13半导体温度计的设计与制作
半导体温度计的原理和应用领域
半导体温度计的原理和应用领域随着科学技术的发展，半导体温度计作为一种重要的测温设备，广泛应用于各个领域。
本文将介绍半导体温度计的原理和应用领域，并对其优势进行分析。
一、半导体温度计的原理半导体温度计是基于半导体材料的温度依赖性质设计制作而成的温度测量设备。
其原理基于半导体材料的温度与其电学性质之间的密切关系。
根据温度对材料电阻率的影响，我们可以设计出不同类型的半导体温度计。
最常见的半导体温度计是PN结温度传感器，它由一个N型半导体和一个P型半导体构成。
当温度升高时，半导体材料的载流子浓度将增加，导致材料的电导率增大，从而电阻下降。
通过测量电阻的变化，我们可以推断温度的变化。
此外，半导体材料还具有热电效应，即温度变化引起的电压变化。
基于这种效应，我们可以设计热电温度计，如热电阻、热电偶等。
热电温度计的原理是通过测量材料产生的热电势差来计算温度的变化。
二、半导体温度计的应用领域1. 工业控制和自动化半导体温度计在工业控制和自动化领域中得到广泛应用。
例如，在制造业中，通过测量设备和机器的温度，可以实现对生产过程的监控和控制。
半导体温度计可以实时监测温度变化，并将数据传输到控制系统，从而调节设备的运行状态。
这可以提高生产效率、降低成本，并确保产品质量。
2. 环境监测半导体温度计在环境监测中也发挥着关键作用。
无论是气象观测站、室内温度控制系统还是温室监测，半导体温度计都可以提供准确的温度数据。
这有助于我们了解环境变化并采取相应的措施来保护环境和人类健康。
3. 医疗领域在医疗领域，半导体温度计用于测量人体温度是非常常见的应用。
相比传统的温度计，半导体温度计具有测量速度快、准确度高以及易于使用的优势。
在医院、诊所和家庭中，半导体温度计可以有效地监控患者的体温，及时发现可能的疾病症状。
4. 能源领域半导体温度计在能源领域中也具有重要意义。
例如，太阳能发电系统需要监测太阳能电池板的温度，以确保其高效运行。
半导体温度计可以提供准确的温度数据，从而帮助调节系统的工作温度，提高能源转换效率。
半导体温度计的设计和制作实验
半导体温度计的设计和制作实验（非平衡电桥）在温度不太低或不太高（如从－20o C到几百度）的情况下，通常可以用水银温度计来测一定的温度。
由于生产和科学实验的发展，需要精密和快速的温度测量，因而就需要灵敏度较高的温度计。
现在已有各种用途的温度计，半导体温度计就是其中的一种。
本实验的半导体温度计利用热敏电阻为传感器，利用非平衡电桥实现由电学量测量一些变化的非电量，这种思想现在应用范围扩展到很多领域，如长度、位移、应力、应变、温度、光强等转变成电学量，如电阻、电压、电流、电感和电容等，然后用电学仪器来进行测量。
一、实验目的1．理解非平衡电桥的工作原理及其在非电量的电测法中的应用。
2．了解半导体温度计的基本原理并设计制作一台半导体温度计二、实验原理1．热敏电阻伏安特性曲线为测量热敏电阻的阻值，需了解热敏电阻的伏安特性。
由图1可知，在V-I 曲线的起始部分，因电流很太小，温度变化微小，曲线接近线性。
此时其阻值主要与外界温度有关。
图1 热敏电阻伏安特性曲线半导体温度计是利用热敏电阻的阻值随温度变化急剧的特性制作的，通过测量热敏电阻的阻值来确定温度的仪器。
应根据待测温度区间和热敏电阻的阻值选用合适电学元件和测温电路。
2．半导体温度计测温电路的原理非平衡电桥的工作原理图如下：图2 半导体温度计测温电路原理图图中G 是微安表， R T 为热敏电阻，当电桥平衡时，表的指示必为零，此时应满足条件：TR R R R 321= （1） 若取R 1 = R 2，则R 3的数值即为R T 的数值。
平衡后的电桥若其中某一臂的电阻又发生改变，则平衡将受到破坏，微安表中将有电流流过，此为非平衡电桥。
由基尔霍夫方程组求出CD T T G T T G V R R R R R R R R R R R R R R R I 23232121232212+++++-+= （2）由此可见微安表中的电流大小直接反映了热敏电阻的阻值的大小程度。
由于热敏电阻的大小与环境温度是一一对应关系，因此可以利用这种“非平衡电桥”的电路原理来实现对温度的测量。
温度计的设计
温度计的设计专业___________________学号___________________姓名-___________________一、预习要点1. 了解半导体温度计的基本原理，并设计制作半导体温度计；2. 了解非平衡电桥的工作原理及其在非电量电测法中的应用。
二、实验内容1. 设计制作测量温度范围为20℃～70℃的半导体温度计。
2. 对半导体温度计进行定标对半导体温度计进行定标，首先从热敏电阻的电阻－温度特性曲线上读出温度。
从20℃到70℃，每隔5℃读一个电阻值，用标准电阻箱R4逐次选择前面所取的电阻值，读出微安表的电流读数I，并记录数据。
根据数据，将表盘读数改为温度的刻度，并做出I－T的曲线与表盘刻度比较。
再将实际热敏电阻代替标准电阻箱，此即经过定标的半导体温度计。
