集成电路工艺课程设计报告

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集成工艺实训报告

一、实训背景随着科技的不断发展，集成电路（IC）产业已成为我国战略性新兴产业的重要组成部分。

为了培养具有实际操作能力和创新精神的高素质技术人才，我国高校纷纷开展集成电路工艺实训课程。

本次实训旨在通过实践操作，使学生掌握集成电路制造的基本工艺流程，提高学生的动手能力和综合素质。

二、实训目的1. 了解集成电路制造的基本工艺流程，包括硅片制备、光刻、蚀刻、离子注入、扩散、化学气相沉积、蒸发、抛光等环节。

2. 掌握常用半导体设备和工具的使用方法，如光刻机、蚀刻机、离子注入机、扩散炉、蒸发器、抛光机等。

3. 培养学生的团队合作精神、创新意识和实际操作能力。

4. 提高学生对集成电路产业的认识，激发学生对集成电路研究的兴趣。

三、实训内容1. 硅片制备：了解硅片的生长、切割、抛光等工艺过程，掌握硅片质量检测方法。

2. 光刻工艺：学习光刻机操作、光刻胶制备、光刻工艺参数调整等技能。

3. 蚀刻工艺：掌握蚀刻机操作、蚀刻液配制、蚀刻工艺参数调整等技能。

4. 离子注入：学习离子注入机操作、注入剂量和能量调整、离子注入后晶圆处理等技能。

5. 扩散工艺：了解扩散炉操作、扩散温度和时间控制、扩散后晶圆处理等技能。

6. 化学气相沉积（CVD）工艺：学习CVD设备操作、前驱体选择、生长速率控制等技能。

7. 蒸发工艺：掌握蒸发设备操作、蒸发速率控制、蒸发后晶圆处理等技能。

8. 抛光工艺：了解抛光机操作、抛光液选择、抛光参数调整等技能。

9. 常用半导体设备和工具的使用：熟悉光刻机、蚀刻机、离子注入机、扩散炉、蒸发器、抛光机等设备的基本操作。

四、实训过程1. 理论学习：在实训开始前，教师讲解集成电路制造的基本工艺流程和常用设备的使用方法。

2. 实践操作：学生在教师的指导下，按照工艺流程进行实践操作，掌握各项技能。

3. 案例分析：通过分析实际生产案例，使学生了解集成电路制造过程中的常见问题及解决方法。

4. 总结与交流：实训结束后，学生总结实训过程中的收获，与同学和教师进行交流。

集成电路课程设计报告

【集成电路课程设计报告X126版图提取与电路分析-]姓名：刘慧超)学号： 5 ·指导教师：韩良*成绩："哈尔滨工业大学（威海）电子科学与技术系2014-11-1目录第1章课程设计的要求 (1)课程设计的目的 (1)课程设计的要求 (1)第2章课程设计的内容 (2)基本内容 (2)扩展部分 (2)第3章课程设计的步骤 (3)前期准备 (3)版图提取 (4)LVS (5)电路仿真与分析 (8)版图绘制 (11)第4章课程设计的心得 (14)第1章课程设计的要求1.1课程设计的目的掌握较大工程的基本开发技能培养运用Cadence工具进行硬件开发的能力培养集成电路设计的基本能力1.2课程设计的要求掌握集成电路典型制造工艺流程及其所需的光刻掩膜版，以及每块光刻掩膜版的作用，能够识别集成电路版图；掌握集成电路性能与电路结构和器件尺寸之间的关系，能够正确分析和设计电路，学会电路图录入和电路模拟软件（spice）的使用；掌握集成电路性能与版图布局布线之间的关系，能够合理进行版图规划；掌握集成电路版图设计规则的含义以及消除或减小寄生效应的措施，能够正确设计集成电路版图，学会版图录入和版图设计规则检查（DRC）软件的使用；学会电路与版图一致性检查（LVS）、版图参数提取（LPE）及版图后模拟软件的使用。

