光的自旋霍尔效应!(111109)

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光子自旋霍尔效应及其在物性参数测量中的应用

光子自旋霍尔效应及其在物性参数测量中的应用

第42卷第2期2022年4月物理学进展PROGRESS IN PHYSICSVol.42No.2Apr.2022光子自旋霍尔效应及其在物性参数测量中的应用刘硕卿,陈世祯,罗海陆∗湖南大学物理与微电子科学学院自旋光子学实验室,湖南大学,长沙410082摘要:光子自旋霍尔效应是指光束在非均匀介质中传输时,自旋角动量相反的光子在垂直于入射面的方向发生的横向自旋相关分裂。

光子自旋霍尔效应可以和电子自旋霍尔效应作类比:自旋光子扮演自旋电子的角色,折射率梯度扮演外场的角色。

光子自旋霍尔效应源于光的自旋-轨道相互作用,和两类几何相位有关:一类是动量空间的自旋重定向Rytov-Vlasimirskii-Berry相位;另一类是斯托克斯参数空间的Pancharatnam-Berry相位。

光子自旋霍尔效应对物性参数非常敏感,结合量子弱测量技术,在物性参数测量、光学传感等领域具有重要的应用前景。

本文将简单分析光子自旋霍尔效应的物理根源,回顾近几年不同物理系统中光子自旋霍尔效应的研究进展,介绍光子自旋霍尔效应在物性参数测量中的应用。

最后,展望其在光学模拟运算、显微成像、量子成像等领域的可能发展方向。

关键词:光子自旋霍尔效应;光的自旋-轨道相互作用;几何相位;量子弱测量中图分类号:O436.3文献标识码:A DOI:10.13725/ki.pip.2022.02.001目录I.引言35II.光子自旋霍尔效应36A.自旋-轨道相互作用与几何相位361.光的自旋-轨道相互作用362.RVB相位与PB相位37B.RVB相位导致的光子自旋霍尔效应39C.PB相位导致的光子自旋霍尔效应40III.光子自旋霍尔效应的弱测量41A.量子弱测量41B.光子自旋霍尔效应的弱测量421.RVB相致光子自旋霍尔效应的弱测量422.PB相致光子自旋霍尔效应的弱测量43IV.基于光子自旋霍尔效应的物性参数测量44A.纳米金属薄膜结构与拓扑材料参数的精密测量44B.二维原子晶体结构参数的精密测量45C.化学溶液和生物分子的超灵敏传感应用46 V.总结与展望48致谢49参考文献49收稿日期:2021-01-15∗E-mail:I.引言早在1879年,美国科学家霍尔(Edwin Hall)就通过实验发现,当电流沿垂直外磁场的方向通过导体时,运动的载流子由于受到洛伦兹力的作用,会在导体两侧形成电势差,这一经典现象被称为霍尔效应(Hall effect)[1]。

光子自旋霍尔效应的弱测量理论及应用研究

光子自旋霍尔效应的弱测量理论及应用研究

摘要近年来,类似于电子系统中的自旋霍尔效应,一种新型的物理现象-光子自旋霍尔效应引起了人们的广泛兴趣。

光子自旋霍尔效应是指当一束空间受限的线偏振光在两种不同介质的界面处发生反射与折射时,自旋手性相反的光子沿垂直于折射率梯度的两个相反方向移动,从而导致入射光束分裂成两束左旋与右旋圆偏振光并分居入射面的两侧。

光子自旋霍尔效应与电子自旋霍尔效应具有类比的特性:其中自旋电子的角色由自旋光子扮演, 而外场的角色则由介质折射率梯度扮演。

自旋-轨道相互作用是产生光子自旋霍尔效应的根本原因,它表现为光的偏振与光束的传播轨迹之间的相互影响。

以往的研究大部分都局限于不同物理系统中光子自旋霍尔效应相关的理论计算与实验观测,而有关其应用方面的研究却鲜有报道。

值得关注的是,光自旋霍尔效应是一种灵敏的物理效应,它对于物理系统中结构参数的变化非常敏感。

因此,光子自旋霍尔效应在精密测量领域具有潜在的应用价值。

但是,光子自旋霍尔效应又是一种十分弱小的现象,它所产生的自旋位移值只有约几十纳米,一般的测量仪器都无法对它进行直接探测。

弱测量技术的出现为解决这一问题提供了可能。

弱测量是指在一般量子测量的过程中引入前选择与后选择的状态,当前选择态与后选择态接近正交时,测量结果可以得到显著放大。

因此,可以利用弱测量技术对不同物理系统中的光子自旋霍尔效应进行有效探测。

基于以上认识,本文对基于光子自旋霍尔效应弱测量理论进行了系统的研究,并在其应用研究方面开展了有特色的工作,取得了如下几项研究成果:(1)在光波波段,光子自旋霍尔效应非常的弱且相应的自旋位移值仅为几十纳米。

因此在以往的光子隧穿实验中,已有的实验仪器无法对其进行直接响应。

该工作通过构建一种势垒模型,利用弱测量技术首次观测到了光子隧穿中自旋霍尔效应。

实验证明光子隧穿效应不再是一个二维过程,而是一个三维的过程。

同时还发现,光子自旋霍尔效应所产生的自旋位移值甚至大于势垒的宽度。

研究结果不仅为光子隧穿效应的研究提供了新的思路,而且也为研制基于自旋的新型光电子器件提供了可能。

关于自旋霍尔效应

关于自旋霍尔效应

量子自旋霍尔效应“量子自旋霍尔效应”[1]找到了电子自转方向与电流方向之间的规律。

利用这个规律可以使电子以新的姿势非常有序地“舞蹈”,从而使能量耗散很低。

这种新奇的物理现象有可能给未来的信息革命带来重大影响,电脑甚至量子计算都将随之发生巨大改变。

张首晟曾表示,“量子自旋霍尔效应”的理论研究以及产业化开发,对科学界和信息产业界来说,都将是一次大洗牌的机会。

这一领域的突破所带来的历史机遇,对中国的基础研究和产业界的自主创新也都是十分难得的。

希望国家有计划地大力投入,做好战略布局,瞄准这一理论预言展开更广泛的探索,加快研究步伐,抢占自主创新制高点。

霍尔效应(classical 霍尔效应):以二维金属为例,我们在垂直方向加一个比较强的磁场,然后在二维金属里沿一个方向通直流电流,然后我们会在垂直于电流,磁场的方向获得一个电压,这个就是经典的霍尔效应,我们称这个电压为横向电压,区别于沿电流方向的电压,有这个横向电场和电流我们可以定义一个霍尔电导。

这些都可以在经典电动力学(电磁学)的框架内解释。

Quantum Hall Effect:实验图像和经典的基本上一样,只是我们测到的霍尔电导是一个个分立的值,而不是连续的值,而且随外加磁场的变化呈现一种振荡的变化。

这个就是量子霍尔效应。

量子霍尔效应是体系态密度在磁场下量子化的结果,只能在量子力学的框架下解释。

量子霍尔效应中对量子电导有贡献的是边界态,也就是说导电电子是在材料的边界上走的。

自旋量子霍尔效应:和霍尔效应一样,电子在边界上走。

霍尔效应里电子在某一个边界上只沿一个方向走,但是在自旋量子霍尔效应中,每一个边界上有两条边界态构成的band,每有一个(k,+)态,那么有一个另一个band上对应的(-k,-)态,这儿后面的+,-代表自旋。

因此电子有沿一个方向走的,也有沿反方向走的。

它们数目相等,因此没有净电流,没有霍尔电导。

但是这两种沿不同方向propagating的电子的自旋方向相反,因此有一个净的自旋流,而且类似于霍尔效应,这个自旋流的自旋conductance也是量子化的,因此称为自旋量子霍尔效应。

自旋霍尔效应简介

自旋霍尔效应简介

le,這個理論給我們一個驚訝的結果,那
就 是 證 實 了 對 於 動 量 線 性 相 關 (linear-momentum dependent)的 SOC 系統 (例如: Rashba-SOC),雜質貢獻的霍爾電 導剛好為 −σ sH ,剛好完全抵銷樣品本身
………………………………(B)
2 其 中 擴 散 係 數 D = vF τ / 2 ( vF 費米速
− py 方 向 電 子 自 旋 繞 等 效 磁 場 方 向 相
反 , 使得往+y 與-y 方向的電子會有不同的 z 方向自旋極化;因此我們可以得到一個 普 適 的 自 旋 霍 爾 電 導 常 數 :
σ sH = e / 8π = 。在平衡態時,內稟 SOC
所造成的等效磁場會使電子自旋方向躺 在二維的平面上,但是在非平衡態 (non-equilibrium)時,一個外加的電場卻 可以引起 z 方向極化的電子自旋。
∂2 D S x − Γ xx S x = 0 2 ∂ y ∂2 b yzy ∂ b S z − Γ yy ( S y − S y )=0 D 2 ( S y − S y ) + R ∂y ∂y ∂2 ∂ b − Γ zz S z = 0 D 2 S z + R zyy ( S y − S y ) ∂ ∂ y y
一、前言: 一般元件的應用是利用材料中電荷 (電子或電洞)相關的傳輸現象,但是隨著 科學的日新月異,人類已經開始利用電子 的另一個自由度:自旋 (spin)。自旋是電 子與生俱來的一個角動量,從解相對論性 的狄拉克方程式(Dirac’s equation)得到的 電子波函數很自然就包含電子自旋的部 份,透過對電子自旋的操控,也為理論與 應用科學開啟另一扇大門,尤其是 Albert Fert 和 Peter Gruenberg(兩位教授為 2007 年諾貝爾物理獎得主)發現了巨磁阻 (GMR)材料,也讓自旋相關的傳輸現象開 始被廣泛應用。 除了金屬性的 GMR 材料,由於半導 體產業的蓬勃發展,在半導體材料中我們 也 可 以 利 用 自 旋 軌 道 耦 合 (spin-orbit coupling)來操控電子的自旋傳輸,其主要 的優點是可以方式將有興趣的材料拉長