三、实验步骤1. 点击仿真实验页面上的“温度计设计”实验。
2. 在打开的程序界面中，右键点击，并选择“仪器背面”，在里面进行相应的电路连线。
（注：线路连接图在“仪器背面”的左上角，点击“显示电路图”即可）。
3. 按线路图连接好相应的电路，如果连线正确，则双击电池电源的位置将会出现一个电池，如果无法出现电池则说明线路连接有误，则应检查连线，直至正确为止。
4. 线路连接好后，首先调节线路中R1和R2的值，方法为：在程序的空白处右键点击，在弹出的界面中选择“万用表”，打开其电源，并在“万用表”上选择“将万用表连接到R1”，调节R1及其微调旋钮，使万用表显示值为“4853”，接着在“万用表”上选择“将万用表连接到R2”，调节R2及其微调旋钮，使万用表也显示为“4853”，至此，R1和R2阻值调节完毕，然后在“仪器背面”上双击“表头插线”，将其接上。
5. 接下来调节电路中R3的阻值，方法为：先在程序的空白处右键点击，在弹出的界面中选择“电阻箱”，并将电阻箱阻值调至2597Ω。
接着在程序的空白处，右键选择打开“仪器正面”和“仪器背面”两界面，调节“仪器背面”的R3，使得“仪器正面”的表头指示在“0”处。
半导体温度计的工作原理及其优势
半导体温度计的工作原理及其优势半导体温度计是一种基于半导体材料的温度测量设备，广泛应用于工业、医疗、军事和家用电器等领域。
它的工作原理基于半导体材料的温度特性，并具有许多优势，下面我将详细介绍半导体温度计的工作原理及其优势。
半导体温度计的工作原理是基于半导体材料的电阻温度特性。
在半导体材料中，电子在晶格中的运动会受到晶格振动的影响，当温度升高时，晶格振动增强，电子的迁移受到阻碍，从而使电阻增加。
因此，通过测量半导体材料的电阻变化，我们可以推断出温度的变化。
半导体温度计的工作原理还涉及到电流、电压和温度之间的关系。
通过在半导体材料中施加一个稳定的电流，我们可以测量到电压的变化。
根据材料的特性和温度的变化，我们可以推导出电压与温度之间的关系，并由此计算温度的数值。
使用半导体温度计具有以下优势：1. 精度高：半导体温度计具有很高的温度测量精度，通常可达到0.1摄氏度。
这使得它非常适用于需要高精度温度测量的应用领域，如科学研究实验室或制药行业。
2. 响应快：半导体温度计具有较快的响应速度，能够在短时间内获取到准确的温度数据。
对于需要快速反应的应用，如电子设备的温度控制或故障诊断，半导体温度计是一种理想的选择。
3. 稳定性强：半导体温度计具有较好的长期稳定性，能够在较长的时间内提供准确的温度测量结果。
这意味着在长期使用过程中，不需要频繁校准或更换设备，节省了维护和成本。
4. 尺寸小：半导体温度计通常具有小尺寸和轻量化的设计，便于安装和集成到各种设备中。
尺寸的减小也使得其可以在狭小空间中进行温度测量，这在一些紧凑型设备中具有重要意义。
5. 抗干扰能力强：半导体温度计对电磁干扰和机械振动的抗干扰能力强，在复杂环境下依然能够提供准确的温度测量结果。
这使得它适用于各种恶劣工作环境下的温度监测和控制。
总之，半导体温度计是一种基于半导体材料工作的温度测量设备，其工作原理基于半导体材料的电阻温度特性。
它具有高精度、快速响应、稳定性强、尺寸小和抗干扰能力强等优势，适用于各种温度测量和控制的应用领域。
电学的设计性实验 ——的设计制做半导体热敏电阻温度计-PPT精选文档
参数的选择和计算
• 1，R1,R2 最好相等［电桥简单］ • ２，电桥的四个电阻阻值要基本接近； • ［R25=5000欧姆，R75=850欧姆］,｛R1,2000 或3000欧姆｝ • ３，Rs, E,的确定！
R R R R R R R R R R R R 1 2 S 1 2 T 1 S T 2 S T
• 在测量的低温端【室温】Ig=0uA,利用室 温RT=R0, 确定Rs;
• 在温度表的高温端【75度】，Ig=200uA ［满偏］,和R75的阻值,利用上面公式计算 出电源电压 E。
实验过程
按图连接电路，按照实验预估值调节仪器， 在室温下调好Rs；75度下调好E. 在RS、E 均保持恒定不变条件下，测绘 Ig ～ T 曲线，亦即为热敏电阻温度表定标； 利用自制的半导体热敏电阻温度计测量自己 手的温度； ◎电源电压E的调节最难，最关键！！！
电学设计性实验
——设计制做半导体热敏电阻温度计
——设计制做半导体热敏电阻温度计
• 一、实验目的 • 1，设计测温度范围“室温-75度”的温度 计。 • 2，了解热敏电阻的特性，掌握用热敏 电阻测量温度的基本原理和方法。 • 3，熟悉非平衡电桥的输出特性。
• 热敏电阻是材料的电阻值随温度的变化而 变化的电阻。 • 根据温度系数可以分为： • 正温度系数热敏电阻【PTC】：dR/dT>0 • 负温度系数热敏电阻【NTC】： dR/dT<0
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ验报告的要求
