位移与转速测量(经典版)
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0.2 0.3 0.4 0.5
L
m
光通量
I
光电管光照特性
23
光电管工作原理
+
-
9.2.1 光电式转速计
2.光敏电阻 某些半导体材料在光照射下，吸收一部分光能，使其 内部载流子数目增多，材料电阻减小。 无光照时电阻1.0—100MΩ 光 有光照时电阻小于1.0KΩ P N
3.光电池 半导体p-n结按接合面受光照时， 发生电子和空穴的分离现象，在 接触面两端产生电势。
dR E R
灵敏度
Sg
dR R
10
E
9.1.1 电阻式位移计
优点：灵敏度高，机械滞后小、横向效应小、体积小等特点。 缺点：温度稳定性能差、灵敏度离散度大，非线性误差大等。 应用：用于压力、加速度等参数的测量。 电阻应变式传感器有以下两种应用方式： 1)直接用来测定结构的应变或应力。 2）将应变片贴于弹性元件上，作为测量力、位移、压力、加 速度等物理参数的传感器。 3．固态压阻式传感器 工作原理:是基于半导体材料的电阻效应。
24
+
I
+ + + +
-
光电池
9.2.1 光电式转速计
4．光敏晶体管
光敏二极管的PN结安装在管子顶部，可直接接受光照， 在电路中一般处于反向工作状态。在无光照时，暗电流很小。 当有光照时，光子打在PN结附近，从而在PN结附件产生电子空穴对。它们在内电场作用下作定向运动，形成光电流。光 电流随光照度的增加而增加。因此在无光照时，光敏二极管 处于截止状态，当有光照时，二极管导通。
反射型光电转速传感器工作原理
9.2.2 磁电式转速计
一、磁电式传感器
工作原理：根据电磁感应定理，一个匝数为W的线圈，当穿过该线圈 的磁通Φ 发生变化时，其感应电动势的大小为：
d e N dt
线圈感应电动势的大小，取决于匝数和穿过线圈的磁通变化率。 磁通变化率与磁场强度、磁路磁阻、线圈的运动速度有关，故若改 变其中一个因素，都会改变线圈的感应电动势。按照结构不同，磁 电式传感器可分为动圈式与磁阻式。 1．动圈式 动圈式又可分为线速度型与角速度型。
0 A0 N 2 N2 L Rm 2
0 A0 N 2 S 2 2
a）可变磁阻结构 b）特性曲线 1一线圈 2—铁心 3一衔铁
14
9.1.2 电感式位移计
a）可变导磁面积型 c）单螺管线圈型
15
b）差动型 d）双螺管线圈差动型
9.1.2 电感式位移计
双螺管线圈差动型，较之单螺管型有较高灵敏度及线性， 被用于电感测微计上，常用测量范围为0～300µm，最小分辨 力为0．5µm。
▲直线位移型
灵敏度
R k1 x
dR S k1 dx
▲角位移型 灵敏度
R k
dR S k d
4
9.1.1 电阻式位移计
▲非线性型
f ( x) kx2
f ( x)
为了使输出电阻值 R( x) 与 架应做成直角三角形。
呈线性关系，变阻器骨
f ( x) kx3
变阻器骨架应做成抛物线形。 变阻器式传感器的后 接电路一般采用电阻 分压电路。 ue u0 xp RP x ( )(1 ) x RL xp 优点：结构简单、性能稳定、使用方便。 缺点：分辨力不高，因为受到电阻丝直径的限制。
在机械和汽车的动力系统研究中经常测量转 速，如测发动机转速、汽车传动轴转速、半轴转 速、车轮转速、汽车行驶速度等。 转速的基本测量方法有： 数字式测速—将转速直接转变成相应的脉冲输出； 模拟式测速—将转速变换成相应的模拟量输出； 同步式测速—利用人眼的暂留特性进行观察比较； 下面主要介绍数字式测速中的电测法。
11
9.1.1 电阻式位移计
固态压阻式传感器是以单晶硅为基底材料，按一定晶向 将P型杂质扩散到N型硅底层上，形成一层极薄的导电P型层。 此P型层就相当于半导体应变片中的电阻条，连接引线后就 构成了扩散型半导体应变片。由于基底(硅片)与敏感元件 (导电层)互相渗透，结合紧密，所以基本上为一体。在生产 时可以根据传感器结构形成制成各种形状，如圆形杯或长方 形梁等。这时基底就是弹性元件，导电层就是敏感元件。当 有机械力作用时，硅片产生应变，使导电层发生电阻变化。 一般这种元件做成按一定晶向扩散、四个电阻组成的全桥形 式，在外力作用下，电桥产生相应的不平衡输出。
