场效应管检测方法 - 360文档中心

场效应管万用表检测

场效应管万用表检测IGBT有三个电极, 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

BSN304是个内含二极管的场效应管

BSN304是个内含二极管的场效应管，广泛使用在康佳系列彩电的行推动管，当其损坏或性能不良时，会造成行不起振或开机就烧行管，下面把我在维修过程中对这个管子的检测方法和大家分享。

一、熟悉三个电极
将有字的一面面向自己，引脚向上，从左到右依次为G、D、S极。

二、检测方法
准备一只有10K档的指针万用表，将表打到10K档并调零，
（1）将红笔接G，黑笔接S，表针不动为正常。

（2）将红笔接S极，黑笔再接D极，此时的表针不动为正常，假如表针摆动了，说明此管已漏电或损坏。

（3）将红表笔接S极，黑表笔接G，表针不动为正常。

（4）将红笔接S，黑笔接D，表针指示趋近于零，说明此管是好的。

三、原理
当场效应管的G栅极被施加一个正向电场时，其DS保持导通状态，当正向电场失去或施加一个反向电场时，其DS保持截止状态。

使用10K档的目的，就是在G极施加足够大的电场，由于G极结电容的存在，电场短时间不会消失。

以上方法必须按照从1-4的顺序。

这个方法同样适用于检测电源电路的场效应管。

mos管过流检测及保护方法

mos管过流检测及保护方法1. 引言嘿，大家好！今天咱们聊聊MOS管（场效应管）过流检测和保护的方法。

这东西就像是电路中的“守护神”，能让你的设备安全无忧。

听起来很高大上，但其实它跟我们生活中的一些小故事有点像。

想想看，我们平时也会有一些“过载”的情况，比如吃太多糖果，结果牙齿发炎，对吧？所以，了解MOS管怎么防止“过流”也很重要。

2. MOS管是什么？2.1 什么是MOS管？首先，MOS管就是那种在电路中很常见的元件，它就像个开关，能控制电流的流动。

想象一下，你在家里开关灯，按一下开关，灯就亮了；再按一下，灯就灭了。

MOS管就这么简单，它能控制电流的“开”和“关”。

不过，别小看它，MOS管的应用可广泛了，从手机到电脑，几乎无处不在。

2.2 MOS管的工作原理说到工作原理，MOS管就像是一个有身份的“门卫”，它有自己的工作规则。

它通过控制电压来决定电流是否通过，简单来说，就是门卫看你有没有通行证，没证的就不让你进。

这种工作方式不仅高效，而且在保护电路方面也发挥了大作用。

3. 过流检测的重要性3.1 过流的危害现在我们要说的就是过流了。

过流就像是吃糖吃过了头，不仅会让你胃不舒服，还可能导致一系列“连锁反应”。

在电路中，过流会导致MOS管发热，甚至损坏元件。

想象一下，如果你的手机充电器突然冒烟，那可就惨了！所以，咱们得时刻提防这种情况，保护我们的电路。

3.2 如何进行过流检测？好啦，接下来我们聊聊过流检测的方法。

这就像是设置一个“警报器”，当电流超过设定值时，它就会“叮咚”响起来，提醒我们注意。

通常有几种方法，比如使用电流传感器、热敏电阻等等。

这些设备就像是电路的小侦探，随时监控着电流的动态变化。

4. 过流保护方法4.1 过流保护电路说到保护，过流保护电路就是我们的“护航员”。

它能在电流超标时及时切断电源，防止意外发生。

像是过马路时，红灯亮了，咱们就得停下来，等绿灯再走。

这种保护电路通常包括保险丝、断路器等。

场效应管检验标准

制
定
项
目
检验内容
判定标准
检验方法
CR
MA
MI
外
观
1、引脚无氧化、斑点（以上锡试验良好为允收）
√
手感
2、厂商标志与规格型号是否与样品相符
√
目视、试验
3、引脚垂直、不可变形影响插件作业
√
目视、实装
4、本体上的所有标识是否清晰
√
目视
特
性
1、按相关的确认单参数测试耐压是否符合标准
√
测试
2、按相关的确认应管
检验标准
制定日期：
修改日期：
版本版次
页次
核准
审核
作成
制定部门
A0
1/1
一、目的：为了使场效应管材料达到本厂之品质要求而统一制定判定标准和缺点判定标准。
二、检验工具：1、游标卡尺2、HZ4832晶体管特性图示仪
三、抽样计划按MIL—STD—105E（II）正常抽样，CR＝0 MA＝0.4MI＝1.0
√
测试
3、各尺寸规格（主体、脚径、散热片的孔径、脚长）是否符合样品确认单、脚径、脚长尺寸以实装为主）
√
卡尺、实装
五、检验作业指导（功能检测）：
5.1、选用HZ4832晶体管特性图示仪。
5.2、功能检测：①导通电压（VGS）；②耐压（BVDSS）；