• 1，实验的目的和意义 • 2，实验涉及的基本原理 • 3，实验的设计思路、设计过程，实验电路 中涉及到的电阻、电压、电流等数值的提 前预定。 • 4，测量数据、绘制热敏电阻的定标曲线。 • 5，实验中遇到的问题及解决的办法。 • 6，实验的收获和体会。
半导体温度计的设计实验步骤
半导体温度计的设计实验步骤引言：半导体温度计是一种通过半导体材料的电阻随温度变化而变化来测量温度的仪器。
它具有响应速度快、精确度高、体积小等优点，广泛应用于工业控制、医疗设备、消费电子等领域。
本文将介绍半导体温度计的设计实验步骤。
一、准备实验材料和仪器1. 半导体材料：选择一种适合的半导体材料作为温度敏感元件，常见的有硅、锗等。
2. 电阻计：用于测量半导体材料的电阻值。
3. 温度控制器：用于控制实验室的温度，保证实验环境的稳定性。
4. 多用电表：用于测量电阻计和温度控制器的输出电压。
二、搭建实验电路1. 将半导体材料连接到电路中，一般采用电桥电路或电压分压电路。
2. 使用导线将电阻计和温度控制器与电路连接，确保电路的通电和测量正常。
三、调试实验电路1. 将温度控制器设定为一个固定的温度值，例如25摄氏度。
2. 使用多用电表分别测量半导体材料的电阻值、电阻计的输出电压和温度控制器的输出电压，并记录下来。
3. 将温度控制器的设定温度逐步增加，如30摄氏度、35摄氏度等，重复步骤2。
四、绘制温度与电阻的关系曲线1. 将实验数据整理成表格或图表，其中横轴表示温度，纵轴表示电阻值。
2. 使用拟合曲线的方法，将实验数据拟合成一条曲线。
常用的拟合方法有线性拟合、多项式拟合等。
五、验证实验结果1. 将温度控制器设定为一个新的温度值，如40摄氏度。
2. 使用实验得到的拟合曲线，计算出对应的电阻值。
3. 使用电阻计测量半导体材料的实际电阻值，并与计算结果进行比较。
六、分析实验结果1. 比较实际测量值和计算值的差异，并分析可能的原因。
2. 讨论实验结果的可靠性和精确度，提出改进的建议。
七、总结半导体温度计的设计实验步骤主要包括准备实验材料和仪器、搭建实验电路、调试实验电路、绘制温度与电阻的关系曲线、验证实验结果和分析实验结果。
通过实验得到的温度与电阻的关系曲线可以用于后续的温度测量和控制工作。
半导体温度计作为一种常用的温度测量仪器，在工业和科研领域具有广泛的应用前景。
大学物理课件-设计制做半导体热敏电阻温度计PPT文档共38页
11、获得的成功越大，就越令人高兴 。野心 是使人 勤奋的 原因， 节制使 人枯萎 。 12、不问收获，只问耕耘。如同种树 ，先有 根茎， 再有枝 叶，尔 后花实 ，好好 劳动， 不要想 太多， 那样只 会使人 胆孝懒 惰，因 为不实 践，甚 至不接 触社会 ，难道 你是野 人。(名 言网) 13、不怕，不悔(虽然只有四个字，但 常看常 新。 14、我在心里默默地为每一个人祝福 。我爱 自己， 我用清 洁与节 制来珍 惜我的 身体， 我用智 慧和知 识充实 我的头 脑。 15、这世上的一切都借希望而完成。 农夫不 会播下 一粒玉 米，如 果他不 曾希望 它长成 种籽； 单身汉 不会娶 妻，如 果他不 曾希望 有小孩 ；商人 或手艺 人不会 工作， 如果他 不曾希 望因此 而有收 益。-- 马钉路 德。
25、学习是劳动，是充满思想的劳动。——乌申斯基
谢谢！
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21、要知道对好事的称颂过于夸大，也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤，荒于嬉；行成于思，毁于随。——韩愈
23、一切节省，归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰，决心到最后会全部推倒。——莎士比亚
半导体温度计的实验设计和数据分析
半导体温度计的实验设计和数据分析引言：半导体温度计是一种常用的温度测量装置，具有精度高、响应快、体积小等优点，在工业生产和科学研究中得到了广泛应用。
本文将介绍一种基于半导体材料的温度计的实验设计和数据分析方法，为读者提供参考和指导。
一、实验设计1. 实验目的本实验旨在研究半导体温度计的工作原理，通过实验测量温度计的电阻随温度的变化规律，并分析实验数据，进一步了解半导体材料的温度特性。
2. 实验器材和材料- 半导体温度计器件：选择常见的硅(NTC)或石英温度计。
- 变温系统：可使用热电材料、电热丝或热水浴等方式控制温度。
- 测量设备：万用表或数字多用表等电阻测量仪器。
- 连接线和插头：用于连接温度计和测量设备。
3. 实验步骤（1）将半导体温度计器件固定在测量区域内，确保其与温度接触良好。
（2）使用变温系统控制温度，在不同温度下记录温度计的电阻值。
（3）根据测量值绘制温度与电阻的关系曲线。
二、数据分析1. 温度与电阻关系曲线拟合根据实验数据，我们可以得到一组温度与电阻的对应关系数据点。
此时，我们需要对数据进行拟合处理，以获得更好的拟合曲线。
常用的拟合方法包括线性拟合、多项式拟合和非线性拟合等。
