芯片基础工艺库的命名规则-概述说明以及解释

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芯片命名规则

IC命名规则是每个芯片解密从业人员应当了解和掌握的IC基础知识，一下详细地列出了IC 命名规则，希望对你的芯片解密工作有所帮助。

一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分：◆.前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品◆.器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）◆.温度等级-----区分商业级，工业级，军级等◆.封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容：◆.速率-----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示◆.工艺结构----如通用数字IC有COMS和TTL两种，常用字母C，T来表示◆.是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环抱，如Z，R，+等◆.包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等◆.版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本◆.该产品的状态举例：EP 2C70 A F324 C 7 ES ：EP-altera公司的产品；2C70-CYCLONE2系列的FPGA；A-特定电气性能；F324-324pin FBGA封装；C-民用级产品；7-速率等级；ES-工程样品MAX 232 A C P E + ：MAX-maxim公司产品；232-接口IC；A-A档；C-民用级；P-塑封两列直插；E-16脚；+表示无铅产品详细的型号解说请到相应公司网站查阅。

IC命名和封装常识IC产品的命名规则：大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。

但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。

芯片命名规则

芯片命名规则一、分立器件（除三扩系列）及集成电路芯片命名方式X X 表示必须表示可选(10)(9)(8)(7)(6)(5)(4)(3)(2)(1)(1) 1位大写英文字母，表示晶圆尺寸。

W 表示5吋晶圆；S 表示6吋晶圆；E 表示8吋晶圆。

(2) 1位数字或大写英文字母，表示芯片种类。

1表示二极管；2表示三极管、MOS 管；3表示可控硅；B 代表双极型集成电路；C 代表MOS 型集成电路；M 代表混合型集成电路等。

(3) 1位大写英文字母，表示产品版权。

X 代表新顺公司自主开发产品；其余代表客户定制产品。

(4) 1位大写英文字母，表示系列代码三极管系列：N 表示NPN 双极型晶体管、P 表示PNP 双极型晶体管、D 表示达林顿管；二极管系列：A 表示阻尼二极管、K 表示开关二级管/快恢复二极管、T 表示TVS 二极管、S 表示平面结构肖特基二极管、Z 表示整流二极管、V 表示沟槽结构肖特基二极管；W 表示稳压二极管；可控硅系列：R 表示可控硅；MOS 结构系列：M 表示VDMOS 管、B 表示超势垒MOS 结构二极管（SBR ）；集成电路系列：表示不同版图结构，A 、B 、C 、D 、……依次区分。

(5) 4位数字，表示管芯尺寸。

管芯为正方形时，采用边长表示管芯尺寸；管芯为长方形时，用面积的平方根表示管芯尺寸。

其中末位数字为0、5表示正方形，其余表示长方形。

① 边长或面积的平方根<10mm ，管芯尺寸为xxxx ×1μm ，精确到1μm 。

如：0.215mm 表示为0215、1.5mm 表示为1500；② 边长或面积的平方根>10mm ，管芯尺寸为xxxx ×10μm ，精确到10μm ，首位用大写英文字母代替。

如：10.55mm表示为A055、31.6mm表示为C160。

(6) 1位大写英文字母，表示系列特征。

NPN/PNP双极型晶体管：B表示小信号放大普通三极管、K表示开关三极管、G表示GR结构三极管、F表示高频三极管、W表示音响管（包括中功率管）；达林顿管：N表示N型外延材料、P表示P型外延材料、T表示N型三扩材料；阻尼二极管：N表示N型材料、P表示P型材料开关/快恢复二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；TVS二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；平面结构肖特基二极管：代表不同金属势垒；沟槽结构肖特基二极管（TMBS）：代表不同金属势垒；MOS结构系列：：N表示N沟道、P表示P沟道；稳压二极管：N、E、W等表示测试电流代码；整流二极管：N表示N型材料、P表示P型材料；集成电路系列：N表示采用N型材料、P表示采用P型材料。