第2章课程设计的内容2.1基本内容版图提取根据所给电路的版图信息，提取出电路原理图。

LVS验证提取到的原理图与版图信息的一致性，确保版图提取正确。

电路分析根据提取出的原理图，简单分析电路完成的功能。

仿真运行Cadence软件自带的仿真功能，对提取出的原理图做功能仿真，验证电路的功能。

绘制版图将原有版图中所有元器件的参数尺寸缩小一倍，重新绘制版图。

DRC版图规则校验，确保版图绘制符合所用工艺的要求，确保版图的规则性。

版图后LVS重新编辑原理图，将所有的元器件参数尺寸缩小一倍，然后对新绘制的版图和原理图进行LVS校验，确保版图电路的一致性。

集成电路课程设计报告三输入异或门电路

2.000
4.3a
Select Edge to ActC nt
1.000
4.4a
Select Mi nimum Width
2.000
4.4c
Select to Select Spac ing
2.000
异或门的应用范围广，在实际应用中可以用来实现奇偶发生器或模2加法器，
还可以用作加法器、异或密码、异或校检、异或门倍频器、可控反相器等等。虽
然异或不是开关代数的基本运算之一，但是在实际运用中我们依然会相当普遍地使用到分立的异或门。因此，我们为了熟练了解、掌握异或门这一基本逻辑电路，对异或门电路进行了这次课程设计。
2.1
Active Mi nimum Width
3.000
2.2
Active to Active Spac ing
3.000
2.3a
Source/Drain Active to Well Edge
5.000
2.3b
Source/Drain Active to Well Space
5.000
2.4a
WellCo ntact(Active) to Well Edge
异或门（英语:Exclusive-OR gate，简称XOF^ate,又称EOF^ate、ExOF^ate）是数字逻辑中实现逻辑异或的逻辑门。有多个输入端、1个输出端，多输入异或
门可由2输入异或门构成。
三输入异或门在数字集成逻辑电路中主要用来实现逻辑异或的功能。对于三输入异或门来说，若输入为偶数（此处包括0）个高电平1,则输出为低电平0；否则输出为高电平1。
异或门的逻辑表达式：
进一步可得到一位比较器的真值表：
A
B

集成电路工艺课程设计报告

集成电路工艺课程设计报告目录1.课程设计目的与任务 (1)2.课程设计的基本内容 (1)2.1 npn双极型晶体管的设计 (1)2.2课程设计的要求与数据 (1)3.课程设计原理 (1)3.1晶体管设计的一般步骤 (2)3.2晶体管设计的基本原则 (2)4.晶体管工艺参数设计 (3)4.1晶体管的纵向结构参数设计 (3)4.1.1 集电区杂质浓度的确定 (3)4.1.2 基区及发射区杂质浓度 (3)4.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定 (4) 4.1.4 各区少子扩散长度的计算 (5)4.1.5 集电区厚度的选择 (6)4.1.6 基区宽度的计算 (6)4.1.7扩散结深 (9)4.1.8杂质表面浓度 (9)4.1.9 芯片厚度和质量 (10)4.2 晶体管的横向设计 (10)4 .2 .1 晶体管横向结构参数的选择 (10)4.3 工艺参数计算 (11)4.3.1 晶体管工艺概述 (11)4.3.2基区硼预扩时间 (12)4.3.3基区硼扩散需要的氧化层厚度 (12) 4.3.4基区硼再扩散时间计算 (13)4.3.5发射区预扩散时间 (13)4.3.6发射区氧化层厚度 (14)4.3.7发射区再扩散的时间 (14)4.3.8基区氧化时间 (15)4.3.9发射级氧化层厚度 (15)4.4设计参数总结 (16)5.工艺流程图 (17)6.生产工艺流程 (17)6.1 硅片清洗 (17)6.1.1 清洗原理 (18)6.1.2硅片清洗的一般程序 (18)6.2氧化工艺 (19)6.2.1 氧化原理 (19)6.2.2基区氧化的工艺步骤 (20)6.2.3测量氧化层厚度 (20)6.3 第一次光刻工艺（光刻基区） (21)6.3.1 光刻原理 (21)6.3.2 工艺步骤 (21)6.4 基区硼扩散工艺 (22)6.4.1 硼扩散原理 (22)6.4.2 硼扩散工艺步骤 (23)6.5发射区氧化的工艺步骤 (23)6.6第二次光刻工艺（光刻发射区） (24)6.7发射区磷的扩散 (24)6.7.1 磷扩散原理 (24)6.7.2 磷扩散工艺步骤 (25)6.8引线孔氧化的工艺步骤 (25)6.9 第三次光刻（光刻引线孔） (26)6.10引线孔金属化 (27)6.10.1集成电路对金属化材料特性的要求 (27) 6.10.2金属化步骤 (27)6.11光刻金属电极 (28)7. 心得体会 (28)8. 参考文献 (29)微电子器件与工艺课程设计报告——npn双极型晶体管的设计1.课程设计目的与任务《微电子器件与工艺课程设计》是有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。