根据实验结果和数据特点选择适当的拟合方法。
2. 温度计的灵敏度计算通过实验数据和拟合曲线，我们可以计算温度计的灵敏度。
灵敏度是指温度计的电阻随温度变化的敏感程度，一般用温度差对应的电阻差来表示。
计算公式：灵敏度（S）= ΔR / ΔT其中，ΔR表示电阻的变化量，ΔT表示温度的变化量。
3. 温度计的精度分析在实验过程中，温度计的读数可能存在一定误差。
为了反映温度计的精度，我们可以计算误差和相对误差。
计算公式：误差（E）= 真实值 - 实测值相对误差（RE）= 误差 / 真实值 × 100%4. 实验结果的讨论根据实验结果和数据分析，我们可以讨论温度计的性能和适用范围。
比较不同材料温度计的特性，评估其优劣，并提出对实验结果的合理解释。
半导体温度计的设计和制作实验报告
实验题目：半导体温度计的设计和制作实验目的：学用惠斯通电桥制作半导体温度计并用其测量温度。
实验原理：电路原理图及所用公式：实验步骤：1.根据(2)式算得R 1＝R 2=4785.86Ω2.断开R 1，R 2连接，调整R 1，R 2。
3.根据地板图焊接电路。
4.用电阻箱代替热敏电阻，调节R 3,使R T 为20℃对应阻值时电表示数为0；调R 使使R T 为70℃对应阻值时电表满偏。
5.开关置2档，调R 4，使电表满偏。
6.从R －T 曲线(在下页)中读20℃～70℃每隔2.5℃对应阻值，读出R T 为上述阻值时微安表示数T 。
把表盘可读改为温度刻度并画出I-T 曲线。
6.用实际热敏电阻代替电阻箱并测出55.5℃水浴和34.5℃水浴对应电流值和温度。
(1)CD T T G T T G V R R R R R R R R R R R R R R R I 23232121232212+++++-+= (2))(2)21(221212121T T T T G T T T G CD R R R R R R R R I V R ++-+-=图表1:R-T曲线图表2:I-T曲线及其线性拟合线性回归方程：T=17.31755＋0.97318I实验结果：在55.5℃水浴下测得电流值为40.3μA与从图表2中读到对应温度电流值:39.2μA相对误差为2.73%在35.4℃水浴下测得电流值为20.0μA与从图表2中读到对应温度电流值:19.5μA相对误差为2.5%误差分析：1. R1，R2, R3, R4难以调校准确，误差较大，有的电位器阻值自己会变，且在焊接和其它操作过程中阻值可能有变化。
2.电池电力可能已经不足。
3.测量温度可能在热敏电阻的非线性区间。
4.实验室温度等其它因素可能对元件性能产生影响。
思考题：为什么在测R1，R2时，需将开关置为1档，拔下E处接线，断开微安表？答：如果没有如上操作，将会有其它元件接入电路。
半导体温度计的设计和制备方法
半导体温度计的设计和制备方法随着科技的进步，半导体温度计在温度测量及控制领域扮演着重要的角色。
它们被广泛应用于工业生产、研究实验和家用设备中。
本文将介绍半导体温度计的设计和制备方法，并讨论其工作原理和性能特点。
一、半导体温度计的工作原理半导体温度计基于材料的电阻特性随温度的变化而变化的原理。
常见的半导体材料有硅和砷化镓。
利用半导体材料的温度特性，可以通过测量其电阻来推断温度的变化。
半导体温度计通常采用负温度系数（NTC）电阻或正温度系数（PTC）电阻。
NTC温度计的电阻值随温度上升而下降，而PTC温度计的电阻值则相反。
根据具体应用需求，可以选择适合的电阻类型。
二、半导体温度计的设计方法1.选择适合的半导体材料：根据需要测量的温度范围和精度，选择合适的半导体材料。
硅是常用的材料，适用于较低温度范围；而砷化镓则适用于较高温度范围。
2.确定电阻类型：根据应用需求，选择合适的电阻类型，即NTC或PTC。
如果需要更高的精度和稳定性，可以考虑使用PTC温度计。
3.设计电路：根据选择的材料和类型，设计合适的电路。
在电路设计中，考虑电源电压、电流限制、电阻-温度曲线等因素，以确保温度计的准确性和可靠性。
4.温度校准：在制备完成后，进行温度校准以验证温度计的准确性。
可以使用标准温度源或比较型温度计进行校准。
校准后，进行相应的计算和调整，以修正任何测量误差。
三、半导体温度计的制备方法1.材料准备：准备所需的半导体材料和电路元件。
确保材料质量良好并符合应用需求。
2.制备电路：根据设计的电路方案，进行电路的制备。
可以采用传统的束流蚀刻或光刻工艺，将电路图案形成在材料上。
此外，还可以采用薄膜沉积工艺，将电阻材料沉积在半导体材料上。
3.封装保护：在制备完成后，对半导体温度计进行封装保护，以确保其工作稳定性和可靠性。
常见的封装材料有环氧树脂和硅胶。
封装材料的选择应考虑温度范围、压力要求和耐化学腐蚀性能。
4.温度校准和测试：在制备完成后，进行温度校准和测试以验证温度计的性能。
设计制做半导体热敏电阻温度计
ūA
a. 外接稳压可调电源；b. 桥路接微安表；c. RX 处接热敏电阻； 外接稳压可调电源；b. 桥路接微安表；c.
