单结晶体管及触发电路
单结晶体管触发电路工作原理
单结晶体管触发电路工作原理单结晶体管触发电路由一个单极性晶体管组成，其结构和工作原理类似于普通的集电极放大电路。
晶体管由三个区域组成：发射区、基区和集结区。
基区接入触发信号电源，而集结区接入电源，形成偏置电压。
当输入信号电压通过基区施加到晶体管时，集结结区的二极管就会被极化。
当输入信号电压高于一定阈值时，集结结区的二极管会开始导通，从而导致晶体管进入饱和状态。
1.稳定偏置：通过集结区的偏置电压来稳定晶体管的工作点。
这个偏置电压可以使集结结区的二极管处于正向偏置状态。
2.输入信号：通过将输入信号电压附加在基区时，可以改变集结结区二极管的电场分布。
当输入信号电压高于一些阈值时，集结结区二极管开始导通。
3.晶体管饱和：当集结结区二极管导通时，基区的电流会极大增加，导致晶体管进入饱和状态。
在饱和状态下，晶体管的集电极电流将近似于直流驱动电流。
4.输出信号：晶体管的饱和状态使得输出电压趋近于接近集电极电流的电源电压。
根据以上的工作原理，单结晶体管触发电路具有以下特点：1.简单：单结晶体管触发电路只需要一个晶体管和少量的外部元件，所以它的设计和实施都相对简单。
2.快速：由于晶体管本身的快速开关特性，单结晶体管触发电路可以实现高速开关操作，适用于需要快速开关的应用领域。
3.高可靠性：晶体管是一种稳定可靠的元件，所以单结晶体管触发电路在稳定性和可靠性方面具有优势。
4.小尺寸：由于单结晶体管触发电路仅由一个晶体管和少量的外部元件组成，所以它的尺寸相对较小，适用于空间有限的应用场景。
此外，单结晶体管触发电路还常用于时序电路和计时器中。
由于其高速开关特性和稳定可靠性，它可以实现精确的时序控制和计时功能。
因此，在电子钟、计时器、频率计等应用中也经常使用单结晶体管触发电路。
总而言之，单结晶体管触发电路是一种功能强大、可靠性高、适用范围广的电子元件。
它的工作原理简单明了，应用场景广泛，是电子电路设计和实施中不可或缺的一部分。
单结晶体管触发电路
单结晶体管触发电路看一看单结晶体管触发电路如图3-1所示，注意观察电路中所用的元器件，特别是有关元器件的型号或参数。
三极管9012的管脚图如图3-2所示，单结晶体管BT33的管脚图如图3-3所示。
图3-1 单结晶体管触发电路图3-2 9012的管脚图图3-3 单结晶体管BT33的管脚图知识链接单结晶体管的基本特性：1．等效电路单结晶体管等效电路如图3-4所示。
r b1：E与B1间电阻，随发射极电流而变，即IE上升，r b1下降。
rb2：E与B2间的电阻，数值与IE无关。
rbb：两基极间电阻。
rbb = r b1 + rb2η：称为分压比，r b1与rbb的比值，η一般在0.3 ~ 0.8 之间。
图3-4 单结晶体管等效电路图2．导通条件VEE > ηVBB + VD (VD为PN结的正向电压)想一想如图3-1所示，单结晶体管触发电路是如何工作的？做一做1．检测图3-1所示电路中的元器件。
2．根据图3-1所示电路完成印制板图设计（板子尺寸：100mm×80mm）。
3．根据设计的印制板图在多孔板上完成电路的装接。
注意：电解电容、二极管、稳压二极管、三极管和单结晶体管的极性。
测一测用示波器实测并画出单结晶体管触发电路各点波形图，将结果画入如图3-5所示。
图3-5 测各点波形学一学单结晶体管触发电路工作特点：1．电源变压器的二次侧24V交流电压经单相桥式整流后由稳压管V5削波得到梯形波电压，该电压既作为单结晶体管触发电路的同步电压，又作为单结晶体管的工作电源电压。
2．V7、V8组成直接耦合放大电路，V7采用PNP型管，V8采用NPN型管，触发电路的给定电压（U1）由电位器RP调节，U1经V8放大后加到V7。
三极管V7相当于由U1控制的一个可变电阻，它起到移相的作用。
3．V9~V11是三极管V8的基极正反向电压保护作用。
单结晶体管触发电路
单结晶体管触发电路用单结晶体管组成的触发电路具有结构简单、VT1211调节方便、输出功率小和输出脉冲窄等特点，适用于50 A以下晶闸管的触发电路。
图6 -14是单结晶体管组成的触发电路。
电源U和R、C构成充电回路；C，RB1和单结晶体管结构成放电回路。
为了使电路处于自激振荡工作状态，射极电压UE=U-iER所表示的射极负载线应与发射结特性交于负阻区。
设电容C上的初始电压uc=0。
