二极管,三极管资料.

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课件:二极管、三极管、晶闸管知识讲解

课件:二极管、三极管、晶闸管知识讲解

vi

D

0
t
vi
RL
vo
6
vo


0
t
(a)
(b)
稳压
稳压二极管的特点就是反向通电尚 未击穿前,其两端的电压基本保持不变。 这样,当把稳压管接入电路以后,若由 于电源电压发生波动,或其它原因造成
6
电路中各点电压变动时,负载两端的电 压将基本保持不变。 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字 表示
管加反向电压时,不管控制极加
怎样的电压,它都不会导通,而
处于截止状态,这种状态称为晶
闸管的反向阻断。
主回路加反向电压
c 触发导通 d 反向阻断
可控硅只有导通和关断两种工作状态,它具有 开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化, 此条件见下表
状态
条件
说明
从关断到导通
1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流
图a
开关断开
b 正向阻断
(2)触发导通 在图(c)所示
电路中,晶闸管加正向电压,在
控制极上加正向触发电压,此时
指示灯亮,表明晶闸管导通,这
种状态称为晶闸管的触发导通。
(3)反向阻断 在图(d)所示
电路中,晶闸管加反向电压,即
a极接电源负极,k极接电源正极,
此时不论开关s闭合与否,指示
灯始终不亮。这说明当单向晶闸
单向可控硅的结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型 硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。它有三 个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引 出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制 极G,所以它是一种四6 层三端的半导体器件。

二极管三极管的基础知识

二极管三极管的基础知识

二极管三极管的基础知识
1、二极管是一种双极型半导体器件,是由一个n型半导体和一个p型半导体夹层而成,并且由两个电极连接起来,形成了一个半导体导通元件。

二极管的特点是在正反向作用下具有很大的电阻性。

2、二极管有自发型和电控型。

自发型二极管可以单独工作,而电控型二极管依靠外加电压进行工作,又分半导体二极管、隔离二极管和中继二极管。

3、二极管的基本功能:
(1)可以作为电路的一个开关或分流器;
(2)可以对输入电压的放大作用;
(3)可以实现电子电路与电器的互联;
(4)可以实现信号的保护。

二、三极管
1、三极管是由三个电极(收集极、基极和发射极)连接而成的一种半导体器件,它们三个电极间的关系可以控制电子的流动,从而改变电路的电流。

三极管的特点是在正反向作用下具有很大的电阻性,但其中收发极处的电阻值要小于中间基极处的电阻值。

2、三极管通常以晶体管的形式出现,并可分为双极型晶体管和三极型晶体管两种。

3、三极管的基本功能:
(1)可以实现电子电路的功率放大;
(2)可以对输入信号进行阻塞和增益;
(3)可以实现电子电路的解耦;
(4)可以实现电子电路的节流;
(5)可以实现电子电路的低成本放大和控制。

二极管三极管主要参数

二极管三极管主要参数

二极管三极管主要参数二极管和三极管是半导体器件中常见的两种元件,它们在电子电路中具有重要的作用。

下面将详细介绍二极管和三极管的主要参数。

一、二极管的主要参数:1.电压额定值:也称为反向工作电压(VR)或正向导通电压(VF),表示二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压。