d. RS处接可调电阻箱；
电学设计性实验（ 电学设计性实验（一）
——设计制做半导体热敏电阻温度计
4. 设计制做半导体热敏电阻温度计 的实验步骤 第一次课及课后要完成的任务： 记录仪器参量：电阻箱的调节范围，电 源的调节范围，微安表的量程和对应 的内阻，热敏电阻的室温阻值和选定 的高温【75° 的高温【75°C】及其阻值【查出来】。 及其阻值【查出来】 绘出实验电路，记录流过微安表的电 流表达式。
(5 ). 适当选择电桥倍率，在确定的下限温度环 境中，调节RS使电桥平衡，此 境中，调节RS使电桥平衡，此 时微安表读数为零； (6 ). 保持RS不变, 调节工作电源E,使测量环境 保持RS不变, 调节工作电源E,使测量环境 温度达到上限温度时, 温度达到上限温度时,表头示值 为预计上限温度；
• 利用公式 • R1,R2,根据电桥其它电阻的阻值，选择相近 R1,R2,根据电桥其它电阻的阻值，选择相近 的整数，并相等。 • 在测量的低温端【室温】Ig=0mA,利用R0,确 在测量的低温端【室温】Ig=0mA,利用R0,确 定Rs; • 在温度表的高温端【75度】，Ig=400mA,和 在温度表的高温端【75度 Ig=400mA,和 R75的阻值,确定电源电压。 的阻值,
利用表达式，分析电桥各比例臂的 数值、电源电压对微安表电流的影 响。利用选定的微安表量程【 响。利用选定的微安表量程【即选 定了内阻】 定了内阻】、满量程的高温电阻 【加水测量】、室温电阻、各比例 加水测量】 臂电阻，计算出电源电压。要考虑 流过电流表的电流方向【 流过电流表的电流方向【正负极接 到那一端】 到那一端】。
·半导体温度计的设计实验报告
开放性实验实验报告半导体温度计的设计学院：浙江农林大学天目学院专业：工程技术系班级：汽车服务081班姓名：吴仲虎学号： 200808310225摘要：本文讨论了通过测量半导体热敏电阻的实验，测得实验数据用Origin 软件分析相关数据画出I-T 图像，了解热敏电阻的电阻——温度特性及测温原理，学习惠斯通电桥的原理及使用方法，学习坐标变换、曲线改直的技巧的问题，同时完成半导体温度计的设计。
关键词：origin 软件 热敏电阻 惠斯通电桥 温度电流前言 热敏电阻是由对温度非常敏感的半导体陶瓷质工作体构成的元件。
与一般常用的金属电阻相比，它有大得多的电阻温度系数值。
热敏电阻作为温度传感器具有用料省、成本低、体积小等的优点，它可以简便灵敏地测量微小温度的变化，在很多科学研究领域都有广泛的应用。
本实验的目的是：了解热敏电阻的电阻----温度特性及测温原理，学习惠斯通电桥的原理及使用方法，学习坐标变换、曲线改直的技巧。
一 实验仪器：二 实验原理热敏电阻的电阻值与温度的关系为TBAeR =其中，A 、B 是与半导体材料有关的常数；T 为绝对温度。
根据定义，电阻温度系数为dT dR R t 1=α其中，t R 是在温度为t 时的电阻值。
半导体材料做成的热敏电阻的基本特性是它的温度特性, 这种特性与半导体材料的导电机制密切相关。
温度越高, 载流子的数目越多, 导电能力越强, 电阻率也就越小。
由于半导体中载流子数目随温度升高而按指数规律迅速增加, 因此随着温度的升高, 热敏电阻的阻值将按指数规律迅速减小。
半导体温度计是利用半导体的电阻值随温度急剧变化的特性而制作的，以半导体热敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。
这种测量方法称为非电量的电测法，为了实现这种方法，采用电学仪器来测量热敏电阻的阻值，还需要了解热敏电阻的伏安特性。
半导体温度计测温电路的原理图如右：图中G 是微安表， RT 为热敏电阻，当电桥平衡时，表的指示必为零，此时应满足条件：r321R R R R若取R 1 = R 2，则R 3的数值即为R T 的数值。
半导体温度计的设计与制作5页word文档
3.5.3 半导体温度计的设计与制作（本文内容选自高等教育出版社《大学物理实验》）虽然热敏电阻对温度非常灵敏，但通常每个元件可适用的范围都不太宽，所以应根据所要测量的温度的上、下限和温度范围的高低选用具有合适阻值和B 值的元件以及相应的测温电路。
元件的B 值越高，其电阻温度系数越大，可测量的范围越窄。
表3.5.3-1给出了不同热敏电阻的适用范围和对应的B 值。
表3.5.3-1 不同热敏电阻的适用范围和对应的B 值由上表可知，测量低温采用B 小的元件，测量高温采用B 大的元件。
通常选用电阻值Ω=6210~10R ，因为电阻值太小灵敏度低，电阻值太大则会引起电绝缘和测量线路匹配困难。
在各种热敏电阻的测温电路中，以分压电路和桥式电路的应用最广。
本实验要求测试温度在20~70 ℃的范围内，选用合适的热敏电阻和非平衡电桥线路（或选用你认为更好的测温电路）来设计一半导体温度计。
