--薄膜晶体管液晶显示器技术简介
tft 屏原理
tft 屏原理
TFT屏原理概述
TFT(薄膜晶体管)屏是一种广泛应用于显示设备中的液晶屏幕。
它利用了液晶分子的光电效应和薄膜晶体管的电控效应来实现图像的显示。
TFT屏是由数百万个小型液晶像素组成的。
每个像素都有一个液晶分子,这些液晶分子可通过外部电场来控制其取向和透光性质。
在TFT屏技术中,液晶分子一般被夹在两个透明、平整的玻璃基板之间。
玻璃基板上的每个像素都与一个薄膜晶体管相连。
薄膜晶体管是TFT屏的关键部件之一,它起到了像素的开关控制作用。
每个像素都包含一个薄膜晶体管,通过控制薄膜晶体管的导通与否,可以控制液晶分子是否被电场激活。
当薄膜晶体管导通时,液晶分子会取向对光波的旋转和透射。
当薄膜晶体管断开时,则不会对光波产生影响。
为了实现像素的精确控制,每个像素都与一个细小的电子驱动器相连,这个驱动器可以提供准确的电压信号。
电压信号会通过相应的薄膜晶体管,进而传递给液晶分子。
根据电压信号的强弱和极性,液晶分子的取向和隔离状态会不同,最终形成一个个由像素组成的图像。
此外,TFT屏还使用了后光源技术来实现背光照明。
背光源通常是由一组发光二极管(LED)组成的,这些LED会发出均
匀的光线。
通过液晶分子的取向和透光性质,背光可以经过像素区域变得可见,从而形成图像。
总的来说,TFT屏通过控制薄膜晶体管和液晶分子的状态,利用光电效应和电控效应来实现图像的显示。
它具有响应速度快、视角广、色彩鲜艳等特点,因此被广泛应用于各类显示设备中。
TFT液晶显示原理
TFT液晶显示原理1.薄膜晶体管技术:薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,TFT)是一种采用薄膜材料制作的电子器件,具有微小尺寸和快速响应速度的特点。
在TFT液晶显示器中,每个像素点都需要一个晶体管来控制其亮度和颜色。
晶体管负责将电信号转化为液晶层中对应像素点的光学信号。
TFT液晶显示器的晶体管通常采用硅薄膜晶体管(Usually amorphous silicon,a-Si)制作。
制作方法可以简单地概括为:在玻璃基板上依次沉积绝缘层、硅薄膜、导电层,并完成晶体管的元件结构。
这样,每个像素点都被一个晶体管控制,可以独立地改变像素点的亮度和颜色。
2.液晶显示技术:液晶(Liquid Crystal,LC)是一种介于固体和液体之间的物质状态,具有一定的流动性和透明性。
TFT液晶显示器中常用的液晶材料是向列型液晶(Nematic Liquid Crystal,NLC)。
液晶显示的原理是:利用电场的作用,改变液晶分子的排列状态,从而改变透过液晶层的偏振光的方向,进而控制像素点的亮度和颜色。
液晶分子在无电场作用下呈现螺旋排列结构,电场的作用可以使其产生旋转或倾斜移动,从而使得透过液晶层的偏振光发生改变。
这种光学特性使得液晶分子可以根据电压的大小和方向改变透过偏振片的光的方向,实现显示图像。
TFT液晶显示器中,每个像素点由红、绿、蓝三种基色的液晶分子组成,液晶分子在电场的作用下分别改变透过红、绿、蓝三种基色滤光片的偏振光的方向,从而合成出所需的颜色。
利用液晶分子的电光特性,可以通过适当控制液晶分子的排列方向和电场的大小实现不同亮度和颜色的显示。
总结起来,TFT液晶显示原理是利用薄膜晶体管技术控制液晶层中每个像素点的亮度和颜色,通过改变液晶分子的排列结构和透过偏振光的方向实现显示图像。
TFT液晶显示器因其高分辨率、色彩饱和度和快速响应等特点,在各个领域得到了广泛的应用。
tft lcd工作原理
tft lcd工作原理
TFT(薄膜晶体管)LCD(液晶显示器)是一种基于薄膜晶体
管技术的液晶显示器。
其工作原理如下:
1. 像素结构:TFT LCD由一系列的像素组成,每个像素都包
含了红、绿、蓝三个基色的液晶单元和一个薄膜晶体管。
液晶单元根据电压的变化来控制光的透过程度,从而实现颜色的显示。
薄膜晶体管则负责控制电流的开关。
每个像素中的液晶单元和薄膜晶体管都被附着在透明的玻璃基板上。