集成电路课程设计报告

集成电路课程设计报告辐射温度计设计专业班级：电子信息工程技术0501班姓名：王云飞王振华王治果温晓剑文严华学号： (80514050) 46 47 48 49 50 时间： 15 ～ 17 周指导教师：李建华2007年 12 月 20日南大共青学院工程技术系电子信息辐射温度计王云飞王振华王治果温晓剑文严华（南大共青学院，工程技术系，电子信息工程技术）摘要：随着时代的进步和发展，集成电路技术已经普及到我们生活，工作，科研，各个领域，已经成为一种比较成熟的技术,本文将介绍一种基于单片机内部功能基础上的计数器关键词：NJL9102F，传感器1 引言随着人们生活水平的不断提高,集成控制无疑是人们追求的目标之一，它所给人带来的方便也是不可否定的，人们对它的要求越来越高，要为现代人工作、科研、生活、提供更好的更方便的设施就需要从数集成电路技术入手，一切向着数字化控制，智能化控制方向发展。

2 总体设计方案2.1设计方案论证NJL9102F/9103是热电堆与与温度补偿二极管集于同一封装内的传感器，与传统的热电堆相比，电路简单，温度补偿的效果好。

原理图是简单的辐射温度计电路。

电路中，传感器的内阻高，约为500K。

A1采用输入阻抗高的运算放大器，任何FET输入型均可。

由于任何温度传感器都会受温度的影响，使用时要进行温度补偿，这里利用二极管正向电压约2mV／℃的温度系数进行补偿。

RP1用于调节零电平，RP2和R1与R2决定传感器输出电压放大的振幅，传感器与被测物体之间距离及测温范围决定RP1的调节范围。

另外，还需调节R1和R2的分压比，使其与RP1的调节范围一致。

在传感器与被测物体相距10㎜时，二极管的补偿固定为10mV∕℃,在150～200℃范围内调节电路的输出灵敏度约为10mV/℃。

电路（a）中的传感器视角范围较大，为50°～90°，其输出随传感器与被测物体之间距离的改变而变化。

电路（b）是采用有透镜的视角范围约为6°的NJL9103传感器的实用温度计电路，传感器的输出不随距离的改变而变化。

集成电路课程设计报告范例

集成电路课程设计1.目的与任务本课程设计是?集成电路分析与设计根底?的实践课程，其主要目的是使学生在熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计根底上，训练综合运用已掌握的知识，利用相关软件，初步熟悉和掌握集成电路芯片系统设计→电路设计及模拟→幅员设计→幅员验证等正向设计方法。

2.设计题目与要求2.1设计题目及其性能指标要求器件名称：含两个2-4译码器的74HC139芯片要求电路性能指标：（1）可驱动10个LSTTL电路〔相当于15pF电容负载〕；（2）输出高电平时，|I OH|≤20μA，V OH，min=4.4V；（3）输出底电平时，|I OL|≤4mA，V OL，man=0.4V；（4）输出级充放电时间t r=t f ，t pd＜25ns；（5）工作电源5V，常温工作，工作频率f work=30MHz，总功耗P ma*＝150mW。

2.2设计要求1.独立完成设计74HC139芯片的全过程；2.设计时使用的工艺及设计规则： MOSIS:mhp_n12；3.根据所用的工艺，选取合理的模型库；4.选用以lambda(λ)为单位的设计规则；5.全手工、层次化设计幅员；6.到达指导书提出的设计指标要求。

3.设计方法与计算3.174HC139芯片简介74HC139是包含两个2线-4线译码器的高速CMOS数字电路集成芯片，能与TTL集成电路芯片兼容，它的管脚图如图1所示，其逻辑真值表如表1所示：图1 74HC139芯片管脚图表1 74HC139真值表片选输入数据输出C s A1 A0 Y0 Y1Y2Y30 0 0 0 1 1 10 0 1 1 0 10 1 0 1 1 0 10 1 1 1 1 1 01 ×× 1 1 1 1从图1可以看出74HC139芯片是由两片独立的2—4译码器组成的，因此设计时只需分析其中一个2—4译码器即可，从真值表我们可以得出Cs为片选端，当其为0时，芯片正常工作，当其为1时，芯片封锁。

集成电路工艺课程设计

江南大学物联网工程学院《集成电路工艺课程设计》cmos制造工艺姓名：李昕学号：0301110105专业：微电子年级：11011、初始清洗初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂质尘粒，对后续的工艺造成影响，使得器件无法正常工作。

2、前置氧化（衬垫层）利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的应力(stress)，氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。

热生长氧化法：将硅片置于高温下，通以氧化的气氛，使硅表面一薄层的硅转变为二氧化硅的方法。

3、淀积氮化硅利用低压化学气相沉积（LPCVD）的技术，沉积一层氮化硅，用来做为离子注入的mask及后续工艺中，定义P型井的区域。

低压化学气相沉积（LPCVD）：随着半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求以及膜厚误差要求不断提高，出现了低压化学气相淀积(LPCVD)。