实验原理半导体温度计就是利用半导体的电阻值随温度急剧变化的特性而制作的，以半导体热敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。
这种测量方法为非电量的电测法，它可以将各种非电量，如长度、位移、应力、应变、温度、光强等转变成电学量，如电阻、电压、电流、电感和电容等，然后用电学仪器来进行测量。
由于金属氧化物半导体的电阻值对温度的反应很灵敏（参见实验3.5.2），因此可以作为温敏传感器。
为实现非电量的电测法，采用电学仪器来测量热敏电阻的阻值，还需要了解热敏电阻的伏安特性。
由图3.5.3-1可知，在V-I 曲线的起始部分，曲线接近线性，这是因为电流小时在热敏电阻上消耗的功率不足以显著地改变热敏电阻的温度，因而符合欧姆定律。
此时，热敏电阻的阻值主要与外界温度有关，电流的影响可以忽略不计。
半导体温度计测温电路的原理图如图3.5.3-2所示（仅供参考），图中Ｇ是微安计，R T为热敏电阻，当电桥平衡时，表的指示必为零，此时应满足条件TR R R R 321=，若取R 1=R 2，则R 3的数值即为R T 的数值。
半导体温度计
★ 地空学院 杨柳春 PB05007302 ★实验3.5.2实验目的：本实验旨在了解热敏电阻-温度特性和测温原理，掌握惠斯通电桥的原理和使用方法。
学习坐标变换、曲线改直的技巧和用异号法消除零点误差等方法。
实验原理：1． 半导体热敏电阻的电阻——温度特性某些金属氧化物半导体（如：Fe 3O 4、MgCr 2O 4等）的电阻与温度关系满足式下式：T B T e R R ∞= （1）式中R T 是温度T 时的热敏电阻阻值，R ∞是T 趋于无穷时热敏电阻的阻值，B 是热敏电阻的材料常数，T 为热力学温度。
金属的电阻与温度的关系满足（2）：)](1[1212t t a R R t t -+= （2）式中a 是与金属材料温度特性有关的系数，R t1、R t2分别对应于温度t 1、t 2时的电阻值。
根据定义，电阻的温度系数可由式（3）来决定：dtdR R a t t 1= （3） R t 是在温度为t 时的电阻值，由图R —T （a ）可知，在R-t 曲线某一特定点作切线，便可求出该温度时的半导体电阻温度系数a 。
由式（1）和式（2）及图R —T 可知，热敏电阻的电阻-温度特性与金属的电阻-温度特性比较，有三个特点：（1） 热敏电阻的电阻-温度特性是非线性的（呈指数下降），而金属的电阻-温度特性是线性的。
（2） 热敏电阻的阻值随温度的增加而减小，因此温度系数是负的（2T B a ∝）。
金属的温度系数是正的（dt dR a /∝）。
热敏电阻的温度系数约为-（30~60）×10-4K -1，金属的温度系数为14104--⨯K （铜），两者相比，热敏电阻的温度系数几乎大几十倍。
所以，半导体电阻对温度变化的反应比金属电阻林敏得多。
1． 惠斯通电桥的工作原理半导体热敏电阻和金属电阻的阻值范围，一般在1～106Ω,需要较精确测量时常用电桥法，惠斯通电桥是应用很广泛的一种仪器。
惠斯通电桥的原理，如图电桥原理示意图（a ）所示。
体温计的设计与制作
目录1.绪论 (1)1.1课题的目的及意义 (1)1.2课题的发展趋势 (1)2. 方案的论证及选择 (1)2.1温度采集器件的选择 (1)2.1.1方案一用二极管 (1)2.1.2方案二用传感器 (2)2.2信号转换模块的选择 (2)2.2.1方案一用可编程器件A/D做转换器 (2)2.2.2方案二采用ICL7107做转换器 (2)2.3显示模块的选择 (3)2.3.1方案一采用液晶显示 (3)2.3.2方案二采用LED数码管进行显示 (3)2.4方案的总体设计 (3)2.4.1AD590传感器 (4)2.4.2信号的放大部分 (5)2.4.3模数转换器ICL7107的使用 (6)3 电路的设计及工作原理 (9)3.1温度传感及运算放大部分 (10)3.2模数转换及数码显示 (10)3.3电路相关元件及参数的设定 (12)4电路仿真调试及组装 (12)4.1电路的仿真 (13)4.2电路的组装 (15)5总结与体会 (15)6参考文献 (16)附：元件清单 (17)1.绪论随着人们生活水平的不断提高，自动化控制越来越重要，模电与数电的应用也越来越广泛。
数字体温计的设计与制作就是是运用电子技术的基础知识，先通过传感器采集温度信号转化为电信号，再把信号加以处理，运用A-D转化为数字信号通过显示器显示，从而直观的看到。
1.1课题的目的及意义在工作电源Vcc为+5V的条件下，采用AD590温度传感器测量温度，可用集成运放完成信号放大，再通过A-D转换器形成数字信号，用共阳或共阴七段LED数码管实现数显，完成对体温计的设计与制作。
数字温度计与传统温度计相比，具有结构简单、可靠性高、成本低、测量范围广、体积小、功耗低、显示直观等特点。
另外我们知道体温的准确测量十分重要，因此我们要非常重视。