2. 薄膜晶体管的作用:薄膜晶体管是TFT LCD的核心部件,
它负责控制电流的开关。
当电流通过薄膜晶体管时,它会改变液晶单元的电场,从而改变其透光性质。
薄膜晶体管的开关控制是通过将其上的栅极电压调高或调低来实现的,进而控制液晶单元的透光程度。
3. 光的透过过程:当液晶单元处于关闭状态时,它不能透过光,显示为黑色。
当液晶单元处于开启状态时,根据电场的变化,液晶分子会重新排列,使光线通过透射,显示为不同的颜色和亮度。
4. 控制信号:为了控制TFT LCD的每个像素,需要向每个像
素提供控制信号。
这些控制信号是通过一些线路和电路驱动器传递的,以确保每个像素都能准确显示所需的颜色和亮度。
总结来说,TFT LCD的工作原理是通过控制薄膜晶体管来调
节液晶单元的透光性质,从而显示不同的颜色和亮度。
通过像
素的排列和控制信号的传递,TFT LCD可以呈现出清晰、亮丽的图像。
低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示技术(LTPSTFT
低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示技术(LTPS TFT北方彩晶集团谷至华2005年1月由于多晶硅电学性能上的优势,可以实现玻璃基板上的驱动集成(CHIP ON GLASS 简写COG),系统集成(SYSTEM ON GLASS 简写SOG),可以现实更高分辨率,更快的响应速度,稳定性,可靠性更高的显示器件,低温多晶硅是TFT-LCD产业发展的方向。
该领域涉及主要产品及技术主要产品:手机、数码相机、便携视听产品,车载移动终端,高级计算机显示器等。
技术:低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器(Lp-Si TFT-LCD)技术涉及集成电路设计、信号转换、薄膜技术、液晶显示技术、激光技术、界面处理技术等,低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器是目前世界上最新的技术,代表了一个国家的平板显示产业的技术水平。
1.技术及产品发展现状LTPS TFT物理电学特性较a-Si TFT性能更加优异,具有更高的集成度,可以实现驱动电路的集成,甚至计算机系统的集成,外接元件大量减少,器件的性能得到大幅度提升,更加稳定,更加可靠,而器件的成本会更加低。
是平板显示技术的发展方向。
但是由于技术难度比较大,特别是大面积激光退火技术具有非常大的工艺挑战性。
目前只有日本东芝和松下在新加坡投资的4.5五代线可以生产17英寸的多晶硅液晶显示器,其他公司基本上只能处理手机和移动终端的小尺寸的多晶硅。
多晶硅TFT-LCD还是投影显示领域的核心技术之一。
是数字化电影院建设的关键部件,在教育、办公和大屏幕投影家庭影院领域也有巨大的市场。
随着LTPS技术的逐渐成熟,在未来的10年中,LTPS将成为平板显示领域的核心技术,有机电致发光,厚膜无机电致发光都需要LTPS技术,大尺寸液晶电视也期待着LTPS的应用。
LTPS作为平板显示器产业的重大潜在核心技术受到国际上科研和产业界的高度重视。
通过对早期TFT-LCDa-Si TFT生产线改造,投入少,可以使产业迅速升级。
目前国际上3代一下的非晶硅TFT-LCD生产线基本上都已经改造成为多晶硅生产线。
TFT-LCD原理与设计
TFT-LCD原理与设计
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是一种广泛使用于平板
电视、电脑显示器、手机等设备中的液晶显示技术。
其工作原理是利用薄膜晶体管和液晶分子的特性实现图像显示。
TFT-LCD的结构由多个层次组成,包括色彩滤光片、透明电极、薄膜晶体管和液晶层等。
色彩滤光片用于调节液晶层的颜色显示,透明电极用于施加电场,而薄膜晶体管则负责控制电流的流动。
这些层次协同工作,使得液晶分子在电场作用下产生偏转,并改变光的透过率,从而形成显示图像。
TFT-LCD的工作原理基于液晶的光电效应。