5
9.1.1 电阻式位移计
应用：用于线位移、角位移测量，在测量仪器中用于伺服记录仪器或 电子电位差计等。 2．电阻应变式传感器 电阻应变式传感器可分为金属电阻应变片式与半导体应变片式两类。 工作原理：应变片发生机械变形时，其电阻值发生变化。
金属丝电阻应变片
1—电阻丝
2—基片
6
3一覆盖层
4—引出线
应用：固态压阻式传感器主要用于测量压力与加速度。
12
9.1.2 电感式位移计
9.1.2电感位移计原理与分类
线圈 线圈 衔铁
铁芯
衔铁
(a)
(b)
(c)
电感式传感器的结构原理
13
9.1.2 电感式位移计
三、电感式传感器
电感式传感器是把被测量转换为电感量变化的一种装置， 其变换是基于电磁感应原理。按照变换方式的不同，可分为自 感型(包括可变磁阻式与涡流式)与互感型(差动变压器式)。 1．自感型 （1）可变磁阻式
21
9.2.1 光电式转速计
在光照作用下，物体内部的原子吸收光能量，获得能量 的电子摆脱原子束缚成为物体内部的自由电子，从而使物体 的导电性能如电阻率发生改变的现象称内光电效应(光导效 应)。 内光电效应器件主要为光敏电阻以及由光敏电阻制成的 光导管。 光线照射在半导体的P-N结上时，在结附近激发出电子 空穴对，在结电场的作用下，电子向N区运动，使P区剩下空 穴，从而N区带负电，P区带正电，形成光生电动势。这种现 象称为光生伏打效应。 光生伏打效应器件主要有光电池，光敏三极管，二极管 等。
位移与转速的测量
2016/8/17
第9章 位移与转速测量
9.1
9.1.1 9.1.2
位移测量
电阻式位移计 电感式位移计
9.2
9.2.1 9.2.2
转速测量
光电式转速计
磁电式转速计
9.2.3 转速脉冲测量方法
ຫໍສະໝຸດ Baidu
9.1
位移测量
线位移
位 移
比如：车身刚度、大梁刚度、路面 不平度、悬架刚度等
角位移
比如：方向盘转角、制动踏板位移、 车身侧倾角、转向角、车轮转角等
9
9.1.1 电阻式位移计
工作原理:是基于半导体材料的压阻效应。 压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时， 原子点阵排列规律发生变化，导致载流子迁移率及载流子浓度 的变化，从而引起电阻率 变化的现象。
(1 2 ) 项是由几何尺寸变 在电阻相对变化的表达式中， 化引起的， E 是由于电阻率变化而引起的。对半导体而言， E 项远远大于 (1 2 ) 项，它是半导体应变片的主要部分，故电 阻相对变化的表达式可简化为
优点：精确度高（最高分辨力可达0．1µm）、线性范围大（可 扩展到±100mm）、稳定性好和使用方便。 缺点：实际测量频率上限受到传感器机械结构的限制。 应用：广泛用于直线位移测定。借助于弹性元件可以将压力、 重量等物理量转换为位移的变化，故也将这类传感器用于压力、 重量等物理量的测量。
19
9.2 转速测量
9.1.1 电阻式位移计
金属箔式应变片
电阻丝的电阻值
R
l A
电阻丝即随同物体一起变形，其电阻值发生相应变化 R R R dR dl dA d l A 或
A r 2
dR dl 2dr d R l r
7
9.1.1 电阻式位移计
dl l
d
E
dr dl r l
dR 2 E (1 2 ) E R
(1 2 )——是由电阻丝几何尺寸改变所引起的，对于同一种材料， 项是常数。
E 项则是由于电阻丝的电阻率随应变的改变而引起的，对于金属丝 来说，是很小的，可忽略。上式可简化为
1
9.1
位 移 常 用 测 量 方 法
位移测量
电阻式位移计（用电阻变化量反映位移S） 电感式位移计（用电感变化量△L反映位移S）
电容式传感器（用电容变化量△C反映位移S） 同位素传感器（用同位素辐射反映位移S) 互感式传感器（用感应电势e反映位移S） 下面介绍应用较广泛的两种传感器：电阻式位移计和电 感式位移计
a）光敏二极管符号
b）光敏二极管的连接
25
9.2.1 光电式转速计
1.直射型光电转速传感器
此类传感器又光源、光电元件、 分度盘组成。机械转速经刻度盘或 者标记的明暗在光电器件上的输入 端构成光的明暗输入，在经过光电 器件根据光的输入输出相应的电压 或电流。对电脉冲放大整形后，观 察△t内的脉冲数。