对于正向工作,一般为0.7V左右,而对于反向工作,一般为数十V至几百V。

2.最大定向电流:指二极管在正向工作时能够承受的最大电流,也称为连续电流(IF),一般为几毫安到几十安。

3.反向漏电流:指二极管在反向工作时的漏电流,也称为反向电流(IR),一般为几微安到几毫安。

4.开启时间和关断时间:也称为导通时间和截止时间,指二极管从关断到开启、从开启到关断的时间,一般为纳秒或微秒级。

5.反向恢复时间:指二极管在从正向工作状态转为反向工作状态时,恢复正常的导通特性所需的时间,一般为纳秒或微秒级。

6.动态电阻:指二极管在正向工作时的电压变化与电流变化的比值,一般在工作点附近呈线性关系。

7.耐压能力:指二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压,一般为几十伏到几百伏。

二、三极管的主要参数:1.当前放大倍数:也称为直流电流放大倍数(hFE)或β值,指输入电流和输出电流之间的比值,一般为几十至几千。

2.基极电流:也称为输入电流(IB),指输入信号经过基极向集电极注入的电流。

3.饱和电流:也称为最大电流(IC),指当三极管的基极电流达到一定值时,集电极电流不能再继续增大的电流值。

4.最大功耗:指三极管能够承受的最大功率,一般为几十毫瓦到几瓦。

5.最大频率:指三极管能够工作的最高频率,一般为几十MHz到几GHz。

6.最小输入电压:指三极管能够正常工作的最小输入电压。

7.最大输入电压:指三极管能够承受的最大输入电压。

三、总结:二极管主要参数包括电压额定值、最大定向电流、反向漏电流、开启时间和关断时间、反向恢复时间、动态电阻和耐压能力。

这些参数主要描述了二极管在正向和反向工作时的性能。

二极管 三极管 mos管

二极管 三极管 mos管

二极管三极管 mos管二极管、三极管和MOS管是现代电子技术中常用的三种元件。

它们分别具有不同的特性和应用范围,为电子设备的设计和制造提供了重要的支持和便利。

我们来探讨一下二极管。

二极管是一种具有两个电极的电子元件,由P型半导体和N型半导体组成。

二极管具有单向导电特性,即只允许电流在一个方向上通过。

当二极管的正端施加正电压,负端施加负电压时,电流可以顺利通过;而当施加的电压方向相反时,电流则无法通过。

这一特性使得二极管可以用于电路的整流、开关和保护等方面。

接下来,我们来探讨一下三极管。

三极管是一种具有三个电极的半导体器件,分别为发射极、基极和集电极。

三极管可以通过控制基极电流的大小来控制集电极电流的变化。

三极管有两种工作模式,分别为放大模式和开关模式。

在放大模式下,三极管可以将微弱的输入信号放大成较大的输出信号,常用于放大电路中。

而在开关模式下,三极管可以根据基极电流的变化来控制集电极电流的开关,常用于逻辑电路和开关电源等方面。

我们来探讨一下MOS管。

MOS管是金属氧化物半导体场效应管的简称,由金属栅极、绝缘氧化层和半导体基底构成。

MOS管具有高输入阻抗和低功耗的特点,常用于集成电路中。

MOS管有两种类型,分别为N沟道MOS管和P沟道MOS管,根据其导电性质的不同有所区别。

MOS管可以通过控制栅极电压来改变导电性能,实现电流的放大和开关控制。

MOS管广泛应用于数字电路、模拟电路和功率电子等领域。

总结起来,二极管、三极管和MOS管分别具有不同的特性和应用范围。

二极管可以实现单向导电,用于整流、开关和保护等方面;三极管可以放大和开关控制电流,用于放大电路、逻辑电路和开关电源等方面;MOS管具有高输入阻抗和低功耗,用于集成电路、数字电路、模拟电路和功率电子等领域。

这些电子元件的发展和应用,为现代电子技术的发展和进步提供了重要的支持和推动力。

随着科技的不断创新和发展,相信二极管、三极管和MOS管的应用将会更加广泛和深入。

半导体(二极管-三极管和桥堆)介绍资料

半导体(二极管-三极管和桥堆)介绍资料

光刻胶
硅桥制造流程示意图(五)
工序
工艺目的
示意图
镀镍镀金
为硅片两面金属化以 制备高可靠性焊层
划片
用划片机将镀镍镀金 后硅片分离成单个芯 片
硅桥组装工艺流程图
芯片 框架 内联片 焊膏
切断
检验 组装烧结
检验
清洗
测试 检验
打印 引线成型
SMD编带
塑封
后固化 电镀
检验
外观检查 质量一致性检验 入库
硅桥制造流程示意图(六)
硅桥制造流程示意图(三)
工序
工艺目的
涂胶、曝光
在N面涂光刻胶,为台 面的掩蔽腐蚀做准备
示意图
光刻胶
腐蚀
腐蚀出沟槽并去掉光刻 胶,为电泳钝化玻璃粉 做准备
在硅片所腐蚀的沟槽上 电泳和烧结 电泳玻璃并进行烧结来
保护PN结
钝化玻璃
电泳法玻璃沉积原理
将玻璃粉放入有机溶剂形成悬浮液 玻璃粉颗粒与液体互相接触时,使玻璃粉 颗粒表面摩擦带电 带电玻璃粉颗粒在在外电场的作用下相对 于电极方向作电泳运动 玻璃粉沉积在需要保护的半导体芯片表面
反向电压额定值参数之间的关系
VF 0
t
VRWM VRRM
VRSM VR
VRWM —— 反向工作峰值电压 VRRM —— 反向重复峰值电压 VRSM —— 反向不重复峰值电压
整流二极管的伏安特性曲线
I
VBR V
反向恢复时间trr参数概念
在二极管从正向导通转向反向截止时,二极 管的反向电流不会立刻呈现稳态值,而是经历一 个从出现较大的瞬间反向过电流再恢复到反向稳 态电流的过程。这个时间过程称为反向恢复时间。
意义是当器件的耗散功率等于1W时,器件表面温度