接通电源U后，一方面它通过RB1、RB2在E与B．结间建立峰点电压UP;另一方面其经R向电容C进行充电，则UE=UO按指数规律上升，如图6-15所示。
在UE<UP期间，管子截止，输出电压uc =0。
当UE≥UP时，管子导通，电阻RB1急剧减小，电容C向R1放电，由于R1取值较小，一般为50～100Ω，放电很快，放电电流在R1上形成一脉冲电压UG，如图6-15所示。
而电阻R的阻值取得较大，当电容电压uc下降到单结晶体管的谷底电压Uv时，电源经过电阻R供给的电流小于单结晶体管的谷点电流Iv，于是管子截止。
电源再次经过R向C充电，重复上述过程，于是在电阻R1上又得到一个脉冲电压UG。
以上电路有一个缺点，即不满足“同步”。
而在前述的可控整流电路中，晶闸管是串在主回路中来调节输出电压的大小，晶闸管在每次承受正向偏压期间，要求第一个触发脉冲出现的时间均相同，这样可获得稳定的直流电压输出，即保持同步。
为了克服以上缺点，常用的是如图6 -16所示的完全可控的同步触发电路。
图6 -16中，Ts为同步变压器，其作用是使副边供给触发电路电源原边主回路电源为同一频率。
副边经桥式整流和稳压管削波限幅后，得到梯形波电压uB作为触发电源电压。
当交流电源u1过零时，U2和UB同时过零，因此单结晶体管RB1、RB2的之间电压UBB 也过零，使管子内部电位UA =O，可使电容C上电荷很快释放。
在下一个半周开始时，基本从零开始充电，这样才能保证每个半周期触发电路送出的第一只脉冲过零时刻的口角一致，起到同步作用。
单结晶体管触发电路
优点：单结晶体管触发电路比较简单，温度性能比较好，有一定的抗干扰能力，
缺点：脉冲前沿陡，输入功率较小，脉冲宽度较窄，只能承受调节RP （电位器R2）,无法加入其它信号，移相范围≤180°，
一般为150°此电路可以用在单相可控硅整流电路要求不高的场合，能触发50A 以下的晶闸管。
交流电压经桥式整流和稳压后削波后得到梯形电压。
脉冲电压形成时梯形同步电压经R2、R3对电容C 充电，
C 两端电压上升到单结晶体管峰点电压UP(BT33的峰点电压）时，单结晶体管由截止变为导通，通过e---b1---R5放电，
放电电流在电阻RB1（放电电阻R5)上产生一组尖顶脉冲电压，由RB1(放电电阻R5)输出一组触发脉冲，其中第一个脉冲使晶闸管触发导通，后面的脉冲对晶闸管工作没有影响。
随着C 的放电，当电容两端电压下降到单结晶体管谷点电压UV(BT33谷底电压）时单结晶体管重新截止，
C 重新充电，重复上述过程。
RB1(放电电阻R5)上又输出一组峰顶脉冲电压，这个过程重复进行。
当梯形电压过零点时，电容C 两端电压也为零，因此电容每一次连续充放电的起点就是电源电压过零点，这样就保证输出电压的频率和电源频率同步。
移相是通过改变RP(电位器R2)的大小实现的，改变RP(电位器R2)的大小可以改变C 的充电速度，因此就改变了第一个脉冲出现的时间，从而达到了移相的目的。
单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验报告
单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验报告实验目的：研究单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路的特性。
实验器材：单结晶体管、电阻、电容、整流电路板、交流电源。
实验原理：1.单结晶体管触发电路：单结晶体管触发电路是一种常用的触发电路，可用于控制开关电路，使电路开启或关闭。
单结晶体管的基极和发射极之间的电流可以通过控制功率电源的输入电压来调节，从而实现对整个触发电路的控制。
2.单相半波可控整流电路：单相半波可控整流电路主要包括一个可控硅管和一个载流电阻。
通过控制可控硅管的导通角，可以实现对交流电的半波整流，将交流电转换为直流电。
实验步骤：1.搭建单结晶体管触发电路：根据实验要求，接入单结晶体管、电阻和电容，连接交流电源。
确定合适的电流和电压参数。
2.调节交流电源输出电压，观察并记录单结晶体管的调节情况。
3.搭建单相半波可控整流电路：根据实验要求，接入可控硅管和载流电阻，连接交流电源。
确定合适的电流和电压参数。
4.调节交流电源输出电压，观察并记录可控硅管的导通角度和整流电路的输出情况。
实验结果：1.单结晶体管触发电路的调节情况：在不同的输入电压下，单结晶体管的输出电流变化情况。
2.单相半波可控整流电路的输出情况：记录不同导通角度下，整流电路的输出电流和输出电压。