低压化学气相淀积是指系统工作在较低的压强下的一种化学气相淀积的方法。

LPCVD技术不仅用于制备硅外延层，还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的淀积，是一种重要的薄膜淀积技术。

4、P阱的形成将光刻胶涂在晶圆上之后，利用光刻技术，将所要形成的P型阱区的图形定义出来，即将所要定义的P型阱区的光刻胶去除掉。

光刻：光刻是集成电路制造过程中最复杂和关键的工艺之一。

光刻工艺利用光敏的抗蚀涂层（光刻胶）发生光化学反应，结合刻蚀的方法把掩模版图形复制到圆硅片上，为后序的掺杂、薄膜等工艺做好准备。

在芯片的制造过程中，会多次反复使用光刻工艺。

现在，为了制造电子器件要采用多达24次光刻和多于250次的单独工艺步骤，使得芯片生产时间长达一个月之久。

目前光刻已占到总的制造成本的1/3以上，并且还在继续提高。

集成电路课程设计报告

课程设计班级：姓名：学号：成绩：电子与信息工程学院电子科学系CMOS二输入与非门的设计一、概要随着微电子技术的快速发展，人们生活水平不断提高，使得科学技术已融入到社会生活中每一个方面。

而对于现代信息产业和信息社会的基础来讲，集成电路是改造和提升传统产业的核心技术。

随着全球信息化、网络化和知识经济浪潮的到来，集成电路产业的地位越来越重要，它已成为事关国民经济、国防建设、人民生活和信息安全的基础性、战略性产业。

集成电路有两种。

一种是模拟集成电路。

另一种是数字集成电路。

本论文讲的是数字集成电路版图设计的基本知识。

然而在数字集成电路中CMOS与非门的制作是非常重要的。

二、CMOS二输入与非门的设计准备工作1.CMOS二输入与非门的基本构成电路使用S-Edit绘制的CMOS与非门电路如图1。

图1 基本的CMOS二输入与非门电路2.计算相关参数所谓与非门的等效反相器设计，实际上就是根据晶体管的串并联关系，再根据等效反相器中的相应晶体管的尺寸，直接获得与非门中各晶体管的尺寸的设计方法。

具体方法是：将与非门中的VT3和VT4的串联结构等效为反相器中的NMOS 晶体管，将并联的VT 1、VT 2等效PMOS 的宽长比(W/L)n 和(W/L)p 以后，考虑到VT3和VT4是串联结构，为保持下降时间不变，VT 3和VT 4的等线电阻必须减小为一半，即他们的宽长比必须为反相器中的NMOS 的宽长比增加一倍，由此得到(W/L)VT3,VT4=2(W/L)N 。

因为考虑到二输入与非门的输入端IN A 和IN B 只要有一个为低电平，与非门输出就为高电平的实际情况，为保证在这种情况下仍能获得所需的上升时间，要求VT 1和VT 2的宽长比与反相其中的PMOS 相同，即(W/L)VT1,VT2=(W/L)P 。

至此，根据得到的等效反向器的晶体管尺寸，就可以直接获得与非门中各晶体管的尺寸。

如下图所示为t PHL 和t PLH ，分别为从高到低和从低到高的传输延时，通过反相器的输入和输出电压波形如图所示。

集成电路制造工艺实训报告

集成电路制造工艺实训报告第一篇：集成电路制造工艺实训报告集成电路制造工艺实训报告专业班级学号姓名地点老师签名2011年12月22日第1页三、光刻Ⅰ—光刻扩硼窗口工艺目的：通过光刻工艺，完成掩膜板上的图形转移。

（第一次形成基区图形，第二次形成发射区图形）工艺原理：通过光刻先把掩膜板上的图形转移到光刻胶上，再转移到硅片上。

（第一次基区光刻，第二次发射区光刻）工艺器件：SC—IB型匀胶机、DHG—9023型电热恒温干燥箱、URE—2000/17型紫外光刻机、镊子、显影设备。

工艺步骤：1、甩胶：把硅片放到涂胶机上用滴管吸取光刻胶涂到硅片上，打开抽真空开关把硅片吸附到匀胶机上，再打开甩胶开关并以700r/min左右的转速开始甩胶约2分钟。

等匀胶机停止工作，按下抽真空开关取下硅片。

2、前烘：把硅片放到100℃电热恒温干燥箱里前烘15分钟。

3、曝光：取出硅片冷却，再把硅片放到光刻机上进行紫外线曝光20秒钟。

（本实验室采用的是接近式曝光，在硅片和掩膜板之间有10um—25um的间隙，掩膜板有金黄色避光层的一面应该朝下，硅片上的主切角与掩膜板的X轴对准，以方便二次曝光）原理：此次实验室采用的是负性光刻胶，其受紫外光照射的区域会交联硬化，变得难溶于显影液溶剂中，显影时这部分光刻胶被保留，在光刻胶上形成一种负相的掩膜板图形。