超大折射率对光子自旋霍尔效应的影响

超大折射率对光子自旋霍尔效应的影响
文章编号 :1 6 7 2 - 7 3 0 4 ( 2 0 1 3 ) 0 3 - 0 0 4 9 - - 0 5
I nf lue nc e o f Pho t o n i c Spi n Ha l l Ef le e t o n Ul t r a hi g h Re f r a c t i ve I n de x
me d i u m a n d he t r a n g e o f t h e ra t n s v e r s e d i s p l a c e me n t s i s v e r y wi d e .Th e r t a n s v e r s e d i s p l a c e me n t o f H
第2 2 卷 第3 期
2 0l 3 年9 月

(自然科 学版 )
、 o r 1 . 2 2 No . 3 S e p t .2 01 3
( Na t u r a l S c i e n c e)
超大 折射 率对 光子 自旋霍 尔效应 的影响

( 1 . 湖南信息科 学职业学院 电子信 息系 , 长沙 摘
T ANG Mi n gI . DENG Y a n g- b a o
( 1 . De p a r t me n t o f e l e c t r o n i c i n f o r ma t S c i e n c e V o c a t i o n a l C o l l e g e , C h a n g s h a , Hu n a n 4 1 0 1 5 1 , C h i n a ; 2 . Co l l e g e o f
明・ ,邓 杨 保 z
益阳 4 1 3 0 0 0 )

量子自旋霍尔效应的物理学研究和应用

量子自旋霍尔效应的物理学研究和应用

量子自旋霍尔效应的物理学研究和应用摘要自旋霍尔效应(SHE)是指在磁场中存在自旋轨道耦合时,电荷载流子的自旋与电流方向之间存在耦合作用而出现的横向电荷分离现象。

自旋霍尔效应在凝聚态物理学和自旋电子学中具有重要的地位,并且在量子计算、量子通信和量子信息处理等领域中有广泛的应用。

本文介绍了自旋霍尔效应的基本原理和研究进展,探讨了自旋霍尔效应在电子学中的应用,包括自旋电子学器件、自旋激发和自旋流产生等方面。

此外,本文还介绍了自旋霍尔效应在量子计算、量子通信和量子信息处理中的应用前景。

关键词:自旋霍尔效应,凝聚态物理学,自旋电子学,量子计算,量子通信,量子信息处理。

Introduction自旋霍尔效应(SHE)是指在磁场中存在自旋轨道耦合时,电荷载流子的自旋与电流方向之间存在耦合作用而出现的横向电荷分离现象。

自旋霍尔效应在凝聚态物理学和自旋电子学中具有重要的地位,并且在量子计算、量子通信和量子信息处理等领域中有广泛的应用。

本文将首先介绍自旋霍尔效应的基本原理和研究进展,包括自旋轨道耦合、自旋霍尔效应的理论模型和实验观测等方面。

其次,本文将探讨自旋霍尔效应在电子学中的应用,包括自旋电子学器件、自旋激发和自旋流产生等方面。

最后,本文将介绍自旋霍尔效应在量子计算、量子通信和量子信息处理中的应用前景。

1.自旋霍尔效应的基本原理和研究进展自旋霍尔效应是一种由自旋轨道耦合引起的自旋-荷电耦合效应,可以分为两种类型:正自旋霍尔效应和负自旋霍尔效应。

正自旋霍尔效应是指自旋向上的电子向右侧偏移,而自旋向下的电子向左侧偏移。

负自旋霍尔效应是指自旋向上的电子向左侧偏移,而自旋向下的电子向右侧偏移。

这种现象可以用于制备自旋电子学器件,如自旋晶体管和自旋阻挫器等。

自旋轨道耦合是自旋霍尔效应产生的基础。

在存在磁场的情况下,电子的自旋和轨道运动会相互耦合,导致自旋和动量的不同方向出现关联。

自旋-轨道耦合的强度取决于材料的晶体结构、自旋轨道耦合常数以及磁场强度等因素。

光场调控霍尔效应及动力学演化实验

光场调控霍尔效应及动力学演化实验

光场调控霍尔效应及动力学演化实验嘿,朋友们!今天咱们来聊聊这个听起来有点神秘的“光场调控霍尔效应及动力学演化实验”。

你知道吗?霍尔效应就像是电子在道路上奔跑时的“转向指示”。

平时咱们开车在路上,遇到路口得根据指示转向,电子也一样。

只不过,这个“转向指示”受到磁场的影响。

而现在呢,咱们玩出了新花样,不用磁场了,改用光场来调控这个“转向”!想象一下,光就像是一个神奇的指挥棒,轻轻一挥,电子们的“舞步”就变了。

这可不是一般的厉害啊!在这个实验里,咱们得先搞清楚光场是怎么发挥作用的。

它可不是随便乱照一通,而是有着精细的设计和控制。

就好比咱们做饭,盐不能多放,油也不能少加,光场的参数那也是得拿捏得恰到好处。

然后呢,看看电子们在光场的“指挥”下是怎么欢快地跳跃和移动的。

这就像看一场精彩的舞蹈表演,每个电子都是一个灵动的舞者。

咱们还得研究这个过程中的动力学演化。

啥叫动力学演化?简单说,就是看看这整个过程是怎么一步步发展变化的。

比如说,电子一开始是慢悠悠地移动,后来是不是突然加速了?或者是从这边跳到了那边?做这个实验可不是一件轻松的事儿。

得准备各种各样的精密仪器,就像战士上战场得有精良的武器一样。

而且,还得有超级厉害的科学家们,他们得时刻盯着数据,眼睛都不敢眨一下,生怕错过了什么重要的细节。

要是实验成功了,那可不得了!这就好比我们找到了一把神奇的钥匙,可以打开很多未知领域的大门。

比如说,能让电子设备变得更加厉害,速度更快,性能更强。

这难道不令人兴奋吗?所以说啊,光场调控霍尔效应及动力学演化实验可不是闹着玩的,它充满了挑战和惊喜,说不定能给我们的科技带来巨大的进步呢!。

自旋霍尔效应

自旋霍尔效应

v
F
m
v
F m 0
L jx
spin accumulation is expected at the sample edges in the spin Hall effect. Early theoretical studies predicted a spin Hall effect originating from asymmetries in scattering for up and down spins (7–10), which is referred to as an extrinsic spin Hall effect
Spin Hall Effect

1.Spin Hall Effect(Theories)
2.Observation of Spin Hall Effect


3.Conclusion
the spin Hall effect has been proposed to occur in paramagnetic systems as a result of spin-orbit interaction, and refers to the generation of a pure spin current transverse to an applied electric field even in the absence of applied magnetic fields.
Center for Spintronics and Quantum Computation,University of California, Santa Barbara, CA 93106,USA.
(A and B) Two-dimensional images of spin density ns and reflectivity R, respectively, for the unstrained GaAs sample measured at T =30 K and E = 10 mV mm–1

量子自旋霍尔效应的边缘态

量子自旋霍尔效应的边缘态

量子自旋霍尔效应的边缘态量子自旋霍尔效应(Quantum Spin Hall Effect)是一种在拓扑量子物理中非常重要的现象,它是在二维电子系统中出现的一种量子态。