实验讨论：根据实验结果，分析单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路的特性和工作原理。
对于单结晶体管触发电路，可以控制电路的开启和关闭，实现对电路的控制。
对于单相半波可控整流电路，可以将交流电转换为直流电，实现对电流的整流。
单结晶体管触发电路
DZ b
uc C R1
uL
电压的计算： U 0.9 1 cos U L 2
2
单结晶体管触发电路
一、单结晶体管
1、极） E P N
B2 （第二基极）
B1 （第一基极）
单结管符号
B2
E B1
单结管外形
2、单结晶体管的特性：
RB1 U A U BB RB1 RB 2 U BB
-- 分压比
(0.35 ~ 0.75)
2、如果灯不可调，会是什么原因？
作业：
1、画出单结晶体管的符号及等效电路。 2、分析三个区域的特性。 3、分析单结晶体管触发电路的原理。
1. 单结管触发的可控整流电路中，主电路和触发电路为什么接在同一个变压 器上？
uC
可控硅的导 通角不定。
uG t
uo
2. 触发电路中，整流后为什么加稳压管？ c 稳压管的作用：将整 R2 流后的电压变成梯形 RP UZ d （即削波），使单结 e DZ 管两端电压稳定在稳 uc C R1 压管的稳压值上，从 b udb 而保证单结管产生的 电容充、放电 UP 脉冲幅度和每半个周 UV 期产生第一脉冲的时 ueb 间，不受交流电源电 触发脉冲 UP-UD 压变化的影响。
uC
UP UV t E t uC C R
R2
E
uo
UP-0.7
R1
uo
振荡波形： uC R
E
E C uC
R2 B2
B1
UP UV
uo uO t t
R1
三、电路
a
R
c
R2 d e
RP u2
u1 u3
DZ b
单结晶体管触发电路
整理ppt
11
U E P
Up
Uv 0 Ip
V
Iv
IE
图 1-17 单结晶体管发射极伏安特性曲线
整理ppt
12
当IE增大至一定程度时，载流子的浓度使注入空穴遇到阻 力， 即电压下降到最低点，这一现象称为饱和。欲使IE继续增 大，必须增大电压UE。由负阻区转化到饱和区的转折点V称为 谷点。与谷点对应的电压和电流分别称为谷点电压Uv和谷点电 流Iv。谷点电压是维持单结晶体管导通的最小电压，一旦UE小 于Uv ，则单结晶体管将由导通转化为截止。
晶闸管触发电路
整理ppt
1
1.4 晶闸管触发电路
1.4.1
晶闸管的型号很多，其应用电路种类也很多，不同的晶闸 管型号、不同的晶闸管应用电路对触发信号都会有不同的具体 要求。归纳起来， 晶闸管触发主要有移相触发、过零触发和 脉冲列调制触发等。不管是哪种触发电路， 对它产生的触发 脉冲都有如下要求：
（1） 触发信号可为直流、交流或脉冲电压。由于晶闸管触
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7
发射极E
B第二基极 2
欧姆接触电阻
B2
E B1
B1第一基极
图 1-15 单结晶体管的结构示意图和电气符号
整理ppt
8
图1-16所示为单结晶体管特性实验电路及其等效电路。将 单结晶体管等效成一个二极管和两个电阻RB1、RB2组成的等效 电路，那么当基极上加电压UBB时，RB1
U AR B 1R B 1 R B2U BB R R B B 1U BBB U BB
发导通后，门极触发信号即失去控制作用，为了减小门极的损
耗，一般不采用直流或交流信号触发晶闸管，而广泛采用脉冲
触发信号。
整理ppt
单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验
实验一单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验组员：毕涛、付晨、李国涛一．实验目的1．熟悉单结晶体管触发电路的工作原理及各元件的作用。
2．掌握单结晶体管触发电路的调试步骤和方法。
3．对单相半波可控整流电路在电阻负载及电阻—电感负载时工作情况作全面分析。
4．了解续流二极管的作用。
二．实验内容1．单结晶体管触发电路的调试。
2．单结晶体管触发电路各点波形的观察。
3．单相半波整流电路带电阻性负载时特性的测定。
4．单相半波整流电路带电阻—电感性负载时，续流二极管作用的观察。
三．实验线路及原理将单结晶体管触发电路的输出端“G”“K”端接至晶闸管VT1的门极、阴极，即可构成如图1-1所示的实验线路。
