混合信号集成电路设计大作业2016
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2016年《CMOS混合信号集成电路设计》大作业
1、基于TSMC 3.5V/5V 0.35um 2P4M Mixed-Signal CMOS BSIM3V3 Spice
Model，采用Hspices对图1所示的共源共栅CMOS电流镜电路，其中M1、M3的宽长比为1.5um/1um，M2、M4的沟道长度也是1um，M2、M4的沟道宽度为本人学号的最后一位（如果最后一位为0，则为10um），进行输入－输出电流仿真，并给出仿真所用的.sp文件。（40分）（图1给出了范例波形）
图1
2、基于TSMC 3.5V/5V 0.35um 2P4M Mixed-Signal CMOS BSIM3V3 Spice
Model（模型已经在文件夹中给出），采用Hspices对所示的带隙基准源电路进行仿真验证。管子的类型和尺寸已在图中给出。（60分）
详细要求如下：
a.瞬态仿真，电源电压为5V，bias电压为3.8V，温度300K时，电路的瞬态特性
（保存波形图）；
b.直流温度扫描仿真，电源电压5V，bias电压为3.8V，温度扫描范围从-20℃到
120℃，保存直流温度扫描下的输出电压的曲线图；
c.合理调节R4的电阻值，使零温度系数的温度点出现在80℃；
d.直流电源电压扫描仿真，温度设置为300K，扫描电源电压从4V到7V变化，
保存输出电压的曲线图；
e.给出1、2、3仿真中所用的三个.sp文件（分别以ex1.sp、ex2.sp和ex3.sp）。（注意，在使用Hspice进行瞬态仿真的时候，电源电压要设置成PWL形式；但是在进行温度直流扫描的时候，电源电压要设置成DC形式）
备注：题1和题2中的MOS管均采用5V的器件（模型中另有3.3V的器件），电源电压为5V，bjt选用发射极面积为10的三极管。
作业用A4纸打印（封面自制），考试之前收齐交到东大楼419室。