二极管,三极管,晶体管概念和用途

二极管,三极管,晶体管概念和用途

二极管、三极管、晶体管概念和用途一、二极管的概念和用途二极管是一种具有两个电极的半导体器件,它具有单向导电特性。

当施加正向电压时,二极管正向导通,电流通过;当施加反向电压时,二极管反向截止,电流基本不通过。

二极管主要用于整流、稳压、开关和检波等电路中。

1、整流在交流电路中,二极管可以将交流信号转换为直流信号。

通过二极管整流,可以将交流电源转换为直流电源,以满足电子设备对直流电源的需求。

2、稳压二极管还可以作为稳压器使用。

在稳压电路中,通过合理连接二极管和电阻,可以实现对电压的稳定。

3、开关由于二极管具有导通和截止的特性,可以将其应用到开关电路中。

在开关电路中,二极管可以控制电流的通断,实现对电路的控制。

4、检波二极管还可以用作检波器。

在无线电接收机中,二极管可以将射频信号转换为音频信号,实现信息的接收和解调。

二、三极管的概念和用途三极管是一种具有三个电极的半导体器件,分为发射极、基极和集电极。

三极管具有放大、开关等功能,是现代电子设备中不可或缺的器件。

1、放大在放大电路中,三极管可以对输入信号进行放大处理。

通过合理设置电路参数,可以实现对电压、电流和功率等信号的放大。

2、开关与二极管类似,三极管也可以用作开关。

通过控制基极电流,可以实现对集电极与发射极之间的电流通断控制。

3、振荡在振荡电路中,三极管可以实现信号的自激振荡。

通过反馈电路的设计,可以使三极管产生稳定的振荡信号。

4、调制在通信系统中,三极管可以用于信号的调制。

通过三极管的放大和调制功能,可以实现对射频信号等信息的传输。

三、晶体管的概念和用途晶体管是一种半导体器件,是二极管的发展和改进,是现代电子技术的重要组成部分,被广泛应用于放大、开关、振荡和数字逻辑电路等领域。

1、放大晶体管可以作为放大器使用,实现对信号的放大处理。

晶体管的放大能力较强,可以应用于音频放大、射频放大等领域。

2、开关晶体管也可以用作开关。

与三极管类似,晶体管可以实现对电路的控制,用于开关电源、数码电路等领域。

三极管和二极管

三极管和二极管

三极管和二极管一、介绍三极管和二极管二极管是一种电子元件,它有两个电极,分别为阳极和阴极。

在正向电压下,电流可以流过二极管,而在反向电压下,电流将被阻止。

因此,二极管通常用于整流器、稳压器和信号检测等应用中。

三极管是另一种电子元件,它由三个区域组成:发射区、基区和集电区。

基区控制从发射区到集电区的电流。

当正向偏置时,三极管可以工作在放大器模式下;当反向偏置时,它可以工作在开关模式下。

三极管通常用于放大器、开关和振荡器等应用中。

二、二极管的类型1. 硅二极管硅二极管是最常见的类型之一。

它有一个PN结,并且具有高的热稳定性和低的漏电流。

2. 锗二极管锗二极管比硅二极管更早被发明,并且具有较低的噪声水平和较高的灵敏度。

但是,锗材料对温度变化非常敏感。

3. 高速二极管高速二极管具有非常短的恢复时间,可以快速地从导通到截止转换。

它们通常用于高频应用中。

4. 肖特基二极管肖特基二极管是一种非常快速的二极管,它具有低的反向电流和较小的开关时间。

它们通常用于高频应用中。

三、三极管的类型1. NPN三极管NPN三极管是最常见的类型之一。

在正向偏置时,电流从发射区流向集电区。

当基区被注入电流时,它将控制从发射区到集电区的电流。

2. PNP三极管PNP三极管与NPN三极管相似,但是在正向偏置时,电流从集电区流向发射区。

当基区被注入电流时,它将控制从集电区到发射区的电流。

3. 功率三极管功率三极管可以处理大量功率并能够承受高压和高温度。

它们通常用于放大器、开关和变换器等应用中。

4. 双极性晶体管(BJT)BJT是一种双向传输器件,可以作为放大器或开关使用。

它由两个PN 结组成,其中一个是NPN结,另一个是PNP结。

四、应用1. 二极管的应用(1)整流器:二极管可以将交流电转换为直流电。

(2)稳压器:二极管可以用作稳压器的关键元件。

(3)信号检测:二极管可以检测并放大无线电频率信号。

2. 三极管的应用(1)放大器:三极管可以放大电路中的信号。

常用二极管三极管场效应管参数资料

常用二极管三极管场效应管参数资料

IC=2A
5A
表 9 3DG 高频小功率硅管及其他同类型硅管(NPN 型)
部标新型
旧型号
PCM

/W
极限参数
直流参数 交流参数
ICM BUCBO BUCEO ICBO ICEO hFE /mA /V /V /μA /μA /β
fT /MHZ
3DG6A 3DG100M
20 15
25~2 ≥150
70
3DG6A 3DG100A
≤1 -6~4 550 1
50
10
53 2
250
2CW 2CW1
5.5~6.5 38
≤0.5 -3~5 500 1
30
10
54 3
2CW 2CW1 6.2~7.5 33
55 4
≤6 400 1
15
10
2CW 2CW1 7~8.8 29
56 5
≤7 400 1
15
5
2CW 2CW1 8.5~9.5 26
400
2CZ54G 2CP
500
2CZ54H 2CP1E
600
2CZ54K 2CP1G
800
测试条件 25℃ 25℃
12 25℃ 0.01s
5℃
2CP10 2CZ82A
2CP11 2CZ82B
2CP12 2CZ82C
2CP14 2CZ82D
2CP16 2CZ82E
2CP18 2CZ82F
2CP19 2CZ82G
工作电流= 10 mA
表 4 发光二极管
型号发光Biblioteka 颜色发光最大工作 正向压降 一般工作
发光亮度 发光功率
波长/
电流/mA /V 电流/mA