自旋霍尔效应的边缘态是指在一个自旋-轨道耦合存在的二维系统中,当外加磁场为零时,在系统的边界上会出现一种特殊的电子输运现象。

自旋霍尔效应最早由物理学家Kane和Mele在2005年提出,并且在2007年由Bernevig等人和Konig等人分别通过实验证实。

这一发现引起了广泛的关注,并且为拓扑绝缘体的研究奠定了基础。

在自旋霍尔效应中,电子的自旋和轨道运动耦合在一起,形成了一种新的量子态。

这种量子态具有特殊的拓扑性质,即边界上的电子态被分为两个相互独立的自旋态,一个自旋向上,一个自旋向下。

这两个自旋态之间的转换需要翻越一个能隙,因此在零温下,边界上的电子态是无法相互转换的,从而形成了一种稳定的边缘态。

自旋霍尔效应的边缘态具有很多有趣的性质。

首先,边缘态中的电子是无散射的,即它们在边界上运动时不会与杂质或者缺陷发生散射。

这一性质使得边缘态具有非常低的电阻,从而可以用于制造低功耗的电子器件。

其次,边缘态中的电子具有特殊的自旋-动量锁定性质。

这意味着电子的自旋方向与其运动方向是锁定在一起的,这种锁定使得边缘态中的电子可以用来进行自旋操控和存储信息。

这对于量子计算和量子通信等领域具有重要意义。

另外,边缘态还具有零能量模式。

这些零能量模式是由于拓扑保护而存在的,在没有外界扰动的情况下是稳定存在的。

这些零能量模式可以用来进行量子比特的编码和传输,从而实现量子计算和量子通信。

自旋霍尔效应不仅在理论上具有重要意义,在实际应用中也具有很大潜力。

目前已经有很多材料和结构被发现可以实现自旋霍尔效应,例如HgTe/CdTe量子阱和InAs/GaSb异质结构等。

这些材料和结构可以通过控制外界磁场或者施加压力来调节自旋霍尔效应,从而实现对边缘态的控制。

总之,自旋霍尔效应的边缘态是一种非常有趣和重要的量子态。

量子自旋霍尔效应的理论解释

量子自旋霍尔效应的理论解释

量子自旋霍尔效应的理论解释自旋霍尔效应是一种在凝聚态物理中非常重要的现象,它与量子力学中的自旋和拓扑性质息息相关。

自旋霍尔效应的理论解释是基于拓扑绝缘体的概念,这些材料在其内部具有特殊的电子能带结构,导致了电流只能在材料的边界上流动的现象。

本文将深入探讨量子自旋霍尔效应的理论解释。

首先,让我们回顾一下量子力学中的自旋。

自旋是粒子的一种固有属性,类似于粒子的旋转。

与经典物理学中的自旋不同,量子力学中的自旋只能取特定的值,例如1/2、1、3/2等。

自旋可以用一个矢量来表示,其长度决定了自旋的大小,而方向则决定了自旋的取向。

当我们将自旋与拓扑性质相结合时,就可以解释自旋霍尔效应的产生。

拓扑性质是指在一个空间中,无论如何扭曲或变形,其某些性质仍然保持不变。

在凝聚态物理中,拓扑性质可以描述电子在材料中的运动方式。

在自旋霍尔效应中,电子在材料内部的运动方式与材料的边界上的运动方式存在差异。

拓扑绝缘体是一种具有特殊拓扑性质的材料,它在其内部形成了一个能带结构,使得电子在材料的边界上只能沿着一个方向运动。

这种特殊的能带结构被称为“拓扑能带”,其中的能级分布与拓扑性质相对应。

在拓扑绝缘体中,电子的自旋与其运动方向相耦合,导致了自旋霍尔效应的产生。

在拓扑绝缘体中,自旋霍尔效应可以通过量子霍尔效应来解释。

量子霍尔效应是一种在二维材料中观察到的现象,其特点是电流只能沿着材料的边界上的一个方向流动。

这种现象是由于材料内部存在着特殊的电子能级分布,使得电子在横向电场作用下只能在边界上运动。

量子霍尔效应与自旋霍尔效应之间的联系是通过自旋-轨道耦合来实现的。

自旋-轨道耦合是指自旋与电子在材料中运动时所受到的轨道力之间的相互作用。

在拓扑绝缘体中,自旋-轨道耦合导致了电子自旋与其运动方向的耦合,使得电子只能在材料的边界上沿着一个方向运动。

通过对量子自旋霍尔效应的理论解释,我们可以更好地理解这一现象的产生机制。

量子自旋霍尔效应是凝聚态物理中的一个重要研究领域,它不仅有助于我们对材料的电子性质有更深入的认识,还为新型电子器件的设计和制备提供了新的思路。

光自旋霍尔效应

光自旋霍尔效应

光自旋霍尔效应
光自旋霍尔效应是指在强磁场下,光子在传播过程中会发生自旋的变化,从而产生一种新的量子现象。

这种现象被广泛应用于磁光学、量子计算等领域。

在光自旋霍尔效应中,光子的自旋方向会随着其传播方向和磁场方向的变化而发生改变。

具体来说,当光子沿着磁场方向传播时,其自旋会与传播方向垂直;而当光子沿着与磁场垂直的方向传播时,则不会发生自旋变化。

这种现象可以通过实验来观察。

一般来说,实验需要使用高强度的磁场和低温环境来保证效果。

通过将光束分成两部分并使其沿不同方向通过样品,在检测器上就可以观察到不同的信号。

这些信号可以用于计算样品中电荷载流子的性质和运动方式。

除了基础物理学之外,光自旋霍尔效应还有许多其他应用。

例如,在量子计算领域中,它被用于设计新型量子比特;在材料科学中,它被用于研究铁电材料的性质和应用等。

总之,光自旋霍尔效应是一种新型的量子现象,它在基础物理学和应用科学中都有着广泛的研究和应用价值。

光自旋霍尔效应

光自旋霍尔效应

光自旋霍尔效应引言光自旋霍尔效应,是指光子与电子自旋的耦合现象。

自旋霍尔效应是霍尔效应的一种扩展,霍尔效应是指当电流通过一块导体时,在垂直于电流方向施加磁场时,会产生电势差。

光自旋霍尔效应则是通过光子的自旋与电子的自旋之间的相互作用来引发的。

光子自旋与电子自旋光子是光的基本粒子,具有自旋量子数为1的特性。

电子也具有自旋量子数为1/2的特性。

光子的自旋与电子的自旋之间可以建立耦合关系。

光自旋霍尔效应的基本原理光子的自旋与电子的自旋之间的相互作用可以通过自旋-轨道耦合来实现。

自旋-轨道耦合是指光子的自旋与电子的运动轨道之间的相互作用。

在材料中存在着一种称为自旋-轨道耦合的相互作用,它可以将光子的自旋信息转化为电子的自旋信息。

光自旋霍尔效应的实验观测科学家们通过实验观测到了光自旋霍尔效应的存在。

他们使用了具有强自旋-轨道耦合的材料,将光照射到材料上,并施加垂直于光传播方向的磁场。

通过测量在材料中的电流和电压,科学家们发现了一个与光自旋相关的霍尔电压信号。

这个信号的大小与施加的磁场强度以及光子自旋信息有关。

光自旋霍尔效应的应用前景光自旋霍尔效应的发现为未来的自旋电子学和量子信息处理提供了新的可能性。

自旋电子学是一种新型的信息处理方法,它利用电子的自旋来进行信息传输和存储。

光自旋霍尔效应可以实现光与自旋电子之间的转换,使得光子自旋信息可以被转化为电子自旋信息。

这一技术有望应用于光子与自旋电子之间的信息传输和量子计算等领域。

光自旋霍尔效应的挑战与展望虽然光自旋霍尔效应在实验中已经被观测到,但是要实现其在实际应用中的广泛应用还存在许多挑战。

首先,需要寻找具有强自旋-轨道耦合的材料,并且需要进一步探索光与自旋电子之间的耦合机制。

其次,需要发展出高效的控制光自旋霍尔效应的方法,以实现对自旋信息的精确控制和传输。

此外,还需要解决材料制备和器件性能等方面的问题。

尽管光自旋霍尔效应目前还处于研究阶段,但是随着相关技术的不断发展和突破,相信未来光自旋霍尔效应将会在自旋电子学和量子信息处理等领域发挥重要作用,并取得更多的应用突破。