xilinx芯片命名规则

xilinx芯片命名规则Xilinx芯片命名规则是一种重要的标准，用于定义Xilinx芯片的名称和功能。

Xilinx公司是全球领先的可编程逻辑器件和软件解决方案供应商，其芯片的命名规则非常重要，因为它们涉及到了芯片的功能、性能和适用范围等方面。

以下是Xilinx芯片命名规则的详细信息：1.芯片名称：Xilinx芯片的名称由三部分组成，即系列、型号和封装。

系列指代芯片的应用领域，如“Virtex”系列适用于高性能计算，而“Artix”系列适用于低成本应用。

型号表示芯片的性能和功能，如“Virtex-7”表示第七代Virtex系列芯片，而“Artix-7”表示第七代Artix系列芯片。

封装表示芯片的封装方式，如“FGG484”表示芯片采用484球BGA封装。

2.芯片等级：Xilinx芯片的等级通常表示其性能和功能的级别。

例如，“UltraScale”表示超高性能级别，而“Spartan”表示中等性能级别。

3.寄存器数量：Xilinx芯片的名称通常还包括其内部寄存器的数量。

例如，“Virtex-6 LX240T”表示Virtex-6系列芯片，内部有240,000个逻辑单元和1,728个存储器块。

4.逻辑单元数量：Xilinx芯片的名称通常还包括其内部逻辑单元的数量。

例如，“Kintex-7 K325T”表示Kintex-7系列芯片，内部有325,000个逻辑单元。

5.速度等级：Xilinx芯片的名称通常也包括其工作速度等级。

例如，“Spartan-6 LX75”表示工作速度为75MHz的Spartan-6系列芯片。

以上是Xilinx芯片命名规则的详细信息。

芯片名称的规范化可以使人们更方便地辨认和选择芯片，同时也有助于推动芯片的开发和应用。

逻辑芯片命名规则

逻辑芯片命名规则引言：在数字电子技术中，逻辑芯片是一种用于实现逻辑功能的集成电路。

为了方便识别和使用，逻辑芯片通常采用一定的命名规则。

本文将介绍逻辑芯片命名规则的一些常见要点和规范。

一、类型标识：逻辑芯片的命名通常以字母开头，表示其类型。

常见的类型标识有：1. TTL：表示采用晶体管-晶体管逻辑(TTL)技术实现的芯片。

2. CMOS：表示采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术实现的芯片。

3. FPGA：表示采用现场可编程门阵列(FPGA)技术实现的芯片。

4. ASIC：表示采用专用集成电路(ASIC)技术实现的芯片。

5. PLA：表示采用可编程逻辑阵列(PLA)技术实现的芯片。

二、功能描述：逻辑芯片的命名通常包含对其功能的描述。

常见的功能描述有：1. AND：表示与门功能。

2. OR：表示或门功能。

3. NOT：表示非门功能。

4. XOR：表示异或门功能。

5. NAND：表示与非门功能。

6. NOR：表示或非门功能。

7. XNOR：表示同或门功能。

8. MUX：表示多路选择器功能。

9. DFF：表示触发器功能。

三、位宽标识：逻辑芯片的命名通常包含对其输入输出位宽的标识。

常见的位宽标识有：1. 2：表示2位宽。

2. 4：表示4位宽。

3. 8：表示8位宽。

4. 16：表示16位宽。

5. 32：表示32位宽。

6. 64：表示64位宽。

四、系列编号：逻辑芯片的命名通常还包含一个系列编号，用于区分不同版本或不同型号的芯片。

常见的系列编号有：1. 74：表示74系列逻辑芯片，是最早的逻辑芯片之一。

2. 4000：表示4000系列逻辑芯片，是CMOS技术实现的逻辑芯片。

五、举例说明：下面举例说明一些常见的逻辑芯片命名：1. TTL 74LS00：表示采用TTL技术实现的2输入四与非门芯片。

2. CMOS 74HC04：表示采用CMOS技术实现的6反相器芯片。

3. FPGA XC6SLX9：表示采用FPGA技术实现的9,152逻辑单元芯片。

微芯命名规则

微芯命名规则微芯命名规则是指在微芯片设计和制造过程中，为芯片及其组件、功能单元、接口等命名所遵循的一套规则和原则。

它的主要目的是确保芯片设计的准确性、一致性和可读性，方便工程师进行开发、测试和维护工作。

本文将从命名规则的基本原则、常用命名规则和命名规则的应用等方面进行介绍。

一、命名规则的基本原则微芯命名规则的基本原则包括准确性、一致性、可读性和可管理性。

首先，命名应准确地表达出芯片或组件的功能、属性和特征，避免产生歧义。

其次，命名应一致性，即相同的功能或属性应使用相同的命名方式，方便工程师进行代码编写和调试工作。

第三，命名应具备良好的可读性，即命名应简洁明了，便于理解和记忆。

最后，命名应具备可管理性，即命名应符合一定的命名规则和规范，方便工程师进行维护和管理。

二、常用命名规则微芯命名规则常用的命名方式包括驼峰命名法、下划线命名法和首字母缩写命名法。

其中，驼峰命名法是指将每个单词的首字母大写，并去掉空格或下划线；下划线命名法是指使用下划线分隔单词；首字母缩写命名法是指使用单词的首字母来表示该单词。

在芯片设计中，常用的命名规则包括模块命名、信号命名和接口命名。

模块命名通常使用驼峰命名法，以清晰表达模块的功能和特征；信号命名通常使用下划线命名法，以便于区分不同的信号；接口命名通常使用首字母缩写命名法，以简洁明了地表达接口的功能和类型。

三、命名规则的应用在实际的芯片设计和制造中，命名规则的应用非常重要。

首先，命名规则能够提高工程师的开发效率和代码的可读性。

合理的命名规则可以让工程师更容易理解代码的功能和结构，减少代码的错误和调试时间。

其次，命名规则能够提高团队协作的效率。

团队成员在遵循相同的命名规则下工作，可以更好地理解彼此的代码，减少沟通和合并代码时的困扰。

最后，命名规则能够提高代码的可维护性和可扩展性。

命名规则的一致性可以使代码更易于维护和修改，方便后续的功能扩展和优化。

总结起来，微芯命名规则是芯片设计和制造过程中的重要组成部分，它能够提高工程师的开发效率和代码的可读性，提高团队协作的效率，同时也提高了代码的可维护性和可扩展性。

逻辑芯片命名规则

逻辑芯片命名规则一、引言逻辑芯片是现代电子技术中的重要组成部分，其功能主要是处理和控制电子信号。

为了方便设计和生产，逻辑芯片需要被准确命名。

本文将介绍逻辑芯片的命名规则，并阐述其重要性和应遵守的原则。

二、命名规则概述逻辑芯片的命名规则是为了方便工程师在设计和使用过程中快速准确地识别芯片的功能和特性。

一般而言，逻辑芯片的命名由字母和数字组成，且具有一定的规律性。

下面将详细介绍逻辑芯片命名规则的具体要点。

1. 厂商标识逻辑芯片的命名通常以厂商标识字母开头，用于表示芯片的生产厂家。

不同厂家可根据自己的需求选择不同的字母或字母组合来作为标识，以便在市场中建立自己的品牌形象。

2. 功能标识逻辑芯片的命名中需要包含对芯片功能的描述。

通常使用字母或数字来表示不同的功能特性，以便用户能够迅速识别芯片适用的应用场景和功能需求。

3. 特性标识逻辑芯片的命名中还需要包含对芯片特性的描述。

这些特性可以是芯片的电压范围、时钟频率、功耗等信息，以便用户在选择和使用芯片时对其性能有更全面的了解。

4. 系列标识逻辑芯片通常会有不同的系列，用于满足不同的应用需求。

为了区分不同系列的芯片，命名中需要包含系列标识，以便用户能够快速选择适合自己需求的芯片。

5. 封装标识逻辑芯片的封装形式也是其命名中需要考虑的因素之一。

不同的封装形式对于芯片的使用和布局有着重要影响，因此需要在命名中包含封装标识，以便用户能够正确选择和使用芯片。

三、命名规则原则逻辑芯片的命名规则需要遵守一些原则，以确保命名的准确性和统一性。

1. 易于识别逻辑芯片的命名应当具有一定的辨识度，能够在众多产品中快速被识别出来。

因此，命名中的字母和数字应当具有一定的独特性，以避免与其他芯片造成混淆。

2. 规范统一逻辑芯片的命名应当遵循统一的规范，以确保不同芯片之间的命名风格一致。

这样可以减少用户在选择和使用芯片时的困惑，提高工3. 信息准确逻辑芯片的命名应当准确地反映芯片的功能和特性。

同名不同“心” CPU工艺、命名规则基础讲解

同名不同“心” CPU工艺、命名规则基础讲解延续命名规则，惹了祸添的乱处理器就像CPU厂商的孩子，都会给它取名字，如我们常听说的Intel Core i5 2300，Intel是公司名字，Core（酷睿）是处理器品牌，而i5说明CPU定位中端市场（i3定位低端，i7定位高端），而后面的2300就是我们第25期E9版提到的具体型号。