液晶分子具有两
种状态:向列方向对齐的“ON”态和与列方向垂直的“OFF”态。
当施加电场时,液晶分子会发生扭曲,产生向与列方向垂直的“ON”态。
通过调节电场的强弱和方向,可以控制液晶分子的
偏转程度,进而控制透过液晶层的光的亮度和颜色。
TFT-LCD还需要使用后端的驱动电路来控制薄膜晶体管的导
通和断开,以及控制液晶分子的偏转。
这些驱动电路通常由晶体管和电容器组成,能够实现高速刷新和精确的图像显示。
在TFT-LCD的设计中,需要考虑多个因素,包括像素密度、
色彩还原、亮度和对比度等。
为了提高图像质量,设计者需要选择合适的材料、优化电流和电场的控制参数,并采用高精度的光学和电子元件。
总之,TFT-LCD利用薄膜晶体管和液晶分子的特性,通过控
制电场来实现图像显示。
其设计需要考虑多个因素,以实现高质量的图像效果。
薄膜晶体管液晶显示器技术简(精品pdf)
摘要: TFT-LCD结构。
薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。
TFT-LCD显示屏,包括阵列玻璃基板、彩色滤光膜以及液晶材料。
阵列玻璃基板制备工艺是:用三个光刻掩膜板,首先在玻璃基板上连续淀积ITO膜(厚20~50n m)和Cr膜(厚50~100nm),并光刻图形,然后连续淀积绝缘栅膜SiN:(厚约400n m),再本征a-Si(厚50~100n m)和n+a-Si层,并光刻图形(干法)淀积Al膜,光刻漏源电极,最后以漏源电极作掩膜,自对准刻蚀象素电极上的Cr膜和TFT源漏之间n+a-Si膜。
这就是TFT反交错结构的简单制造工艺。
下一步是:在玻璃基板上涂布聚酰亚胺取向层,用绒布沿一定方向摩擦,使取向层表面形成方向一致的微细沟道,控制液晶分子定向排列。
在保证两块玻璃基板上下取向槽沟的槽方向正交的条件下,将两块玻璃基板上下密封成一个盒,盒间隙一般只有几个微米(如10μm),然后抽真空封灌液晶材料。
彩色滤光膜(Color Filter)简称CF。
TFT-LCD的彩色显示,实际是通过阵列基板的光,照射在彩膜上,显示屏就能显示颜色。
彩色滤光膜(如同着色的玻璃纸)可以制作在透明的电极之上(透明电极和液晶层之间),也可制作在透明电极之下(透明电极和玻璃之间),上下玻璃基板与CF膜对准精度非常高,要求CF膜黑白矩阵正好对准ITO象素电极的边缘,CF膜附着在液晶盒表面,然后用两片无色偏振片夹住液晶盒。
彩色显示原理可以简述为:把TFT-LCD的一个象素点分割成红、绿、蓝(R、G、B)三基色,并对应CF膜的RGB,起光阀作用的LCD对透过CF膜的三色光量,进行平衡、调节得到所要的彩色。
穿过CF膜的入射光如果漏射,则会影响TFT-LCD的对比度,所以在间隙处要设置遮光的黑矩阵(Black Matrix)简称BM。
为了稳定性和平滑性,使用丙烯基树脂和环氧树脂制成厚0.5~2μm的保护层(oe cota)简称OC。
tft lcd原理
tft lcd原理
TFT LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是一种广泛用于平板电脑、智能手机、电视和计算机显示器等设备的平面显示技术。
下面是TFT LCD的基本原理:
1. 液晶材料:TFT LCD的基础是液晶材料。
液晶是一种介于液体和固体之间的有机分子,它在电场的作用下能够改变光的透过性。
液晶被封装在两块平板玻璃之间,这两块平板上有透明的电极。
2. 薄膜晶体管(TFT):TFT是薄膜晶体管的缩写,它是一种用于控制液晶像素的半导体器件。
每个像素都配备了一个TFT,用于控制电流的流动,从而精确地调节液晶分子的方向和透过性。
3. 像素结构:TFT LCD的屏幕由许多微小的像素组成。
每个像素由三个亮度可调的基本颜色(红、绿、蓝)的亮度调光器组成。
这三个颜色的不同亮度组合可呈现出各种颜色。
4. 背光源:TFT LCD需要一种背光源,以照亮屏幕上的像素。
常见的背光源包括冷阴极荧光灯(CCFL)和LED。