基于双折射MIM结构的增强光自旋霍尔效应研究

基于双折射MIM结构的增强光自旋霍尔效应研究

基于双折射MIM结构的增强光自旋霍尔效应研究殷澄;王贤平;阚雪芬;戴海浪;李建;韩庆邦【摘要】光自旋霍尔效应所产生的横向IF(Imbert-Fedorov)位移一般仅为亚波长量级,因此极大地限制了该效应在精密度量领域的应用.该文提出一种金属/双折射材料/金属(MIM)的多层结构,通过直接耦合方式激发该结构中的振荡模式,并利用双折射特性形成偏振相关的小角度共振,以此来增强光自旋霍尔效应.理论分析表明:上述设想可将可见光波段的横向IF位移增强到可以直接观察的亚毫米甚至毫米量级.%Conventionally,the Imbert-Fedorov shift generated by the spin Hall effect of light is of sub-wavelength scale,which hinders its application in fields such as precision metrology.In this paper,a very simple planar metal/insulator/metal(MIM)structure is proposed,where the insulator layer is made of birefringent material and acts as the guiding layer to support oscillating guided modes.These modes,also known as the high order modes,can be di-rectly excited via the free space coupling technology.The key factor is that resonance may occur at very small inci-dent angle,even approaches normal incidence.On the other hand,the induced birefringence will result in mode splitting,so that the reflectivity spectrum of the waveguide structure is no longer mode bined the two factors mentioned above,the IF shift of this simple structure can be significantly enhanced,and theoretical esti-mated value can approaches sub-millimter or millimeter scale,which is possible to be observed by naked eyes.【期刊名称】《江西师范大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2018(042)001【总页数】5页(P52-56)【关键词】光自旋霍尔效应;MIM结构;横向IF位移【作者】殷澄;王贤平;阚雪芬;戴海浪;李建;韩庆邦【作者单位】河海大学物联网工程学院,江苏常州 213022;上海交通大学物理与天文学院,上海 210094;江西师范大学物理与通信电子学院,江西南昌 330022;河海大学物联网工程学院,江苏常州 213022;上海交通大学物理与天文学院,上海 210094;河海大学物联网工程学院,江苏常州 213022;河海大学物联网工程学院,江苏常州213022【正文语种】中文【中图分类】O431.2;O484.410 引言一束光在介质界面上发生的反射和折射并不完全遵守几何光学,实际的反射和折射光会产生位于入射面内和垂直于入射面的平移和角移(本文仅仅讨论平移效应),前者被称为Goos-Hänchen(简称GH)位移,后者被称为Imbert-Fedorov(简称IF)位移[1].其中,GH效应起源于反射或透射系数的色散,文献[2]利用双面金属包覆波导结构使859 nm的激光光束产生了1.5 mm的GH位移;相比之下IF则更难测量,在O.Hosten等[3]的实验研究中,利用弱测量得到的IF位移仅为70 nm.M.Onoda等[4]在2004年指出IF位移其实是光的自旋霍尔效应的表现,其物理根源是光束的角动量守恒(自旋-轨道相互作用)[5].作为一个刚起步却普遍存在的新研究方向,光自旋霍尔效应在纳米光子学中将变得越来越重要.其实,对光的角动量的研究有着很长的历史,但直到1992年L.Allen等关于轨道角动量的研究才使得整个领域被广泛关注[6-7].光束可以同时具有自旋角动量、内轨道角动量和外轨道角动量3种,而前两者在一定程度上是相通的,空间折射率分布相当于外力场,因此在反射和折射的过程中,为了维持总角动量的守恒,具有相反自旋角动量的左旋光和右旋光会获得相反的外轨道角动量,由此产生方向相反的IF位移[5].有关光自旋霍尔效应的相关理论经K.Y. Bliokh和A. Aiello等发展和完善已趋于成熟[5,8-10].在实验方面,北京大学龚旗煌小组利用弱测量方法研究了不同偏振态在空气和棱镜界面反射时的IF位移随入射角的变化规律[11].罗海陆课题组利用布儒斯特角反射系数的差异来产生增强效应,测量到了3 200 nm的巨大自旋分裂[12].除此之外,各种基于表面等离激元[13]和超表面[14]的微结构的增强效应也在广泛深入研究之中.众所周知,在金属/介质界面可以激发传输型表面等离子体波,远离界面时电磁场迅速衰减.对层状的金属/介质/金属(简写为MIM)结构来说,当介质层厚度比较小时,由2个界面上的表面等离子体波相互耦合可形成对称模式和反对称模式,其中反对称模式在介质层厚度趋于零的极限情况下不会截止[15].随着介质层厚度的增加,MIM结构可以容纳更多的模式,这些振荡模式的模阶序数比较高,所以被称为高阶导模.从波导观念来看,可以把金属层称为包覆层,介质层称为导波层.针对高阶导模开展了一些前期研究工作,比如利用它的模式密度大,模式间易耦合的特点,实现了圆锥形的相干光空间辐射[16];利用高阶模式的场增强效应实现了对大量二氧化硅微球的光俘获等[17];利用高阶模的激发金属纳米粒子的局域表面等离子共振来实现表面拉曼增强[18].基于上述结构,本文提出一种增强光的自旋霍尔效应的实验设想:通过引入双折射材料来破坏高阶模式偏振无关的特性,并通过波导结构参数的优化和激发条件的匹配来实现小角度共振.理论研究表明,基于该设想可以实现亚毫米甚至毫米量级的IF位移,若可实现,将极大程度地开拓该效应在新型微纳米光子器件、集成光路、芯片实验室等领域的应用.1 基本原理本文采用的MIM波导结构如图1所示,从上至下依次为:(i)金属耦合层,通常为30 nm左右的银膜;(ii)双折射材料层,厚度范围为0.01~1.00 mm,为了确保导波层的双折射特性,其光轴应该与波导表面平行.另外,为了实现高阶模式的完全耦合,也可以利用晶体的电光效应,使用外电场对其双折射现象进行有效调制;(iii)厚的金属衬底,通常为超过200 nm厚的银膜,用于阻止光能的底部泄露.在图1中并没有画出调制光电效应所必须的外电极,其中金属衬底层可以直接用于电极,而金属耦合层由于厚度比较薄,会导致施加的电压不均匀.解决这一问题的方案可以是在介质层与金属耦合层之间增加一层透明导电薄膜.在这种情况下,导波层将由两层薄膜组成,这会使波导的能量本征方程产生一些变化,但并不改变或增加其物理图像,比如导波层中的电磁场依旧是振荡场,高阶导模的传播常数依旧是分离的.为简化起见,本文将导波层看作是同一种材料构成的单层薄膜.图2给出了MIM波导结构的基本参数定义,通常情况下,当导波层厚度足够大时,高阶模式是偏振无关的.即使引入了双折射特性以后,对于不同的偏振,导波层的折射率ng不同,但它们物理公式在形式上是类似的.以TE模式为例,根据波导理论,它的电磁场分布均可以表示为其中h1、h2分别是导波层和耦合层的厚度,而nm、na、ng分别是金属、空气和导波层的折射率,导模的传播常数可表示为β=κnasin θ,且利用电磁场的分布可精确计算出导模的反射系数r=B1/A1,数学表达式如下:r=(r12+exp(-i2φ))/(1+r12exp(-i2φ)),其中r12=(κ1-iα2)/(κ1+iα2),φ/κ3)-κ3h1.若数值计算TE模随入射角θ变化的反射率 R=|r2|,则可得到一系列共振吸收峰,每一个共振吸收峰对应了一个高阶模式,即当入射角正好满足模式的位相匹配条件时,耦合效率达到最高,此时入射光的能量会耦合进波导导模;与此同时,入射光的反射光部分与波导导模的泄露部分正好达到相干相消,使得反射率达到最低,而能量大部分进入导波层,并且沿着导波层传播.上述处理的方法是完全精确的.为了导出波导的能量本征方程,可以把整个波导系统近似看成一个3层结构,即把耦合层的厚度看作无限大(即看作一个标准的MIM结构),这种近似其实是忽略了耦合层的辐射损耗.在这种近似下,TE模式的能量本征方程可以写作κ3hl=mπ+2arctan(α2/κ3),(2)而TM模式的本征方程可以写作κ3hl=mπ+2arctan(ε3α2/(ε2κ3)).(3)比较(2)式和(3)式可知,考虑到导波层厚度为毫米或亚毫米量级时产生的巨大光程,可以忽略等式右边第2项,因此2个等式可以近似写作κ3hl≈mπ,其中m的量级约为103.这即为高阶模式的偏振无关特性,已经被实验所证实[19].图1 MIM结构增强IF位移原理示意图图2 MIM波导结构参数和高阶导模的场分布示意图根据文献[20],多层介质上的反射光所产生的的IF位移公式为∓λ/(2π)(1+|rs|/|rp|cos (φs-φp))cot θi,∓λ/(2π)(1+|rp|/|rs|cos (φp-φs))cot θi,其中H、V 分别代表入射线偏光的偏振方向与入射面水平或者垂直2种情况,下标的r代表反射,正负号分别代表左旋光和右旋光分量.多层结构的s、p光的反射系数分别为rs,p=|rs,p|exp(iφs,p).从(4)式可以看出,在垂直入射的情况下,已经无法严格区分H、V偏振和s、p光反射系数了,因此垂直入射的IF位移趋近于0.通常情况下,为了获得大的IF位移必须采用增大|rs|/|rp|或者|rp|/|rs|的比值,比如表面等离子体共振或者布儒斯特角激发等.到目前为止,还没有尝试利用增大cot θi的方法来增大IF位移,一方面这是因为通常认为小角度尤其靠近垂直入射时,IF位移会变小;另一方面是因为各种已知的共振机制很少出现在小角度范围内.这里要指出,虽然在严格的垂直入射的情况下,IF位移是等于0的,但是这并不妨碍在小角度范围内,由于共振而存在一个超大的IF位移.(i)通过共振效应可以提供一个巨大的|rs|/|rp|或者|rp|/|rs|;(ii)较小的入射角θi会产生一个极大的cotθi;(iii)这2种增强机制共同作用是乘积的关系,从(4)式可以看出,假设|rs|/|rp|或者|rp|/|rs|提供了10倍的增强,而cot θi也提供了10倍的增强,最终的增强结果是100倍.综上所述,找到一个小角度的偏振相关的共振机制,或者说是对应的多层膜结构,将是产生巨大的IF位移的关键.2 IF位移增强原理与数值验证首先证明利用双折射的MIM结构可以在小角度产生偏振相关的导模共振,这里主要应用了高阶模式以下几个特性:(i)有效折射率趋近于零,故可在小角度激发;(ii)模式密度非常高,故可保证小角度范围内有导模分布;(iii)高阶导模的灵敏度极高,即使微小的双折射特性也会使TE和TM偏振的共振吸收峰相互错开.为了能够在实验中激发小角度的导模共振,并进一步观察到增强的IF位移效应,设计波导时必须考虑以下几点:(i)增加导波层厚度.虽然这会在一定程度上增加实验中的耦合难度,因为导模的半高全宽随导波层厚度的增加而减少,但同时导模密度会相应增加.在MIM结构中,导模的密度随入射角的减小而减小,因为增加波导层的厚度会增加小角度范围内出现导模的几率.(ii)引入导模耦合的调制,方式可以是波长调制,或电光效应调制.虽然改变入射角也可以实现导模的激发,但在波导结构和波长都已固定的情况下,导模激发的入射角其实已经固定,所以改变入射角并不能达到调制IF位移的作用.相对地,在入射角固定的情况下,改变激发波长或者通过电光效应改变导波层厚度和折射率,可以使导模的共振峰产生移动,进而对IF位移的大小起调制作用.(iii)为了使TE偏振和TM偏振在导波层的折射率不同,应该尽量使双折射晶体的光轴与波导表面平行,这样在接近垂直入射的激发条件下,2种偏振的折射率差值达到最大,分别是n0和ne.下面来看一个具体的实例,假设激光波长为632.8 nm,对应该波段银的折射率近似为εAg =-18.5+0.51i,而铌酸锂晶体的折射率为n0=2.232,ne=2.156.使光轴位于入射面内,则可知对应于TE偏振,导模的折射率为n0=2.232,而TM偏振,导模的折射率约为ne=2.156.为此设计波导参数如下:其耦合层厚度h2约为38 nm,而导波层厚度约为0.55 mm,衬底层厚度为300 nm.利用(1)式可以计算2种偏振的反射率谱线如图3所示.图3 双折射MIM波导结构中不同偏振的反射率由图3可见,由于双折射材料的引入,TE和TM偏振的反射率发生了分离现象,并且可看到上述参数的选择并没有进行任何优化,但依旧存在一个TE模式的导模共振所对应的入射角仅为0.86°,其对应的增强因子约为cot (0.86°)≈66.61.理论上,通过调制作用,使导模的共振角度变得更小甚至趋近于零度是完全可能的.从图3可以看到TM的反射率约为0.99,而TE的反射率约为0.004,因此|rp|/|rs|≈16.保守估计IF位移的增强因子应该超过900倍.下面进行具体的数值模图4给出了本文设想的一个实际例子,根据(4)式计算所得到双折射MIM结构形成的IF位移的数值仿真结果.仿真的是入射光偏振方向垂直于入射面的情况,即IF位移应该用来计算.从图4可知,由于偏振分离所带来的反射系数的比值在TE模共振时,约为16;而在TM模共振时,该比值趋近于0.因此在0°~3.5°的范围内,一共存在2个|rp|/|rs|的极大值.可进一步看出IF位移为什么难以测量,因为此时|rs|/|rp|≈0.004,该比值几乎不能在实验情况下获得,而此时IF位移仅仅获得1个数量级的增强.图4中关于位相项的模拟说明,在没有发生共振的情况下,cos (φp-φs)的值约等于-1,在共振区域,它的数值会接近1,而与哪一种模式共振无关.最后是IF位移,从图4可以看出,当|rp|/|rs|取极大值时,IF位移都有所增强.在入射角为3°左右的TE模共振位置,可以获得约0.03 mm的IF位移,而入射角为0.86°的TE模共振位置获得的IF位移达到0.1 mm.考虑到左旋光和右旋光的重心向相反方向分开,因此两束光线的分离距离为0.2 mm.这一结果与利用布儒斯特角在相同波长获得的IF位移相比[12],又增大了2个量级.在实验中,如此大的光束分离已不需要采用弱测量手段进行观察就可以看到明显的光斑形变.这里还可以看出cot θi 作为增强因子的巨大优势.前面已经提到,在目前的实验条件下已经逼近极限了,进一步增加的空间比较小.而把高阶模共振进一步向小角度移动则完全可能,并且有需要强调,在上面仿真的实例中,并没有对结构参数进行特别的优化,若利用电光效应,或者调制入射光的波长,将共振峰向更小角度移动是很容易实现的.仅仅从理论上分析,如果采用优化以后的结构参数,获得毫米量级的IF位移是完全可能的,这里不再举实例来说明.图4 (上)不同偏振状态的反射系数的比值|rp|/|rs|随入射角的变化;(中)IF公式中位相项cos(φp-φs)随入射角的变化;(下)数值计算所得到的IF位移随入射角的变化最后需要指出的是,上述设想在理论上是完全可行的,但在实际实验中会遇到一些具体困难,目前最大的困难是MIM结构波导的精确加工,这是由于高阶导模的高灵敏度是一把双刃剑,它过高的灵敏度对加工提出了十分苛刻的要求,数值仿真表明导波层的厚度的加工精度必须达到10 nm甚至1 nm以上.此外,高阶导模还对整个波导的平行度提出极高的要求,各个界面的不平整度会引发散射,从而导致共振吸收峰的加宽和底部的抬高.因此对实际波导结构来说,在逼近垂直入射的条件下耦合是十分困难的.但有理由相信,随着现在加工工艺的飞速发展,精确加工本文提出的MIM波导结构,并且实现毫米量级的IF位移是完全可能的.但是在另一方面,由于该结构的小角度共振可以无限地接近垂直入射,因此利用该结构所产生的IF位移在理论上是不存在上限的.当然在具体的实验中,反射的光束可能产生非常严重的形变.还需要补充的是,本文虽然以反射光为例,对于透射光也有类似的结论,只需要将MIM结构中的金属衬底层的厚度减到与耦合层相同,形成一个完全对称结构即可.3 总结本文从MIM波导结构和它所支持的高阶模式的特性出发,结合多层介质的光自旋霍尔效应的研究,提出了一种增强IF位移到亚毫米尺度的新结构.该结构将双折射晶体作为MIM波导的导波层,从而使高阶导模的反射谱线与激发光的偏振状态相关,从而获得|rs|/|rp|或者|rp|/|rs|的增强因子;另一方面,MIM的高阶导模共振可以发生在小角度,这使得该结构具有其它共振结构所没有的另一个增强因子cot θi,并且上述2种增强因子之间是乘积关系.正是基于上述特点,使得MIM波导结构在增强IF位移方面有着非常诱人的前景,它可以使可见光波段的光束产生2个量级以上增强,从而使IF位移可以增强到亚毫米甚至毫米量级.如此大的增强可以使IF位移不依赖于弱测量手段,而用裸眼直接观察,文中给出的未经优化的实例证实了这一设想.虽然目前在实验上证实该设想还存在加工工艺上的技术障碍,但是相信不久的将来可以攻克这一困难.这一设想的提出,可以极大扩展光自旋霍尔效应的应用前景,在精密度量学,新型光电子器件研发、微纳光子学等领域起到更加重要的作用.4 参考文献【相关文献】[1] Bliokh K Y,Bliokh Y P.Conservation of angular momentum,transverse shift,and spin Hall effect in reslection and refraction of an electromagnetic wave packet [J].Phys Rev Lett,2006,96(7):73903.[2] Hao Jun,Li Honggen,Yin Cheng,et al.1.5 mm light beam shift arising from 14 pm variation of wavelength [J].Journal of the Optical Society of America B,2010,27(6):1305-1308.[3] Hosten O,Kwiat P.Observation of the spin hall effect of light via weak measurements [J].Sicence,2008,319(5864):787-790.[4] Onoda M,Murakami S,Nagaosa N.Hall 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基于合金介电常数的可控特性增强光子自旋霍尔效应