而大家可以举一反三的看看现在的Intel Core i3/i7，无论他们怎么变，基本上都是按照这个规矩取名字的，这就叫命名规则。

正因为如此，也就出现了都叫i5的两代处理器同时在市的情况。

好在，厂商在新CPU外壳标示上做出修改。

如图，第二排，Core i5后跟着四位阿拉伯数字“3450”。

根据我们上面讲到，这四个数字都是表示型号，而区分新旧CPU 的就是第一位，由以前的“2”变成了“3”。

小贴士：有时命名后面会带些字母，如“K”表示解锁版，就是不锁倍频的版本，便于超频，“S”是节能版，“T”是超低功耗版，更节能，而无字母的就是标准版。

目前常用见的Core i5有标准版和不锁频版本。

第二排i5后的“3450”是指产品型号，“3”是代表第三代i5 CPU，而“450”是产品级别的编号，基本遵守数字越大性能越强的规律新的i5更精密虽然都叫i5，但既然型号有改变，CPU内部必然有所改变。

而大家易搞混的新老两代i5处理器，最明显的改进就是采用22nm 3D晶体管技术。

22nm就是我们常听到的CPU工艺，这在Intel和AMD的基本参数中，我们常常会看到。

我们这样理解，修自行车和修手表是两种对工作精度要求不同的事情，你可以认为修自行车是粗活，而修手表是精细活。

而CPU工艺制程同理，我们可将CPU看成一块电路板，晶体管就如同电路板上“焊”的元件，而AMD、Intel就是要将这些“元件”按照他们的设计思路挨个排列。

我们第二十五期也看见了CPU的核心有多小，要在面积有限的情况下，容纳更多的“元件”，这工作得有多精细呀，所以就有了CPU工艺制程的说法。

IC芯片命名规则大全

IC芯片命名规则MAXIM 专有产品型号命名MAX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 61．前缀： MAXIM公司产品代号2．产品字母后缀：三字母后缀：C=温度范围； P=封装类型； E=管脚数四字母后缀：B=指标等级或附带功能； C=温度范围；P=封装类型； I=管脚数3．指标等级或附带功能：A表示5%的输出精度，E表示防静电4 ．温度范围：C= 0℃至70℃（商业级）I =-20℃至+85℃（工业级）E =-40℃至+85℃（扩展工业级）A = -40℃至+85℃（航空级）M =-55?至+125℃（军品级）5．封装形式:A SSOP(缩小外型封装) Q PLCCB CERQUAD R 窄体陶瓷双列直插封装C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) S 小外型封装D 陶瓷铜顶封装T TO5,TO-99,TO-100E 四分之一大的小外型封装 U TSSOP,μMAX,SOTF 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA W 宽体小外型封装（300mil）J CERDIP (陶瓷双列直插) X SC-70（3脚，5脚，6脚）K TO-3 塑料接脚栅格阵列 Y 窄体铜顶封装L LCC (无引线芯片承载封装) Z TO-92MQUADM MQFP (公制四方扁平封装) / D裸片N 窄体塑封双列直插 / PR增强型塑封P 塑料 / W 晶圆6．管脚数量：A:8 J:32 K:5，68 S:4，80B:10，64 L:40 T:6，160C:12，192 M:7，48 U:60D:14 N:18 V:8（圆形）E:16 O:42 W:10（圆形）F:22，256 P:20 X:36G:24 Q:2，100 Y:8（圆形）H:44 R:3，84 Z:10（圆形）I:28AD 常用产品型号命名单块和混合集成电路XX XX XX X X X1 2 3 4 51．前缀：AD模拟器件 HA 混合集成A/D HD 混合集成D/A 2．器件型号3．一般说明： A 第二代产品，DI 介质隔离，Z 工作于±12V4．温度范围/性能（按参数性能提高排列）：I、J、K、L、M 0℃至70℃A、B、C-25℃或-40℃至85℃S、T、U -55℃至125℃5．封装形式：D 陶瓷或金属密封双列直插R 微型“SQ”封装E 陶瓷无引线芯片载体RS 缩小的微型封装F 陶瓷扁平封装S 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列 ST 薄型四面引线扁平封装H 密封金属管帽 T TO-92型封装J J形引线陶瓷封装U 薄型微型封装M 陶瓷金属盖板双列直插 W 非密封的陶瓷/玻璃双列直插N 料有引线芯片载体Y 单列直插Q 陶瓷熔封双列直插Z 陶瓷有引线芯片载体P 塑料或环氧树脂密封双列直插高精度单块器件XXX XXXX BI E X /8831 2 3 4 5 61．器件分类： ADC A/D转换器 OP 运算放大器AMP 设备放大器PKD 峰值监测器BUF 缓冲器 PM PMI二次电源产品CMP 比较器 REF 电压比较器DAC D/A转换器 RPT PCM线重复器JAN Mil-M-38510 SMP 取样/保持放大器LIU 串行数据列接口单元SW 模拟开关MAT 配对晶体管SSM 声频产品MUX 多路调制器TMP 温度传感器2．器件型号3．老化选择4．电性等级5．封装形式：H 6腿TO-78 S 微型封装J 8腿TO-99 T 28腿陶瓷双列直插K 10腿TO-100 TC 20引出端无引线芯片载体P 环氧树脂B双列直插V 20腿陶瓷双列直插PC 塑料有引线芯片载体X 18腿陶瓷双列直插Q 16腿陶瓷双列直插 Y 14腿陶瓷双列直插R 20腿陶瓷双列直插 Z 8腿陶瓷双列直插RC 20引出端无引线芯片载体6．军品工艺ALTERA 产品型号命名XXX XXX X X XX X1 2 3 4 5 61．前缀： EP 典型器件EPC 组成的EPROM器件EPF FLEX 10K或FLFX 6000系列、FLFX 8000系列EPM MAX5000系列、MAX7000系列、MAX9000系列EPX 快闪逻辑器件2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插 Q 塑料四面引线扁平封装P 塑料双列直插R 功率四面引线扁平封装S 塑料微型封装 T 薄型J形引线芯片载体J 陶瓷J形引线芯片载体 W 陶瓷四面引线扁平封装L 塑料J形引线芯片载体 B 球阵列 4．温度范围： C ℃至70℃，I -40℃至85℃，M -55℃至125℃5．腿数6．速度ATMEL 产品型号命名AT XX X XX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀：ATMEL公司产品代号2．器件型号3．速度4．封装形式：A TQFP封装 P 塑料双列直插B 陶瓷钎焊双列直插Q 塑料四面引线扁平封装C 陶瓷熔封R 微型封装集成电路D 陶瓷双列直插S 微型封装集成电路F 扁平封装T 薄型微型封装集成电路G 陶瓷双列直插，一次可编程U 针阵列J 塑料J形引线芯片载体 V 自动焊接封装K 陶瓷J形引线芯片载体W 芯片L 无引线芯片载体 Y 陶瓷熔封M 陶瓷模块 Z 陶瓷多芯片模块N 无引线芯片载体，一次可编程5．温度范围： C 0℃至70℃， I -40℃至85℃， M -55℃至125℃6．工艺：空白标准/883 Mil-Std-883, 完全符合B级B Mil-Std-883，不符合B级BB 产品型号命名XXX XXX (X) X X X1 2 3 4 5 6DAC 87 X XXX X /883B4 7 81．