5.3、导通电压检测：
5.3.1、按材料确认单的要求调整：①峰值电压；②功耗电阻；③X轴；④Y轴；⑤阶梯信号；⑥输入档位；⑦电流一电压/级；⑧调零、级/簇旋扭。
5.3.2、将待测试的场效应管插入测试夹的B、C、E孔内。
5.3.3、用手旋转旋扭：测VGS在2-4V时晶体管触发导通，每1格为1V

测量场效应管好坏和极性

用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。

如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。

反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。

但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。

注意事项：（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。

但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。

其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。

（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。

三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。

现在锗合金管已经少见了。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

场效应管好坏的简单判断方法

场效应管好坏的简单判断方法场效应管（MOSFET）是一种常见的电子元件，广泛应用于电子电路中。

判断场效应管的好坏对于电子技术的从业人员来说非常重要。

本文将介绍一种简单有效的方法来判断场效应管的好坏。

首先，我们需要了解场效应管的基本工作原理。

场效应管由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）组成。

当栅极电压为零时，场效应管处于截至状态，漏极和源极之间没有电流流动。

当给栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成正偏压，从而形成一个电场，引起漏极和源极之间的电流。

因此，我们可以通过观察场效应管的漏极电流来判断其好坏。

那么，如何判断场效应管的好坏呢？1. 正确连接场效应管：首先，确保场效应管正确连接在电路中。

根据场效应管的引脚布局，将源极连接到适当的电位上，将漏极连接到负载电阻或负载电路中，将栅极连接到合适的驱动电路。

正确连接场效应管是判断其好坏的前提。

2. 测量漏极电流：使用万用表或示波器等仪器，将其测量引线分别连接到场效应管的漏极和源极上，同时保持栅极电压为零（短接到源极）。

记录并观察漏极电流的数值。

3. 比较漏极电流：通过比较测量的漏极电流数值与场效应管的规格书或参考值进行比较。

规格书中通常会给出不同工作条件下的典型电流值范围。

如果测量得到的漏极电流在典型电流值范围内，那么场效应管可以被认为是良好的。

如果漏极电流明显偏离典型值范围，那么场效应管可能存在问题。

需要注意的是，不同类型和型号的场效应管其参数范围有所不同。

因此，判断场效应管的好坏需要结合具体规格书中的参数范围来进行。

总结一下，判断场效应管好坏的简单方法是测量漏极电流，并比较其数值和规格书中的典型值范围。

正确连接场效应管和合适的测量仪器也是必要的。

在实际工作中，还可以结合其他测试方法和技巧来进一步确认场效应管的性能。

通过以上方法，我们可以较为准确地判断场效应管的好坏，有助于电子技术从业人员进行故障排除和电路设计。

然而，在一些特殊情况下，可能需要进一步的测试和分析才能得出最终结论。

场效应管的识别与测量教案

备课教案第周课题场效应管的测量所需课时 3教学目的1、结型场效应管的管脚识别与检测方法2、VMOS场效应管的检测方法重点结型场效应管、VMOS场效应管的检测方法难点结型场效应管、VMOS场效应管各极的判别方法教学过程：一、复习：1、场效应管的工作原理2、场效应管的主要参数二、新课讲授：一、1.场效应晶体管分类2.目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。