4、显影：在1号显影液里面显影4分钟，再放到2号显影液里面4分钟，用显影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜板上的图形转移到光刻胶上。

5、定影：是光刻胶变得更加坚固。

6、坚膜：把显影后的硅片放到130℃的电热恒温干燥箱里后烘15分钟即可。

冷却后用电子显微镜观看显影后的图形。

7、腐蚀：把镜检后的硅片放到花篮里，再放到HF酸里刻蚀5分钟，然后放到去离子水冲洗连通器2号槽里面冲洗5分钟，再放到1号槽里面冲洗5分钟。

原理：刻蚀就是将涂胶前所积淀的薄膜中没有被光刻胶覆盖和保护的部分除去，由于Si、光刻胶具有亲水性，SiO2具有疏水性，所以观察芯片背面是否沾水就能判断刻蚀的程度。

集成电路工艺设计项目实训报告任务书

集成电路工艺设计项目实训报告任务书任务书：集成电路工艺设计项目实训报告一、项目背景二、任务要求1.学生需自行选择一个集成电路设计项目，可以是基于其中一特定芯片的设计，或是自己提出一个创新的设计方案。

2.学生需要了解所选择的集成电路设计项目的背景、相关技术要求和设计目标，并进行详细的调研分析。

3.学生需要根据实际需求，进行集成电路的工艺设计，包括物理设计和电路设计。

4.学生需要选择合适的工艺库和设计工具进行设计，比如EDA工具、模拟电路设计软件等。

5.学生需要进行相关仿真和验证工作，确保设计方案的可行性和有效性。

6.学生需要进行设计结果的分析和评估，包括功耗、速度、可靠性等指标。

7.学生需要撰写实训报告，详细记录整个项目的过程、方法、结果和分析，展示工艺设计能力和创新思维。

三、文档要求1.实训报告需要包含以下内容：a.项目背景和目标：简要介绍所选择的集成电路设计项目的背景和目标。

b.调研分析：对所选择的集成电路设计项目进行详细分析，包括相关技术要求、市场需求等。

c.设计方法和工具选择：介绍所选择的集成电路设计的方法和所使用的工具。

d.设计流程和结果验证：详细描述集成电路工艺设计的流程，并进行仿真和验证工作。

e.结果分析和评估：对设计结果进行分析和评估，比较不同设计方案的优劣。

f.实验总结和展望：总结整个实训项目的经验和教训，展望未来可能的改进方向和应用场景。

2.实训报告字数要求不少于1500字。

3.实训报告需要采用规范的学术论文格式，包括标题、摘要、引言、方法、结果和讨论等。

四、评分标准1.项目选择和背景调研的深度和全面性：20分。

2.设计方法和工具选择的合理性和灵活性：20分。

3.设计流程和结果验证的恰当性和有效性：20分。

4.结果分析和评估的准确性和全面性：20分。

5.实训报告的结构和写作质量：20分。

五、参考资料六、项目计划安排1.项目开始日期：20XX年XX月XX日。

2.项目结束日期：20XX年XX月XX日。

《集成电路设计》课程设计实验报告

《集成电路设计》课程设计实验报告（前端设计部分）课程设计题目：数字频率计所在专业班级：电子科作者姓名：作者学号：指导老师：目录（一）概述 22一、设计要求2二、设计原理 3三、参量说明3四、设计思路3五、主要模块的功能如下4六、4七、程序运行及仿真结果4八、有关用GW48－PK2中的数码管显示数据的几点说明5（三）方案分析 71011（一）概述在电子技术中，频率是最基本的参数之一，并且与许多电参量的测量方案、测量结果都有十分密切的关系，因此频率的测量就显得十分重要。

测量频率的方法有多种，数字频率计是其中一种。

数字频率计是计算机、通讯设备、音频视频等科研生产领域不可缺少的测量仪器，是一种用十进制数字显示被测信号频率的数字测量仪器。

数字频率计基本功能是测量诸如方波等其它各种单位时间内变化的物理量。

在进行模拟、数字电路的设计、安装、调试过程中，由于其使用十进制数显示，测量迅速，精确度高，显示直观，经常要用到频率计。

频率计的基本原理是应用一个频率稳定度高的时基脉冲，对比测量其它信号的频率。

时基脉冲的周期越长，得到的频率值就越准确。

通常情况下是计算每秒内待测信号的脉冲个数，此时我们称闸门时间是1秒。

闸门时间也可以大于或小于1秒，闸门的时间越长，得到的频率值就越准确，但闸门的时间越长则每测一次频率的间隔就越长，闸门时间越短，测的频率值刷新就越快，但测得的频率精度就受影响。