基于合金介电常数的可控特性增强光子自旋霍尔效应

基于合金介电常数的可控特性增强光子自旋霍尔效应万婷;罗朝明;闵力;陈敏;肖磊【摘要】基于平面角谱理论,系统研究了BK7玻璃-合金薄膜-空气结构中合金介电常数的变化对反射光自旋霍尔效应的调控规律.数值仿真结果表明,该结构发生表面等离激元共振的共振角主要受合金介电常数实部的影响,随介电常数实部的增加而增大,而虚部对共振角变化的影响相对较小.不同介电常数合金在其共振角处得到的较大光子自旋霍尔效应横移呈集中的带状分布,选取介电常数?2.8+1.6i的Ag-Ni合金时,光子自旋霍尔效应横移能达到1.2×105 nm.研究还发现将入射角固定为44.1?时,光子自旋霍尔效应横移随合金介电常数的变化呈轴对称分布,并以最大值为中心呈球面状辐射,离中心点越远光子自旋霍尔效应横移越小.选取介电常数?10.6+1.2i的Ag-Au合金时,光子自旋霍尔效应横移最大能达到8000 nm,相比于以往纯金属纳米结构BK7玻璃-金-空气中得到的最大光子自旋霍尔效应横移3000 nm有了较大的提高.该研究不仅能够有效增强光子自旋霍尔效应,还能为设计等离激元共振传感器等纳米光子器件提供理论依据.%Photonic spin Hall effect (SHE) is an interesting transport phenomenon, and has attracted growing attention. The spin-dependent splitting of photonic SHE as a weak effect is just tens of nanometers so that it can usually be detected indirectly with the weak measurement techniques. To detect it directly and use it properly, many efforts have been devoted to enhancing the photonic SHE. Recently, the surface plasmon resonance (SPR) excited by a pure nanometal structure is used to enhance the photonic SHE. However, the pure metal permittivities are limited, therefore the regulation of the photonic SHE is also restricted. It is worth mentioning that the alloy made from the puremetal with different composition proportions can achieve the artificial control of permittivity. More importantly, the alloy can also be used to manipulate the SPR. In this paper, we systematically investigate the photonic SHE in a nanoalloy structure composed of BK7 glass, alloy film and air in order to realize the enhancement of photonic SHE. First of all, the resonant angle of SPR varying with the permittivity of alloy is studied by using the angular spectrum theory of beam. It is found that the resonant angle of the SPR is mainly influenced by the real part of the permittivity of alloy, while the imaginary part has little influence on it. The resonant angle of SPR will increase with the increase of the real part of the permittivity. Secondly, the spin-dependent splitting is studied by changing the alloy permittivity when the incident angle is set to be a resonant angle. We find that the distribution of the larger spin-dependent splitting at the resonant angle is zonal. The optimal permittivity of alloy film is ε2= ?2.8+1.6i, and the alloy can be composed of Ag and Ni according to the Bruggerman theory. Under the condition of the optimal permittivity, the spin-dependent splitting reaches about 1.2 × 105 nm at a resonant angle of 51.5?, which is about 40 times larger than the previous result in a pure nanometal structure. Finally, when the incident angle is fixed at 44.1?, it is revealed that the spin-dependent splitting varying with the permittivity is axially symmetric and spherical radiation is centered at a maximum value. The farther away from the center, the smaller the corresponding beam shift is. The alloy permittivity in the spherical radiation centerisε2=?10.6+1.2i, which can be composed of Au and Ag. The value of spin-dependent splitting reaches about 8000 nm, which is greatly improved when compared with the previous maximum value 3000 nm in a pure nanometal structure. These findings can effectively enhance the photonic SHE and provide theoretical basis for the research and development of nanophotonic devices such as the SPR-based sensor.【期刊名称】《物理学报》【年(卷),期】2018(067)006【总页数】8页(P120-127)【关键词】光子自旋霍尔效应;表面等离激元共振;合金介电常数【作者】万婷;罗朝明;闵力;陈敏;肖磊【作者单位】湖南理工学院信息与通信工程学院, 岳阳 414006;湖南理工学院信息与通信工程学院, 岳阳 414006;湖南理工学院物理与电子学院, 岳阳 414006;湖南理工学院信息与通信工程学院, 岳阳 414006;湖南理工学院信息与通信工程学院, 岳阳 414006【正文语种】中文1 引言光子自旋霍尔效应是一种有趣的光束传输现象,当光束经过非均匀介质时,由于光子的自旋-轨道相互作用在垂直于入射面的方向会发生光束横向分离,造成光束自旋分裂的现象[1−5].它是一种类似于电子自旋霍尔效应的现象,其中光子和折射率梯度分别扮演着类似于电子和外加电场的作用.自2004年该现象理论被提出后吸引了许多研究者的兴趣,人们对不同物理系统中的光子自旋霍尔效应进行了研究,如高能物理[6,7]、半导体物理[8,9]、超材料[10−13]、光学物理[14−16]等.然而光子自旋霍尔效应是一种非常弱的效应,产生的光子自旋霍尔效应横移通常只有几十甚至几百纳米,需要借助弱测量技术才能间接观测[17].人们一直在寻找有效的方法来增强光子自旋霍尔效应.研究者发现:在布鲁斯特角附近能观测到大的光子自旋霍尔效应横移[18,19];不含金属的多层薄膜结构[20,21]、超表面[13,22,23]也能很好地增强光子自旋霍尔效应.最近的研究发现,含金属的多层纳米结构能够极大地增强光子自旋霍尔效应[24,25],Zhou和Ling[25]利用BK7玻璃-金-空气结构激发表面等离子共振(surface plasmon resonance,SPR)使光子自旋霍尔效应横移达到了3000 nm.然而该结构中使用的金属为纯金属,介电常数取值有限,而将纯金属以不同比例混合成合金可实现介电常数的人为调控,从而能够更好地操纵SPR.Yang等[26]利用银铜合金来调节介电常数从而实现表面等离激元器件性能的优化.张喆等[27]利用金银合金设计了近红外SPR传感器,较大地提高了传感器的灵敏度.因此,我们相信采用含合金的表面等离激元结构有望进一步增强光子自旋霍尔效应.本文系统研究了BK7玻璃-合金薄膜-空气结构中合金介电常数的变化对光子自旋霍尔效应的影响规律,从而找到增强光子自旋霍尔效应的新途径.首先从平面角谱理论出发,建立高斯光束在BK7玻璃-合金薄膜-空气结构中反射光的光子自旋霍尔效应模型,进而得到反射光场中的光子自旋霍尔效应横移表达式.然后探索合金介电常数的变化对光子自旋霍尔效应的影响规律,找到实现光子自旋霍尔效应增强的方法.2 结构模型与理论图1为光束经过BK7玻璃-合金薄膜-空气结构的反射光自旋霍尔效应模型,BK7玻璃(BK7)、合金薄膜(alloy film)和空气(air)的介电常数分别为ε1,ε2,ε0.图中xyz为实验室坐标系,z轴垂直于分界面,xiyizi和xryrzr分别表示入射坐标系和反射坐标系.光束以入射角θ沿zi方向入射到BK7玻璃-合金薄膜-空气结构,在z=0(BK7玻璃与合金薄膜界面)处沿zr方向反射时,由于光子自旋霍尔效应的作用,反射光束在垂直于入射面的方向发生横向分裂,Δy+和Δy−分别表示左、右旋圆偏振分量的横移.采用高斯光束作为入射,其角谱表达式为式中w0为光束的束腰宽度;kix,kiy分别表示入射光束的波矢在xi,yi方向上的分量.将任意角谱的高斯光束做傅里叶变换可以得到其电场表达式式中Ea(xa,ya,za)表示不同光束的电场,其中a=i,r分别表示入射光和反射光;kax,kay,kaz分别为入射光或反射光束的波矢ka在xa,ya,za方向上的分量,将kaz使用泰勒展开化简,并取前两项再代入(2)式可得由电场边界连续性条件得到反射场角谱与入射场角谱的关系式为[20,25]式中,分别表示反射光中水平偏振分量和垂直偏振分量的角谱;分别为入射光中水平偏振分量和垂直偏振分量的角谱;k0=2π/λ为真空中的波数,λ为入射光的波长;rp 和rs分别表示p偏振光与s偏振光的菲涅耳反射系数.图1所示结构的菲涅耳反射系数可通过下式求解得到[25]:图1 入射光通过BK7玻璃-合金薄膜-空气结构的反射光自旋霍尔效应模型Fig.1.Schematic of the photonic spin Hall effect in a nanoalloy structure composed of BK7 glass,alloy film,and air.这里A=p,s;RA为BK7玻璃与合金薄膜界面的菲涅耳反射系数,可由下式表示[28,29]同理,合金薄膜与空气界面的菲涅耳反射系数也可用类似的方法表示.已知任意的线偏振光可以分解为左旋圆与右旋圆偏振光束的叠加,则水平偏振和垂直偏振对应的角谱表达式可分解为式中,和分别表示左旋圆偏振和右旋圆偏振分量.根据(4),(8)和(9)式,反射光的角谱表达式可写为其中当光束的传输距离zr为常量时,任意一束光束的质式中I(xr,yr,zr)∝Sr·erz,即电场强度的分布与坡印廷矢量成正比,坡印廷矢量Sr∝Re[E∗r×Hr],其中磁场强度Hr=−ik−1r∇×Er,Er为电场强度.通过进一步化简,反射光的质心横移表达式可写为这里rp,s=|rp,s|exp(iφp,s),|rp,s|表示菲涅耳反射系数的模值,φp,s表示菲涅耳反射系数的相角.图2 SPR的共振角随合金介电常数变化的二维伪彩色图 (单位(°))Fig.2.Pseudo-color diagram of the SPR resonant angles changing with the permittivities of alloy film(unit:(°)).3 数值模拟与分析本节将依据已建立的反射光自旋霍尔效应模型,研究如图1所示的BK7玻璃-合金薄膜-空气结构中合金介电常数的变化对光子自旋霍尔效应的影响规律,进而找出能够实现光子自旋霍尔效应增强的合金介电常数.