四．实验设备及仪器1．教学实验台主控制屏；2．NMCL—33组件；3．NMCL—05(E)组件；4．MEL－03(A)组件；5．双踪示波器（自备）；6．万用表（自备）。
五．注意事项1．双踪示波器（自备）有两个探头，可以同时测量两个信号，但这两个探头的地线都与示波器的外壳相连接，所以两个探头的地线不能同时接在某一电路的不同两点上，否则将使这两点通过示波器发生电气短路。
为此，在实验中可将其中一根探头的地线取下或外包以绝缘，只使用其中一根地线。
当需要同时观察两个信号时，必须在电路上找到这两个被测信号的公共点，将探头的地线接上，两个探头各接至信号处，即能在示波器上同时观察到两个信号，而不致发生意外。
2．为保护整流元件不受损坏，需注意实验步骤：（1）在主电路不接通电源时，调试触发电路，使之正常工作。
（2）在控制电压U ct=0时，接通主电路电源，然后逐渐加大U ct，使整流电路投入工作。
（3）正确选择负载电阻或电感，须注意防止过流。
在不能确定的情况下，尽可能选择较大的电阻或电感，然后根据电流值来调整。
（4）晶闸管具有一定的维持电流I H ，只有流过晶闸管的电流大于I H ，晶闸管才可靠导通。
实验中，若负载电流太小，可能出现晶闸管时通时断，所以实验中，应保持负载电流不小于100mA 。
单结晶体管触发电路
（3）移相控制
工作原理： 当Re增大时，单结晶体管发射极充电到峰点电压Up的 时间增大，第一个脉冲出现的时刻推迟，即控制角α 增 大，实现了移相。
（4）脉冲输出 工作原理：
触发脉冲ug由Ｒ1直接取出，这种方法简单、经济， 但触发电路与主电路有直接的电联系，不安全。对于晶 闸管串联接法的全控桥电路无法工作。所以一般采用脉 冲变压器输出。
围必须满足电路要求。
图2.4.1
强触发电流波形
特点：
2.4.2 晶闸管触发电路
由单结晶体管构成的 触发电路具有简单、可靠、 抗干扰能力强、温度补偿 性能好，脉冲前沿陡等优 点，在小容量的晶闸管装 置中得到了广泛应用。 组成： 由自激振荡、同步电 源、移相、脉冲形成等 部分组成。
图2.4.2 单结晶体管触发电路及波形
T 1 Re C ln( ) 1
图2.4.2 单结晶体管触发电路及波形
上式中 0.3 ~ 0.9是单结晶体管的分压比，即调节Ｒe，可调节振荡频率。
（2）同步电源 工作原理：
同步电压由变压器TB获得，而同步变压器与主电路接至同一 电源，故同步电压与主电压同相位、同频率。 同步电压经桥式整流、稳压管Dw削波为梯形波uDW，而削波 后的最大值Uw既是同步信号，又是触发电路电源。 当uDW过零时，电容C经e-b1、R1迅速放电到零电压。这就是说， 每半周开始，电容 C 都从零开始充电。进而保证每周期触发电路 送出第一个脉冲距离过零的时刻（即控制角α 1 对触发电路的要求
触发电路对其产生的触发脉冲要求：
１、触发信号可为直流、交流或脉冲电压。 ２、触发信号应有足够的功率（触发电压和触发电流）。
３、触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿尽可能陡，以使
元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维 持导通。 ４、触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范
实验三-单结晶体管触发电路
实验三 晶闸管触发电路——单结晶体管触发电路一、实验目的：1、 掌握单结晶体管触发电路的工作原理；2、 学会使用示波器测量单结晶体管触发电路的个点电压波形；一、实验仪器设备：1、 ZEC-410型实验台2、 EM-11实验挂箱3、 双踪示波器一台4、 万用表一块、一字型螺丝刀一把（调节RP1用）三、实验原理：单结晶体管触发电路，是利用单结晶体管（双基极二极管）的负阻特性和RC 的充放电特性，构成频率可调的自激振荡电路，如图3-1所示0%R1R2R3R4R5R6D1D2VST1VST2C1V1V2C2T123456T2K GV3RP1图3-1 单结晶体管触发电路由同步变压器T1副边输出的交流同步电压，经D1半波整流，再由稳压管VST1,VST2进行削波，而得到梯形波电压，其过零点与晶闸管阳极电压的过零点一致，梯形波通过R5,V2向电容C2充电，当充电电压达到单结晶体管的峰点电压时，单结晶体管V3导通，从而通过脉冲变压器T2输出脉冲。
