八款可控硅调压器电路图
晶闸管(可控硅)调压电路
晶闸管调压电路2.3.1单相调压电路工作电路如图2.6（a）所示，R-L负载是交流调压器最一般化的负载。
显然，两只晶闸管门极的起始控制点应分别定在电源电压每个半周的起始点，α的最大范围是0<α<π。
正、负半周有相同的α角。
图2.6阻感负载单相交流调压电路[4]在一个晶闸管导电时，它的管压降成为另一晶闸管的反向电压而截止。
于是在一个晶闸管导电时，电路工作情况和单相半波整流时相同，负载电流i o 的表达式即为下述微分方程式之解。
t U Ri dtdi Lo oωsin 21=+ （2.12） 解该方程得：φωαφαφωtg t o e t ZU i ----=)sin()[sin(21（2.13）θαωα+≤≤t式中, 2122])([L R Z ω+=；RLtg ωφ1-=；θ为晶闸管导通角。
另一晶闸管导电时,情况完全相同，只是o i 相位差180度。
与单相半波整流不同的是,现在有两个晶闸管，分别在电源的正、负半周工作，所以每个晶闸管的导通角θ不可能大于180度，而单相半波整流时，视不同的φ，θ可大于180度。
负载电流波形图2.6（a ）所示。
导通角θ可由边界条件求得。
当θαω+=t 时，o i =0，将此条件代入式（2.13），得φθφαφθαtg e--=-+)sin()sin( （2.14）以φ为参变量，θ与α间的关系为单相半波阻感负载时的普 遍关系。
现在，针对交流调压器，应附加o 180≤θ的条件，于是 得以φ为参变量的θ与α的关系，如图3.2所示。
图2.7中各曲线上o 180=θ的点都对应于φα=，换句话说，把φα=代入式（2.14）求得的每个晶闸管的导通角应为o 180=θ。
如将φα=代入式（2.13），得出o i 的表达式只有稳态分量，即)sin(21φω-=t ZU i o （2.15） φπωφ+≤≤t另一半周的工作情况也完全相同，负载电流成为完全的正弦波，负载电路这时获得最大功率，相当于晶闸管此时已被短接。
可控硅控制电路图解及制作13例
可控硅控制电路图解及制作13例可控硅是可控硅整流器的简称。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。
它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
单向可控硅是由三个PN结PNPN 组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
简易单向可控硅12V触摸开关电路触摸一下金属片开，SCR1导通，负载得电工作。
触摸一下金属片关，SCR2导通，继电器J得电工作，K断开，负载失电，SCR2关断后，电容对继电器J放电，维持继电器吸合约4秒钟，故电路动作较为准确。
如果将负载换为继电器，即可控制大电流工作的负载。
可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，活动导入以可控硅实际应用案例的展示，以激发学生的活动兴趣。
可控硅控制电路的制作13例1：可调电压插座电路如图，可用于调温(电烙铁)、调光(灯)、调速(电机)，使用时只要把用电器的插头插入插座即可，十分方便。
V1为双向二极管2CTS，V2为3CTSI双向可控硅，调节RP可使插座上的电压发生变化。
2：简易混合调光器根据电学原理可知，电容器接入正弦交流电路中，电压与电流的最大值在相位上相差90°。
可控硅调压器电路图大全（八款模拟电路设计原理图详解）
可控硅调压器电路图大全（八款模拟电路设计原理图详解）可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
可控硅调压器电路图（一）可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到单结晶体管T1管的峰值电压Up时，单结晶体管T1由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