在这部分的仿真分析中选取参数如下[20,25]:入射光的波长λ=632.8 nm,BK7玻璃的介电常数ε1=2.295,空气的介电常数ε0=1,合金介电常数ε2= εr+iεi,其中εr,εi分别为合金介电常数的实部和虚部,合金厚度d=50 nm.由前人的研究[25,29]可知,当光束入射到该结构时p偏振菲涅耳反射系数会随着入射角的变化发生急剧下降,进而使垂直偏振与水平偏振的菲涅耳反射系数之比迅速增大,相应的光子自旋霍尔效应横移也急剧增加.究其原因是当光束入射到金属薄膜表面时自由电子和光子相互作用发生SPR现象的结果.将p偏振菲涅耳反射系数最小值对应的入射角称为SPR的共振角,该共振角处的光子自旋霍尔效应横移值为极大值.同时还需要说明的是SPR可由H偏振光激发,而V偏振光几乎不能激发,故本文只对H偏振情况下的光子自旋霍尔效应进行讨论.为了实现共振角处光子自旋霍尔效应的调控,首先研究了合金介电常数的变化对SPR的共振角的影响规律.参照文献[25,29]求出不同合金介电常数ε2对应的SPR 的共振角,并在此基础上给出SPR的共振角随合金介电常数实部εr和虚部εi变化的二维伪彩色图,如图2所示,这里的伪彩色图像的亮度表示SPR的共振角大小.在这里我们设定合金介电常数实部在−12—−2、虚部在0—2.4范心横移可以表示为[20]围内变化,从图2可看出其对应的共振角大约在44°—62°之间,而且SPR的共振角主要受合金介电常数实部的影响,相比而言虚部对共振角的变化影响较小.当合金介电常数虚部εi一定时,共振角随着合金介电常数实部的增加而增大.下面选取3个不同介电常数ε2=−7.0+0.2i,−5.0+0.2i,−5.0+2.2i进行数值论证,各合金介电常数对应的共振角分别为46.0°,48.2°,47.7°.由此可以看出当实部变化2个单位时共振角变化了2.2°,虚部变化2个单位时共振角仅变化了0.5°.表明合金介电常数虚部相对于实部对共振角的影响较小.在上述研究基础上,进一步探索合金介电常数的变化对其共振角处光子自旋霍尔效应的影响规律.将图2所示的每一对合金介电常数对应的SPR的共振角作为入射角,数值模拟该共振角处光子自旋霍尔效应横移随合金介电常数εr,εi的变化,得到的伪彩色图如图3所示,亮度表示光子自旋霍尔效应横移的大小,单位为nm.由图3可以看出,改变合金介电常数εr,εi能够实现大范围内光子自旋霍尔效应横移的调控,并且共振角处较大的光子自旋霍尔效应横移随合金介电常数的变化比较集中,呈带状分布.研究还发现最大的光子自旋霍尔效应横移对应的合金介电常数为ε2=−2.8+1.6i,由Bruggerman理论可知,这一介电常数可以使用金属Ni,Ag混合得到[30,31]在此结构参数条件下,我们也计算出光子自旋霍尔效应横移随入射角θ的变化关系,结果如图4所示,可以明显看出在共振角为51.5°时光子自旋霍尔效应横移最大达到1.2×105nm,这约为文献[25]中纯金属纳米结构BK7玻璃-金-空气中得到的光子自旋霍尔效应横移的40倍.产生这种光子自旋霍尔效应增强现象的内在物理机理仍然是光子的自旋角动量和轨道角动量的耦合作用[2,17,32],(10)和(11)式中的exp(±ikryδH,Vr )项就体现了这一耦合,且其随着|rs|/|rp|比值的增大而增大.为了更加清楚地体现介电常数对光子自旋霍尔效应的调控作用,我们选取最大横移对应的合金介电常数ε2=−2.8+1.6i和文献[25]中纯金属金的介电常数ε2=−10.4+1.4i这两种情形,分别得到了它们的菲涅耳反射系数随入射角θ的变化关系,结果如图5所示.从图5可以清楚地看出,合金结构在其共振角处的菲涅耳反射系数比值|rs|/|rp|远大于纯金属结构的比值,所选取的合金结构与文献[25]采用的纯金属结构相比能够获得更大的光子自旋霍尔效应横移.图3 共振角处光子自旋霍尔效应横移随合金介电常数变化的伪彩色图(单位nm)Fig.3.Pseudo-color diagram of the spin-dependent splitting as a function of the permittivities of alloy film at the resonant angle(unit:nm). 图4 合金介电常数为ε2=−2.8+1.6i时光子自旋霍尔效应横移随入射角的变化Fig.4.The spin-dependent splitting varying with the incident angles under the condition of permittivity ε2= −2.8+1.6i.最后保持入射角度恒定不变,探索合金介电常数在该角度处光子自旋霍尔效应的调控规律.为了便于比较,我们将入射角设定为文献[25]中的最优入射角θ=44.1°,得到该角度下光子自旋霍尔效应横移随合金介电常数εr,εi的伪彩色图,结果如图6所示,图中色度表示光子自旋霍尔效应横移的大小,单位为nm.由图6可以看出入射角固定为某一定值时光子自旋霍尔效应横移随介电常数εr,εi呈轴对称分布,并以最大值为中心呈球面状辐射,离中心点越远光子自旋霍尔效应横移越小.进一步观察发现该中心点对应的介电常数ε2=−10.6+1.2i,由Bruggerman理论可知这一介电常数可通过Au和Ag复合制得[30,31].同时给出了该介电常数下光子自旋霍尔效应横移随入射角θ的变化关系,结果如图7所示,可以看出此时光子自旋霍尔效应横移最大达到8000 nm,与文献[25]中最大光子自旋霍尔效应横移值3000 nm相比有了较大的提高.由此可得出当入射角相同时调节合金介电常数能够进一步增强光子自旋霍尔效应.图5 合金纳米结构(ε2=−2.8+1.6i)和纯金属纳米结构(ε2=−10.4+1.4i)的菲涅耳反射系数随入射角的变化Fig.5.The Fresnel re fl ection coefficients changing with the incident angle for a nanoalloy structure(ε2= −2.8+1.6i)and a pure nanome tal structure(ε2= −10.4+1.4i).图6 光子自旋霍尔效应横移随合金介电常数变化的伪彩色图(单位nm)Fig.6.Pseudo-color diagram of the spin-dependent splitting varying with the permittivities of alloy film(unit:nm).图7 合金介电常数ε2=−10.6+1.2i时光子自旋霍尔效应横移随入射角的变化Fig.7. The spin-dependent splitting varying with the incident angle under the condition of permittivity ε2= −10.6+1.2i.4 结论本文基于平面角谱理论建立了光束经过BK7玻璃-合金薄膜-空气结构的反射光自旋霍尔效应模型,系统研究了合金介电常数的变化对光子自旋霍尔效应的影响,找到了实现光子自旋霍尔效应增强的合金介电常数.研究发现,SPR共振角主要受合金介电常数实部的影响,随着实部的增加而增大,相比而言虚部对共振角的影响较小.当入射角为共振角时,较大的光子自旋霍尔效应横移随合金介电常数的变化比较集中,呈带状分布.选取介电常数−2.8+1.6i的Ag-Ni合金时得到最大横移1.2×105nm,这约为纯金属的纳米结构BK7玻璃-金-空气中得到的光子自旋霍尔效应横移的40倍.当入射角固定为44.1°时,光子自旋霍尔效应横移随介电常数的变化呈轴对称分布,并以最大值为中心呈球面状辐射,离中心点越远光子自旋霍尔效应横移越小.选取介电常数−10.6+1.2i的Ag-Au合金时,最大的光子自旋霍尔效应横移能达到8000 nm,相比于以往BK7玻璃-金-空气结构中得到的横移3000 nm也有了较大的提高.综上所述,合适地选取合金介电常数,可以有效地增强光子自旋霍尔效应,这些研究结果可以为研制SPR传感器等新型光学纳米器件提供理论依据.参考文献[1]Onoda M,Murakami S,Nagaosa N 2004 Phys.Rev.Lett.93 083901[2]Bliokh K Y,Bliokh Y P 2006 Phys.Rev.Lett.96 073903[3]Hermosa N,Nugrowati A M,Aiello A,Woerdman J P 2011 Opt.Lett.36 3200[4]Gorodetski Y,Bliokh K Y,Stein B,Genet C,Shitrit N,Kleiner V,HasmanE,Ebbesen T W 2012 Phys.Rev.Lett.109 013901[5]Ling X H,Zhou X X,Huang K,Liu Y C,Qiu C W,Luo H L,Wen S C 2017 Rep.Prog.Phys.80 066401[6]Gosselin P,Bérard A,Mohrbach H 2007 Phys.Rev.D 75 084035[7]Dartora C A,Cabrera G G,Nobrega K Z,Montagner V F,Matielli M H K,de Campos F K R,Filho H T S 2011 Phys.Rev.A 83 012110[8]Ménard J M,Mattacchione A E,van Driel H M,Hautmann C,Betz M 2010 Phys.Rev.B 82 045303[9]Alizadeh M H,Reinhard B M 2016 Opt.Express 24 8471[10]Lee Y U,Wu J W 2015 Sci.Rep.5 13900[11]Yi X N,Li Y,Liu Y C,Ling X H,Zhang Z Y,Luo H L 2014 Acta Phys.Sin.63 094203(in Chinese)[易煦农,李瑛,刘亚超,凌晓辉,张志友,罗海陆 2014物理学报63 094203][12]Chen M,Luo Z M,Wan T,Liu J 2017 Acta Opt.Sin.37 0226002(in Chinese)[陈敏,罗朝明,万婷,刘靖 2017光学学报37 0226002][13]Liu Y C,Ke Y G,Luo H L,Wen S C 2017 Nanophotonics 6 51[14]Luo Z M,Chen S Z,Ling X H,Zhang J,Luo H L 2014 Acta Phys.Sin.63 154203(in Chinese)[罗朝明,陈世祯,凌晓辉,张进,罗海陆2014物理学报63 154203][15]Qin Y,Li Y,He H Y,Gong Q H 2009 Opt.Lett.34 2551[16]Neugebauer M,Grosche S,Rothau S,Leuchs G,Banzer P 2016 Opt.Lett.41 3499[17]Hosten O,Kwiat P 2008 Science 319 787[18]Luo H L,Zhou X X,Shu W X,Wen S C,Fan D Y 2011 Phys.Rev.A 84 043806[19]Qiu X D,Zhang Z Y,Xie L G,Qiu J D,Gao F H,Du J L 2015 Opt.Lett.40 1018[20]Luo H L,Ling X H,Zhou X X,Shu W X,Wen S C,Fan D Y 2011 Phys.Rev.A 84 033801[21]Wang B,Li Y,Pan M M,Ren J L,Xiao Y F,Yang H,Gong Q H 2013Phys.Rev.A 88 043842[22]Tang T T,Li C Y,Luo L 2016 Sci.Rep.6 30762[23]Ling X H,Zhou X X,Yi X N,Shu W X,Liu Y C,Chen S Z,Luo H L,Wen SC,Fan D Y 2015 Light Sci.Appl.4 e290[24]Zhou X X,Xiao Z C,Luo H L,Wen S C 2012 Phys.Rev.A 85 043809[25]Zhou X X,Ling X H 2016 IEEE Photon.J.8 4801108[26]Yang G,Fu XJ,Zhou J 2013 J.Opt.Soc.Am.B 30 282[27]Zhang Z,Liu Q,Qi Z M 2013 Acta Phys.Sin.62 060703(in Chinese)[张喆,柳倩,祁志美 2013物理学报 62 060703][28]Born M,Wolf E 1999 Principles of Optics(Cambridge:Cambridge University Press)pp38–44[29]Salasnich L 2012 Phys.Rev.A 86 055801[30]Berthault A,Rousselle D,Zerah G 1992 J.Magn.Magn.Mater.112 477[31]Jiang J J,Li D,Geng D Y,An J,He J,Liu W,Zhang Z D 2014 Nanoscale 6 3967[32]Bliokh K Y,Niv A,Kleiner V,Hasman E 2008 Nat.Photon.2 748。