前缀：ADC A/D转换器MPY 乘法器ADS 有采样/保持的A/D转换器OPA 运算放大器DAC D/A转换器 PCM 音频和数字信号处理的A/D和D/A转换器DIV 除法器 PGA 可编程控增益放大器INA 仪用放大器 SHC 采样/保持电路ISO 隔离放大器 SDM 系统数据模块MFC 多功能转换器 VFC V/F、F/V变换器MPC 多路转换器 XTR 信号调理器2．器件型号3．一般说明：A 改进参数性能 L 锁定Z + 12V电源工作 HT 宽温度范围4．温度范围：H、J、K、L 0℃至70℃A、B、C -25℃至85 ℃　R、S、T、V、W -55℃至125℃5．封装形式：L 陶瓷芯片载体 H 密封陶瓷双列直插M 密封金属管帽 G 普通陶瓷双列直插N 塑料芯片载体 U 微型封装P 塑封双列直插6．筛选等级： Q 高可靠性 QM 高可靠性，军用7．输入编码：CBI 互补二进制输入COB 互补余码补偿二进制输入CSB 互补直接二进制输入CTC 互补的两余码8．输出： V 电压输出 I 电流输出CYPRESS 产品型号命名XXX 7 C XXX XX X X X1 2 3 4 5 61．前缀： CY Cypress公司产品， CYM 模块， VIC VME总线2．器件型号：7C128 CMOS SRAM 7C245 PROM7C404 FIFO 7C9101 微处理器3．速度：A 塑料薄型四面引线扁平封装 V J形引线的微型封装B 塑料针阵列U 带窗口的陶瓷四面引线扁平封装D 陶瓷双列直插 W 带窗口的陶瓷双列直插F 扁平封装X 芯片G 针阵列 Y 陶瓷无引线芯片载体H 带窗口的密封无引线芯片载体 HD 密封双列直插J 塑料有引线芯片载体K 陶瓷熔封 HV 密封垂直双列直插L 无引线芯片载体 PF 塑料扁平单列直插P 塑料 PS 塑料单列直插Q 带窗口的无引线芯片载体 PZ 塑料引线交叉排列式双列直插R 带窗口的针阵列 E自动压焊卷S 微型封装IC T 带窗口的陶瓷熔封 N 塑料四面引线扁平封装5．温度范围：C 民用（0℃至70℃）I 工业用（-40℃至85℃）M 军谩（-55℃至125℃）6．工艺： B 高可靠性HITACHI 常用产品型号命名XX XXXXX X X1 2 3 41．前缀：HA 模拟电路 HB 存储器模块HD 数字电路 HL 光电器件（激光二极管/LED）HM 存储器（RAM） HR光电器件（光纤）HN 存储器（NVM）PF RF功率放大器HG 专用集成电路2．器件型号3．改进类型4．封装形式：P 塑料双列 PG 针阵列C 陶瓷双列直插 S 缩小的塑料双列直插CP 塑料有引线芯片载体 CG 玻璃密封的陶瓷无引线芯片载体FP 塑料扁平封装 G 陶瓷熔封双列直插SO 微型封装INTERSIL 产品型号命名XXX XXXX X X X X1 2 3 4 5 61．前缀： D 混合驱动器 G 混合多路FETICL 线性电路 ICM 钟表电路IH 混合/模拟门 IM 存储器AD 模拟器件 DG 模拟开关DGM 单片模拟开关 ICH 混合电路MM 高压开关 NE/SE SIC产品2．器件型号3．电性能选择4．温度范围：A -55℃至125℃，B -20℃至85℃，C 0℃至70℃ I -40℃至125℃，M -55℃至125℃5．封装形式：A TO-237型 L 无引线陶瓷芯片载体B 微型塑料扁平封装P 塑料双列直插C TO-220型 S TO-52型D 陶瓷双列直插T TO-5、TO-78、TO-99、TO-100型E TO-8微型封装 U TO-72、TO-18、TO-71型F 陶瓷扁平封装V TO-39型H TO- 66型 Z TO-92型I 16脚密封双列直插 /W 大圆片J 陶瓷双列直插/D 芯片K T O-3型 Q 2引线金属管帽6．管脚数：A 8，B 10，C 12，D 14，E 16，F 22，G 24，H 42， I 28， J 32， K 35， L 40， M 48， N 18，P 20， Q 2， R 3， S 4， T 6， U 7，V 8（引线间距0.2""，绝缘外壳）W 10（引线间距0.23""，绝缘外壳）Y 8（引线间距0.2""，4脚接外壳）Z 10（引线间距0.23""，5脚接外壳）NEC 常用产品型号命名μP X XXXX X1 2 3 41．前缀2．产品类型： A 混合元件 B 双极数字电路，C 双极模拟电路D 单极型数字电路3．器件型号：4．封装形式：A 金属壳类似TO-5型封装 J 塑封类似TO-92型B 陶瓷扁平封装 M 芯片载体C 塑封双列 V 立式的双列直插封装D 陶瓷双列 L 塑料芯片载体G 塑封扁平 K 陶瓷芯片载体H 塑封单列直插 E 陶瓷背的双列直插MICROCHIP 产品型号命名PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX1 2 3 4 561. 前缀: PIC MICROCHIP公司产品代号2. 器件型号（类型）：C CMOS电路 CR CMOS ROMLC 小功率CMOS电路LCS 小功率保护AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROMLV 低电压 F 快闪可编程存储器HC 高速CMOS FR FLEX ROM3．改进类型或选择4．速度标示：-55 55ns, -70 70ns, -90 90ns, -10 100ns, -12 120ns-15 150ns -17 170ns, -20 200ns, -25 250ns, -30 300ns晶体标示：LP 小功率晶体，RC 电阻电容，XT 标季/振荡器HS 高速晶体频率标示：-20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ-20 20MHZ，-25 25MHZ，-33 33MHZ5．温度范围：空白0℃至70℃，I -45℃至85℃， E -40℃至125℃6．封装形式：L PLCC封装JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口P 塑料双列直插PQ 塑料四面引线扁平封装W 大圆片SL 14腿微型封装-150milJN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207milSN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mmSO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mmSP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装ST 产品型号命名普通线性、逻辑器件MXXX XXXXX XX X X1 2 3 4 51．产品系列：74AC/ACT 先进CMOSHCF4XXX M74HC 高速CMOS2．序列号3．速度4．封装： BIR，BEY 陶瓷双列直插M，MIR 塑料微型封装5．温度普通存贮器件XX X XXXX X XX X XX1 2 3 4 5 6 71．系列：ET21 静态RAM ETL21 静态RAMETC27 EPROM MK41 快静态RAMMK45 双极端口FIFO MK48 静态RAMTS27 EPROM S28 EEPROMTS29 EEPROM2．技术：空白…NMOS C…CM OS L…小功率3．序列号4．封装：C 陶瓷双列 J 陶瓷双列N 塑料双列 Q UV窗口陶瓷熔封双列直插5．速度6．