1N4148W二极管选型资料 打标代码T4
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Ta=100 oC
100 Ta=25 oC
10
1
0
20
40
60
80
100
REVERSE VOLTAGE V (V) R
Capacitance Characteristics
1.6 Ta=25℃ f=1MHz
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
4
8
12
16
20
REVERSE VOLTAGE V (V) R
IF=150mA VR=75V VR=20V VR=0V,f=1MHz IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω
A,Mar,2011
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】
WWW.NSCN.COM.CN
Typical Characteristics
Forward Characteristics
Symbol Min Typ Max Unit
VF1
0.715 V
VF2
0.855 V
VF3
1.0
V
VF4
1.25
V
IR1
1
μA
IR2
25
nA
CT
2
pF
Reverse recovery time
trr
4
ns
Unit V
V
V mA mA A mW ℃/W ℃ ℃
Conditions IF=1mA IF=10mA IF=50mA
Pd
RθJA
Tj TSTG
Limit 100
100
71 300 150 2.0 1.0 500 250 150 -55~+150
Electrical Ratings @Ta=25℃
Parameter
Forward voltage
Reverse current Capacitance between terminals
POWER DISSIPATION PD (mW)
Power Derating Curve
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE T (℃ ) a
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS C (pF)
T
A,Mar,2011
@t =1.0s Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature
Symbol VRM VRRM VRWM VR
VR(RMS) IFM IO
IFSM
+
-
MARKING: T6,T4 Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage Peak Repetitive Peak Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage Forward Continuous Current Average Rectified Output Current Peak Forward Surge Current @t=1.0μs
1000
FORWARD CURRENT IF (mA)
Ta=100 oC Ta=25 oC
100
10
1
0.1
0.01
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
FORWARD VOLTAGE V (V) F
REVERSE CURRENT IR (nA)
Baidu Nhomakorabea
BAV16W/1N4148W
10000 1000
Reverse Characteristics
元器件明细资料
元器件名称 型号及封装
单机用量 申请数量 备注
预计生产情况
预计小批量生产时间:
规模生产时间:
样品申请时间:
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写,可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送,并请客户将此单打印盖章后 邮件至:Service@nsc。n.com.cn 。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况,及时确定该样品申请是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后,南京公司有现货24小时内发出,如需订货,交期3-4周,非常规品顺延1-2 周。 5、样品免费,运费到付(一般选择顺丰快递);样品数量规定:单个型号5~20pcs, 或按单机数量2~5套。 6、特别说明:由于体制约束等不确定因素,我们并不保证样品数量和型号完全符合要求,也不承诺一定按期 交出。
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
www.nscn.com.cn
联系资料
电话:
南京南山半导体有限公司-样品申请单
技术支持:
传真:
电邮:Service@nscn.com.cn
客户基本资料
公司名称
联系方式
电话:
收货地址
主要产品
联络人
姓名:
电话:
传真:
职务: 手机:
网址:
□技术 □采购 □贸易商 邮箱:
SOD-123
FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance
回访记录
□已联系确认 日期:
□已建议执行 日期:
□未发送但已下单 日期:
□已发送样品 日期:
□客户已签收 日期:
第1页共1页
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】
WWW.NSCN.COM.CN
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes
BAV16W/1N4148W FAST SWITCHING DIODE
100 Ta=25 oC
10
1
0
20
40
60
80
100
REVERSE VOLTAGE V (V) R
Capacitance Characteristics
1.6 Ta=25℃ f=1MHz
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0
4
8
12
16
20
REVERSE VOLTAGE V (V) R
IF=150mA VR=75V VR=20V VR=0V,f=1MHz IF=IR=10mA Irr=0.1XIR,RL=100Ω
A,Mar,2011
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】
WWW.NSCN.COM.CN
Typical Characteristics
Forward Characteristics
Symbol Min Typ Max Unit
VF1
0.715 V
VF2
0.855 V
VF3
1.0
V
VF4
1.25
V
IR1
1
μA
IR2
25
nA
CT
2
pF
Reverse recovery time
trr
4
ns
Unit V
V
V mA mA A mW ℃/W ℃ ℃
Conditions IF=1mA IF=10mA IF=50mA
Pd
RθJA
Tj TSTG
Limit 100
100
71 300 150 2.0 1.0 500 250 150 -55~+150
Electrical Ratings @Ta=25℃
Parameter
Forward voltage
Reverse current Capacitance between terminals
POWER DISSIPATION PD (mW)
Power Derating Curve
600
500
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE T (℃ ) a
CAPACITANCE BETWEEN TERMINALS C (pF)
T
A,Mar,2011
@t =1.0s Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Junction Temperature Storage Temperature
Symbol VRM VRRM VRWM VR
VR(RMS) IFM IO
IFSM
+
-
MARKING: T6,T4 Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃
Parameter
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage Peak Repetitive Peak Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage Forward Continuous Current Average Rectified Output Current Peak Forward Surge Current @t=1.0μs
1000
FORWARD CURRENT IF (mA)
Ta=100 oC Ta=25 oC
100
10
1
0.1
0.01
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
FORWARD VOLTAGE V (V) F
REVERSE CURRENT IR (nA)
Baidu Nhomakorabea
BAV16W/1N4148W
10000 1000
Reverse Characteristics
元器件明细资料
元器件名称 型号及封装
单机用量 申请数量 备注
预计生产情况
预计小批量生产时间:
规模生产时间:
样品申请时间:
样品申请流程
1、请详细、全面、真实填写上列各项。表格不够填写,可自行复制。 2、请以附件的形式将该文档通过 E-mail 发送,并请客户将此单打印盖章后 邮件至:Service@nsc。n.com.cn 。 3、公司将根据客户所填信息并综合相关情况,及时确定该样品申请是否执行及如何执行。 4、收到样品申请单并经审核通过后,南京公司有现货24小时内发出,如需订货,交期3-4周,非常规品顺延1-2 周。 5、样品免费,运费到付(一般选择顺丰快递);样品数量规定:单个型号5~20pcs, 或按单机数量2~5套。 6、特别说明:由于体制约束等不确定因素,我们并不保证样品数量和型号完全符合要求,也不承诺一定按期 交出。
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
www.nscn.com.cn
联系资料
电话:
南京南山半导体有限公司-样品申请单
技术支持:
传真:
电邮:Service@nscn.com.cn
客户基本资料
公司名称
联系方式
电话:
收货地址
主要产品
联络人
姓名:
电话:
传真:
职务: 手机:
网址:
□技术 □采购 □贸易商 邮箱:
SOD-123
FEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High Conductance
回访记录
□已联系确认 日期:
□已建议执行 日期:
□未发送但已下单 日期:
□已发送样品 日期:
□客户已签收 日期:
第1页共1页
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】
WWW.NSCN.COM.CN
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes
BAV16W/1N4148W FAST SWITCHING DIODE