元器件选择调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其余的都用功率为1/8W的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系列。
可控硅调压器电路图（二）在很多使用交流电源的负载中，需要完成调光、调温等功能，要求交流电源能平稳地调节电压。
图205所示，是一种筒单交流调压器，可代替普通交流调压器，体积小、重量轻、控制方便。
工作原理电源经电阻R，和电位器W 向电容C充电。
WSM315(可控硅)原理图
0M
-+
M1 AC LS2
A
CN1
CN16
CN13
CN11
CN9
—
LED1
DC
— —
B
A
水水水
R23 470R
CN2
CN1
R21
S7
Title Size A2 Date: File:
基基脉脉 基基脉脉 基基脉脉 基基脉脉 基基基基 基基基基 基基基基 基基基基
有 有 有 有 反无 反无 反 反 反无 反无 反 反
点手手 点手手 点手手 点手手 点氩氩 点氩氩 点氩氩 点氩氩 点点 点点 点点 点点
C15 0.47u R11 10R
C11 0.15u SCR2
14k 45g 13a
80
21 12
R12 10R
19
19
19 T4 6/22
20
X3
C12 0.15u
CN1
AC 13 DC DC
S1(2/2)
13 1
C
19 100V
35
30R/80W 1 18 2 R7 3 34 30R/30W 4 35
黄 清温 黄 清温 黄 清温 黄 清温
红 异异 红 异异 红 异异 红 异异
电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电电基基 电电基基 电电基基 电电基基
清清清清 清清清清 清清清清 清清清清
）（ ）（ ）（ ）（
FNZ-24-250 D
2 39 1
CN6
4 8
MS1
1 2 3 4
FAN
1
2
3
4
5
6
7
8
24
常用可控硅调速调光电路
常用可控硅调速调光电路(图)
作者：佚名文章来源：不详更新时间：2008年08月08日浏览：1620人次
典型的120V可控硅调光器电路图
另一种120V可控硅调光器电路图
用于230V白炽灯的大功率双向晶闸管调光器电路图
可控硅应用电路举例
用电路_直流可控硅触发电路：如图G2是一个电视机常用的过压保护电路，当E+电压过高时A点电压也变高，当它高于稳压管DZ的稳压值时DZ道通，可控硅D受触发而道通将E+短路，使保险丝RJ熔断，从
用电路_相位可控硅触发电路：相位触发电路实际上是交流触发电路的一种，如图G3，这个电路的方法是利用RC回路控制触发信号的相位。
当R值较少时，RC时间常数较少，触发信号的相移A1较少，因此负大时，RC时间常数较大，触发信号的相移A2较大，因此负载获得较少的电功率。
这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。
用氖灯触发的大功率双向可控硅调光器电路图
简易单向晶闸管调光器电路图
别对电源的正半波及负半波进行整流后对C1或C2充电，RW1用来调节触发时间，由于调节后的移相量不同，就可以达到改变输出电压的目的。
本电路利用了电容器在正弦波交流电路中的电压与电流相位差最大规的RC串联电路更稳定。
基础知识可控硅调压
基础知识可控硅调压
原创作者：晓月池塘
基础知识/可控硅调压
可控硅调压应用广泛，简单可靠，可用于调速调光或电加热。
图一，经典应用
工作原理：R1、RP、R3、C1、C2、D 组成脉冲形成网络触发双向可控硅VT, 使VT在市电正负半周均保持相应正反向导通。
调节RP 阻值，即可改变VT的导通角，达到调节负载电压的目的。
可用于家庭台灯调光、电熨斗、电热毯的调温及电风扇调速等。
可控硅功率决定使用功率大小。
图二，市售成品模块
图三
图四，光耦隔离可控硅调压
图五，光耦隔离可控硅成品模块
欢迎大神们交流探讨，分享经验，共同提高！
转载请注明出自“头条号/低压电工”。
可控硅调速电路图大全（六款可控硅调速电路设计原理图详解）
