直流升压斩波电路课程设计
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《电力电子技术》课程设计说明书直流升压斩波电路设计
学院:电气与信息工程学院
学生姓名:**
指导教师:董恒职称/学位硕士
专业:电气工程及其自动化
班级:电气本1201
学号:**********
完成时间:2015年6月
绪论............................................................ - 1 - 1 直流升压斩波电路的设计思想.................................... - 3 - 1.1直流升压斩波电路原理...................................... - 3 -
1.2参数计算.................................................. - 4 -
2 直流升压斩波电路驱动电路设计.................................. - 5 - 3直流升压斩波电路保护电路设计.................................. - 6 - 3.1过电流保护电路............................................ - 6 -
3.2过电压保护电路............................................ - 6 -
4 直流升压斩波电路总电路的设计.................................. - 8 -
5 直流升压斩波电路仿真.......................................... - 9 - 5.1仿真模型的选择............................................ - 9 - 5.2仿真结果及分析............................................ - 9 - 致谢................................................ 错误!未定义书签。参考文献....................................................... - 12 - 附录:元件清单................................................. - 13 -
直流升压电路作为将直流电变成另一种固定电压或可调电压的 DC-DC 变换器 ,在直流传动系统、充电蓄电电路、开关电源、电力电子变换装置及各种用电设备中得到普通的应用。随之出现了诸如降压电路、升降压电路、复合电路等多种方式的变换电路。直流斩波技术已被广泛用于开关电源及直流电动机驱动中,使其控制获得加速平稳、快速响应、节约电能的效果。
早期的直流装换电路,电路复杂、功率损耗、体积大,使用不方便。晶闸管的出现为这种电路的设计又提供了一种选择。晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称,又可称做可控硅整流器,以前被简称为可控硅;晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。它电路简单体积小,便于集成;功率损耗少,符合当今社会生产的要求;所以在直流转换电路中使用晶闸管是一种很好的选择。
本设计基于《电力电子技术》课程,充分使用全控型晶闸管IGBT设计电路,实现直流升压。
IGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
M57962L是由日本三菱电气公司为驱动IGBT而设计的厚膜集成电路(Hybrid Integrated Circuit For Driving IGBT Modules) 。在驱动模块内部装有2500V高隔离电压的光电耦合器,过流保护电路和过流保护输出端子,具有封闭性短路保护功能。M57962L是一种高速驱动电路,驱动信号延时tPLH 和tPHL最大为1.50μs。可以驱动600V/400V 级的IGBT模块。M57962L工作程序:当电源接通后,首先自检,检测IGBT是否过载或短路。若过载或短路, IGBT 的集电极电位升高,经外接二极管流入检测电路的电流增加,栅极关断电路动作,切断IGBT的栅极驱动信号,同时在“8”脚输出低电平“过载/短路”指示信号。lGBT正常时,输入信号经光
电耦合接口电路,再经驱动级功率放大后驱动IGBT。
M57962L采用双电源+ Vcc和VEE ,原理结构图如图1所示。电路组成: (1) 放大隔离电路; (2) 定时复位电路;(3) 过流检测电路; (4) 过流输出电路。
图1 M57962L原理机结构图
1 直流升压斩波电路的设计思想
1.1直流升压斩波电路原理
直流升压变流器用于需要提升直流电压的场合,其原理图如图2所示。 在电路中V 导通时,电流由E 经
升压电感L 和V 形成回路,电感
L 储能;当V 关断时,电感产生
的反电动势和直流电源电压方向
相同互相叠加,从而在负载侧得到 图2 直流升压斩波电路原理图
高于电源的电压,二极管的作用是阻断V 导通是,电容的放电回路。调节开关器件V 的通断周期,可以调整负载侧输出电流和电压的大小。
假设L 值、C 值很大,V 通时,E 向L 充电,充电电流恒为1I ,同时C 的电压向负载供电,因C 值很大,输出电压0u 为恒值,记为0U 。设V 通的时间为on t ,此阶段L 上积蓄的能量为E 1I on t 。
V 断时,E 和L 共同向C 充电并向负载R 供电。设V 断的时间为off t ,则此期间电感L 释放能量为:
off t 10E)I -(U (1)
稳态时,一个周期T 中L 积蓄能量与释放能量相等
off on t I E U t 101)(EI -= (2)
化简得: E t T E t t off
off off
on =+=t U 0 (3) 上式中1t T off ≥,输出电压高于电源电压,故称升压斩波电路。
off t T
——升压比,调节其即可改变0U 。将升压比的倒数记作β,即T off t =β。和导通占空比,有如下关系: 1=+βα (4)
因此,式(1-2)可表示为:
E -11E 1U 0αβ==
(5)