二极管三极管主要参数

二极管三极管主要参数

二极管三极管主要参数
二极管参数:
1.额定电流:额定电流是指二极管可以承受的最大电流流量,一般二极管的额定电流有6mA、1mA、500μA、100μA以及1μA等;
2.最大耗散功率:最大耗散功率是指二极管在额定电压下最大可以耗散的功率;
3.集电极和发射极漏电流:不同的二极管集射极的漏电流不同,一般有2mA/1mA/500μA/100μA/1μA等;
4.阈值电压、切断电压:阈值电压是指二极管的前向电压,一般有0.3V/0.55V/0.65V/0.7V/0.75V等;切断电压是指二极管的反向电压,一般有5V/6V/7V/8V/10V/12V等;
5.上升沿时间和下降沿时间:上升沿时间是指二极管从低电压到高电压的时间,一般有2ns/4ns/8ns/10ns等;下降沿时间是指二极管从高电压到低电压的时间,一般有2ns/3ns/4ns/5ns/7ns等;
6.截止电压:截止电压是指二极管的前向电压达到一定的电压,二极管的结构发生变化,从而限制电流流过的电压,一般有
0.7V/1V/3V/4V/5V/6V等;
7.正向电容:正向电容是指二极管的输入端电容,一般有
100pF/250pF/500pF/750pF/1000pF/1500pF/2000pF等;
三极管参数:
1.额定电流:额定电流是指三极管可以承受的最大电流流量,一般三极管的额定电流有3mA/2mA/1mA/500μA/200μA等;
2.最大耗散功率:最大耗散功率是指三极管在额定电压下。

二极管和三极管原理

二极管和三极管原理

二极管和三极管原理二极管原理:二极管是一种有两个电极(即阴极和阳极)的半导体器件。

它基于PN结的特性,PN结是由P型半导体和N型半导体直接相接而形成的结构。

在正向偏置电压下,P型半导体为正极,N型半导体为负极,形成正向电流。

而在反向偏置电压下,P型半导体为负极,N型半导体为正极,形成反向电流。

二极管的主要原理是PN结的单向导电性。

当二极管正向偏置时,P区与N区之间的电子就会向前移动,同时空穴则向后移动,形成正向电流。

而在反向偏置时,由于PN结上有一个势垒,阻碍了电子和空穴的移动,所以几乎没有电流通过。

因此,二极管可以用来控制电流的流向。

二极管的特性使其在电子设备中有广泛的应用。

例如,它可以用作整流器,将交流电转换为直流电。

当正弦波信号通过二极管时,只有正半周期能通过,负半周期将被阻止,从而将交流电转换为直流电。

此外,二极管还可用于稳压电路、振荡器等。

三极管原理:三极管是一种三个电极(即基极、发射极和集电极)的半导体器件。

它是由两个PN结(即P型和N型)组成的。

PNP型和NPN型是两种常见的三极管。

PNP型的集电极和基极为负极,发射极为正极;NPN型的集电极和基极为正极,发射极为负极。

三极管的原理是基于PNP或NPN结的放大作用。

当三极管的基极接受到一个小信号电流时,这个电流通过PN结的放大作用,导致大量的电子或空穴流向集电极。

这样,三极管就能够将小信号放大成大信号。

具体来说,当三极管处于截止状态时,集电极和发射极之间的电流非常小。

当三极管处于饱和状态时,集电极和发射极之间的电流非常大。

通过控制基极电流的大小,可以在截止和饱和之间控制三极管的工作状态,从而实现对信号的放大。

三极管具有放大、开关、振荡等功能,因此在电子电路中有广泛的应用。

例如,三极管可以用于构建放大器,将小信号放大到足够大的程度。

此外,它还可以用于逻辑门电路、时钟发生器等。

二极管和三极管常识介绍

二极管和三极管常识介绍

晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管。

1、作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

正因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。

电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。

2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极),也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。

发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负。

3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管。

1、特点:晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件。

它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。

电话机中常用的PNP型三极管有:A92、9015等型号;NPN型三极管有:A42、9014、9018、9013、9012等型号。

2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法。

为了便于比较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表,供大家参考。

名称共发射极电路共集电极电路(射极输出器)共基极电路输入阻抗中(几百欧~几千欧)大(几十千欧以上)小(几欧~几十欧)输出阻抗中(几千欧~几十千欧)小(几欧~几十欧)大(几十千欧~几百千欧)电压放大倍数大小(小于1并接近于1)大电流放大倍数大(几十)大(几十)小(小于1并接近于1)功率放大倍数大(约30~40分贝)小(约10分贝)中(约15~20分贝)三极管的导通条件:三极管的导通条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。