可控硅调速电路图大全（六款可控硅调速电路设计原理图详解）可控硅特性1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。
可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
3、反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。
使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
5、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极正向电流。
许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
可控硅工作原理在分析可控硅工作原理时，我们经常将这种四层P1N1P2N2结构看作由一个PNP管和NPN管构成，如下图所示。
当阳极A端加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态，此时由控制极G端输入正向触发信号，使得BG2管有基极电流ib2通过，经过BG2管的放大后，其集电极电流为ic2=β2ib2。
而ic2沿电路流至BG1的基极，故有ib1=ic2，电流又经BG1管的放大作用后，得到BG1的集电极电流为ic1=β1ib1=β1β2ib2。
此电流又流回BG2的基极，使得BG2的基极电流ib2增大，从而形成正向反馈使电流剧增，进而使得可控硅饱和并导通。
由于在电路中形成了正反馈，所以可控硅一旦导通后无法关断，即使控制极G端的电流消失，可控硅仍能继续维持这种导通的状态。
可控硅晶闸管调光电路
单向可控硅调压电路
可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
可控硅调速器电路图
可控硅调速器电路图可控硅电机调速电路该电路如图所示。
前级控制电路的电源供给电压从稳压管DZ 两端取得，R12为启动电阻。
VT必须选择BVceo大于400V的中功率管。
稳压管DZ的额定电流必须大于电风扇堵转时的电流(一般电风扇的堵转电流约300mA)，其稳定电压为5V。
流过三极管的基极电流为Ib，集电极电流为IC，则：设可控硅VS的触发电流为Igt当Ic=Igt的时刻，可控硅导通。
由(1)式指出。
如果βIb大于或者等于可控硅VS的触发电流Igt，则在正弦电压的约0V处，可控硅即被触发，控制角为O，电风扇总是全速运转，不能调速(见下图)。
因此。
R7~R10阻值选择显得非常重要。
此RB为CC4518输出端只有一个高电平时的取值。
因为CC4518属于BCD同步加计数器，其输出端Q3、Q2、Q1、Q0有时会同时出现多个为高电平的状态，使R7~R10多个并联后再加到VT的基极，这也必须引起我们的注意。
由于可控硅的触发电流Igt以及三极管VT的β、rce的离散性很大，使Rb的取值十分困难，必须测量出上述参数的实际值，再计算出Rb，然后在试验中微调。
遗憾的是该电路的控制角调节范围小于90°，速度调节范围小。
电机调速电路下面介绍一种简易电机调速电路，不用机械齿轮转化来变速，改善了机械设备使用的效率。
此简易电子调速电路适用于220V市电的单相电动机，电机额定电流在6.5A以内，功率在1kW左右，适用于家庭电风扇、吊扇电机及其它单相电机，若电路加以修改，则可作调光、电磁振动调压、电风扇温度自动变速器等用途。
其电路如图1所示。
硅二极管VD1~VD4构成一个桥式全波整流电路，电桥与电机串联在电路中，电桥对可控硅VS提供全波整流电压。
当VS接通时，电桥呈现本电机串联的低阻电路。
当图1中A点为负半周时，电流经电机、VD1、VS、R1、VD3构成回路，当B 点为正半周时电流经VD2、VS、R1、VD4、电机M构成回路，电机端得到的是交变电流。
触发双向可控硅调压电路
过零触发双向可控硅调压电路图新一代晶闸管触发模块KTM2011A的原理及应用摘要：KTM2011A是青岛珠峰科技有限公司推出的新一代晶闸管触发模块，具有体积小、重量轻、触发动率大及波形对称性对等优点。