现代的LCD大多采用LED作为背光源,因为LED背光具有更低的功耗和更长的寿命。
5. 控制电路:TFT LCD屏幕上还有一套复杂的控制电路,用于接收来自计算机或其他设备的信号,并将其转化为适合液晶显示的信号。
6. 工作原理:当电流通过TFT时,TFT会控制液晶分子的排列,调节其透明度。
通过调整每个像素中红、绿、蓝三个亮度调光器的亮度,屏幕可以呈现出几百万种不同的颜色,形成图像。
总体来说,TFT LCD的原理是通过电流控制液晶分子的排列,从而调节光的透过性,最终呈现出清晰的图像。
TFT-LCD简介
TFT-LCD 简介TFT ﹕(Thin-Film Transistors)薄膜晶体管LCD﹕(Liquid-Crystals Display)液晶显示器TFT-LCD发明于1960年经过不断的改良在1991年时成功的商业化为笔记型计算机用面板﹐从此进入TFT-LCD的世代。
TFT-LCD 结构:简单的说TFT-LCD面板的基本结构为两片玻璃基板中间夹住一层液晶。
前端LCD面板贴上彩色滤光片﹐后端TFT面板上制作薄膜晶体管(TFT) 。
当施电压于晶体管时﹐液晶转向﹐光线穿过液晶后在前端面板上产生一个画素。
背光模块位于TFT-Array面板之后负责提供光源。
彩色滤光片给予每一个画素特定的颜色。
结合每一个不同颜色的画素所呈现出的就是面板前端的影像。
TFT Pixel Element:TFT面板就是由数百万个TFT device以及ITO((In Ti Oxide),此材料为透明导电金属)区域排列如一个matrix所构成,而所谓的Array就是指数百万个排列整齐的TFT device之区域,此数百万个排列整齐的区域就是面板显示区。
下图为一TFT画素的结构不论TFT板的设计如何的变化,制程如何的简化,其结构一定需具备TFT device和控制液晶区域(光源若是穿透式的LCD,则此控制液晶的区域是使用I TO,但对于反射式的LCD是使用高反射式率的金属,如Al等)TFT device是一个开关器,其功能就是控制电子跑到ITO区域的数量,当ITO区域流进去的电子数量达到我们想要的数值后,再将TFT device关掉,此时就将电子整个关(Keep)在ITO区域.上图为各画素点指定的时间变化﹐由t1到tn闸极驱动IC持续选择开启G1﹐使得源极驱动IC以D1、D2到Dn的顺序对G1上的TFT画素充电。
tn+1时﹐闸极驱动I C再度选择G2﹐源极驱动I C再D1开始依序选择。
上图可以表达几件事情:液晶站立的角度越垂直,越多的光不会被液晶导引,不同角度的液晶站立角度会导引不同数量的光线,以上面的例子来看,液晶站立角度越大,则可以穿透的光线越弱。
薄膜晶体管液晶显示概述
薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)概述源矩阵液晶显示(Activc Matrix LCD, AM LCD)是在每个液晶像素上配置一个二端或三端的有源器件,这样每个像索的控制都是相互独立的,从而去除了像素间的交叉效应,实现了高质量图像显示。
有源矩阵液晶显示器根据其中采用的有源器件的不同可以分为三端的晶体管驱动和二端的非线性元件驱动两大类,详细的分类如下图所示。
通常在显示矩阵中使用的晶体管均为电压控制型的场效应晶体管( Field Effect Transistor, FET),这类器件中的电流是由外加电压引起的电场控制的。
利用晶体管的三端有源驱动方式主要包括使用单晶硅金属一氧化物——半导体场效应晶体管Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)和薄膜场效应.晶体管(Thin Film Transistor,TFT)两种。
半导体材料是一类导电特性介于金属和绝缘体之间的固体材料,在半导体中参与导电的粒子包括带正电的空穴和带负电的电子,它们统称为载流子。
通常在半导体中掺入杂质能够改变半导体的电导率等特性。
当在硅(Si)等半导体中掺人P等V族杂质,半导体将以电子导电为主,称为N型半导体;当在硅(Si)等半导体中掺人B等III族杂质,半导体将以空穴导电为主,称为P型半导体。