同时C2经V3和T2原边放电，由于时间常数很小，U c2很快下降至单结晶体管的谷点电压,V3重新关断，C2再次充电。
每个梯形波周期，V3可能导通，关断多次，但只有第一个输出脉冲起作用。
电容C2的充电时间常数由R7和V2的等效电阻等决定，调节RP1的滑动触点可改变V1的基极电压，使V1,V2都工作在放大区，即等效电阻可由RP1来调节，也就是说一个梯形波周期内的第一个脉冲出现时候（控制角）可由RP1来调节，控制第一个尖脉冲的出现时刻，实现脉冲的移相控制。
四、实验内容及步骤：1、将控制台左上角的交流数字电压表（如图3-2所示）切换到300V档，用专用连接线将图3-2 数字交流电压表（左）及数字交流电流表（右）数字交流电压表接到单、三相可调交流电源输出的“U”孔和“N”孔中，如图3-3所示图3-3 单、三相可调交流电源调节“交流电源输出调节”旋钮，使电压表读数为200V；2、将连接交流电压表的两根连线改接到EM-11挂箱的“同步交流电压输入”端，并打开EM-11挂箱右下角的电源开关，T1原边同步交流电压信号已在内部接好。
单结晶体管触发电路
0
大容量晶闸管门极触发电流要求脉冲峰值在
t
t1
t2
t3
1A ~ 1.5 A以上，前沿的电流上升率大于1 A s
(4)触发脉冲与主电路电源电压必须同步，并保持与工作状态相适应的相 位关系。 (5)触发电路应保证变流电路各元件触发脉冲的对称性。
(6)相控触发电路应采有良好的抗干扰性能和温度稳定性以及主电路的电 气隔离。采取电磁兼容技术措施和冷却措施。
单相半波可控整流电路
及单结晶体管及触发电路
----单结晶体管触发电路
晶闸管相控触发电路
晶闸管门极驱动电路也称为触发电路； 晶闸管通常采用相位控制方式。
电源 变流电路
触发信号
负载
同步电路
驱动电路
反馈信号
同步信号
移 相 控制电路
相 位 控制信号
控制电路
给定信号
一般晶闸管变流电路的控制框图
晶闸管相控触发电路
V
IP
负阻区
Ie
Re Ee Ue
e
0
U bb
截止区
IV
50 mA
Rb1
I b1
b1
饱和区
Ie
a)单结晶体管测试电路 b)单结晶体管测试等效电路
Rb1 Rb1 Rb 2
c)单结晶体管伏安特性
2.单结晶体管弛张振荡电路
(1).电路结构
U S
Re
(2).工作原理
V
ue ie
C
a.
S断开时，电容C的端电压为零。
满足振荡条件的Re取值为：
Uc UP
0
U UV U UP Re IP U IV
e
UV
t
单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验报告
单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路实验报告实验报告：单结晶体管触发电路及单相半波可控整流电路一、实验目的1.了解单结晶体管触发电路的工作原理；2.掌握单相半波可控整流电路的工作原理；3.理解触发电路与可控整流电路的关系与应用。
二、实验原理1.单结晶体管触发电路单结晶体管触发电路由一个单结晶体管、一个电容、一个电阻组成。
当输入信号较大时，单结晶体管导通，输出为低电平；当输入信号较小时，单结晶体管截止，输出为高电平。
触发电路常用于数字信号处理、频率分频和计数器等电路。
2.单相半波可控整流电路单相半波可控整流电路由一个可控硅、一个变压器、一个电阻和一个负载组成。
当可控硅的栅极加上一个触发脉冲信号时，可控硅导通，然后整流变压器的次级绕组上出现一脉冲，可控硅不再触发时，负载处输出为零。
整流电路常用于控制电动机的起动、调速和制动。
三、实验器材和元件1.实验台板、双踪示波器、数字万用表、电磁铁；2.元器件：单结晶体管、电容、电阻、可控硅；3.其他：电源、示波器探头等。
四、实验步骤1.单结晶体管触发电路实验（2）接地电源，调节电源电压至适当值；（3）调节可变电阻RV1，观察和记录输出波形；（4）调节输入信号电压Vi，观察并记录输出波形。
2.单相半波可控整流电路实验（2）接地电源，调节电源电压至适当值；（3）调节可变电阻RV1，观察和记录输出波形；（4）调节可控硅的触发脉冲信号的频率和宽度，观察并记录输出波形。
五、实验结果与分析1.单结晶体管触发电路实验（1）根据观察和记录的结果，绘制输入信号和输出信号波形图；（2）根据波形图，分析单结晶体管在不同输入信号下的工作情况。
2.单相半波可控整流电路实验（1）根据观察和记录的结果，绘制输入信号和输出信号波形图；（2）根据波形图，分析可控整流电路在不同触发脉冲信号下的工作情况。