文中详细介绍了KTM2011A的内部结构、工作原理、设计特点及具体的应用电路。
关键词：触发电路隔离脉冲KTM2011A1 概述KTM2011A是青岛珠峰科技有限公司经过优化设计和精心研制的新一代晶闸管触发模块，具有体积小、重量轻、触发功率大及波形对称性好等优点。
其输出可触发单相电路中两个相位互差180°的晶闸管，可广泛用于单相交流调压、单相桥式半控整流电路中作为晶闸管的触发电路，由于模块内部集成有隔离单元，故使用中不需要外接脉冲变压器。
KTM2011具有如下特点：2.2 极限参数KTM2011A的极限工作参数如下：●输入交流同步电压：15～17V；●输出直流电压V+：22V；●输入移相电压VK：0～+10V；●输出触发电流：≤750mA；●输出脉冲幅度：18～21V；●移相范围：0～180°；●脉冲宽度：≮2ms ；●需配变压器容量：5～10VA ；●输入、输出间隔离电压：2500VDC ； ●工作温度范围：-10～+70℃。
●工作电源电压VCC ：+16V ；3 结构及原理 KTM2011A 的内部结构及工作原理框图如图2所示。
它由同步环节、锯齿波形成、整流电路、脉冲形成、脉冲放大及隔离整形环节共五个单元电路组成。
工作时，KTM2011A 首先将来自同步电流变压器副边的电压信号经整流电路整流，并通过引脚4的内部送给脉冲放大与隔离整形电路，同时将滤波稳压后的电压经引脚3输入给锯齿波形成和脉冲形成部分作为供电电源。
另一方面，来自同步电源变压器副边的电压信号经同步环节检测出过零点，并在锯齿波形成环节根据用户在引脚7所接电阻的大小而决定的斜率形成锯齿波。
将该锯齿波与引脚9输入的控制电压 Uk 相比较以形成对应于同步信号的正、负半周脉冲。
可控硅接线图
可控硅接线图
可控硅接线图
从图中得知：这是可同时触发2个可控硅的触发板。
图中有一脉冲变压器，其次级有2组线圈，分别接图中的G1、K1和G2、K2接点。
对于交流可控整流输出电路或交流调压电路，其主回路都含有2只可控硅器件作为正负半周的可控整流器件，由于这二个可控硅的阴极不为同电位，故需用2路独立的触发信号，来分别触发这2只可控硅。
图中的
G1、K1与G2、K2即为2路独立的触发信号的引线端。
其与可控硅连线为：G1与K1接第一个可控硅的栅极与阴极，G2与K2接第二个可控硅的栅极与阴极，请见下图的可控硅与触发板的连线：该图为可控硅交流调压电路，主回路有2只反并联可控硅组成，其D1管的栅极接触发板的G1引线端，D1管的阴极接触发板的K1引线端，D2管的栅极接触发板的G2引线端，D2管的阴极接触发板的K2引线端，D1与D2这二个可控硅是分别工作电源电压的正负半周。
正半周（即UA》UB）时，可控硅D1的阳极电位高于其阴极，故
G1端输入正脉冲触发时，可控硅D1由截止变导通。
而可控硅D2此时阳极。
可控硅应用电路图
单向可控硅PCR606应用电路图：用PCR406制作调光电路:单向晶闸管调光灯电路板:电路原理：由灯泡、开关S、整流管D1-D4:1N4007、可控硅100-6与电源构成主电路：由电位器PR1A:500K、电容C1:1U、电阻R1:1K;R2:1K构成触发电路。
接通220v后，经过D1-D4全桥整流得到的脉动直流电压加至RP1A，给电容C1充电，当C1两端电压上升到一定的程度时，就会触发可控硅Q1，灯泡点亮。
同样的，调节RP1A变C1充/放电时间常数，因而改变触发脉冲的长短，改变了Q1的导电角(导通程度)，达到调节灯牌亮度的目的。
电路中，由电源插头XP、灯泡EL、电源开关S、整流管VD1～VD4、单相晶闸管VS与电源构成主电路；由电位器RP、电容C、电阻R1与R2构成触发电路。
将XP插入市电插座，闭合S，接通220V交流电源，VD1~VD4全桥整流得到脉动直流电压加至RP，调节RP的阻值，就能改变C的充／放电时间常数，即改变VS控制触发角，从而改变VS的导通程度，使EL获得0～220V电压。
RP的阻值调得越大，则EL越暗，反之越亮，达到无级调光的目的。
双向可控硅调光电路及线路板图工作原理,图1：R、RP、C、D组成脉冲形成网络触发双向可控硅vT，使VT在市电正负半周均保持相应正反向导通。
调节RP阻值，即可改变VT的导通角，达到调节负载RL上电压的目的。