三极管 二极管 电阻

三极管 二极管 电阻

三极管二极管电阻
1.电阻:
-电阻是一种阻碍电流流动的电子元件,它的主要功能是限制电流、分压、提供负载、匹配阻抗以及与电容配合实现滤波等。

电阻的值通常以欧姆(Ω)为单位,并且在电路中消耗能量,将电能转化为热能。

2.二极管:
-二极管是由PN结组成的半导体器件,具有单向导电性。

它允许电流在一个方向上通过(正向偏置),而在另一个方向上几乎不导通(反向偏置)。

不同类型的二极管有其特定用途,如:-整流二极管:主要用于交流变直流的整流电路。

-稳压二极管:用于稳压电路,提供恒定电压输出。

-发光二极管(LED):当电流通过时会发光,应用于显示和照明系统。

-变容二极管:可以作为可调电容器使用,在高频电路中改变电容量。

3.三极管:
-三极管是一种双极型半导体器件,包含三个电极:基极(Base)、集电极和发射极。

它有两种工作模式:
-放大模式:通过调节基极的小信号电压来控制集电极-发射极之间的大电流,实现电流放大作用。

-开关模式:当基极电压达到某个阈值时,三极管可以从截止状态迅速切换到饱和导通状态,从而用作数字电路中的开关元件。

常用电阻二极管三极管参数资料

常用电阻二极管三极管参数资料

常用电阻二极管三极管参数资料常用电阻、二极管、三极管等元件是电子电路中常见的器件,它们有各自的参数资料。

以下是这些元件的一些常用参数:一、电阻参数资料:1. 额定功率(Rated Power):电阻能稳定工作的最大功率。

2. 额定电阻值(Resistance Value):指电阻在标准环境下的电阻值。

3. 电阻精度(Tolerance):指电阻实际值与额定值之间的偏差范围。

4. 温度系数(Temperature Coefficient):指电阻在不同温度下电阻值的变化程度。

5. 最大工作电压(Maximum Working Voltage):电阻能够承受的最大电压。

6. 储能(Energy Storage):指电阻在通过电流时所消耗或储存的能量。

7. 偏移电阻(Offset Resistance):指电阻两端电压为零时对电流引起的电压偏移。

8. 序列电阻(Series Resistance):指电阻的序列电阻值,即电阻两端连接的电阻。

9. 绝缘电阻(Insulation Resistance):指电阻两端之间的绝缘电阻能力。

10. 频率特性(Frequency Characteristics):指电阻在不同频率下电阻值的变化情况。

二、二极管参数资料:1. 额定反向电压(Reverse Voltage):指二极管能够承受的最大反向电压。

2. 额定电流(Forward Current):指二极管能够稳定工作的最大正向电流。

3. 额定功率(Rated Power):指二极管能够稳定工作的最大功率。

4. 额定正向电压降(Forward Voltage Drop):指二极管正向工作时的电压降。

5. 耗散功率(Power Dissipation):指二极管消耗的功率。

6. 转导纳(Transconductance):指二极管的输入电流变化对于输出电流变化的敏感程度。

7. 反向串扰(Reverse Crossover):指二极管在反向工作时对周围的元件产生的影响。

常用二极管三极管参数

常用二极管三极管参数

常用二极管三极管参数1. 正向电压降(Forward Voltage Drop):即二极管在正向导通时的电压降。

不同类型和材料的二极管正向电压降不同,一般为0.1V到1V之间。

2. 反向电压(Reverse Voltage):即二极管在反向施加电压时可以承受的最大电压,超过该电压则会发生击穿。

3. 正向电流(Forward Current):即二极管在正向导通时通过的电流。

不同类型和材料的二极管正向电流不同,一般为几十mA到几百mA。

4. 反向漏电流(Reverse Leakage Current):即二极管在反向施加电压时的漏电流。

一般来说,漏电流越小,二极管的质量越好。

5. 反向击穿电压(Reverse Breakdown Voltage):即二极管在反向施加电压时发生击穿的最小电压。

不同类型的二极管反向击穿电压不同。

常用三极管参数:1. 最大正向电流增益(Max Forward Current Gain):即三极管在正向工作状态下电流放大的倍数。

这个数值越大,三极管的放大效果越好。

2. 最大反向漏电流(Max Reverse Leakage Current):即三极管在反向工作状态下的漏电流。

这个数值越小,三极管的质量越好。

3. 最大集电结(Collector Junction)饱和电压(VCEsat):即三极管在饱和状态下集电极和发射极之间的电压降。

通常情况下,饱和电压应尽可能低,以确保三极管能够有效地导通。

4. 最大集电极电流(Max Collector Current):即三极管所能承受的最大集电电流。

超过这个数值将导致三极管的击穿和损坏。

5. 最大功耗(Max Power Dissipation):即三极管所能承受的最大功率。

超过这个数值将导致三极管过热并可能损坏。

以上介绍了二极管和三极管的常见参数,这些参数的理解和掌握对于选择合适的二极管和三极管,以及正确设计和应用电路非常重要。

二极管和三极管常识介绍

二极管和三极管常识介绍

二极管和三极管常识介绍一、二极管1.二极管的结构和工作原理二极管由两个半导体材料,P型半导体和N型半导体组成,通过半导体材料的p-n结而形成。

P型材料中的空穴与N型材料中的电子在p-n结附近发生复合,形成空穴区和电子区。

当给二极管正向偏压时,使得电子从N区向P区移动,空穴从P区向N区移动,形成电流通路,此时二极管处于导通状态;当给二极管反向偏压时,使N区成为负极,P区成为正极,p-n结两侧形成空间电荷区,电流不能流动,此时二极管处于绝缘状态。