温度：空白0℃~70℃ E -25℃~70℃　V -40℃~85℃ M -55℃~125℃7．质量等级：空白标准B/B MIL-STD-883B B级存储器编号（U.V EPROM和一次可编程OTP）M XX X XXX X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 81．系列：27…EPROM 87…EPROM锁存2．类型：空白…NMOS，C…CMOS，V…小功率 3．容量：64…64K位（X8）256…256K位（X8）512…512K位（X8）1001…1M位（X8）101…1M位（X8）低电压1024…1M位（X8）2001…2M位（X8）201…2M位（X8）低电压4001…4M位（X8）401…4M位（X8）低电压4002…4M位（X16）801…4M位（X8）161…16M位（X8/16）可选择160…16M位（X8/16）4．改进等级5．电压范围：空白 5V +10%Vcc， X 5V +10%Vcc6．速度：55 55n，60 60ns，70 70ns，80 80ns90 90ns，100/10 100 n120/12 120 ns，150/15 150 ns200/20 200 ns，250/25 250 ns7．封装：F 陶瓷双列直插（窗口）L 无引线芯片载体（窗口）B 塑料双列直插C 塑料有引线芯片载体（标准）M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体（低电压）8．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃快闪EPROM的编号M XX X A B C X X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 01．电源2．类型： F 5V +10%， V 3.3V +0.3V3．容量： 1 1M， 2 2M， 3 3M，8 8M，16 16M4．擦除：0 大容量 1 顶部启动逻辑块2 启动逻辑块 4 扇区5．结构：0 ×8/×16可选择， 1 仅×8， 2 仅×166．改型：空白 A7．Vcc：空白 5V+10%Vcc X +5%Vcc8．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns，90 90ns100 100ns，120 120ns，150 150ns，200 200ns 9．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装，双列直插C/K 塑料有引线芯片载体 B/P 塑料双列直插10．温度：1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃仅为3V和仅为5V的快闪EPROM编号M XX X XXX X XXX X X1 2 3 4 5 6 7 1．器件系列： 29 快闪2．类型： F 5V单电源V 3.3单电源3．容量：100T （128K×8.64K×16）顶部块，100B （128K×8.64K×16）底部块200T （256K×8.64K×16）顶部块，200B （256K×8.64K×16）底部块 400T （512K×8.64K×16）顶部块，400B （512K×8.64K×16）底部块 040 （12K×8）扇区，080 （1M×8）扇区016 （2M×8）扇区4．Vcc：空白 5V+10%Vcc， X +5%Vcc5．速度：60 60ns，70 70ns， 80 80ns90 90ns， 120 120ns6．封装：M 塑料微型封装N 薄型微型封装K 塑料有引线芯片载体P 塑料双列直插 7．温度： 1 0℃~70℃， 6 -40℃~85℃， 3 -40℃~125℃串行EEPROM的编号ST XX XX XX X X X1 2 3 4 5 61．器件系列：24 12C ，25 12C（低电压），93 微导线95 SPI总线 28 EEPROM2．类型/工艺：C CMOS（EEPROM） E 扩展I C总线W 写保护士 CS 写保护（微导线）P SPI总线V 低电压（EEPROM）3．容量：01 1K 02 2K，04 4K，08 8K16 16K，32 32K， 64 64K4．改型：空白 A、 B、 C、 D5．封装：B 8腿塑料双列直插M 8腿塑料微型封装ML 14腿塑料微型封装6．温度：1 0℃~70℃ 6 -40℃~85℃ 3 -40℃~125℃微控制器编号ST XX X XX X X1 2 3 4 5 61．前缀2．系列： 62 普通ST6系列63 专用视频ST6系列72 ST7系列90 普通ST9系列92 专用ST9系列10 ST10位系列20 ST20 32位系列3．版本：空白 ROM T OTP（PROM）R ROMless P 盖板上有引线孔E EPROMF 快闪4．序列号5．封装：B 塑料双列直插 D 陶瓷双列真插F 熔封双列直插M 塑料微型封装S 陶瓷微型封装CJ 塑料有引线芯片载体K 无引线芯片载体L 陶瓷有引线芯片载体QX 塑料四面引线扁平封装 G 陶瓷四面扁平封装成针阵列R 陶瓷什阵列T 薄型四面引线扁平封装 6．温度范围：1.5 0℃~70℃(民用) 2 -40℃~125℃(汽车工业)61 -40℃~85℃(工业) E -55℃~125℃XICOR 产品型号命名X XXXXX X X X (-XX)1 2 3 4 5 6EEPOT X XXXX X X X1 2 7 3 4串行快闪 X XX X XXX X X -X1 2 3 4 81．前缀2．器件型号3．封装形式：D 陶瓷双列直插P 塑料双列直插E 无引线芯片载体R 陶瓷微型封装F 扁平封装S 微型封装J 塑料有引线芯片载体T 薄型微型封装K 针振列 V 薄型缩小型微型封装L薄型四面引线扁平封装X 模块M 公∑微型封装 Y 新型卡式4．温度范围：空白标准， B B级（MIL-STD-883），E -20℃至85℃I -40℃至85℃，M -55℃至125℃　5．工艺等级：空白标准， B B级（MIL-STD-883）6．存取时间（仅限EEPROM和NOVRAM）：20 200NS, 25 250NS, 空白 300ns, 35 350ns, 45 450ns55 55ns, 70 70ns, 90 90ns, 15 150nsVcc限制（仅限串行EEPROM）：空白 4.5V至5.5V，-3 3V至5.5V-2.7 2.7V至5.5V，-1.8 1.8V至5.5V 7．端到末端电阻：Z 1KΩ， Y 2KΩ， W 10KΩ，U 50KΩ， T 100KΩ 8． Vcc限制：空白 1.8V至3.6V，-5 4.5V至5.5VZILOG 产品型号命名Z XXXXX XX X X X XXXX1 2 3 4 5 6 71．前缀2．器件型号3．速度：空白 2.5MHz， A 4.0MHz， B 6.0MHzH 8.0MHz，L 低功耗的，直接用数字标示4．封装形式：A 极小型四面引线扁平封装 C 陶瓷钎焊D 陶瓷双列直插E 陶瓷，带窗口F 塑料四面引线扁平封装G 陶瓷针阵列H 缩小型微型封装I PCB芯片载体K 陶瓷双列直插，带窗口L 陶瓷无引线芯片载体P 塑料双列直插Q 陶瓷四列S 微型封装V 塑料有引线芯片载体 5．温度范围：E -40℃至100℃， M -55℃至125℃，S 0℃至70 ℃6．环境试验过程：A 应力密封，B 军品级，C 塑料标准，D 应力塑料，E 密封标准。