dR (1 2 ) R dR R Sg 1 2 常数 dl l
8
灵敏度
9.1.1 电阻式位移计
一般市售电阻应变片的标准阻值有60Ω 、120Ω 、350Ω 、600Ω 和 1000Ω 等。其中以120Ω 最为常用。应变片的尺寸可根据使用要求来选定。 优点：体积小、动态响应快、测量精确度高、使用简便等。 缺点：温度稳定性能差，在较大应变作用下，非线性误差大等。 应用：用于应变、力、位移、加速度、扭矩等参数的测量。 半导体应变片 1—胶膜衬底 2—P-Si 3—内引线 4—焊接板 5—外引线
a）电桥电路
b）输出特性
16
9.1.2 电感式位移计
2．互感型——差动变压器式电感传感器 工作原理：这种传感器利用了电磁感应中的互感现象，实质上就是 一个变压器。其一次侧线圈接入稳定交流电源，二次侧线圈感应产 生—输出电压。当被测参数使互感 M 变化时，二次侧线圈输出电压 也产生相应变化。由于常常采用两个二次侧线圈组成差动式，故又 称为差动变压器式传感器。实际应用较多的是螺管形差动变压器。
2
9.1.1 电阻式位移计
电阻式位移计是一种把被测量转换为电阻变化的传感器。 按其工作原理可分为变阻器式和电阻应变式两类。 1．变阻器式位移计
a）直线位移型
b）角位移型
3
c）非线性型
9.1.1 电阻式位移计
变阻器式位移计通过改变电位器触头位置，实 现将位移转换为电阻的变化。其表达式为 ： l R A
20
9.2.1 光电式转速计
光电传感器是将光信号转换为电信号的传感器。若用这种 传感器测量其他非电量时，只需将这些非电量的变化先转换为 光信号的变化。这种测量方法具有结构简单、可靠性高、精度 高、非接触和反应快等优点，被广泛用于各种自动检测系统中。 一、光电测量原理
光电传感器的物理基础是光电效应。用光照射某一物体， 即为光子与物体的能量交换过程，这一过程中产生的电效应称 为光电效应。光电效应按其作用原理分为外光电效应、内光电 效应和光生伏打效应。 在光照作用下，物体内的电子从物体表面逸出的现象称为 外光电效应。在这一过程中光子所携带的电磁能转换为光电子 的动能。 外光电效应器件有光电管和光电倍增管等。
直射型光电转速计工作原理
1—被测轴；2—圆盘； 3—光源； 4—光电管
26
9.2.1 光电式转速计
2.反射型光电转速传感器
反射型光电转速传感器主要是由 被测旋转部件、反光片（或反光贴 纸）、反射型光电传感器组成，在可 以进行精确定位的情况下，在被测部 件上对称安装多个反光片或反光贴纸 会取得较好的测量效果。当旋转部件 上的反光贴纸通过光电传感器前时， 光电传感器的输出就会跳变一次。通 过测出这个跳变频率f，就可以知道 转速n。n=f 如果被测部件上对称安装多个反 光片或反光贴纸，那么n=f/N。N为反 光片或反光贴纸色数量 27
17
9.1.2 电感式位移计
传感器开路输出电压为两次级线圈感应电动势之差
2 E j (M M ) I j E M 0 1 2 R1 jL1
测量电路：一般采用反串电路和桥路两种。下图是一种用于 小位移测量的差动相敏检波电路工作原理图。
18
9.1.2 电感式位移计
22
9.2.1 光电式转速计
二、光电元件
1.真空光电管 阴极由光电材料（锑化铯，铯氯银等）制成，当光从透镜照射到 阴极时，其表面逸出电子，由带正电位阴极的吸引作用，电子形 成定向流动，外电路也产生了电流。
电子 光电阴极 光 阳极
I A
阻 极60 电40 流20
0.1
80
阴极电压
V2 V1
阳极电压
L
m
光通量
I
光电管光照特性
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光电管工作原理
+
-
9.2.1 光电式转速计
2.光敏电阻 某些半导体材料在光照射下，吸收一部分光能，使其 内部载流子数目增多，材料电阻减小。 无光照时电阻1.0—100MΩ 光 有光照时电阻小于1.0KΩ P N
3.光电池 半导体p-n结按接合面受光照时， 发生电子和空穴的分离现象，在 接触面两端产生电势。
dR E R
灵敏度
Sg
dR R
10
E
9.1.1 电阻式位移计