可用于家庭台灯调光、电熨斗、电热毯的调温等。
此双向可控硅在加散热器的情况下，控制的负载功率可达500w左右。
图2为印板图。
最简单的双向晶闸管调光灯电路图如图是一个最简单的双向晶闸管调光灯电路，双向晶闸管的特点是只要在其控制极上加上适当的触发脉冲或控制电流，无论在交流的正半周还是负半周，均可导通，导通时间与所加的脉冲宽度及门极电流大小有关。
调节RP可改变灯泡E的亮度大小。
调光台灯电路:调光台灯的电路非常简单，仅仅是一个可控硅调压电路而已。
市场上见到的电路大多是第二个图所示的电路，工作原理是：当交流电的正半周或副半周到来是，经过全桥整流，加到可控硅上的电源是单向的。
交流调压原理—可控硅
6.1 交流调压电路交流调压电路采用两单向晶闸管反并联（图6-1(a)）或双向晶闸（图6-1（b）），实现对交流电正、负半周的对称控制，达到方便地调节输出交流电压大小的目的，或实现交流电路的通、断控制。
因此交流调压电路可用于异步电动机的调压调速、恒流软起动，交流负载的功率调节，灯光调节，供电系统无功调节，用作交流无触点开关、固态继电器等，应用领域十分广泛。
图6-1 交流调压电路交流调压电路一般有三种控制方式，其原理如图6-2所示。
图6-2 交流调压电路控制方式（1）通断控制通断控制是在交流电压过零时刻导通或关断晶闸管，使负载电路与交流电源接通几个周波，然后再断开几个周波，通过改变导通周波数与关断周波数的比值，实现调节交流电压大小的目的。
通断控制时输出电压波形基本正弦，无低次谐波，但由于输出电压时有时无，电压调节不连续，会分解出分数次谐波。
如用于异步电机调压调速，会因电机经常处于重合闸过程而出现大电流冲击，因此很少采用。
一般用于电炉调温等交流功率调节的场合。
（2）相位控制与可控整流的移相触发控制相似，在交流的正半周时触发导通正向晶闸管、负半周时触发导通反向晶闸管，且保持两晶闸的移相角相同，以保证向负载输出正、负半周对称的交流电压波形。
相位控制方法简单，能连续调节输出电压大小。
但输出电压波形非正弦，含有丰富的低次谐波，在异步电机调压调速应用中会引起附加谐波损耗，产生脉动转矩等。
（3）斩波控制斩波控制利用脉宽调制技术将交流电压波形分割成脉冲列，改变脉冲的占空比即可调节输出电压大小。
斩波控制输出电压大小可连续调节，谐波含量小，基本上克服了相位及通断控制的缺点。
由于实现斩波控制的调压电路半周内需要实现较高频率的通、断，不能采用晶闸管，须采用高频自关断器件，如GTR、GTO、MOSFET、IGBT等。
实际应用中，采取相位控制的晶闸管型交流调压电路应用最广，本章将分别讨论单相及三相交流调压电路。
6.1.1 单相交流调压电路单相交流调压电路原理图如图6-1所示，其工作情况与负载性质密切相关。
可控硅应用电路图
单向可控硅PCR606应用电路图：用PCR406制作调光电路:单向晶闸管调光灯电路板:电路原理：由灯泡、开关S、整流管D1-D4:1N4007、可控硅100-6与电源构成主电路：由电位器PR1A:500K、电容C1:1U、电阻R1:1K;R2:1K构成触发电路。
接通220v后，经过D1-D4全桥整流得到的脉动直流电压加至RP1A，给电容C1充电，当C1两端电压上升到一定的程度时，就会触发可控硅Q1，灯泡点亮。
同样的，调节RP1A变C1充/放电时间常数，因而改变触发脉冲的长短，改变了Q1的导电角(导通程度)，达到调节灯牌亮度的目的。
电路中，由电源插头XP、灯泡EL、电源开关S、整流管VD1～VD4、单相晶闸管VS与电源构成主电路；由电位器RP、电容C、电阻R1与R2构成触发电路。
将XP插入市电插座，闭合S，接通220V交流电源，VD1~VD4全桥整流得到脉动直流电压加至RP，调节RP的阻值，就能改变C的充／放电时间常数，即改变VS控制触发角，从而改变VS的导通程度，使EL获得0～220V电压。
RP的阻值调得越大，则EL越暗，反之越亮，达到无级调光的目的。
双向可控硅调光电路及线路板图工作原理,图1：R、RP、C、D组成脉冲形成网络触发双向可控硅vT，使VT在市电正负半周均保持相应正反向导通。
调节RP阻值，即可改变VT的导通角，达到调节负载RL上电压的目的。