1.2课题的发展趋势在所学的电子技术基础知识的基础上，我们只能运用传感器，集成运放，模数转换器，数显的方向实现体温计的制作。
半导体温度计
实验题目：半导体温度计的设计与制作实验目的：进一步理解热敏电阻的伏安特性和惠斯通电桥测电阻的原理，学习非电学量的电测法，了解实验中的替代原理的应用，同时提高组装、焊接电路的操作能力。
实验器材：热敏电阻、待焊接的电路板、微安表、电阻器、电烙铁、电阻箱、电池、导线、万用表、恒温水浴实验原理：半导体温度计就是利用半导体的电阻值随温度变化而发生急剧变化的特性而制作的，以半导体热敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。
一般使用金属氧化物半导体作温度传感器。
热敏电阻的伏安特性曲线和测温电路原理图如下：图一：热敏电阻的伏安特性曲线和测温电路原理图当取伏安特性曲线的a 段时，近似认为符合欧姆定律。
当I G 使G 满偏时，近似认为V CD =I T（R 3+R T ）。
由基尔霍夫方程组解得： )(2)21(221212121T T T T G T T T G CD R R RR R R R R I V R ++-+-=由上式可以确定R 1（=R 2），其中R 3的确定是在下限温度电阻R T1下，使电桥平衡，从而有R 3=R T1、R 2=R 1。
由下表可以知道，R 3=R T1=2277Ω，R T2=462Ω。
作出R-T 曲线并计算得：R 1=R 2=4545Ω。
T （℃） 15.0 20.0 25.0 30.0 35.0 40.0 45.0 R （Ω） 3143 2576 2140 1822 1508 1285 1082 T （℃） 50.0 55.0 60.0 65.0 70.0 75.0 R G =3913ΩI G =50uA U CD =1VR （Ω）924782670577496433表一：热敏电阻的R-T 关系和基本实验条件实验内容：（1）在坐标纸上绘出热敏电阻的电阻-温度曲线，确定所设计的半导体温度计的下限温度（20℃）所对应的电阻值R T1和上限温度（70℃）所对应的电阻值R T2。
再由热敏电阻的伏安特性曲线确定最大工作电流I T。
半导体温度计的设计与制作实验报告(较详细)
实验题目：半导体温度计的设计与制作实验目的：测试温度在20~70 ℃的范围内，选用合适的热敏电阻和非平衡电桥线路来设计一半导体温度计。
实验原理：半导体温度计就是利用半导体的电阻值随温度急剧变化的特性而制作的，以半导体热敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。
由于金属氧化物半导体的电阻值对温度的反应很灵敏，因此可以作为温敏传感器。
为实现非电量的电测法，采用电学仪器来测量热敏电阻的阻值，还需要了解热敏电阻的伏安特性。
由热敏电阻伏安特性曲线图可知，在V-I 曲线的起始部分，曲线接近线性.半导体温度计测温电路的原理图如上图所示。
图中Ｇ是微安计，R T 为热敏电阻，当电桥平衡时，表的指示必为零，此时应满足条件TR R R R 321=，若取R 1=R 2，则R 3的数值即为R T 的数值。
平衡后，若电桥某一臂的电阻又发生改变，则平衡将受到破坏，微安计中将有电流流过，若电桥电压，微安计内阻R G ，电桥各臂电阻R 1、R 2、R 3已定，就可以根据微安计的读数I G 的大小计算出R T 的大小来。
也就是说，微安计中的电流的大小直接反映了热敏电阻的阻值的大小，因此就可以利用这种“非平衡电桥”的电路原理来实现对温度的测量。
当温度增加时，热敏电阻的电阻值就会减小，电桥出现不平衡，在微安计中就有电流流过。
当热敏电阻处在测温量程的上限温度电阻值R T2时，要求微安计的读数为满刻度。
此时，流入微安计中的电流I G 与加在电桥两端的电压V CD 和R 1、R 2有关，由于选取起始状态（I G =0时）是对称电桥，即 R 1=R 2，故I G 只与V CD 和R T2有关。
若流入热敏电阻R T 中的电流I T 比流入微安计内的电流I G 大得多（即G T I I >>），则加在电桥两端上的电压V CD 近似有 )(3R R I V T CD += （1）根据所选定的热敏电阻的最大工作电流（当R 3=R T2时），可由式（1）确定供电电池的个数。
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实验报告：半导体温度计的设计与制作
张贺PB07210001
一、实验题目：
半导体温度计的设计与制作
二、实验目的：
要求测试温度在20-70 C的范围内，选用合适的热敏电阻和非平衡电桥线路来设计一台半导体温度计。
要求作为温度计用的微安表的全部量程均能有效的利用，即当温度为20 r时，微安表指示为零；而温度为70 r时，微安表指示为满刻度。
要求长时间的测量时，微安表的读数应稳定不变。
三、实验原理:
1.半导体温度计就是利用半导体的电阻值随温度变化而发生急剧变化的特性而
