职高电子技术判断题(DOC)

一、选择题：* 10101001 常温下单晶半导体中就存在着一定数量的电子一空穴对。

( )□10101002空穴参与导电，是半导体区别于其他导体导电的一个重要特点。

（）□10101003空穴的导电过程实质上是电子向一个方向连续填补空穴的运动。

（）＊10101004在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

（）在纯净的半导体中掺入某些微量杂质元素可使半导体的导电性能显著增强。

( )在硅或锗晶体中掺入五价元素可形成P型半导体。

( )在硅和锗晶体中掺入三价元素可形成N型半导体。

( )□10103008 在Ｐ型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

（）＊10103009在Ｎ型半导体中，电子是多数载流子，所以Ｎ型半导体带负电。

（）□10104010当Ｎ型和Ｐ型半导体结合在一起时，由于浓度差的存在，使Ｐ区的电子向Ｎ区扩散，使Ｎ区的空穴向Ｐ区扩散，这称为多数载流子的扩散运动。

（）□10104011将Ｐ区接电源正极，Ｎ区接电源负极，此时ＰＮ结处于反偏状态。

（）□10104012ＰＮ结正偏时，多数载流子运动加剧，形成较大的正向电流。

（）10104013 PN结反向偏置时内电场削弱，阻挡层变薄，电阻变小。

( ) 10104014 PN结正向偏置时内电场增强，阻挡层变厚，电阻变大。

( )10105015 PN结的单向导电性就是指它正偏导通，反偏截止的特性。

( ) * 10105016 PN结反向偏置时，反向电流随着反向电压增大而增大。

( ) □10201017一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

（）□10201018晶体二极管的正向导通后，随电流的增大电压也成比例地上升。

（）* 10201019 晶体二极管是线性元件。

( )硅二极管的死区电压是0.2V，锗的死区电压是0.5V。

( )10201021 晶体二极管正常工作时的管压降都是0.7V。

( ) 10201022 晶体二极管加上正向电压后就会导通。

( )* 10201023 晶体二极管一旦反向击穿就不能再使用。

( )10201024 晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

( ) 10201025 二极管具有单向导电性。

( )□10202026由二极管的单向导电特性可知，它的正向电阻小，反向电阻大。

（）* 10202027 二极管的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。

( )□10203028点接触型晶体二极管允许通过电流大于面接触型晶体二极管。

（）10203029 小电流的二极管常用玻璃壳或塑料壳封装；电流较大的二极管常用金属外壳封装。

( )＊10204030用机械万用表测二极管正向电阻时，应将万用表的红表棒接二极管的正极，黑表棒接二极管的负极。

（）10204031用万用表测得一个二极管的正反向电阻都是无穷大，则二极管已经短路。

( )□10205032硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小，所以硅二极管的温度特性比锗二极管好。

（）10205033 在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。

( )□10206034一般取击穿电压的一半作为晶体二极管的最大反向工作电压。

（）□10206035晶体二极管反向击穿后立即烧毁。

（）* 10206036 把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管两端，此二极管就会被击穿。

( )10206037 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。

( ) 10206038 如果二极管的正反向电阻都很大，则该晶体二极管已被击穿。

( ) ＊10220039在图一所示电路中，晶体二极管为硅管或锗管均不能导通。

（）□10301040晶体三极管由二个ＰＮ结构成，晶体二极管由一个ＰＮ结构成，所以可以由二个晶体二极管构成一个晶体三极管。

（）□10301041晶体三极管有两个ＰＮ结，因此它具有单向导电性。

（）* 10301042 NPN型三极管处于放大状态时各极电位关系应满足U C＞U B＞U E。

( )* 10301043 PNP型三极管的各极电位关系为U C＞U B＞U E，则该三极管处于截止状态。

( )* 10301044 一个PNP型硅三极管各极对地电位为：4V、4.3V、3.6V，则该三极管工作在饱和状态。

( )□10302045常温下，硅晶体三极管的ＵBE约为0.7V，且随温度升高而增大。

（）□10302046在晶体三极管发射结上加正偏电压时，就会产生基极电流。

（）10302047 三极管输入特性是指三极管的集电极和发射极之间的电压一定，加在基极和发射极之间的电压和基极电流之间的关系曲线。

( )□10303048晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结正偏,发射结反偏。

（）10303049 晶体三极管的输出特性可分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。

( )10303050 在三极管输出特性曲线中，当I B=0时，I C等于I CBO。

( ) 10303051 晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流随基极电流的增加而增加。

( )10303052 发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。

( )10303053 三极管的穿透电流不受基极控制，与放大无关。

( )10303054 一般说来晶体三极管的电流放大系数β随温度升高而减小。

( )10303055 发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。

( )/I B，它不随工作点改10303056 晶体三极管的交流放大系数表示为β=I变而改变。

( )* 10303057 晶体三极管的发射结和集电结都是PN结，因此，发射极和集电极可以互换使用。

( )10303058 晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。

( )10303059 晶体三极管不允许工作在过损耗区。

( )10304060 三极管的放大作用就是把小电流放大成大电流。

( )＊10304061某晶体三极管的I B=10µA时，I C=0.44mA；当I B=20µA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数β=45。