优点：灵敏度高，机械滞后小、横向效应小、体积小等特点。 缺点：温度稳定性能差、灵敏度离散度大，非线性误差大等。 应用：用于压力、加速度等参数的测量。 电阻应变式传感器有以下两种应用方式： 1)直接用来测定结构的应变或应力。 2）将应变片贴于弹性元件上，作为测量力、位移、压力、加 速度等物理参数的传感器。 3．固态压阻式传感器 工作原理:是基于半导体材料的电阻效应。
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+
I
+ + + +
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光电池
9.2.1 光电式转速计
4．光敏晶体管
光敏二极管的PN结安装在管子顶部，可直接接受光照， 在电路中一般处于反向工作状态。在无光照时，暗电流很小。 当有光照时，光子打在PN结附近，从而在PN结附件产生电子空穴对。它们在内电场作用下作定向运动，形成光电流。光 电流随光照度的增加而增加。因此在无光照时，光敏二极管 处于截止状态，当有光照时，二极管导通。
反射型光电转速传感器工作原理
9.2.2 磁电式转速计
一、磁电式传感器
工作原理：根据电磁感应定理，一个匝数为W的线圈，当穿过该线圈 的磁通Φ 发生变化时，其感应电动势的大小为：
d e N dt
线圈感应电动势的大小，取决于匝数和穿过线圈的磁通变化率。 磁通变化率与磁场强度、磁路磁阻、线圈的运动速度有关，故若改 变其中一个因素，都会改变线圈的感应电动势。按照结构不同，磁 电式传感器可分为动圈式与磁阻式。 1．动圈式 动圈式又可分为线速度型与角速度型。
0 A0 N 2 N2 L Rm 2
0 A0 N 2 S 2 2
a）可变磁阻结构 b）特性曲线 1一线圈 2—铁心 3一衔铁
14
9.1.2 电感式位移计
a）可变导磁面积型 c）单螺管线圈型
15
b）差动型 d）双螺管线圈差动型
9.1.2 电感式位移计
双螺管线圈差动型，较之单螺管型有较高灵敏度及线性， 被用于电感测微计上，常用测量范围为0～300µm，最小分辨 力为0．5µm。
▲直线位移型
灵敏度
R k1 x
dR S k1 dx
▲角位移型 灵敏度
R k
dR S k d
4
9.1.1 电阻式位移计
▲非线性型
f ( x) kx2
f ( x)
为了使输出电阻值 R( x) 与 架应做成直角三角形。
呈线性关系，变阻器骨
f ( x) kx3
变阻器骨架应做成抛物线形。 变阻器式传感器的后 接电路一般采用电阻 分压电路。 ue u0 xp RP x ( )(1 ) x RL xp 优点：结构简单、性能稳定、使用方便。 缺点：分辨力不高，因为受到电阻丝直径的限制。
在机械和汽车的动力系统研究中经常测量转 速，如测发动机转速、汽车传动轴转速、半轴转 速、车轮转速、汽车行驶速度等。 转速的基本测量方法有： 数字式测速—将转速直接转变成相应的脉冲输出； 模拟式测速—将转速变换成相应的模拟量输出； 同步式测速—利用人眼的暂留特性进行观察比较； 下面主要介绍数字式测速中的电测法。
11
9.1.1 电阻式位移计
固态压阻式传感器是以单晶硅为基底材料，按一定晶向 将P型杂质扩散到N型硅底层上，形成一层极薄的导电P型层。 此P型层就相当于半导体应变片中的电阻条，连接引线后就 构成了扩散型半导体应变片。由于基底(硅片)与敏感元件 (导电层)互相渗透，结合紧密，所以基本上为一体。在生产 时可以根据传感器结构形成制成各种形状，如圆形杯或长方 形梁等。这时基底就是弹性元件，导电层就是敏感元件。当 有机械力作用时，硅片产生应变，使导电层发生电阻变化。 一般这种元件做成按一定晶向扩散、四个电阻组成的全桥形 式，在外力作用下，电桥产生相应的不平衡输出。
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9.1.1 电阻式位移计
应用：用于线位移、角位移测量，在测量仪器中用于伺服记录仪器或 电子电位差计等。 2．电阻应变式传感器 电阻应变式传感器可分为金属电阻应变片式与半导体应变片式两类。 工作原理：应变片发生机械变形时，其电阻值发生变化。
金属丝电阻应变片
1—电阻丝