本文内容粗略讲述了我们小组的整个设计过程及我在这个过程中的收获。

讲述了数字频率计的工作原理以及各个组成部分，记述了在整个设计过程中对各个部分的设计思路、程序编写、以及对它们的调试、对调试结果的分析。

（二）设计方案一、设计要求：⑴设计一个数字频率计，对方波进行频率测量。

⑵频率测量可以采用计算每秒内待测信号的脉冲个数的方法实现。

GW48－PK2上可以提供一个1Hz的标准信号，利用这一信号可以得到1s宽度的闸门信号。

⑶ GW48－PK2中的数码管可以用来显示数据。

《集成电路课程设计报告

集成电路课程设计报告单级CMOS放大电路的设计与仿真系:专业：—学号：. 姓名：—指导教师：-报告提交日期:目录摘要.............................. 词............ (2)1引言............ .. (2)2 CMOS放大电述22.1 MOS管介绍 (3)2.2 MOS管特性分析 (5)3 设计与仿真......................................................... •. (9)3.1设计............................................................ (9)3.1.1电路设3.1.2结果分析 (10)3.2仿真............................................................•••• 123.2.1技术支持 (12)3.2.2仿真与结果分析 (12)4结论......................................................... .. (17)5体会与展望......................................................... (17)参考文献......................................................... . (18)致谢.........................................................17单级CMOS放大电路的设计与仿真摘要：本文给出单级CMOS放大电路的结构组成和工作原理，电路结构，参数的分析过程。

并对其主要组成部分MOS管进行了各种分析和放大电路的分析和仿真。

关键词：单级CMOS放大电路，设计与仿真，PspicelO.5.Design and Simulation of The single-stage CMOS Amplifier CircuitAbstract : This article has produced single-stage CMOS amplifier circuit composed of the stmctiire and working principle, the electric circuit stmctiire and the parameter analysis process・ And its major component of the CMOS transistors to analysis and amplification circuit analysis and simulatio n. Key words: single-stage CMOS amplifier circuit Design and simulation Pspice 10.51-引言在大多数模拟电路和数字电路中，放大是一个基本的功能。

集成电路课程设计报告书

查找表必须具有充分的分辨率，保证由DAC量化误差产生的输出波形中的直流误差在控制的围，这就需要查找表比10位DAC多两位。查询表的输出再被截断成10位后输入到 DAC，DAC再输出两个互补的电流。
3．数模转换器
查询表的输出再被截断成10位后输入到 DAC，DAC再输出两个互补的电流。DAC满量程输出电流通过一个外接电阻R调节，调节关系为Iset =32( 1.248V／RSET),R的典型值是 3.9KΩ。将DAC的输出经低通滤波后接到AD9850部的高速比较器上即可直接输出一个抖动很小的方波。AD9850在接上精密时钟源和写入频率相位控制字之后就可产生一个频率和相位都可编程控制的模拟正弦波输出，此正弦波可直接用作频率信号源或经部的高速比较器转换为方波输出。在125 MHz的时钟下，32位的频率控制字可使AD9850的输出频率分辨率达0.0291H z ；并具有 5位相位控制位，而且允许相位按增量180o、90o、 45o22.5o、11.25o或这些值的组合进行调整。
引言
随着“软件无线电”技术和数字技术的飞速发展，用数字控制方法从一个参考频率源产生多种频率的技术——直接数字合成器（Direct Digital Synthesizer。DDS）被广泛应用。具体体现在相对带宽宽、频率转换时间短、频率分辨率高、输出相位连续、可产生宽带正交信号及其他多种调制信号、可编程和全数字化、控制灵活方便等方面，并具有极高的性价比。现已广泛应用于通讯、导航、雷达、遥控遥测、电子对抗以及现代化的仪器仪表工业等领域。美国AD公司推出的高集成度的采用先进的CMOS技术的直接频率合成器AD9850是DDS技术的典型产品之一。AD9850是高稳定度的直接数字频率合成器件，部数据输入寄存器、可编程DDS系统、高性能数/模转换器（DAC）及高速比较器，能实现全数字编程控制的频率合成器和时钟发生器，如接上精密时钟源，AD9850可产生一个频谱纯净、频率和相位都可编程控制的正弦信号。AD9850中包含高速比较器，正弦波也可直接用作频率信号源，也可通过比较器转换成方波，作为时钟输出。本文主要介绍了高集成度频率合成器 A D9 8 5 0的工作原理、主要特点及其与 MCS51单片机的接口及应用设计。