六、实验结论通过本次实验，我们实现了单结晶体管触发电路和单相半波可控整流电路的搭建，并观察和分析了它们的输入输出波形图。
单结晶体管触发电路测试实验总结
单结晶体管触发电路测试实验总结一、实验介绍本实验是针对单结晶体管触发电路的测试实验。
该电路是由一个单结晶体管组成，用于控制电路中其他元件的工作状态，具有简单、稳定、可靠等特点。
本实验旨在通过对单结晶体管触发电路的测试，了解其基本原理和性能指标。
二、实验原理1. 单结晶体管基本原理单结晶体管是一种半导体器件，其内部由P型和N型半导体材料构成。
当正向偏置时，P型区域中的空穴向N型区域扩散，同时N型区域中的电子向P型区域扩散，两种载流子在PN结处复合产生电流。
当反向偏置时，PN结处形成耗尽层，阻止了大部分载流子的扩散。
2. 单结晶体管触发电路原理单结晶体管触发电路是由一个单结晶体管和其他元件组成的电路。
当输入信号为高电平时，单结晶体管处于饱和状态，输出信号为低电平；当输入信号为低电平时，单结晶体管处于截止状态，输出信号为高电平。
因此，该电路可以用于控制其他元件的工作状态。
三、实验步骤1. 按照电路图连接电路。
2. 使用万用表测量电路中各元件的参数。
3. 使用信号发生器提供输入信号，观察输出信号波形。
4. 测量输出信号的幅值和频率。
四、实验结果分析1. 测量单结晶体管的参数通过使用万用表测量单结晶体管的参数，可以得到其基本性能指标。
例如，测量其放大系数、开启电压和截止电压等。
这些指标对于评估单结晶体管的性能至关重要。
2. 观察输出信号波形通过使用信号发生器提供输入信号，并观察输出信号波形，可以判断单结晶体管触发电路的工作状态。
如果输出信号为高电平，则说明单结晶体管处于截止状态；如果输出信号为低电平，则说明单结晶体管处于饱和状态。
3. 测量输出信号幅值和频率通过测量输出信号的幅值和频率，可以评估单结晶体管触发电路的性能。
例如，在实际应用中，需要保证输出信号幅值足够大，并且频率稳定。
五、实验结论本实验通过对单结晶体管触发电路的测试，了解了其基本原理和性能指标。
通过测量单结晶体管的参数、观察输出信号波形以及测量输出信号幅值和频率等步骤，可以评估该电路的性能。
触发电路及单结管
单结晶体管各管脚的判别方法判断单结晶体管发射极E的方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，黑表笔接假设的发射极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。
单结晶体管B1和B2的判断方法是：把万用表置于R*100挡或R*1K挡，用黑表笔接发射极，红表笔分别接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是B1极。
应当说明的是，上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结晶体管都适用，有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小。
不过准确地判断哪极是B1，哪极是B2在实际使用中并不特别重要。
即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损坏，只影响输出脉冲的幅度（单结晶体管多作脉冲发生器使用），当发现输出的脉冲幅度偏小时，只要将原来假定的B1、B2对调过来就可以了。
（1）单结晶体管触发电路如图3-5所示图3-5 单结晶体管触发电路原理图触发电路原理：由同步变压器副边输出60V的交流同步电压，经VD1半波整流，再由稳压管V 1、V2进行削波，从而得到梯形波电压，其过零点与电源电压的过零点同步，梯形波通过R7及等效可变电阻V5向电容C1充电，当充电电压达到单结晶体管的峰值电压时，单结晶体管V6导通，电容通过脉冲变压器原边放电，脉冲变压器副边输出脉冲。
同时由于放电时间常数很小，C1两端的电压很快下降到单结晶体管的谷点电压，使V6关断，C1再次充电，周而复始，在电容C1两端呈现锯齿波形，在脉冲变压器副边输出尖脉冲。
在一个梯形波周期内，V6可能导通、关断多次，但只有输出的第一个触发脉冲对晶闸管的触发时刻起作用。
充电时间常数由电容C1和等效电阻等决定，调节RP1改变C1的充电的时间，控制第一个尖脉冲的出现时刻，实现脉冲的移相控制。