2—基片
6
3一覆盖层
4—引出线
应用：固态压阻式传感器主要用于测量压力与加速度。
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9.1.2 电感式位移计
9.1.2电感位移计原理与分类
线圈 线圈 衔铁
铁芯
衔铁
(a)
(b)
(c)
电感式传感器的结构原理
13
9.1.2 电感式位移计
三、电感式传感器
电感式传感器是把被测量转换为电感量变化的一种装置， 其变换是基于电磁感应原理。按照变换方式的不同，可分为自 感型(包括可变磁阻式与涡流式)与互感型(差动变压器式)。 1．自感型 （1）可变磁阻式
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9.2.1 光电式转速计
在光照作用下，物体内部的原子吸收光能量，获得能量 的电子摆脱原子束缚成为物体内部的自由电子，从而使物体 的导电性能如电阻率发生改变的现象称内光电效应(光导效 应)。 内光电效应器件主要为光敏电阻以及由光敏电阻制成的 光导管。 光线照射在半导体的P-N结上时，在结附近激发出电子 空穴对，在结电场的作用下，电子向N区运动，使P区剩下空 穴，从而N区带负电，P区带正电，形成光生电动势。这种现 象称为光生伏打效应。 光生伏打效应器件主要有光电池，光敏三极管，二极管 等。
位移与转速的测量
2016/8/17
第9章 位移与转速测量
9.1
9.1.1 9.1.2
位移测量
电阻式位移计 电感式位移计
9.2
9.2.1 9.2.2
转速测量
光电式转速计
磁电式转速计
9.2.3 转速脉冲测量方法
ຫໍສະໝຸດ Baidu
9.1
位移测量
线位移
位 移
比如：车身刚度、大梁刚度、路面 不平度、悬架刚度等
角位移
比如：方向盘转角、制动踏板位移、 车身侧倾角、转向角、车轮转角等
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9.1.1 电阻式位移计
工作原理:是基于半导体材料的压阻效应。 压阻效应是指单晶半导体材料在沿某一轴向受到外力作用时， 原子点阵排列规律发生变化，导致载流子迁移率及载流子浓度 的变化，从而引起电阻率 变化的现象。
(1 2 ) 项是由几何尺寸变 在电阻相对变化的表达式中， 化引起的， E 是由于电阻率变化而引起的。对半导体而言， E 项远远大于 (1 2 ) 项，它是半导体应变片的主要部分，故电 阻相对变化的表达式可简化为
优点：精确度高（最高分辨力可达0．1µm）、线性范围大（可 扩展到±100mm）、稳定性好和使用方便。 缺点：实际测量频率上限受到传感器机械结构的限制。 应用：广泛用于直线位移测定。借助于弹性元件可以将压力、 重量等物理量转换为位移的变化，故也将这类传感器用于压力、 重量等物理量的测量。
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9.2 转速测量
9.1.1 电阻式位移计
金属箔式应变片
电阻丝的电阻值
R
l A
电阻丝即随同物体一起变形，其电阻值发生相应变化 R R R dR dl dA d l A 或
A r 2
dR dl 2dr d R l r
7
9.1.1 电阻式位移计
dl l
d
E
dr dl r l
dR 2 E (1 2 ) E R
(1 2 )——是由电阻丝几何尺寸改变所引起的，对于同一种材料， 项是常数。
E 项则是由于电阻丝的电阻率随应变的改变而引起的，对于金属丝 来说，是很小的，可忽略。上式可简化为
1
9.1
位 移 常 用 测 量 方 法
位移测量
电阻式位移计（用电阻变化量反映位移S） 电感式位移计（用电感变化量△L反映位移S）
电容式传感器（用电容变化量△C反映位移S） 同位素传感器（用同位素辐射反映位移S) 互感式传感器（用感应电势e反映位移S） 下面介绍应用较广泛的两种传感器：电阻式位移计和电 感式位移计
a）光敏二极管符号
b）光敏二极管的连接
25
9.2.1 光电式转速计
1.直射型光电转速传感器
此类传感器又光源、光电元件、 分度盘组成。机械转速经刻度盘或 者标记的明暗在光电器件上的输入 端构成光的明暗输入，在经过光电 器件根据光的输入输出相应的电压 或电流。对电脉冲放大整形后，观 察△t内的脉冲数。