二、1、结型场效应管的管脚识别场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。

将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D 和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。

对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。

若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。

源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。

因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。

这时表针指示出的是D-S极间电阻值。

然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。

由于管子的放大作用，UDS 和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法:将万用表拨在R ×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极Ｇ.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻,可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小,说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法:首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档,再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

MOS管和IGBT模块的测试方法

MOS管和IGBT模块的测试方法MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效应管的S极和D极上,然后用手碰触管子和G极,若表针不动,说明管子不好;若表针有较大幅度的摆动,说明管子可用.另外:1、结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别（1）从包装上区分由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏,所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的;而结型场效应管在包装上无特殊要求. （2）用指针式万用表的电阻档测量用万用表的“R×lk”档或“R×100”档测G、S管脚间的阻值,N结的正、反向阻值,此管为结型管.2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚一般用R×1k或R×100档进行测量,测量时,任选两管脚,测正、反向电阻,阻值都相同（均为几千欧）时,该两极分别为D、S极（在使用时,这两极可互换）,余下的一极为由于绝缘栅型场效应管在测量时易损坏,所以不使用此方法进行管脚识别,一般以查手册为宜.简单方法检测IGBT模块的好坏：l 、判断极性首先将万用表拨在R×1K 。

挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（ G ）。

其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。

在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C ）：黑表笔接的为发射极（ E ）。

2 、判断好坏将万用表拨在R×10KQ 档，用黑表笔接 IGBT 的集电极（ C ），红表笔接 IGBT 的发时极（ E ），此时万用表的指针在零位。

用手指同时触及一下栅极（ G ）和集电极（ C ），这时工 GBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站们指示在某一位置。