芯片命名规则教材

意义 0~700C -40~850C -55~850C -55~1250C
符号
意义
T H E C F D W
TTL HTL ECL CMOS 线性放大器音响、电视电路稳压器
W B F D P J K
陶瓷封装塑料扁平全密封扁平陶瓷直插塑料直插黑陶瓷直插金属菱形
J
B M
接口电路
非线性电路存储器微型机电路
结束语
Thank Very
You Much！！！
管脚数
• A: 8 B: 10，64 C: 12，192 D: 14 E: 16 F: 22，256 G: 24 H: 44 I: 28 J: 32 K: 5，68 L: 40 M: 7，48 • N: 18 O: 42 P: 20 Q: 2，100 R: 3，84 S: 4，80 T: 6，160 U: 60 V: 8（圆形） W: 10（圆形） X: 36 Y: 8（圆形） Z: 10（圆形）
HITACHI公司 ----芯片命名规则
以“HD”开头例如：或门 HD74LS32P HD74LS32RP HD74LS32FP
封装：P= DIP RP=SOP FP=SOP
FairChild（仙童公司） ----芯片命名规则
• 通常以“DM”开头例如：DM7407N DM7407M 后缀含义：N=DIP封装 M=SOP封装
ATMEL公司 ----芯片命名规则
• 单片机为主 • AT89X系列例如：AT89C52-24PI C=CMOS P=DIP封装 I=工业级
PHILIPS公司 ----芯片命名规则
以PFC/PCF/P开头例如：PCF8563TS 封装：TS=TSSOP PCF8563T T=SSOP PCF8563P P=DIP P80C552EFA EFA=PLCC Philips 公司的8xC552 单片机共有80C552、83C552、87C552等 0===无ROM型 3===ROM型 7===EPROM/OTP型 9===PEROM（Flash Memory）

芯片基础工艺库的命名规则

芯片基础工艺库的命名规则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：芯片基础工艺库的命名规则在芯片设计和制造领域，芯片基础工艺库（Process Design Kit，PDK）是至关重要的工具，它包含了关于芯片制造过程中所需的所有基础工艺信息。

PDK中的名称规则是非常重要的一部分，它为芯片设计工程师提供了一种统一的命名规范，使得不同工程师在工作中能够更加高效地协作。

PDK中的命名规则通常包括以下几个部分：公司名、技术节点、工艺过程、设备类型、层次名称等。

下面将针对这些部分逐一进行详细说明：1. 公司名：公司名是PDK中的一个重要部分，通过公司名可以很容易地辨别出不同公司的工艺库。

在PDK中，公司名通常以英文形式出现，如TSMC、Samsung、GlobalFoundries等。

公司名通常是PDK的首部分，用以标识该PDK的所有者。

2. 技术节点：技术节点是指芯片制造中所采用的制造工艺标准，通常以纳米（nm）为单位。

常见的技术节点包括28nm、16nm、7nm 等。

技术节点是PDK中的一个重要部分，因为它决定了芯片的性能、功耗等方面的关键参数。

3. 工艺过程：工艺过程是指芯片制造过程中的一系列步骤，包括刻蚀、沉积、光刻等。

工艺过程通常在PDK中以缩写形式出现，如：MOL（Metal Oxide Layer）、P+ (P-type doping)等。

工艺过程的命名规则通常是根据具体的工艺步骤和特点来决定的。

4. 设备类型：设备类型是指在芯片制造过程中所使用的设备种类，包括光刻机、离子注入机、蚀刻机、沉积机等。

设备类型在PDK中通常以简短的英文缩写形式出现，如：LITHO（Lithography）, IONIMPL （Ion implantation）等。

5. 层次名称：每一种工艺过程通常会涉及多个层次，每个层次都有相应的名称。

层次名称在PDK中通常以简短的英文缩写形式和数字形式出现，如：M1、M2、M3等。

芯片命名规则

电子元器件命名- -电子元器件,又叫电子芯片,半导体集成电路,广泛应用于各种电子电器设备上.封装形式:封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳.它不仅起着安装,固定,密封,保护芯片及增强电热性能等方面的作用,而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上,这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接.衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比,这个比值越接近1越好.封装大致经过了如下发展进程:结构方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;材料方面:金属,陶瓷->陶瓷,塑料->塑料;引脚形状:长引线直插->短引线或无引线贴装->球状凸点;装配方式:通孔插装->表面组装->直接安装.英文简称英文全称中文解释图片DIPDouble In-line Package双列直插式封装.插装型封装之一,引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种.DIP是最普及的插装型封装,应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等.PLCCPlastic Leaded Chip CarrierPLCC封装方式,外形呈正方形,32脚封装,四周都有管脚,外形尺寸比DIP封装小得多.PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线,具有外形尺寸小,可靠性高的优点.PQFPPlastic Quad Flat PackagePQFP封装的芯片引脚之间距离很小,管脚很细,一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式,其引脚数一般都在100以上.SOPSmall Outline Package1968～1969年菲为浦公司就开发出小外形封装(SOP).以后逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装),TSOP(薄小外形封装),VSOP(甚小外形封装),SSOP(缩小型SOP),TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管),SOIC(小外形集成电路)等.模拟滤波器光纤通信高速信号处理和转换无线/射频光线通讯,模拟显示支持电路高频模拟和混合信号ASIC数字转换器,接口,电源管理,电池监控DC/DC电源电压基准MAXIM前缀是"MAX".DALLAS则是以"DS"开头.MAX×××或MAX××××说明:1后缀CSA,CWA 其中C表示普通级,S表示表贴,W 表示宽体表贴.2 后缀CWI表示宽体表贴,EEWI宽体工业级表贴,后缀MJA或883为军级.3 CPA,BCPI,BCPP,CPP,CCPP,CPE,CPD,ACPA后缀均为普通双列直插.举例MAX202CPE,CPE普通ECPE普通带抗静电保护MAX202EEPE 工业级抗静电保护(-45℃-85℃) 说明E 指抗静电保护MAXIM数字排列分类1字头模拟器2字头滤波器3字头多路开关4字头放大器5字头数模转换器6字头电压基准7字头电压转换8字头复位器9字头比较器DALLAS命名规则例如DS1210N.S. DS1225Y-100IND N=工业级S=表贴宽体MCG=DIP封Z=表贴宽体MNG=DIP工业级IND=工业级QCG=PLCC封Q=QFP 下面是MAXIM的命名规则:三字母后缀:例如:MAX358CPDC = 温度范围P = 封装类型D = 管脚数温度范围:C = 0℃至70℃(商业级)I = -20℃至+85℃(工业级)E = -40℃至+85℃(扩展工业级)A = -40℃至+85℃(航空级)M = -55℃至+125℃(军品级)封装类型:A SSOP(缩小外型封装)B CERQUADC TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装)D 陶瓷铜顶封装E 四分之一大的小外型封装F 陶瓷扁平封装H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插)K TO-3 塑料接脚栅格阵列L LCC (无引线芯片承载封装)M MQFP (公制四方扁平封装)N 窄体塑封双列直插P 塑封双列直插Q PLCC (塑料式引线芯片承载封装)R 窄体陶瓷双列直插封装(300mil)S 小外型封装T TO5,TO-99,TO-100U TSSOP,μMAX,SOTW 宽体小外型封装(300mil)X SC-70(3脚,5脚,6脚)Y 窄体铜顶封装Z TO-92,MQUAD/D 裸片/PR 增强型塑封/W 晶圆DSP信号处理器放大器工业用器件通信电源管理移动通信视频/图像处理器等模拟A/D D/A 转换器传感器模拟器件AD产品以"AD","ADV"居多,也有"OP"或者"REF","AMP","SMP","SSM","TMP","TMS"等开头的.后缀的说明:1,后缀中J表示民品(0-70℃),N表示普通塑封,后缀中带R表示表示表贴。