2.二极管的特性(1)单向导电性:二极管只能在正向偏置时导电,不能在反向偏置时导电。

(2)电流与电压关系:在正向偏置时,二极管的电流与电压之间呈指数关系,即电流随着电压的增大而迅速增大。

(3)截止电压与饱和电流:二极管的正向截止电压是指在正向偏置电压小于截止电压时,二极管停止导通。

而饱和电流是指二极管在正向偏置下,通过的最大电流。

(4)温度特性:二极管的导电性能与温度有关,通常情况下,温度升高,二极管导电情况变差。

3.二极管的应用(1)整流器:利用二极管的单向导电性,可以将交流电转换为直流电。

(2)保护电路:在电子电路中,二极管常用于过电压保护电路中,当电压超过一定范围时,二极管会导通,将多余的电压分流至地。

(3)发光二极管(LED):利用二极管的发光特性,可以将电能转化为光能,常用于指示灯、显示器等设备中。

二、三极管1.三极管的结构和工作原理三极管由三个半导体材料组成,分别为P型半导体、N型半导体和N 型半导体或P型半导体。

三极管的三个区域分别称为基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。

当在基极和发射极之间加一个较小的正向电压时,形成一个PN结,即为二极管的结构;而当再在集电极和发射极之间加一个正向电压时,就会形成两个PN结,即为三极管的结构。

这种结构使得三极管能够处于放大器状态。

2.三极管的工作状态三极管有四种工作状态,分别为截止、放大、饱和和反转。

(1)截止状态:当基极电压为0V或很低时,三极管处于截止状态,此时发射极和集电极之间阻断。

常用二极管

常用二极管
≤1
≥30
≥300
3DG130D
≥60
≥45
≤0.5
≤1
≥30
≥300
测试条件
Ic=
100μA
Ic=
100μA
UCB=10V
UCE=10V
UCE=10V
Ic=50mA
UCE=10V
IE=3mA
fT=100MHZ
表103AG高频小功率锗管及其他同类型锗管
参数
型号
PCM/mW
ICM/mA
U(BR)CEO/V
1
60
3
2CW130
2CW22
3~4.5
600
3000
≤0.5
≤-8
≤250
3
≤20
100
2CW131
2CW22A
4.5~5.8
500
-6~4
≤300
3
≤15
100
2CW132
2CW22B
5.5~6.5
460
-3~5
≤250
3
≤12
100
2CW133
2CW22C
6.2~7.5
400
≤6
≤200
3
≤6
≤15
2DW7C
6.0~6.5
≤5
测试条件
工作电流=10 mA
反向电压=1V
工作电流=10 mA
表4发光二极管
型号
发光
颜色
最大工作电流/mA
正向压降/V
一般工作电流/mA
发光波长/A
发光亮度
/光通量
发光功率/ mW
HG5200砷化镓二极管
红外
3(A)

光敏二极管和光敏三极管简介及应用

光敏二极管和光敏三极管简介及应用

光敏二极管和光敏三极管简介及应用光敏二极管和光敏三极管是光电转换半导体器件,与光敏电阻器相比具有灵敏度高、高频性能好,可靠性好、体积小、使用方便等优。

一、光敏二极管1.结构特点与符号光敏二极管和普通二极管相比虽然都属于单向导电的非线性半导体器件,但在结构上有其特殊的地方。

光敏二极管使用时要反向接入电路中,即正极接电源负极,负极接电源正极。

2. 光电转换原理根据PN结反向特性可知,在一定反向电压范围内,反向电流很小且处于饱和状态。

此时,如果无光照射PN结,则因本征激发产生的电子-空穴对数量有限,反向饱和电流保持不变,在光敏二极管中称为暗电流。

当有光照射PN结时,结内将产生附加的大量电子空穴对(称之为光生载流子),使流过PN结的电流随着光照强度的增加而剧增,此时的反向电流称为光电流。

不同波长的光(兰光、红光、红外光)在光敏二极管的不同区域被吸收形成光电流。

被表面P型扩散层所吸收的主要是波长较短的兰光,在这一区域,因光照产生的光生载流子(电子),一旦漂移到耗尽层界面,就会在结电场作用下,被拉向N区,形成部分光电流;彼长较长的红光,将透过P型层在耗尽层激发出电子一空穴对,这些新生的电子和空穴载流子也会在结电场作用下,分别到达N区和P区,形成光电流。

波长更长的红外光,将透过P型层和耗尽层,直接被N区吸收。

在N区内因光照产生的光生载流子(空穴)一旦漂移到耗尽区界面,就会在结电场作用下被拉向P区,形成光电流。

因此,光照射时,流过PN结的光电流应是三部分光电流之和。

二、光敏三极管光敏三极管和普通三极管的结构相类似。

不同之处是光敏三极管必须有一个对光敏感的PN 结作为感光面,一般用集电结作为受光结,因此,光敏二极管实质上是一种相当于在基极和集电极之间接有光敏二极管的普通二极管。

