减少层错缺陷;为减少位错须避免衬底边缘损伤、热应力冲击等;为得到重复均匀的厚度和掺杂浓度分布，还须控制温度分布和选择合适的气流模型。
外延生长的基本原理与应用领域
外延生长的基本原理与应用领域外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和SiC，Si）上，气态物质In,Ga,Al,P有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。
MOCVD金属有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition，简称 MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。
该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。
日亚化工（株）日亚化工是GaN系的开拓者，在LED和激光领域居世界首位。
在蓝色、白色LED市场遥遥领先于其他同类企业。
它以蓝色LED的开发而闻名于全球，与此同时，它又是以荧光粉为主要产品的规模最大的精细化工厂商。
它的荧光粉生产在日本国内市场占据70％的比例，在全球则占据36％的市场份额。
荧光粉除了灯具专用的以外，还有CRT 专用、PDP专用、X光专用等类型，这成为日亚化工扩大LED事业的坚实基础。
除此以外，日亚化工还生产磁性材料、电池材料以及薄膜材料等精细化工制品，广泛地涉足于光的各个领域。
在该公司LED的生产当中，70％是白色LED，主要有单色芯片型和RGB三色型两大类型。
此外，该公司是世界上唯一一家可以同时量产蓝色LED和紫外线LED两种产品的厂商。
以此为基础，日亚化工不断开发出新产品，特别是在SMD（表面封装）型的高能LED方面，新品层出不穷。
2004年10月，日亚化工开发出了发光效率为50lm/W的高能白色LED。
该产品成功地将之前量产产品约20lm/W的发光效率提高了2.5倍。
半导体材料第讲外延
CVD具有生长速度快、成膜均匀 、适用范围广等优点，是半导体 外延生长中常用的方法之一。
物理气相沉积（PVD）原理
物理气相沉积是一种利用物理过程将气态物质转化为固态薄膜的过程。 在半导体外延生长中，PVD通过控制物理过程，如真空蒸发、溅射等， 使所需的半导体材料在已有的衬底上生长。
PVD生长过程中，通常将衬底置于真空腔室内，通过加热或使用高能粒 子束将源材料蒸发或溅射成原子或分子状态，然后在衬底表面沉积形成
绿色化
发展环保型外延生长技术和低能耗设 备，降低外延材料制备过程中的环境 污染和能源消耗。
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通信领域
外延生长技术在通信领域中主要 用于制造高速光电子器件、激光 器、探测器等，如光纤通信中的
光放大器、光调制器等。
电力电子领域
外延生长技术在电力电子领域中主 要用于制造高效能功率器件，如电 力电子系统中的开关管、整流器等 。
传感器领域
外延生长技术在传感器领域中主要 用于制造高灵敏度、高精度传感器 ，如气体传感器、湿度传感器等。
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外延生长的基本原理
化学气相沉积（CVD）原理
化学气相沉积是一种利用化学反 应将气态物质转化为固态薄膜的 过程。在半导体外延生长中， CVD通过控制化学反应的条件， 如温度、压力、气体流量等，使 所需的半导体材料在已有的衬底 上生长。
CVD生长过程中，通常将含有构 成薄膜元素的反应气体引入反应 腔室，在高温和低压条件下，反 应气体在衬底表面发生化学反应 ，形成固态薄膜。
纳米结构外延
利用纳米结构作为模板或种子， 在外延生长过程中控制晶体取向 和形貌，以提高外延材料的特殊
性能和应用价值。
外延生长技术的发展趋势
sic外延生长法
sic外延生长法
Sic外延生长法是一种方法，在硅基底材料上制备外延Sic层。