在半导体中通过杂质的扩散与注入等加工工艺技术能够实现非均匀掺杂。
载流子在半导体中的运动形式有漂移、扩散、产生和复合等多种形式。
载流子在电场的作用下定向漂移运动是形成电流的一种主要的运动形式;此外还可以通过另一种运动形式扩散形成电流,扩散是一种和载流子的不均匀分布相联系的运动形式,载流子通过扩散由高浓度区向低浓度区运动。
载流子的迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数,其定义为单位电场作用下载流子的平均漂移速度,其常用单位为:厘米2/(伏·秒)(cm2/(V ·s))。
薄膜晶体管(tft)作用 工作原理 材料工艺
薄膜晶体管(tft)作用工作原理材料工艺薄膜晶体管(Thin-Film Transistor,简称TFT)是一种用于电子显示器和面板的非晶硅制造技术。
它是一种重要的半导体器件,用于控制显示像素的亮度和颜色。
TFT晶体管的作用、工作原理和材料工艺会在下文中详细阐述。
一、薄膜晶体管的作用薄膜晶体管作为电子显示器的关键组件,主要用于控制每个像素的亮度和颜色。
在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)等显示技术中广泛应用。
TFT晶体管类似于一个电子开关,可以打开和关闭每个像素的电流,从而控制其亮度。
TFT晶体管还可以精确地控制每个像素的亮度,使得显示器能够产生清晰、细腻和真实的图像。
二、薄膜晶体管的工作原理TFT晶体管的工作原理可以简单地理解为:通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动,进而控制每个像素的亮度。
TFT晶体管由四个主要部分组成:栅极、源极、漏极和沟道。
当栅极电压为低电平时,沟道中的导电层不会被激活,从而阻断了源极到漏极之间的电流。
当栅极电压为高电平时,控制电压作用于沟道中的导电层,使它导电,从而允许电流流动。
三、薄膜晶体管的材料工艺1. TFT的制造材料主要的材料是非晶硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)薄膜。
非晶硅具有较高的电子迁移率,且制备过程相对简单,适用于较低分辨率的液晶显示器。
而多晶硅具有更高的电子迁移率,适用于高分辨率和高速刷新率的显示器。
2. TFT的制造过程(1)基板清洗:通过清洗去除基板表面的杂质、油脂和顶层材料等。
(2)锗沉积:在基板表面沉积一层锗,提供后续的结合层。
(3)透明导电氧化锌(TCO)沉积:沉积一层透明导电氧化锌薄膜,用于制作栅极。
(4)非晶硅或多晶硅沉积:在TCO层上沉积非晶硅或多晶硅薄膜,用于制作薄膜晶体管的主体部分。
(5)金属电极沉积:用金属沉积技术在非晶硅或多晶硅层上制作源极和漏极。
(6)栅极沉积:利用光刻和蒸发技术将栅极沉积在金属电极上。
TFT-LCD显示技术
详细描述
TFT-LCD显示屏的响应速度取决于液晶分子 的运动速度。为了提高响应速度,可以采用 新型液晶材料、优化驱动电路等方式。此外, 采用动态背光调节技术也可以在一定程度上 改善响应速度问题。
色彩表现力不足
总结词
相对于OLED等其他显示技术,TFT-LCD显 示技术在色彩表现力方面存在不足。
详细描述
视角限制
总结词
TFT-LCD显示技术的视角限制是其固有 缺点之一。
VS
详细描述
由于TFT-LCD显示屏的视角限制,从不同 角度观看时,色彩和亮度可能会发生变化 ,影响观看效果。为了解决这个问题,可 以采用广视角膜或者广视角技术,如IPS 、VA等,以扩大可视角度。
响应速度慢Байду номын сангаас
总结词
TFT-LCD显示技术的响应速度慢可能会影响 动态图像的显示效果。
厚度薄、体积小
厚度薄、体积小
轻便易携带
TFT-LCD显示器采用了薄型化和集成化的设 计,使得显示器在厚度和体积上都相对较小。 这种设计使得TFT-LCD显示器在空间受限的 环境中具有优势,如移动设备、便携式电脑 等。
