单端反激DCDC电路仿真

单端反激D C D C电路仿

真

Company Document number：WUUT-WUUY-WBBGB-BWYTT-1982GT

题目：单端反激D C /D C 电路仿真

输入直流电压源，电压28V ，输出电压5V ，电压纹波小于1%，输出额定功率

30W ，最小负载电流1A ，开关频率50kHz ，整流二极管通态压降。计算必须的电感（变压器电感），电容，变压器的变比，功率管的工作占空比等参数，利用

simpowersystems 建立单端反激电路的仿真模型。

进行DC/DC 变换器输出功率20W 的仿真，仿真时间。观察并记录MOSFET 的工作波形（电压，电流波形），输出整流二极管的工作波形（电压，电流波形）和输出电压波形。

1、 参数计算

选择开关管的耐压不高于56V

选择死区时间为，则2.0 t d ，

取效率为%

纹波电压1%

最小负载电流1A ，则最大电阻有5欧

2、仿真图

一、负载的仿真。DC/DC变换器输出功率20w，仿真时间。观察并记录MOSFET的工作波形（电压，电流波形），输出整流二极管的工作波形（电压，电流波形），输出波形。

输出电压5V，输出额定功率20w，可以算出输出电阻为欧姆。参数设置如下。

R=（5V）2/20W=Ω

DCM模式

1)MOSFET管通过的电流、电压波形

分析：在MOSFET管关断时，MOSFET两端电压为直流侧电压加上输出侧反应到输入侧的电压之和，当MOSFET管导通时，管子端电压为0V。在MOSFET管关断时，变压器原边电流为0，副边等效电感对电路放电，电流线性降低，在MOSFET管导通时，变压器原边电源对电感充电，原边电流线性增加。

2)二极管电流电压波形

3)输出电压波形

根据仿真，当D=40%时,输出V= 不能满足V=5。

调整占空比是D=53%，则输出电压的平均值为，，电压波动范围是，满足1%电压纹波的条件。

（2）CCM模式根据波形调试得D=43%,L(pu)=

1)MOSFET管通过的电流、电压波形

2)二极管电流电压波形

3)输出电压波形

输出电压V=电压波动范围是，满足1%电压纹波的条件。

二、总结：

在单端反激式变换器中，整流二极管D的接法使得开关管S闭合时，二极管截至，这是电源输入的能量以磁能的形式储存于变压器中；在开关管截止期间，二极管导通，变压器中储存的能量传输给负载。