其结构及符号如图Z0130所示。

三、光敏二极管的两种工作状态光敏二极管又称光电二极管,它是一种光电转换器件,其基本原理是光照到P-N结上时,吸收光能并转变为电能。

二极管及三极管的介绍

二极管及三极管的介绍

二极管(diode)和三极管(triode)二极管的应用非常广泛。

几乎所有的电路中,都要用到二极管。

①二极管的特点、原理和表示。

晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结,在界面处两侧形成空间电荷层,有自建电场。

二极管最重要的特性就是单向导电性。

在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

当没有外加电压时,由于P-N结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等,这样就处于电平衡状态。

当施加正向电压时,外界电场和自建电场的互相抵消使载流子的扩散电流增加引形成正向电流。

当施加反向电压时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

当外加的反向电压增高到一定程度,P-N结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,这就是二极管的击穿现象。

二极管在电路中常用“D”加数字表示,如: D8表示编号为8的二极管。

②二极管的分类。

按照所用的半导体材料,可分为硅二极管(Si管)和锗二极管(Ge管)。

按照用途,可分为稳压二极管、开关二极管、检波二极管、整流二极管等。

按照管芯结构,可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

三极管内部含有2个P-N结,并且具有放大能力的的器件。

①三极管的原理、分类和表示。

三极管顾名思义具有三个电极。

前面我们提到的二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。

其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。

由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补。

比如OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。

三极管在电路中常用“Q”加数字表示,如:Q10表示编号为10的三极管。

二极管三极管的基础知识

二极管三极管的基础知识

二极管三极管的基础知识二极管和三极管是电子领域中常见的两种元件,它们在电路中起着重要的作用。

本文将从二极管和三极管的基础知识入手,介绍它们的结构、工作原理以及在电子设备中的应用。

一、二极管的基础知识二极管是一种具有两个电极的半导体器件,通常由P型半导体和N 型半导体组成。

它的主要作用是允许电流在一个方向上流动,而阻止电流在另一个方向上流动。

二极管的一个电极称为阳极(Anode),另一个电极称为阴极(Cathode)。

二极管的工作原理是基于PN结的特性。

PN结是指P型半导体和N 型半导体的结合处。

当P型半导体的电子与N型半导体的空穴相遇时,会发生电子与空穴的复合,形成一个带电的区域,这个区域被称为耗尽区。

在耗尽区的两端会形成一个电势差,这个电势差被称为势垒。

当二极管正向偏置时,即阳极连接正极,阴极连接负极,势垒将变得较小,电流可以流过二极管。

而当二极管反向偏置时,即阳极连接负极,阴极连接正极,势垒将变得较大,电流无法流过二极管。

二极管有很多种不同的类型,例如常用的正向工作电压为0.7伏的硅二极管和正向工作电压为0.3伏的锗二极管等。

它们在电子设备中广泛应用,如整流器、稳压器、电压调节器等。

二、三极管的基础知识三极管是一种具有三个电极的半导体器件,通常由P型半导体、N 型半导体和另一种掺杂物较少的P型半导体组成。

它的主要作用是放大电流和控制电流。

三极管的三个电极分别为基极(Base)、发射极(Emitter)和集电极(Collector)。

基极用于控制电流,发射极用于发射电子,集电极用于收集电子。

三极管有两种类型,NPN型和PNP型,它们的构造和工作原理基本相同,只是P型半导体和N型半导体的位置相反。

三极管的工作原理是基于PNP结和NPN结的特性。

当三极管的基极电流较小时,三极管处于截止区,电流无法通过三极管。

当基极电流增大时,会使三极管进入饱和区,电流可以从发射极流向集电极。

三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现的,当基极电流变化时,发射极到集电极的电流也会相应变化。