可用于家庭台灯调光、电熨斗、电热毯的调温等。
此双向可控硅在加散热器的情况下，控制的负载功率可达500w左右。
图2为印板图。
最简单的双向晶闸管调光灯电路图如图是一个最简单的双向晶闸管调光灯电路，双向晶闸管的特点是只要在其控制极上加上适当的触发脉冲或控制电流，无论在交流的正半周还是负半周，均可导通，导通时间与所加的脉冲宽度及门极电流大小有关。
调节RP可改变灯泡E的亮度大小。
调光台灯电路:调光台灯的电路非常简单，仅仅是一个可控硅调压电路而已。
市场上见到的电路大多是第二个图所示的电路，工作原理是：当交流电的正半周或副半周到来是，经过全桥整流，加到可控硅上的电源是单向的。
调压及调功电路图全集
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十二篇可控硅交流调压电路解析
第一篇：可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
这里介绍一台电路简单、装置容易、控制方便的可控硅交流调压器，这可用作家用电器的调压装置，进行照明灯调光，电风扇调速、电熨斗调温等控制。
这台调压器的输出功率达100W，一般家用电器都能使用。
1：电路原理：电路图如下可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到T1管的峰值电压Up时，T1管由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
2：元器件选择调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其佘的都用功率为1/8W的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管,如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。
SCR选用正向与反向电压大于300V、额定平均电流大于1A的可控硅整流器件，如国产3CT系例。
第二篇：本例介绍的温度控制器，具有SB260取材方便、性能可靠等特点，可用于种子催芽、食用菌培养、幼畜饲养及禽蛋卵化等方面的温度控制，也可用于控制电热毯、小功率电暖器等家用电器。
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八款可控硅调压器电路图
首先可控硅是一种新型的半导体器件，其次它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
可控硅调压器电路图（一）
可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。
从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
当调压器接上市电后，220V交流电通过负载电阻RL经二极管D1—D4整流，在可控硅SCR的A、K两端形成一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后作为触发电路的直流电源。
在交流电的正半周时，整流电压通过R4、W1对电容C充电。
当充电电压Uc达到单结晶体管T1管的峰值电压Up时，单结晶体管T1
由截止变为导通，于是电容C通过T1管的e、b1结和R2迅速放电，结果在R2上获得一个尖脉冲。
这个脉冲作为控制信号送到可控硅SCR的控制极，使可控硅导通。
可控硅导通后的管压降很低，一般小于1V，所以张弛振荡器停止工作。
当交流电通过零点时，可控硅自关断。
当交流电在负半周时，电容C又从新充电……如此周而复始，便可调整负载RL上的功率了。
元器件选择
调压器的调节电位器选用阻值为470KΩ的WH114-1型合成碳膜电位器，这种电位器可以直接焊在电路板上，电阻除R1要用功率为1W的金属膜电阻外，其余的都用功率为1/8W的碳膜电阻。
D1—D4选用反向击穿电压大于300V、最大整流电流大于0.3A的硅整流二极管，如2CZ21B、2CZ83E、。