测量MOS管好坏方法

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。

（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。

场效应管的检验检测指标

场效应管的检验检测指标嘿，朋友！您知道吗，场效应管就像是电路中的“小英雄”，但要确定它是不是真的能英勇作战，那可得好好检验检测一番。

咱先来说说漏极-源极导通电阻。

这就好比是一条道路的通畅程度，电阻小，电流就能欢快地跑起来，电阻大，电流就磕磕绊绊。

要是这电阻不符合要求，那整个电路的效率不就大打折扣啦？再瞧瞧栅极阈值电压。

您就把它想象成一个门槛，只有电压达到了这个门槛，场效应管才会开始工作。

要是这个门槛定得不合适，那它要么不干活，要么瞎干活，这可咋行？还有跨导，这可是衡量场效应管放大能力的重要指标。

就像一个大力士能举起多重的东西一样，跨导大，放大能力就强。

要是跨导小，那它在放大信号的时候可就力不从心喽！然后是漏极-源极击穿电压。

这就像是一个人的抗压能力，电压太高，场效应管就被“压垮”了，电路不就出大问题啦？还有输入电容和输出电容，这俩家伙就像电路里的“蓄水池”。

电容太大，反应速度就慢；电容太小，又存不了多少能量。

您说这是不是得好好把控？说到这儿，您可能会问，那怎么检测这些指标呢？这可得有点小技巧。

比如说，检测导通电阻，就得用专门的仪器，像万用表啥的，准确测量电阻值。

检测阈值电压，就得慢慢增加栅极电压，看看啥时候场效应管开始导通。

检测跨导呢，就得通过改变输入电压，看看输出电流的变化。

这可都需要耐心和细心，一点儿都不能马虎。

总之，场效应管的这些检验检测指标可都太重要啦！就像人的身体各项指标一样，哪个不正常都可能出毛病。

只有把这些指标都检测好了，场效应管才能在电路里大显身手，为我们的电子设备稳定工作保驾护航！您说是不是这个理儿？。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别1用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极;具体方法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值;当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S;因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极Ｇ;也可以将万用表的黑表笔红表笔也行任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值;当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极;若两次测出的电阻值均很大,说明是ＰＮ结的反向,即都是反向电阻,可以判定是Ｎ沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小,说明是正向ＰＮ结,即是正向电阻,判定为Ｐ沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极;若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止;2用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏;具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档,测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的,如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极;然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档,再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的;要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测;3用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极Ｓ,黑表笔接漏极Ｄ,给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值;然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ,将人体的感应电压信号加到栅极上;这样,由于管的放大作用,漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动;如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差；表针摆动较大,表明管的放大能力大；若表针不动,说明管是坏的;根据上述方法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F;先将管的Ｇ极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住Ｇ极后,表针向左摆动,指示的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力;运用这种方法时要说明几点：首先,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动电阻值减小,也可能向左摆动电阻值增加;这是由于人体感应的交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同或者工作在饱和区或者在不饱和区所致,试验表明,多数管的RDS增大,即表针向左摆动；少数管的RDS 减小,使表针向右摆动;但无论表针摆动方向如何,只要表针摆动幅度较大,就说明管有较大的放大能力;第二,此方法对MOS场效应管也适用;但要注意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极Ｇ允许的感应电压不应过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿;第三,每次测量完毕,应当G-S极间短路一下;这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起ＶGＳ电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行;4用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极Ｓ和漏极Ｄ,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2;把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ;用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极,两种方法检测结果均应一样;当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后,按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序;5用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压;此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的;将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高;当用手接触栅极Ｇ时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大;二、.场效应管的使用注意事项1为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值;2各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性;如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结,Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压,等等; 3MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿;尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时最好放在金属盒内,同时也要注意管的防潮;4为了防止场效应管栅极感应击穿,要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时,先焊源极；在连入电路之前,管的全部引线端保持互相短接状态,焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时,应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然,如果能采用先进的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较方便的,并且确保安全；在未关断电源时,绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出;以上安全措施在使用场效应管时必须注意;5在安装场效应管时,注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动,有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时,应当大于根部尺寸５毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等;对于功率型场效应管,要有良好的散热条件;因为功率型场效应管在高负荷条件下运用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超过额定值,使器件长期稳定可靠地工作;总之,确保场效应管安全使用,要注意的事项是多种多样,采取的安全措施也是各种各样,广大的专业技术人员,特别是广大的电子爱好者,都要根据自己的实际情况出发,采取切实可行的办法,安全有效地用好场效应管;常用场效应管型号参数表型号参数IRF530NMOS100V14A79W IRFP9530 PMOS100V12A75WIRF540 NMOS100V28A150W IRFP9540 PMOS60V18A100WIRF630 NMOS200V9A75WIRFP9630 PMOS200V6.5A75WIRF640 NMOS200V18A125WIRF720 NMOS400V3.3A50WIRF730 NMOS400V5.5A75WIRF740 NMOS400V10A125WIRF830NMOS500V4.5A75WIRF840NMOS500V8A125W场效应管分类型号耐压电流封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS840A 500V,4.6A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9540 -100V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP1N60A 600V,1A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F/P DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220F/P。

【最新】场效应管测量方法

【最新】场效应管测量方法下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET.可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET),我们平常简称为MOS管.而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管.下图为MOS管的标识我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。

不管是N沟道还是P沟道都一样。

把芯片放正。

从左到右分别为G极D极S极!如下图:用二极管档对MOS管的测量。

首先要短接三只引脚对管子进行放电。

1然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道..2黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1.3红笔移回到S极.此时管子应该为导通...4然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.(这一步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先)5然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1到此我们可以判定此N沟道场管为正常有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。

当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值...测量方法描述到此结束....场效应管测量方法绝缘栅型场效应管(MOSFET)除了放大能力稍弱，在导通电阻、开关速度、噪声及抗干扰能力等方面较双极型三极管均有着明显的优势。

其中的大多数场效应管管，尤其是功率型场效应管管，内部集成有完好的保护电路，使用起来与双极型三极管一样方便。

不过，保护单元的存在却又使得场效应管内部结构变得更加复杂，测量方法也与传统双极型三极管差不多。

一、基本类型MOS管测试MOS管内部的保护环节有多种类型，这就决定了测量过程存在着多样性，常见的NMOS管内部结构如图1、图2所示。

图1、图2所示NMOS管的D-S间均并联有一只寄生二极管(InternalDiode)。

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。

因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。

也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。

若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。

然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。