电位器RP1已装在面板上，同步信号已在内部接好，所有的测试信号都在面板上引出。
单结晶体管触发电路的各点波形如图3-6所示。
单个线圈是没有极性问题的。
极性问题总是存在于有互感或者感应的场合。
单结晶体管触发电路实验原理
单结晶体管触发电路实验原理单结晶体管触发电路实验原理单结晶体管触发电路是一种常用的电路，在实际电路中得到广泛应用，主要用于实现时间延迟、脉冲放大、钟形波形产生等功能。
单结晶体管触发电路由一个单结晶体管和少量的外部元件组成，其中单结晶体管作为开关管，在电路中起到触发的作用。
实验目的：1. 掌握单结晶体管的基本性质及其工作原理。
2. 了解单结晶体管触发电路的组成原理及其工作性能。
3. 学会使用示波器和万用表等仪器进行电气测量，掌握电路参数的测量方法。
实验器材：1. 单结晶体管（2N3904）一个2. 电容器（10μF）一个3. 电感线圈（33mH）一个4. 变阻器（10kΩ）一个5. 电源（12V）一个6. 示波器一个7. 万用表一个实验原理：单结晶体管是一种半导体器件，它由一个PN结构组成，该结构具有正极性和负极性两个区域。
当单结晶体管处于正向偏置状态时，P区的空穴和N区的自由电子在PN结处相遇，发生复合现象，并释放出能量。
这些能量以光子的形式从PN结的两侧发射出来，形成光子流。
光子流引起PN结区域的电流急剧上升，使得单结晶体管处于导通状态。
当单结晶体管处于反向偏置状态时，P区的空穴和N区的自由电子被PN结的势垒隔离，不能通过PN结流过去，因此单结晶体管处于截止状态。
单结晶体管触发电路是基于单结晶体管的开关特性设计的电路。
它由单结晶体管、电容器、电感线圈、变阻器和电源组成。
当电源加上电路时，电容器开始充电，直到电压达到单结晶体管的开启电压为止，单结晶体管导通，电容器的电荷被释放，产生一个脉冲输出信号，同时电感线圈的磁场也会随之变化，这会产生一个反向的电压，使得单结晶体管再次处于截止状态。
实验步骤：1. 连接电路：将单结晶体管、电容器、电感线圈、变阻器和电源按照电路图相连接，注意极性。
2. 调节变阻器：使用万用表测量电路中各个元件的参数，并调节变阻器使得单结晶体管触发电路的电压到达开启电压。
3. 测量电路输出波形：将示波器的探头分别接在单结晶体管的发射极和集电极上观察输出波形，并使用示波器测量输出脉冲的频率。
(完整版)单结晶体管触发电路(解析)
单结晶体管触发电路浏览2695发布时间2009-03-20单结晶体管触发电路之一图1（a）是由单结晶体管组成的张弛振荡电路。
可从电阻R1上取出脉冲电压ug。
(a) 张弛振荡电路(b) 电压波形图1 单结晶体管张弛振荡电路假设在接通电源之前，图1(a)中电容C上的电压uc为零。
接通电源U后，它就经R向电容器充电，使其端电压按指数曲线升高。
电容器上的电压就加在单结晶体管的发射极E和第一基极B1之间。
当uc等于单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管导通，电阻RB1急剧减小（约20Ω），电容器向R1放电。
由于电阻R1取得较小，放电很快，放电电流在R1上形成一个脉冲电压ug，如图1(b)所示。
由于电阻R取得较大，当电容电压下降到单结晶体管的谷点电压时，电源经过电阻R供给的电流小于单结晶体管的谷点电流，于是单结晶体管截止。
电源再次经R向电容C充电，重复上述过程。
于是在电阻R1上就得到一个脉冲电压ug。
但由于图1（a）的电路起不到如后述的“同步”作用，不能用来触发晶闸管。
单结晶体管触发电路之二单结晶体管触发电路如图2所示，带有放大器。
晶体管T1和T2组成直接耦合直流放大电路。
T1是NPN型管，T2是PNP型管。
UI是触发电路的输入电压，由各种信号叠加在一起而得。
UI经T1放大后加到T2。
当UI增大时，IC1就增大，而使T1的集电极电位UC1，即T2的基极电位UB2降低，T2更为导通，IC2增大，这相当于晶体管T2的电阻变小。
同理，UI减小时，T2的电阻变大。
因此，T2相当于一个可变电阻，随着UI的变化来改变它的阻值，对输出脉冲起移相作用，达到调压的目的。
输出脉冲可以直接从电阻R1上引出，也可以通过脉冲变压器输出。
图2 单结晶体管触发电路因为晶闸管控制极与阴极间允许的反向电压很小，为了防止反向击穿，在脉冲变压器副边串联二极管D1，可将反向电压隔开，而并联D2，可将反向电压短路。