集成电路课程设计报告模板

北华航天工业学院课程设计报告（论文）设计课题：D触发器版图设计与Hspice仿真专业班级：学生姓名：指导教师：姚晓琼王玉峰设计时间：2012年6月北华航天工业学院电子工程系集成电路设计课程设计任务书指导教师：教研室主任：年月日注：本表下发学生一份，指导教师一份，栏目不够时请另附页。

课程设计任务书装订于设计计算说明书（或论文）封面之后，目录页之前。

内容摘要本报告通过对目前世界上正在使用的永久性载人空间站之间或与运载飞行器之间的交会对接技术的对比研究，提出了……索引关键词：空间技术飞行器空间站交会对接目录一概述 (1)二方案设计与论证 (2)三单元电路设计与参数计算 (3)3.1. 从机部分电源设计 (13)3.1.1 开关电源介绍 (14)3.1.2 TOPSwitch系列芯片工作原理 (15)3.1.3 开关电源的电路设计 (16)四总原理图及元器件清单五安装与调试（一般分静态调试与动态调试两大内容）六性能测试与分析（要围绕设计要求中的各项指标进行）七结论八心得体会九参考文献一、概述。

二、方案设计与论证。

三、单元电路设计与参数计算。

四、总原理图及元器件清单1．总原理图2．元件清单五、安装与调试六、性能测试与分析七、结论八、心得体会九、参考文献[1] 胡宴如.高频电子线路[M].高教出版社. 2001.9：12-19[2] 卢屹数字锁相环的参数设计及其应用[J] 通信技术2001，（9）：12-15电子工程系课程设计成绩评定表专业：班级：学号：姓名：年月日。

集成电路工程的课程设计

集成电路工程的课程设计一、教学目标本课程的目标是让学生了解和掌握集成电路工程的基本原理、设计和制造过程。

通过本课程的学习，学生应能理解集成电路的基本结构、工作原理和设计方法，掌握集成电路的制造流程和测试技术，并了解集成电路在现代电子技术中的应用。

具体来说，知识目标包括：1.了解集成电路的基本结构和类型；2.理解集成电路的工作原理和设计方法；3.掌握集成电路的制造流程和测试技术；4.了解集成电路在现代电子技术中的应用。

技能目标包括：1.能够使用集成电路设计软件进行简单的设计；2.能够进行集成电路的制造和测试；3.能够分析集成电路的性能和问题。

情感态度价值观目标包括：1.培养对集成电路工程技术的兴趣和热情；2.培养创新意识和团队合作精神；3.培养学生对科技发展的敏感性和适应性。

二、教学内容本课程的教学内容主要包括四个方面：1.集成电路的基本原理：包括集成电路的定义、分类、结构和功能，以及集成电路的设计原则和流程。

2.集成电路的设计方法：包括数字集成电路、模拟集成电路和混合集成电路的设计方法，以及集成电路设计工具和软件的使用。

3.集成电路的制造流程：包括硅片制造、集成电路版图设计、光刻、蚀刻、离子注入等基本工艺，以及集成电路的封装和测试。

4.集成电路的应用：包括集成电路在电子设备中的应用、集成电路系统的组成和原理，以及集成电路技术的未来发展趋势。

三、教学方法为了激发学生的学习兴趣和主动性，本课程将采用多种教学方法，包括：1.讲授法：通过教师的讲解，让学生了解和掌握集成电路的基本原理和设计方法；2.案例分析法：通过分析实际案例，让学生了解集成电路的应用和制造过程；3.实验法：通过实验操作，让学生掌握集成电路的测试技术和性能分析；4.小组讨论法：通过小组讨论，培养学生的团队合作精神和创新意识。

四、教学资源为了支持教学内容和教学方法的实施，丰富学生的学习体验，我们将选择和准备以下教学资源：1.教材：选用《集成电路工程》作为主教材，为学生提供系统的学习内容；2.参考书：推荐《集成电路设计手册》等参考书籍，为学生提供更多的学习资料；3.多媒体资料：制作PPT、视频等多媒体资料，为学生提供直观的学习体验；4.实验设备：准备集成电路设计软件、实验板等实验设备，为学生提供实践操作的机会。