制作的，以半导体热敏电阻为传感器，通过测量其电阻值来确定温度的仪器。
这种测量方法称为非电量的电测法，它可以将各种非电量转变成电学量，然后用电学仪器来进行测量。
2.半导体温度计测温电路原理：
I G 0 时，
电电(1)
R2 R T
当电桥某一臂改变时平衡将受到破坏，G中有读数，可据此求出R T,即G的读数
大小直接反映热敏电阻阻值，从而反映温度。
取 R i R2。
I G 0时，要求R T处于下限，即R a R TI O
由于 I T I G，V CD 1丁R3 R T。
由于R i R 2, R 3 ，整理后有,
R TI 为工作时测量温度量程的下限； R T 2为上限，此时I T 达到最大。
四、实验仪器:
热敏电阻、待焊接的电路板、微安表、电阻器、电烙铁、电阻箱、电池、多 挡开关、导线、多用表、恒温水浴等。
五、实验步骤与数据处理：
1. 在实验前，在坐标纸上绘出热敏电阻的电阻一温度曲线
T( C) 15.0 20.0 25.0
30.0
35.0 40.0 45.0 R() 3175 2597 2
1281
1077
T( C) 50.0
55.0
60.0
65.0 70.0 75.0
R()
9
488
426
R
1
R
2
R
3
R
T 2
R G
R I R 2 R i R 2
R 3 R T 2 R 3 R T 2
V
CD
(2)
2V CD 1
可2
R
T2
R
T1 R
T 2
2 R G
R
T1 R
T2
R
T1 R
T2
(3)
R()
T( C)
选取V CD1V, 已知R G3999 ，I G 50 A。
代入
计算得，
（3）
2V CD 1 R T2 R T1 R T2
R —-— 2 R G
I G 2 R T1 R T 2 R T1 R T2
2 1V 1 488 2597 488
6 2 3999
50 10 A 2 2597 488 2597 488
4853.00
故 R1 R2 4853.00 , R3 R T12597 。
2.根据底版配置图，焊接实际的底版。
3.开关拨到1挡，拔下E处接线，断开微安表。
用万用表测R、R的阻值，调节
两电阻，使万用表示数略小于计算得出的结果（4853.00 ）。
4.将电阻箱接入接线柱A和B,用它代替热敏电阻，将开关拨到3挡，令电阻箱
的阻值为R T1 2597 ,调节电位器 Rs，使电表指示为0。
令电阻箱的阻值为
R T2 488 ，调节电位器R,使微安表满量程。
5.将开关拨到2挡，调节电位器使微安表满量程，这时R4 R T2。
6.将开关拨到3挡，从上面的热敏电阻的电阻一温度特性曲线上读出温度
20-70 C。
每隔2.5 C读一个电阻值。
电阻箱逐次选择前面所取的电阻值,读出微安表的电流读数I
并将微安表表盘刻度改成温度的刻度:
作出对应的I - T曲线:
1( A)
T( C) 7.用实际热敏电阻代替电阻箱，整个部分就是经过定标的半导体温度计。
用此温
度计测量两个恒温状态的温度(水浴31.9 C 和54.5 C )。
读出半导体温度计和恒 温水浴自身的温度，比较其结果。
电流1 A
水浴温度(C)
半导体温度计温度(C)
18.3 31.9 31.4 41.0
54.5
54.0
误差计算:
六、注意事项：
(1) 用万用表检查R 和R 2时，应使其阻值略小于 4853.00 Q 。
(2) 用电烙铁焊接时，应注意不要使其接触到身体以及接线，以免发生意外。
(3) 注意正确使用电烙铁，学会焊接，防止重焊，虚焊，漏焊，短路。
焊接时， S 1放在1挡，电流表“ +”端与E 处要最后连接，以免损坏电表。
(4) 调节R 、R2、R 、R 、R 后，注意不要再碰这些电阻器，以防止改变其电阻, 影响实验结果。
(5) 所要标定的温度点，应从热敏电阻的电阻一温度曲线上读取。
(6) 校准温度时，必须找到设计时所用的那个热敏电阻，实验完毕后，焊下所 有元件，仪器归位。
七、误差分析:
(1) 实验仪器的系统误差，以及在实验中周围的环境所导致的实验仪器性能随 机涨落所造成的误差。
(2) 读取电表示数时，由于估读产生的误差。
(3) 从热敏电阻的电阻一温度曲线上读取温度点时，由于估读而导致的误差。
八、思考题：
为什么在测R 1和R 时，需将开关置于1挡，拔下E 处接线，断开微安表？ 答：
100% 1.57%
54.5 C 54.0 C
100% 0.92%
31.9 C 31.4 C
31.9 C
T 2
T
开关置于1挡，在S2处断开电路是为了防止电路中的电池的电压影响万用表的示数，在S处断开电路是为了防止测得的R1的阻值为R与F2+R+F4的并联的总的阻值，R也是如此。
如果不拔下E处接线，断开微安表，如图一所示，所测得的R的阻值实际上为R i 与R+R的并联的总的阻值，而若拔下E处接线，如图二所示，测得的R i的阻值即为R实际的阻值，R2也是如此。