芯片命名规则要点

芯片命名规则
报告人：康淑霞报告日期：2005年11月21日
注意
• 几乎所有公司的芯片都有自己的命名规则，但基本遵循一定的命名规则 • 芯片所标注的信息大体包括： 1）公司名称或商标 2）器件类型 3）序列号/功能 4）字母后缀例如：Examples
几种常见的封装之DIP
DIP封装（Double In-line Package ）双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 DIP又分为窄体DIP和宽体DIP
本标准适用于按半导体集成电路系列和品种的国家标准所生产的半导体集成电路
第零部分第一部分第二部分第三部分第四部分
用字母表示器件符合国家标准
用字母表示器件类型
用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号
用字母表示器件的工作温度范围
用字母表示器件的封装Biblioteka 符号 C意义中国制造
符号
意义
符号 C E R M
•
• •
•
SN54LS×××/HC/HCT/或SNJ54LS/HC/HCT中的后缀说明： 1. SN或SNJ表示TI品牌 2. SN军标，带N表示DIP封装，带J表示DIP（双列直插），带D表示表贴，带W表示宽体 Examples 3. SNJ军级，后面代尾缀F或/883表示已检验过的军级。 CD54LS×××/HC/HCT： 1、无后缀表示普军级 2、后缀带J或883表示军品级 CD4000/CD45××： 1. 后缀带BCP或BE属军品 2. 后缀带BF属普军级 3. 后缀带BF3A或883属军品级 TL×××：后缀CP普通级 IP工业级后缀带D是表贴后缀带MJB、MJG或带/883的为军品级 TLC表示普通电压 TLV低功耗电压 TMS320系列归属DSP器件， MSP430F微处理器

芯片封装形式与命名规则

芯片封装之多少与命名规则一、DIP双列直插式封装DIP(DualIn－line Package)是指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路(IC)均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100个。

采用DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。

当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。

DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏引脚。

DIP封装具有以下特点：1.适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。

2.芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。

Intel系列CPU中8088就采用这种封装形式，缓存(Cache)和早期的内存芯片也是这种封装形式。

二、QFP塑料方型扁平式封装和PFP塑料扁平组件式封装QFP（Plastic Quad Flat Package）封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大型集成电路都采用这种封装形式，其引脚数一般在100个以上。

用这种形式封装的芯片必须采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接起来。

采用SMD安装的芯片不必在主板上打孔，一般在主板表面上有设计好的相应管脚的焊点。

将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。

用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。

PFP（Plastic Flat Package）方式封装的芯片与QFP方式基本相同。

唯一的区别是QFP一般为正方形，而PFP既可以是正方形，也可以是长方形。

QFP/PFP封装具有以下特点：1.适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线。

2.适合高频使用。

3.操作方便，可靠性高。

4.芯片面积与封装面积之间的比值较小。

Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板采用这种封装形式。

三、PGA插针网格阵列封装PGA(Pin Grid Array Package)芯片封装形式在芯片的内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列。

半导体分立器件封装命名规则_解释说明以及概述

半导体分立器件封装命名规则解释说明以及概述1. 引言1.1 概述半导体分立器件封装是指对单个的半导体器件进行封装，以便在电路中使用。

而半导体分立器件封装命名规则则是用于标识和描述这些封装形式的一种规范。

随着电子行业的发展和技术的进步，半导体分立器件封装命名规则成为了确保产品质量、标准化生产和交流合作的重要工具。

1.2 文章结构本文将详细解释和说明半导体分立器件封装命名规则，旨在帮助读者更好地理解和掌握这一方面的知识。

文章首先会介绍什么是半导体分立器件封装命名规则，并阐述其目的和重要性。

接着，我们将列举常见的半导体分立器件封装命名规则示例，从实际案例中深入探讨这些规则的应用。

然后，本文还将概述国际标准与行业标准的区别，并提供国内外常用的半导体分立器件封装命名规则总览。

最后，我们将讨论这一领域的发展趋势和未来发展方向。

1.3 目的本文的目的是全面介绍半导体分立器件封装命名规则，解释其含义和重要性，并为读者提供一个清晰的概述。

通过深入研究和讨论，我们希望能够加深人们对半导体分立器件封装命名规则的理解，同时引起相关行业和领域内人士对这一问题的关注。

最后，我们也将提出进一步研究和应用推广建议，以促进半导体分立器件封装命名规则标准化、统一化发展。

2. 半导体分立器件封装命名规则解释说明2.1 什么是半导体分立器件封装命名规则半导体分立器件封装命名规则指的是定义半导体器件外部封装形式和结构的规则和标准。

由于不同类型的半导体器件在表面封装形式上有所差异，因此需要一套统一的命名规则来对这些器件进行分类和标识。

2.2 命名规则的目的和重要性半导体分立器件封装命名规则的主要目的在于方便工程师、制造商和用户理解各种类型的半导体器件，并选择适合自己需求的器件。

通过使用统一的命名规则，可以确保行业内人员能够准确地对不同型号和尺寸的器件进行描述、比较和选择。

此外，命名规则还有助于提高工作效率，降低误操作风险。

当有大量不同型号或者品牌的半导体器件需要被组装或替换时，使用统一的命名规则可以使得相关工作更加简便明了。

芯片命名规则

芯片命名规则芯片命名规则是指在芯片设计和生产过程中，给芯片赋予一个唯一的名称。

芯片命名规则的制定是为了方便识别、管理和销售芯片，同时也为芯片设计者和制造商提供了一种规范和统一的命名方式。

下面是对芯片命名规则的详细介绍。

首先，芯片命名规则通常根据芯片的功能、属性和型号进行命名。

功能是指芯片在电子产品中起到的作用，如处理器、存储器、接口等；属性是指芯片的性能、特点和用途，如高速、低功耗、多核等；型号是指芯片的具体型号和规格，如A系列、B系列、2G、4G等。