半导体集成电路工艺课程设计报告

《半导体器件》课程设计报告
彭淑瑾 0700404128
目录
1.传输门简介 2.传输门版图 3.传输门工艺流程 4.BJT和CMOS工艺 5.可调电阻版图
一.传输门的简介
CMOS传输门如图所示是由一对互补MOS晶体管构成. CMOS传输门是较为理想的开关,它可以将信号无损失的传输到输出端. 工作时,NMOS衬底接地, PMOS管的衬底接电源,且 NMOS管的栅压与PMOS管的栅压极性相反.
四.BJT和CMOS工艺
(2)双阱CMOS工艺
5.形成场隔离区,生长一层薄氧化层,淀积一层氮化硅,光刻场氧化区,场区离子注入. 6.形成多晶硅栅:生长栅氧化层,沉积, 光刻和刻蚀多晶硅栅.
7.形成N管漏源区.P阱中的NMOS管光刻, 注入磷或砷并扩散,形成N管漏源区.
8.形成P管漏源区.用光刻胶将NMOS管保护起来,光刻N阱中的PMOS管,注入硼并扩散形成P管漏源区.
8.93 ×1010 扩散时间 t = = 8.93 ×103 S ≈ 2.48h 1013
多晶硅薄层的方块电阻值Rs=20Ω/□
附1:翻译
L-EDIT操作手册第5页
建议:本教程的目的是教会你如何使用L-EDIT.为了节省时间,你不需要了解每个层的名字和功能的不同.只需要根据这个教程所述的方法绘制对象. 3. 分别在n型区/p型区上画出源区/漏区和衬底有源区.基区不能直接连接到金属层,所以我们需要在连接处生成n 型或者p型掺杂层.注意n型选择区可以正交穿过多晶硅栅,因为在芯片受到n 型掺杂原子轰击的时候多晶硅栅可以阻止n型原子淀积在栅下.
L1版,多晶硅版
L2版,金属1反刻版
L3版,有源区版
L4版,N型注入区版
二.传输门版图

集成电路工艺课程设计报告

目录1.课程设计目的与任务 (1)2.课程设计的基本内容 (1)2.1 npn双极型晶体管的设计 (1)2.2课程设计的要求与数据 (1)3.课程设计原理 (1)3.1晶体管设计的一般步骤 (2)3.2晶体管设计的基本原则 (2)4.晶体管工艺参数设计 (3)4.1晶体管的纵向结构参数设计 (3)4.1.1 集电区杂质浓度的确定 (3)4.1.2 基区及发射区杂质浓度 (3)4.1.3 各区少子迁移率及扩散系数的确定 (4)4.1.4 各区少子扩散长度的计算 (5)4.1.5 集电区厚度的选择 (6)4.1.6 基区宽度的计算 (6)4.1.7扩散结深 (9)4.1.8杂质表面浓度 (9)4.1.9 芯片厚度和质量 (10)4.2 晶体管的横向设计 (10)4 .2 .1 晶体管横向结构参数的选择 (10)4.3 工艺参数计算 (11)4.3.1 晶体管工艺概述 (11)4.3.2基区硼预扩时间 (12)4.3.3基区硼扩散需要的氧化层厚度 (12)4.3.4基区硼再扩散时间计算 (13)4.3.5发射区预扩散时间 (13)4.3.6发射区氧化层厚度 (14)4.3.7发射区再扩散的时间 (14)4.3.8基区氧化时间 (15)4.3.9发射级氧化层厚度 (15)4.4设计参数总结 (16)5.工艺流程图 (17)6.生产工艺流程 (17)6.1 硅片清洗 (17)6.1.1 清洗原理 (18)6.1.2硅片清洗的一般程序 (18)6.2氧化工艺 (19)6.2.1 氧化原理 (19)6.2.2基区氧化的工艺步骤 (20)6.2.3测量氧化层厚度 (20)6.3 第一次光刻工艺（光刻基区） (21)6.3.1 光刻原理 (21)6.3.2 工艺步骤 (21)6.4 基区硼扩散工艺 (22)6.4.1 硼扩散原理 (22)6.4.2 硼扩散工艺步骤 (23)6.5发射区氧化的工艺步骤 (23)6.6第二次光刻工艺（光刻发射区） (24)6.7发射区磷的扩散 (24)6.7.1 磷扩散原理 (24)6.7.2 磷扩散工艺步骤 (25)6.8引线孔氧化的工艺步骤 (25)6.9 第三次光刻（光刻引线孔） (26)6.10引线孔金属化 (27)6.10.1集成电路对金属化材料特性的要求 (27)6.10.2金属化步骤 (27)6.11光刻金属电极 (28)7. 心得体会 (28)8. 参考文献 (29)微电子器件与工艺课程设计报告——npn双极型晶体管的设计1.课程设计目的与任务《微电子器件与工艺课程设计》是有关微电子器件和工艺知识的综合应用的课程，使我们系统的掌握半导体器件，集成电路，半导体材料及工艺的有关知识的必不可少的重要环节。