这种方法可以生长出高质量、大尺寸、单晶Sic层，而且可以在制备SiC功率器件时使用，有助于提高功率器件的可靠性和性能。
Sic外延生长法的原理是利用气相沉积技术，在高温和高压下将SiC晶粒从SiC粉末中溶解出来，经过携带气相(如SiH4、C3H8、H2等)的运输，在Si衬底表面沉积形成Sic层。
这个过程需要严密控制生长条件，并在高温下使晶体结构得到优化，以获得高质量、低缺陷的Sic外延层。
Sic外延生长法的优点是可以制备大尺寸的Sic层(直径最大可达4英寸)，生长过程对材料的污染小、成本低，而且可以进行堆叠生长，形成多层结构。
此外，这种方法还可以控制Sic层的厚度、掺杂和晶体结构，以适应不同的应用需求。
Sic外延生长法在制备Sic功率器件中具有重要应用。
可以使用这种方法将Sic层生长在Si衬底上，形成SiC-Si-SiC结构，用于制备高压、高温、高频率的Sic功率器件，如功率MOSFET、整流器、P-N结二极管、Bipolar Transistor等。
与传统的Si功率器件相比，这些Sic功率器件具有更低的漏电流、更高的开关速度、更高的耐压能力和更高
的工作温度，可广泛应用于电力电子、电动车、航空航天等领域。
总之，Sic外延生长法是一种重要的材料生长技术，在Sic功率器件的制备和应用中具有重要作用。
它可以生长高质量、大尺寸、低缺陷的Sic层，具有优异的电学和力学性能，适用于各种高端领域的应用。
范德华外延生长的定义
范德华外延生长的定义范德华外延生长，是指范德华力学中一种特殊的生长方式，它在机械应力的作用下，在晶体的表面或界面上发生生长。
范德华外延生长在材料科学和纳米技术领域具有广泛的应用和重要的意义。
范德华外延生长可以通过控制晶体表面的结构和晶格匹配来实现。
晶体表面的结构和晶格匹配与晶体的生长方向有关，通过调整晶体表面的结构和晶格匹配，可以实现范德华外延生长的控制和优化。
范德华外延生长的基本原理是利用晶格的相互作用力来促使晶体在特定方向上生长。
这种生长方式可以在原子级别上实现晶格的延伸和扩展，从而形成具有特定结构和性质的纳米材料。
范德华外延生长的应用非常广泛。
在纳米技术领域，范德华外延生长可以用于制备纳米线、纳米棒、纳米管等纳米结构材料。
这些纳米结构材料具有独特的电子、光学和力学性质，被广泛应用于纳米电子器件、光电器件、传感器等领域。
此外，范德华外延生长还可以用于制备超薄膜、多层膜和异质结构材料，这些材料在光电子学、半导体器件和能源存储等领域具有重要的应用价值。
范德华外延生长的实现需要精确的控制和优化。
首先，需要选择合适的基底材料，以实现晶格匹配和生长方向的控制。
其次，需要控制生长温度、气氛和生长速率等参数，以获得理想的生长结果。
最后，需要使用表征技术对生长的纳米材料进行结构和性质的表征，以验证生长的质量和一致性。
为了进一步提高范德华外延生长的控制性和可扩展性，需要深入研究范德华力学和生长动力学等基础理论，并结合计算模拟和实验方法进行研究。
范德华外延生长作为一种重要的纳米制备技术，在材料科学和纳米技术领域具有广阔的发展前景。
通过精确控制和优化范德华外延生长过程，可以实现纳米结构材料的制备和性能调控，为纳米器件和纳米技术的发展提供有力支持。
此外，范德华外延生长还可以与其他纳米制备技术相结合，实现多种纳米结构的组合和集成，进一步拓展纳米材料的应用领域。
范德华外延生长是一种重要的纳米制备技术，具有广泛的应用和重要的意义。
外延生长工艺原理10
在一定的淀积温度 在一定的淀积温度下，晶格缺陷又随生长速率的增加而增 淀积温度下，晶格缺陷又随生长速率的增加而增 多
外延技术用于MOS器件集成化可显著提高电路的速 外延技术用于MOS器件集成化可显著提高电路的速 度
提高电阻率可以提高载流子的迁移率，从而增大了 MOS电路的充放电电流，缩短了充放电时间，提高工作速 MOS电路的充放电电流，缩短了充放电时间，提高工作速 度。 减小MOS器件的电容效应，高电阻率的外延层使器件的 减小MOS器件的电容效应，高电阻率的外延层使器件的 寄生电容，扩散电容均减小，缩短了充放电时间。