（）10304062 三极管放大作用的实质是用较小的电流控制较大的电流。

( )＊10304063测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是–9V，-6V和-6.2V，则这个晶体三极管是ＮＰＮ型锗管。

( ) * 10305064 以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，如果测得两个阻值均较小，则该管为PNP型。

( )□10305065用万用表测得晶体三极管任两脚间的电阻均很小，说明该晶体三极管的二个PN结都已烧毁。

（）* 10305066 以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，如果测得两个阻值均较大，则该管为NPN型。

( ) 10401067 根据MOS管的图形符号不仅可以识别这个MOS管是N沟道的还是P沟道，而且还可识别出它是耗尽型的还是增强型的。

( ) □10402068绝缘栅场效应管的栅极与源极和漏极之间是相互完全绝缘的。

（）10402069 MOS管的一个突出优点是输入电阻高。

( )□10403070场效应管是以栅源电压控制漏极电流。

（）10403071 U的微小变化可以引起输入电压U DS较大变化，这就是结型场效应管能进行电压放大的原理。

( )* 10403072 场效应管的漏极和源极通常制成对称的，只要产品源极与衬底没有连在一起，那么漏极和源极就可互换使用。

( )=0，那么就不存在导电在N沟道增强型MOS管中，如果U沟道。

( )* 10403074 夹断电压U P和开启电压U T的正负性与导电沟道类型无关。

( ) □10403075晶体三极管是电流控制型器件，而场效应管是电压控制型器件。

（）10501076 稳压二极管的正常工作区为PN结的反向击穿区。

( )10501077 稳压管的反向电流在一定范围内变化时，稳压管端的电压几乎不变。

( )□10502078开关二极管与普通二极管的不同之处是它的反向电阻极大。

（）硅开关二极管开关时间极短，仅需几个纳秒。

( )□10503080变容二极管具有显著的变容效应，其PN结的结电容会随着正向电压的变化而变化。

（）* 10503081 变容二极管工作时应加反向电压，其PN结的结电容随反向电压变化而变化。

( )10504082 发光二极管发光的颜色与它所用的材料无关。

( )□10505083光电三极管使用时集电极和发射极极性接反时，电路不能正常工作。

（）* 10505084 光电二极管工作时加上正向电压，光电流随光照强度的增加而上升。

( )□10505085光电二极管和发光二极管使用时都应接正向电压。

（）＊20101086按放大器中三极管的连接方式来分，有共射极、共基极和共集电极放大器等，其中只有电流放大作用而无电压放大作用的是共射极接法。

（）20101087 放大电路中三极管连接方式可分为共射极，共基极二种。

( )□20102088在单管放大电路中若电源电压不变，只要变化集电极电阻的值就可以改变集电极电流的值。

（）* 20102089 放大器不设静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性会产生失真。

( ) 20102090 合理设置放大器的静态工作点，就可以防止电路产生失真现象。

( )，I CQ和U CEQ。

( )20102091 放大器中晶体三极管静态工作点是指I□20103092共发射极放大电路中，集电极电阻的作用是将三极管的电流放大作用以电压放大的形式表现出来。

（）20103093 低频放大电路放大的对象是电压、电流的平均值。

( )20103094 低频放大电路放大的对象是电压，电流的变化量。

( )就可以使三极管有合适的静态工20103095 选择合适的基极偏置电阻R作点。

( )* 20103096 在共发射极放大电路中，集电极负载电阻R C=0时，输出电压不一定等于零。

( )20103097 共发射极放大电路中的耦合电容C、C2的作用只有一个，就是保证输入和输出信号畅通地传输。

( )□20104098共射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以该电路有时被称为反相器。

（）* 20104099 放大电路工作在动态时，为了避免失真，发射结电压直流分量和交流分量应相等。

( )20104100 共发射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以它具有倒相作用。

( )□20104101交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。

( ) 20201102 放大器的非线性失真是指其输出波形与输入波形的形态有一定差异。

( )□20201103在晶体管放大电路中，静态工作点过高出现截止失真，静态工作点过低出现饱和失真，截止失真和饱和失真统称非线性失真。