磁光克尔效应中的光子自旋分裂

磁光克尔效应中的光子自旋分裂

磁光克尔效应中的光子自旋分裂王莉岑;邱晓东;张志友;石瑞英【期刊名称】《物理学报》【年(卷),期】2015(0)17【摘要】光子自旋霍尔效应类似于电子系统中的电子自旋霍尔效应,是在折射率梯度和光子分别扮演的外场和自旋电子的角色下,由自旋一轨道相互作用而产生的光子自旋分裂现象.光子自旋霍尔效应为操控光子提供了新的途径,同时也提供了一种精确测量相关物理效应的方法.本文研究了磁光克尔效应中光子自旋分裂现象,建立了磁光克尔旋转与光子自旋霍尔效应之间的定量关系,并通过弱测量系统观测了磁场作用下铁膜表面的光子自旋分裂位移,得到相应的磁光旋转角,验证了我们所推导的理论预测.本文的研究成果为精确测量磁光克尔系数和磁光克尔旋转角提供了一种新方法.【总页数】6页(P117-122)【关键词】光子自旋霍尔效应;磁光系数;弱测量系统;磁光克尔效应【作者】王莉岑;邱晓东;张志友;石瑞英【作者单位】四川大学物理科学与技术学院,微电子学重点实验室;四川大学物理科学与技术学院,高能量密度物理及技术教育部重点实验室【正文语种】中文【中图分类】O484.43【相关文献】1.ITO/CoFeB/ITO/Ag多层异质磁纳米结构薄膜的制备及其磁光克尔效应的研究[J], 韩泽欣;张伟伟;赵翠翠;宋玉军2.磁光克尔效应实验装置改进与非标软磁材料的矫顽力测量 [J], 王春梅;赵振杰;阮建中;李赫;沈国土3.磁光克尔效应中的光子自旋分裂∗ [J],4.利用光晶格自旋链中磁振子的激发模拟有限温度下光子的动力学Casimir效应[J], 赵旭†;赵兴东;景辉5.柔性磁致伸缩FeGa薄膜中磁光克尔效应的应力调控 [J], 代国红;许艺铧;沈云;韩道福;邓晓华因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

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光的自旋霍尔效应(文双春博客,2011-11-9)/home.php?mod=space&uid=412323&do=blog&id=506123 约132年前,美国物理学家霍尔(Edwin Hall,1855-1938)发现,当电流通过磁场中的导体时,在垂直于电流和磁场方向的导体两侧会出现电势差.这一现象后来被称为霍尔效应(Hall effect),本质上,它是运动的载流子在磁场中受到洛伦兹力的作用而产生横向运动的结果。

经典霍尔效应被发现之后的100多年,反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应、自旋霍尔效应和轨道霍尔效应等又相继被发现,它们构成了一个霍尔效应家族。