外延生长工艺原理
外延生长：在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，单晶取向 值取决于源衬底的结晶晶向。 同质外延 异质外延 外延结 扩散结 外延形成的PN结不是通过杂质补偿形成的，接近于理想的 外延形成的PN结不是通过杂质补偿形成的，接近于理想的 突变结 当衬底与外延层具有相同材料
外延层的优点
可以获得理想高质量的硅材料
可以解决CMOS集成电路的闭锁效应 可以解决CMOS集成电路的闭锁效应
CMOS闭锁效应 CMOS闭锁效应
CMOS倒相器中的寄生元器件结构
外延方法
物理气相外延 蒸发 溅射 ，化学气相外延 化学反应来激活或强化生长的过程 液相外延 金属有机CVD 金属有机CVD 淀积金属以及氧化物的多晶或无定型膜 分子束外延 淀积GaAs异质外延层 淀积GaAs异质外延层 通过
在单晶材料加工过程中，不可避免地引入严重的表面 机械损伤及表面自吸附足够多的பைடு நூலகம்质，虽然经历了切割， 研磨和抛光，也许能达到很好的光洁度和平整度，但是也 存在肉眼看不见的缺陷。
可以解决击穿电压和集电区串联电阻之间的矛盾
外延晶层制备技术的灵活性由利于提高IC集成度 外延晶层制备技术的灵活性由利于提高IC集成度 实现隔离技术：由于在进行隔离墙扩散时，横向扩散与 纵向扩散的距离几乎相等，如果外延层较厚，相应的增加 了横向扩散的距离，降低了集成度。 有利于提高少子寿命，降低IC存储单元的漏电流 有利于提高少子寿命，降低IC存储单元的漏电流 集成电路的有源区在高温的条件下常会诱生处大量的热缺 陷和微缺陷 ，这些缺陷加速了金属杂质的扩散，杂质与 微缺陷相互作用，导致漏电流增大，发生低击穿现象，功 耗增大，成品率降低。
第五章硅外延生长
5-5硅的异质外延
• 在蓝宝石、尖晶石衬底上进行硅的SOS外延生长 和在绝缘衬底上进行硅的SOI异质外延。 • SOS :Silicon on Sapphire Silicon on Spinel 在单晶绝缘衬底蓝宝石（α－AI2O3）或尖晶石 (MgO. AI2O3)上外延生长硅 • SOI: Silicon on Insulator Semiconductor On insulator
• 星形线（滑移线）：
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5－4－2外延层的内部缺陷
• 层错
层错形貌分为单线，开口，正三角形，套叠三角形 和其他组态
• 位错
外延层中的位错主要是由于原衬底位错延伸引入的 另外可能是由于掺杂和异质外延时，由于异类原 子半径的差异或两种材料晶格参数差异引入内应力。 例如在Si中掺B,P,它们的半径比Si小，它们占据硅的位 置时，Si的点阵会发生收缩；当掺入AL,Sb等比Si半 径大的原子时，Si点阵会发生扩张。也就是产生晶格 点阵的失配。
气相外延、液相外延、固相外延、
对于硅外延，应用最广泛的是气相外延
以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反应气体, 在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在 加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等
5
6
5.2硅Байду номын сангаас气相外延
5－2－1硅外延生长用的原料
对外延片的质量要求：电阻率及其均匀性、厚
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2.SOS外延生长
• 存在问题：自掺杂效应 衬底表面的反应：AL2O3+2HCL+H2=2ALCL↑+3H2O
铝的低价氯化物为气体，它使衬底被腐蚀，导致外延层产 生缺陷。 氢气和淀积的硅也会腐蚀衬底
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外延生长原理概述