单结晶体管触发电路之三——单相半控桥式整流电路图3 由单结晶体管触发的单相半控桥式整流电路改变电位器R P的数值可以调节输出脉冲电压的频率。
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（2）脉冲移相与形成
2）波形分析 ①、电容电压的波形 将探头的测试端接于“C”点
半个周期
（a）实测波形
（b）理论波形
（2）脉冲移相与形成
调节电位器RP的旋钮，观察C点的波形的变化范围。
②、输出脉冲的波形 将探头的测试端接于“D”点
（a）实测波形
3 单结晶体管触发电路
1）单结晶体管触发电路，是由同步电路和脉冲移相与形成两 部分组成的。 2）同步电路 触发信号和电源电压在频率和相位上相互协调的关系叫同步。 同步电路由同步变压器、桥式整流电路VD1～VD4、电阻R1 及稳压管组成。
触发电路
单结晶体管触发电路
单结晶体管
同步电路
脉冲移相电路
脉冲形成环节
——加于图中B-E两端的触发电路电源电压
——单结晶体管的谷点电压 ——单结晶体管的谷点电流 ——单结晶体管的峰点电压 ——单结晶体管的峰点电流
（2）、电阻的选择 电阻是用来补偿温度对峰点电压的影响，通常取值范围 为：200～600。 （3）、输出电阻的选择 输出电阻的大小将影响将影响输出脉冲的宽度与幅值， 通常取值范围为：50～100。
（4）、电容C的选择
电容C的大小与脉冲宽窄和的大小有关，通常取值范围为.3）
工业生产中常有如此情况，即一道工序接一道工序轮 流操作，当最后一道工序完成后，又开始重复以上工 序，每道工序又需要控制一定时间，即可以用时间继 电器自动操作。
单结晶体管的主要参数有： 基极间电阻rbb 分压比η 峰点电流IP 谷点电压UV 谷点电流IV 耗散功率等。
单结管的管脚判断方法
从定位栓顺时针：e、b1、b2
用万用表来判断：阅读p24页材料，总结出测
试方法。
2．单结晶体管张驰振荡电路
（a）单结晶体管张驰振荡电路的电路图 （b）单结晶体管张驰振荡电路波形图
触发脉冲的要求
A、要有足够大的功率，保证能够可靠触发
B、要有一定的脉冲宽度 C、前沿要陡峭，保证准确度
D、必须同步
E、必须在主电路要求的移相范围内移相
3．单结晶体管触发电路
3）波形分析 单结晶体管触发电路的调试以及在今后的使用过程中的检修 主要是通过几个点的典型波形来判断个元器件是否正常。 ①桥式整流后脉动电压的波形 将探头的测试端接于“A”点，接地端接于“E”点，测得 波形。
单结晶体管
单结晶体管及触发电路
1．单结晶体管
（1）单结晶体管的结构
（a）结构 （b）等效电路 （c）图形符号 （d）外形管脚排列
（1）单结晶体管的结构
触发电路常用的国产单结晶体管的型号主要有BT31， BT33，BT35，其外形与管脚排列。
第一基极b1
发射极e
第二基极b2
2）单结晶体管的伏安特性
和rb2分压，得A点电位UA，可表示为
rb1U bb UA U bb rb1 rb2
式中 η——分压比，是单结晶体管的主要参数，η一般为 0．3～0．9。 ②负阻区——PV段 ③饱和区——VN段
2）单结晶体管的伏安特性
单结管的导通条件：
单结管的关断条件：
Ue>Up
Ue<Uv
（3）单结晶体管的主要参数
3．单结晶体管触发电路
②、削波后梯形波电压波形 将探头的测试端接于“B”点，测得B点的波形
（a）实测波形
（b）理论波形
（2）脉冲移相与形成
1）电路组成
脉冲移相由电阻RE和电容C组成，脉冲形成由单结 晶体管、温补电阻R3、输出电阻R4组成。
改变张驰振荡电路中电容C的充电电阻的阻值，就 可以改变充电的时间常数，图中用电位器RP来实现这 一变化，例如：
单结晶体管的伏安特性：当两基极b1和b2间加某一固定直流电压时，发射 极电流与发射极正向电压Ue之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性＝f （Ue）。
（a）单结晶体管实验电路 （b）单结晶体管伏安特性
（c）特性曲线族
2）单结晶体管的伏安特性
①截止区——aP段 当开关Q闭合，电压Ubb通过单结晶体管等效电路中的rbl
（b）理论波形
调节电位器RP的旋钮，观察D点的波形的变化范围。
3．触发电路各元件的选择
（1）、充电电阻的选择 改变充电电阻的大小，就可以改变张驰振荡电路的频率，但是频率的 调节有一定的范围，如果充电电阻选择不当，将使单结晶体管自激振 荡电路无法形成振荡。
充电电阻的取值范围为：
其中：
U UV U U P RE IV IP