霍尔效应家族因其极其重要的科学意义和应用价值而一直受到广泛关注,仅从有关霍尔效应的研究成果曾两度获得诺贝尔奖就可见一斑。

1985和1998年诺贝尔物理学奖分别授与整数量子霍尔效应的发现者克利青(Klaus von Klitzing)和分数量子霍尔效应的发现者崔琦等人.最近几年,一种新型的霍尔效应——自旋霍尔效应(Spin Hall Effect,SHE),引起人们的强烈兴趣,自2004年被美国加州大学圣巴巴拉分校Awschalom团队[1]首次在实验上观测到以来,已成为目前凝聚态物理中一个相当热门的研究方向.由于相对论效应自旋-轨道耦合作用的存在,人们发现在这样的体系中,在没有外加磁场条件下即使是在非磁性材料中,也存在类似的霍尔效应:自旋向上的电子和自旋向下的电子分别向两边运动从而分离开来.与以往跟电荷相关的霍尔效应完全不同,这种霍尔效应与电子的自旋密切相关.由于电子的自旋与电荷一样,可以用来储存和传递信息,而且自旋霍尔效应中的电流几乎没有能量损失,也就是说不会发热,因而引发了科学界对研制新的电子元器件的设想[2].如上所述的各种霍尔效应都是针对电子等带电粒子的.除了电子以外,其它粒子特别是中性粒子是否也有类似的霍尔效应?2004年,日本AIST的Onoda等人[3]从理论上明确提出,光子在介质分界面上反射或折射时同样存在类似于电子SHE的光自旋霍尔效应(Spin Hall Effect of Light,SHEL):在介质折射率梯度扮演的外场作用下,光束或波包沿垂直于折射率梯度方向发生自旋分裂.2008年,美国Illinois大学Hosten和Kwiat[4]利用弱测量(Weak Measurement)方法,首次从实验上证实了这一现象.与电子SHE引发科学界对研制新的电子元器件的设想一样,光子作为当今时代信息和能量的重要载体,人们完全有理由期待SHEL 的研究将导致新型光子学器件的产生,并可能衍生出一门类似于自旋电子学(Spintronics)的新学科——自旋光子学(Spin-optics) [5,6].这儿对SHEL作一简单介绍.电子SHE依赖于两个关键因素:电子的自旋-轨道角动量耦合及其导致这种耦合作用的纵向加载的电场.光子既有内在的自旋角动量(与圆偏振的手性相关),也有外在的轨道角动量(与螺旋相位有关).因此人们自然有理由推测,光子的自旋-轨道角动量耦合应该也能产生光的SHE.关键问题是:谁来扮演外场的角色以及如何产生光子的自旋-轨道角动量耦合作用?光子有自旋但却因其为中性粒子而无磁矩,因此无法用外加场的方法去改变其自旋轴的方向.但由于光子自旋轴的方向与传播方向一致,因而使我们想到若改变光的传播方向将会改变光的自旋态,即自旋矢量在空间的指向;而改变光的传播方向最简单直接的方式是利用光的反射和折射,其本质是改变光在其中传播的介质的折射率.在Hosten和Kwiat[4]首次观测SHEL的实验中,正是介质分界面上折射率的阶跃变化(折射率梯度)充当了电子SHE中外加电场的角色,而圆偏振光的右旋和左旋分量分别充当了上旋和下旋电子的角色.因此,相较于电子SHE,SHEL表现出来的特征是圆偏振光的右旋和左旋分量最后在垂直于入射面的横向产生一个很小的相对位移,如图1所示.在同一年Bliokh等人[5]报道的SHEL实验中,将光掠入射到一根圆柱形玻璃介质中,圆柱形的介面使光在其中沿螺旋形轨迹传播,从而不断改变光子的自旋角动量并导致自旋-轨道角动量耦合,进而产生了类似的光束分裂,如图2所示.由此我们还可以想象,若把一根光纤绕成螺旋状,光在其中传播将很容易产生自旋-轨道角动量耦合。

图1 光束在介质折射率梯度(空气-玻璃界面)扮演的外场作用下,沿垂直于折射率梯度方向发生自旋分裂.右上:入射光束为线偏振高斯形的强度分布.右下:折射光束强度出现自旋分裂(白线).利用弱测量方法使两自旋分量相消干涉形成强度较弱的单个高斯形强度分布(蓝线或灰线),从而可以显著地放大光场重心的横移(约104倍).(详见参考文献[4,7])图2测量光束在圆柱形玻璃棒中传输时的SHEL实验装置.Laser:波长为633 nm的He-Ne激光器;P1和P2:格兰激光偏振镜;LCVR:可调谐液晶波片;Prism:直角棱镜;Cylinder:圆柱形玻璃棒;QWP:1/4波片;Imaging lens:成像透镜;Camera:图像传感器.(详见参考文献[5])从SHEL表现出来的特征看,它似乎违背了经典几何光学,或者说它很难单独用经典几何光学(如Snell定律和Fresnel公式)来解释.牛顿光学认为:当一束光在介质分界面上反射和折射时,反射光和折射光都处于入射面内.然而,这违背了光的角动量守恒定律.1955年,Fedorov[8]在理论上预言:当一束圆偏振光发生全内反射时,光束重心将产生一个垂直于入射面的横向漂移.当考虑了这一横向漂移后,光在反射时满足角动量守恒定律.1972年,Imbert[9]实验证实了这一现象.后来这一现象被称为Fedorov-Imbert效应.其实,SHEL 本质上就是Fedorov-Imbert效应.Fedorov-Imbert效应关注的是单一圆偏振光的光束重心的横向漂移现象,漂移方向与圆偏振的旋转方向相关.光波的偏振是大量光子集合的宏观概念.经典电动力学告诉我们:不同的偏振态描述了光波的电矢量的各种不同的振动方向和方式;线偏振、椭圆偏振、部份偏振等光束都可以由作为基础的左、右旋圆偏振光束组合而成.也就是说,一束线偏振光可以分解为两束同频率的左旋和右旋圆偏振光.因此,基于Fedorov-Imbert效应可以推断,一束线偏振光在全反射时其左旋和右旋圆偏振分量将依其旋转方向而沿横向向不同方向分裂,变成两束光,这种现象正是所谓的SHEL.SHEL导致的光束横向分裂值很小,通常在亚波长尺度,所以实验上一般很难观察到.Hosten和Kwiat[4]里程碑式的实验工作,其意义不仅在于首次从实验上观测到了SHEL,还在于实现了20年前Aharonov等人[9]的预言:利用弱测量技术可以放大并测量很小的效应.理论上,SHEL导致的光束横向分裂的定量公式至今仍有很多分歧.但业已清楚的是,SHEL导致的光束横向分裂值与入射光的波长成正比,并且随入射角显著变化:正入射时SHEL 消失,掠入射即入射角接近90°时分裂最明显;此外,显而易见的是,SHEL与介质的折射率有关,因而包含了构成介质分界面的材料信息,这既为利用材料特性操控SHEL,也为利用SHEL研究材料特性及其中的物理现象提供了可能.可以从多个角度解释SHEL产生的原因.基于光子自旋与光波偏振之间的关系以及光子的总角动量守恒,可以对这一现象提供一个简单直观的解释.由于光波具有动量,因而当分析光波的电矢量处于旋转状态时,人们必定想到左、右旋圆偏振光具有一定的角动量.事实上,根据量子力学,每个光子都携带角动量,其大小为h-bar(约化普朗克常量),也就是说,任何频率的光子都具有相同大小的角动量,这种固有的物理现象称为光子的自旋;自旋角动量的方向取决于圆偏振是右旋还是左旋:右旋和左旋(光子自旋方向分别平行和反平行于光束传播方向)圆偏振光子分别具有+h-bar和-h-bar的角动量.因任何一个微观粒子具有的角动量是它的自旋角动量与轨道角动量之和,而光子自旋轴的方向与传播方向一致,所以若只考虑沿光的传播方向上的总角动量,则此时的轨道角动量为零,也即光子在传播方向上总的角动量就是其自身的自旋角动量.当光从光疏介质射入光密介质时,如图1所示的光从空气进入玻璃,光将偏向介质分界面的法线方向,也就是说折射角小于入射角.由于对称性,左旋或右旋圆偏振光子关于法线的总角动量J z必须守恒,而当光从空气进入玻璃介质后,光子自旋角动量沿z方向的分量增加,如图3所示,为此右旋圆偏振光子必须向-y方向移动以产生一个向上的轨道角动量(图3(a)),而左旋圆偏振光子必须向+y方向移动以产生一个向下的轨道角动量(图3(b)),才能抵消z方向自旋角动量的增量.也就是说,当一束线偏振光从光疏介质射入光密介质后,其左旋和右旋圆偏振分量都将分别获取一个与其法向自旋角动量方向相反的轨道角动量,以保持法线方向的总角动量守恒.正是这两个方向相反的轨道角动量,导致了左旋和右旋圆偏振光分量的横向分裂.同理可解释光从光密介质射入光疏介质或光在介质界面反射时的SHEL.这种解释虽然不是非常严格,但简单直观[11].图3光从光疏介质射入光密介质时,入射光子(蓝线)和折射光子(绿线)的总角动量J及其在法线方向的分量J z.(a)和(b)分别是右旋和左旋圆偏振光子情形,J+和J-分别是它们为保持J z守恒而获取的额外轨道角动量.从傅里叶光学的角谱理论看,光束可看作是由与其传输轴成一定夹角的若干平面波所组成,每个平面波即为一角谱分量.当光束在介质界面改变方向(反射或折射)或在非均匀折射率介质中传输时,不同角谱分量的偏振将经历不同的旋转量,而这种旋转量又与相位相关,因此不同角谱分量相互干涉的结果产生两束分裂的光束.从数学上讲,光的偏振和相位之间的相互作用好比电子系统中电子SHE的自旋-轨道相互作用.人们习惯于把光看成是波,并且认为光学效应比起相应的量子力学效应来更为寻常一些,尽管两种物理事实上是等价的.无论是用量子力学的方法还是用经典的方法去描述SHEL,两者的本质都是一致的:光的自旋-轨道相互作用是导致SHEL中光束重心自旋相关分裂的内在物理原因.从Berry相位理论看,与电子SHE一样,SHEL显示了自旋粒子在外场中演化的深层次几何动力学关系[5,6].尽管SHEL是一种常规方法很难观测到的弱效应,但原理上可以使SHEL导致的光束分裂变得很大,从而分离不同的自旋态或不同的轨道角动量态,因此SHEL有望作为操控光子角动量的工具,应用于量子信息领域[7].此外,SHEL本身可以发展成一种精密的计量工具,用来例如表征亚波长尺度上的折射率变化[4],或为研究纳米结构中的物理特性提供一种灵敏的方式[12].特别是,由于SHEL与凝聚态和高能物理中的SHE有高度的相似性和共同的拓扑根源,所以SHEL的研究将不仅对光学,同时还对其他学科产生重要影响[5,6].例如,对相对论粒子来说,目前的实验能力尚远不够测量其SHE;而对凝聚态系统来说,由于杂质散射导致的各种内在效应的竞争以及追踪电子轨迹的不可能性,所以观测电子SHE的实验条件非常复杂.因此,SHEL作为一种尽管很弱但又很纯(clean)的物理效应,为测量SHE这类弱拓扑现象提供了独特而又方便的机会.应《物理》杂志邀请,撰写“光自旋霍尔效应及其研究进展”一文。

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