1. 引言
外延生长原理是材料科学与工程领域一个重要的概念，它在材料的生
长和形态控制方面起着关键作用。
本文将对外延生长原理进行概述，
从基本原理到应用案例，以帮助读者更全面、深刻地理解这个概念。
2. 外延生长原理的基本概念
外延生长是指在固体表面上沉积出与基底晶体结构相同的新晶体层的
过程。
这种生长方式通常需要在高温条件下进行，通过在基底表面提
供适当的气氛和材料源，使新晶体层的原子能够以正确的方式沉积在
基底上。
外延生长可以实现单晶材料的制备，并且具有高结晶质量和
较低的缺陷密度。
3. 外延生长的关键影响因素
外延生长的过程受到多种因素的影响。
其中，温度、气氛、材料源和
基底表面的结构是影响外延生长质量和形态控制的关键因素。
适当的
温度控制可以提供足够的能量使原子沉积，同时避免过快或过慢的生长。
气氛和材料源的组成和流量可以调节原子的供应和表面反应速率，从而影响沉积速度和杂质控制。
基底表面的结构和取向对晶体生长的
方向和取向有重要影响。
4. 外延生长的应用案例
外延生长在半导体器件和光电子器件制造中具有广泛的应用。
外延生长被用于制备各种半导体材料如硅、镓化合物和氮化物等的薄膜和异质结构。
通过控制外延生长的条件和参数，可以实现不同的材料和结构，从而满足不同器件的需求。
外延生长还用于制备纳米材料、量子结构和超晶格等功能材料，以及太阳能电池、激光器和传感器等光电子器件。
5. 总结和回顾
外延生长是一种重要的材料生长技术，具有广泛的应用前景。
本文概述了外延生长原理的基本概念、关键影响因素和应用案例。
通过深入探讨这些方面，我希望读者能够更全面、深刻地理解外延生长原理，并认识到它在材料科学与工程中的重要性和潜力。
意见和观点：外延生长技术作为一种重要的材料制备技术，在现代科技发展中发挥着关键的作用。
通过外延生长，可以获得高质量和精密控制的薄膜和异质结构，为各种器件的制备和性能提升提供了重要手段。
随着新材料的不断涌现和对功能材料的需求增加，外延生长技术将继续发展壮大，并为科学研究和技术创新提供更广阔的空间。
外延生长技术在当今的材料科学和工程领域中扮演着重要的角色，并拥有广泛的应用前景。
通过控制外延生长的条件和参数，不仅可以制备各种半导体材料的薄膜和异质结构，还可以制备纳米材料、量子结构和超晶格等功能材料，以及应用于太阳能电池、激光器和传感器等光电
子器件。
外延生长技术的发展离不开基本原理的深入研究和关键影响因素的认识。
其中，外延生长的基本概念是指在晶体表面上以晶格匹配的方式
生长出新的晶相，在外延片上得到高质量的材料。
外延生长的关键影
响因素包括温度、压力、气氛和衬底的表面结构等。
通过控制这些因素，可以实现对材料生长过程中的结构和性质的精确调控。
通过外延生长技术制备的薄膜和异质结构在各种器件中具有重要应用。
在光电子器件中，我们可以利用外延生长技术制备出高质量的半导体
材料薄膜，用于制造太阳能电池和激光器等。
而在纳米材料和量子结
构中，外延生长技术可用于制备各种尺寸和结构的纳米颗粒和量子点，用于制备具有特殊光电性质的功能材料。
除了在材料制备方面的应用，外延生长技术在科学研究中也发挥着重
要作用。
通过外延生长技术，研究人员可以制备出高质量和精密控制
的材料样品，用于研究材料的结构和性质。
外延生长技术也为新材料
的发现和研究提供了平台和手段。
在整个外延生长技术的发展过程中，仍然存在一些挑战和待解决的问题。
如何更好地控制外延生长过程中的晶体缺陷和界面缺陷，以提高
材料的质量和性能。
另外，在制备过程中，如何实现更大尺寸和更高
均匀性的材料生长也是一个需要解决的问题。
外延生长技术作为一种重要的材料制备技术，具有广泛的应用前景。
通过深入研究外延生长的基本原理和关键影响因素，可以实现对材料
结构和性质的精确控制。
随着新材料的涌现和对功能材料的需求增加，外延生长技术将继续发展，并为科学研究和技术创新提供更广阔的空间。
在未来，我们可以期待更多新材料和器件的涌现，将外延生长技
术的应用推向新的高度。