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整流二极管:
发光二极管:(没找到)
快恢复二极管:
稳压二极管:
开关二极管:
2、常用三极管90系列:
大功率三极管:
大功率场效应管:
三端稳压
音频功放
双运放
LFC3 中增益运算放大器
LFC4 低功耗运算放大器
LFC54 低功耗运算放大器
LFC75 低功耗运算放大器
F003 通用Ⅱ型运算放大器
F004(5G23) 中增益运算放大器F005 中增益运算放大器
F006 通用Ⅱ型运算放大器
F007(5G24) 通用Ⅲ型运算放大器F010 低功耗运算放大器
F011 低功耗运算放大器
F1550 射频放大器
F1490 宽频带放大器
F1590 宽频带放大器
F157/A 通用型运算放大器
F253 低功耗运算放大器
F741(F007) 通用Ⅲ型运算放大器F741A 通用型运算放大器
F747 双运算放大器
OP-07 超低失调运算放大器
OP111A 低噪声运算放大器
F4741 通用型四运算放大器
F101A/201A 通用型运算放大器
F301A 通用型运算放大器
F108 通用型运算放大器
F308 通用型运算放大器
F110/210 电压跟随器
F310 电压跟随器
F118/218 高速运算放大器
F441 低功耗JEET输入运算放大器F318 高速运算放大器
F124/224 四运算放大器
F324 四运算放大器
F148 通用型四运算放大器
F248/348 通用型四运算放大器
F158/258 单电源双运算放大器
F358 单电源双运算放大器
F1558 通用型双运算放大器
F4558 双运算放大器
LF791 单块集成功率运算放大器LF4136 高性能四运算放大器
FD37/FD38 运算放大器
FD46 高速运送放大器
LF082 高输入阻抗运送放大器
LFOP37 超低噪声精密放大器
LF3140 高输入阻抗双运送放大器
LF7650 斩波自稳零运送放大器
LZ1606 积分放大器
LZ19001 挠性石英表伺服电路变换放大器LBMZ1901 热电偶温度变换器
LM741 运算放大器
LM747 双运算放大器
OP-07 超低失调运算放大器
LM101/201 通用型运算放大器
LM301 通用型运算放大器
LM108/208 通用型运算放大器
LM308 通用型运算放大器
LM110 电压跟随器
LM310 电压跟随器
LM118/218 高速运算放大器
LM318 高速运算放大器
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LM324 四运算放大器
LM148 四741运算放大器
LM248/348 四741运算放大器
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LM1558 双运算放大器
OP-27CP 低噪声运算放大器
TL062 低功耗JEET运算放大器
TL072 低噪声JEET输入型运算放大器TL081 通用JEET输入型运算放大器
TL082 四高阻运算放大器(JEET)
TL084 四高阻运算放大器(JEET)
MC1458 双运放(内补偿)
LF147/347 JEET输入型运算放大器
LF156/256/356 JEET输入型运算放大器LF107/307 运算放大器
LF351 宽带运算放大器
LF353 双高阻运算放大器
LF155/355 JEET输入型运算放大器
LF157/357 JEET输入型运算放大器
LM359 双运放(GB=400MC)
LM381 双前置放大器
CA3080 跨导运算放大器
CA3100 宽频带运算放大器
CA3130 BiMOS运算放大器
CA3140 BiMOS运算放大器
CA3193 BiMOS精密运算放大器
CA3401 单电源运算放大器
MC3303 单电源四运算放大器
MC3403 低功耗四运放
LF411 低失调低漂移JEET输入运放
LF444 四高阻抗运算放大器
μpc4558低噪声宽频带运放
MC4741 四通用运放
LM709 通用运放
LM725 低漂移高精度运放
LM733 宽带放大器
LM748 双运放
ICL7650 斩波稳零运放
ICL7660 CMOS电压放大(变换)器
=============
常见运放型号简介
CA3130 高输入阻抗运算放大器Intersil[DATA] CA3140 高输入阻抗运算放大器
CD4573 四可编程运算放大器MC14573
ICL7650 斩波稳零放大器
LF347(NS[DATA]) 带宽四运算放大器KA347
LF351 BI-FET单运算放大器NS[DATA]
LF353 BI-FET双运算放大器NS[DATA]
LF356 BI-FET单运算放大器NS[DATA]
LF357 BI-FET单运算放大器NS[DATA]
LF398 采样保持放大器NS[DATA]
LF411 BI-FET单运算放大器NS[DATA]
LF412 BI-FET双运放大器NS[DATA]
LM124 低功耗四运算放大器(军用档) NS[DATA]/TI[DATA]
LM1458 双运算放大器NS[DATA]
LM148 四运算放大器NS[DATA]
LM224J 低功耗四运算放大器(工业档) NS[DATA]/TI[DATA] LM2902 四运算放大器NS[DATA]/TI[DATA]
LM2904 双运放大器NS[DATA]/TI[DATA]
LM301 运算放大器NS[DATA]
LM308 运算放大器NS[DATA]
LM308H 运算放大器(金属封装)NS[DATA]
LM318 高速运算放大器NS[DATA]
LM324(NS[DATA]) 四运算放大器HA17324,/LM324N(TI)
LM348 四运算放大器NS[DATA]
LM358 NS[DATA] 通用型双运算放大器HA17358/LM358P(TI) LM380 音频功率放大器NS[DATA]
LM386-1 NS[DATA] 音频放大器NJM386D,UTC386
LM386-3 音频放大器NS[DATA]
LM386-4 音频放大器NS[DATA]
LM3886 音频大功率放大器NS[DATA]
LM3900 四运算放大器
LM725 高精度运算放大器NS[DATA]
LM733 带宽运算放大器
LM741 NS[DATA] 通用型运算放大器HA17741 MC34119 小功率音频放大器
NE5532 高速低噪声双运算放大器TI[DATA] NE5534 高速低噪声单运算放大器TI[DATA] NE592 视频放大器
OP07-CP 精密运算放大器TI[DATA]
OP07-DP 精密运算放大器TI[DATA]
TBA820M 小功率音频放大器ST[DATA]
TL061 BI-FET单运算放大器TI[DATA]
TL062 BI-FET双运算放大器TI[DATA]
TL064 BI-FET四运算放大器TI[DATA]
TL072 BI-FET双运算放大器TI[DATA]
TL074 BI-FET四运算放大器TI[DATA]
TL081 BI-FET单运算放大器TI[DATA]
TL082 BI-FET双运算放大器TI[DATA]。

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