dR (1 2 ) R dR R Sg 1 2 常数 dl l
8
灵敏度
9.1.1 电阻式位移计
一般市售电阻应变片的标准阻值有60Ω 、120Ω 、350Ω 、600Ω 和 1000Ω 等。其中以120Ω 最为常用。应变片的尺寸可根据使用要求来选定。 优点：体积小、动态响应快、测量精确度高、使用简便等。 缺点：温度稳定性能差，在较大应变作用下，非线性误差大等。 应用：用于应变、力、位移、加速度、扭矩等参数的测量。 半导体应变片 1—胶膜衬底 2—P-Si 3—内引线 4—焊接板 5—外引线
a）电桥电路
b）输出特性
16
9.1.2 电感式位移计
2．互感型——差动变压器式电感传感器 工作原理：这种传感器利用了电磁感应中的互感现象，实质上就是 一个变压器。其一次侧线圈接入稳定交流电源，二次侧线圈感应产 生—输出电压。当被测参数使互感 M 变化时，二次侧线圈输出电压 也产生相应变化。由于常常采用两个二次侧线圈组成差动式，故又 称为差动变压器式传感器。实际应用较多的是螺管形差动变压器。
2
9.1.1 电阻式位移计
电阻式位移计是一种把被测量转换为电阻变化的传感器。 按其工作原理可分为变阻器式和电阻应变式两类。 1．变阻器式位移计
a）直线位移型
b）角位移型
3
c）非线性型
9.1.1 电阻式位移计
变阻器式位移计通过改变电位器触头位置，实 现将位移转换为电阻的变化。其表达式为 ： l R A
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9.2.1 光电式转速计
光电传感器是将光信号转换为电信号的传感器。若用这种 传感器测量其他非电量时，只需将这些非电量的变化先转换为 光信号的变化。这种测量方法具有结构简单、可靠性高、精度 高、非接触和反应快等优点，被广泛用于各种自动检测系统中。 一、光电测量原理
光电传感器的物理基础是光电效应。用光照射某一物体， 即为光子与物体的能量交换过程，这一过程中产生的电效应称 为光电效应。光电效应按其作用原理分为外光电效应、内光电 效应和光生伏打效应。 在光照作用下，物体内的电子从物体表面逸出的现象称为 外光电效应。在这一过程中光子所携带的电磁能转换为光电子 的动能。 外光电效应器件有光电管和光电倍增管等。
直射型光电转速计工作原理
1—被测轴；2—圆盘； 3—光源； 4—光电管
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9.2.1 光电式转速计
2.反射型光电转速传感器
反射型光电转速传感器主要是由 被测旋转部件、反光片（或反光贴 纸）、反射型光电传感器组成，在可 以进行精确定位的情况下，在被测部 件上对称安装多个反光片或反光贴纸 会取得较好的测量效果。当旋转部件 上的反光贴纸通过光电传感器前时， 光电传感器的输出就会跳变一次。通 过测出这个跳变频率f，就可以知道 转速n。n=f 如果被测部件上对称安装多个反 光片或反光贴纸，那么n=f/N。N为反 光片或反光贴纸色数量 27
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9.1.2 电感式位移计
传感器开路输出电压为两次级线圈感应电动势之差
2 E j (M M ) I j E M 0 1 2 R1 jL1
测量电路：一般采用反串电路和桥路两种。下图是一种用于 小位移测量的差动相敏检波电路工作原理图。
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9.1.2 电感式位移计
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9.2.1 光电式转速计
二、光电元件
1.真空光电管 阴极由光电材料（锑化铯，铯氯银等）制成，当光从透镜照射到 阴极时，其表面逸出电子，由带正电位阴极的吸引作用，电子形 成定向流动，外电路也产生了电流。
电子 光电阴极 光 阳极
I A
阻 极60 电40 流20
0.1
80
阴极电压
V2 V1
阳极电压