命名规则会综合考虑这些因素，根据芯片的特性和用途来确定一个独一无二的名称。

其次，芯片命名规则一般采用字母、数字和符号的组合。

字母通常代表芯片的型号和系列，如A、B、C等；数字通常代表芯片的版本、规格和性能等级，如1、2、3等；符号用于表示芯片的其他属性和功能，如+、-、*等。

命名规则会根据芯片的特点和需求来选择适当的字母、数字和符号，以便更好地描述芯片的特性和用途。

此外，芯片命名规则还需要考虑国际标准和行业规范。

由于芯片是一种国际化的产品，为了方便国际合作和交流，芯片命名规则通常会参考国际标准和行业规范。

例如，国际电子工程师协会（IEEE）和国际半导体设备和材料协会（SEMI）等组织都有关于芯片命名规则的标准和指导文件，设计者和制造商可以参考这些标准和指导文件来进行命名。

最后，芯片命名规则还需要考虑市场需求和销售策略。

由于芯片市场竞争激烈，芯片的名称对于销售和营销起着重要的作用。

一些公司会根据市场需求和销售策略来确定芯片的名称，以便更好地吸引客户和推广产品。

例如，一些公司会使用易于记忆和识别的名称，或者使用有吸引力和独特的名称，以提升产品的市场竞争力和销售量。

综上所述，芯片命名规则是为了方便识别、管理和销售芯片而制定的一种规范和统一的命名方式。

芯片的命名规则通常根据芯片的功能、属性和型号进行命名，采用字母、数字和符号的组合，参考国际标准和行业规范，同时考虑市场需求和销售策略。

CPU工艺制程发展及模型命名规则

CPU工艺制程发展及模型命名规则近年来，随着科技的不断进步和发展，计算机处理器（CPU）的工艺制程不断革新和改良，这对于电子产品的速度、功耗和性能方面产生了巨大的影响。

本文将探讨CPU工艺制程的发展，并介绍相关模型的命名规则。

一、CPU工艺制程的发展1. 从MOS（金属氧化物半导体）到CMOS（互补金属氧化物半导体）MOS是20世纪60年代初期开始出现的一种工艺制程，但由于功耗较高，不适合集成电路的大规模生产。

随后，CMOS技术的引入使得CPU的功耗大大降低，并提供了更好的集成度和电路稳定性。

CMOS工艺的发展极大地促进了计算机处理器的性能提升。

2. 尺寸缩小和工艺节点随着技术的不断发展，尺寸缩小成为了CPU工艺制程的主要趋势。

通过缩小芯片上各个元件的尺寸，可以增加集成电路的密度，提高性能并降低功耗。

工艺节点是衡量芯片尺寸缩小程度的指标，如40纳米、28纳米、14纳米等。

每一代工艺节点的到来，都意味着CPU制程的进一步改进和性能提升。

3. 三维封装技术随着集成度的提高，CPU芯片在性能和功耗方面存在着一定的矛盾。

三维封装技术的出现可以克服这一问题，通过将芯片堆叠在一起，减少电路之间的距离，提高信号传输速度，并改善散热性能。

三维封装技术的应用为CPU的性能和功耗平衡提供了新的解决方案。

二、CPU模型命名规则1. 品牌名和代数CPU模型的命名往往以品牌名和代数作为开头。

品牌名是指制造商的名称，如英特尔（Intel）、AMD、苹果（Apple）等。

代数表示产品所属的代次，通常以罗马数字或阿拉伯数字表示，如Intel Core i7、AMD Ryzen 5等。

2. 系列和型号在品牌名和代数之后，CPU模型的命名通常包括系列和型号。

系列表示一组CPU产品的特性和定位，如Intel Core i7系列、AMD Ryzen 9系列等。

型号则表示特定产品在该系列中的排位和性能水平，通常以数字或字母表示，如Intel Core i7-9700K、AMD Ryzen 9 3900X 等。

芯片命名规则PPT课件

• CD54LS×××/HC/HCT： 1、无后缀表示普军级 2、后缀带J或883表示军品级
• CD4000/CD45××： 1. 后缀带BCP或BE属军品 2. 后缀带BF属普军级 3. 后缀带BF3A或883属军品级
• TL×××：后缀CP普通级 IP工业级后缀带D是表贴后缀带MJB、MJG或带/883的为军品级 TLC表示普通电压 TLV低功耗电压 TMS320系列归属DSP2器02件1 ， MSP430F微处理器 15
0===无ROM型
3===ROM型
7===EPROM/OTP型
9===PEROM（Flash Memory）
2021
24
HITACHI公司 ----芯片命名规则
以“HD”开头例如：或门
HD74LS32P HD74LS32RP HD74LS32FP
封装：P= DIP RP=SOP FP=SOP
2021
soj型引脚小外形封装tsop薄小外形封装vsop甚小外形封装ssop缩小型soptssop薄的缩小型sopsot小外形晶体管soic小外形集成电路本标准适用于按半导体集成电路系列和品种的国家标准所生产的半导体集成电路第零部分第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示器件符合国家标准用字母表示器件类型用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号用字母表示器件的工作温度范围用字母表示器件的封装符号意义符号意义符号意义符号意义全密封扁平ttl三极管三极管逻辑集成电5474系列芯片命名的基本规则7474s74ls74as74als肖特基工艺功耗较大ls高速肖特基工艺速度alsals高速低功耗肖特基工艺注
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封装类型
•
A SSOP(缩小外型封装) B CERQUAD C TO-220, TQFP(薄型四方扁平封装) D 陶瓷铜顶封装 E 四分之一大的小外型封装 F 陶瓷扁平封装 H 模块封装, SBGA(超级球式栅格阵列, 5x5 TQFP) J CERDIP (陶瓷双列直插) K TO-3 塑料接脚栅格阵列 L LCC (无引线芯片承载封装) M MQFP (公制四方扁平封装) N 窄体塑封双列直插