由于TFT-LCD显示器体积小、重量轻,用户 可以轻松地将它携带到不同的地方。这种便 携性使得TFT-LCD显示器在移动办公、远程 会议等场景中具有广泛的应用价值。
功耗低
功耗低
TFT-LCD显示器采用了高效的背光调节技术 ,能够在不同亮度下保持较低的功耗。此外 ,TFT-LCD显示器还具有智能电源管理系统 ,可以根据实际需要自动调节背光亮度,进 一步降低功耗。
节能环保
低功耗的特性使得TFT-LCD显示器在节能环 保方面具有优势。用户在使用这种显示器时 可以节省能源,减少对环境的负担。这种环 保特性使得TFT-LCD显示器受到了许多用户
LCD几种显示类型介绍
LCD几种显示类型介绍LCD(液晶显示器)是目前应用最广泛的平板显示技术之一,广泛应用于电视、电脑、手机、平板电脑等各种设备中。
根据不同的原理和结构,LCD显示器可分为多种类型。
以下将介绍LCD的几种主要显示类型。
1.TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)TFT-LCD是当前最主流的LCD显示技术,它采用薄膜晶体管作为每个像素点的控制开关,能够实现快速的响应速度和高质量的画面表现。
其中,TFT代表薄膜晶体管,表示每个液晶像素都被一个晶体管控制。
TFT-LCD显示器的最大优点是颜色还原度高,显示效果细腻,且能适应高分辨率与高亮度的显示要求。
大多数电脑显示器和高端电视就采用了TFT-LCD技术。
2.IPS-LCD(进通气孔开关液晶显示器)IPS-LCD是一种在TFT-LCD技术基础上改进的显示技术。
它的最大特点是拥有广视角,色彩还原度高,同时具有快速响应速度和较高的亮度。
这种液晶技术克服了TN-LCD(下文会介绍)的观看角度狭窄、色彩变化等问题。
IPS-LCD显示器被广泛应用于由于需要大视角和高色彩精度的领域,如专业设计、摄影等。
3.VA-LCD(垂直对齐液晶显示器)VA-LCD是一种垂直微扭转液晶技术,其特点是对比度高、观看角度更广,显示效果优于TN-LCD。
基于VA-LCD技术制造的显示器,能够实现更高的静态对比度和更大的观看角度范围,能够呈现更深的黑色和更鲜艳的颜色。
VA-LCD显示器因为良好的色彩表现和高对比度,适用于观看电影、游戏和图片等需要高画质表现的领域。
4.TN-LCD(扭曲向列液晶显示器)TN-LCD是最早问世的液晶显示技术,其特点是响应速度非常快,也较为廉价。
然而,相较于其他LCD类型,TN-LCD的观看角度较狭窄,色彩表现较差,同时在大面积亮部显示时会有较明显的亮度不均匀情况。
因此,TN-LCD并不适用于专业需求色彩准确性和广视角性能的场合,但在市场上仍然存在较大的应用。
5.OLED(有机发光二极管)OLED是另一种广泛应用于电子设备的显示技术,它不同于LCD,是一种基于有机发光材料的电致发光技术。
TFT-LCD制造技术-Array工艺
05
Array工艺面临的挑战与解 决方案
工艺复杂度与良品率
挑战
TFT-LCD Array工艺涉及多个复杂步骤,如薄膜沉积、光刻、刻蚀等,每个步 骤都可能影响最终产品的良品率。
解决方案
采用先进的生产设备和工艺控制技术,提高工艺稳定性和重复性,减少缺陷和 不良品。
材料成本与供应链
挑战
TFT-LCD制造过程中使用的材料成本较高,且供应链管理难度大,容易受到外部 因素影响。
Array工艺的流程
清洗与涂覆
对玻璃基板进行清洗,并涂覆一层光刻胶 ,作为掩膜。
测试与修复
对TFT阵列进行测试和修复,确保每个像 素电极正常工作。
曝光与显影
通过曝光机将掩膜上的图形转移到光刻胶 上,然后进行显影,形成初步的TFT结构 。
去胶与剥离
去除光刻胶,并对TFT阵列进行剥离,得 到独立的TFT器件。
结论
Array工艺在该公司得到了成功应用, 为TFT-LCD制造技术的发展提供了有 益的参考。
某新型Array工艺的研究进展
研究背景 随着消费者对TFT-LCD显示产品 画质和性能要求的提高,新型 Array工艺的研究变得尤为重要。
结论 该研究为TFT-LCD制造技术的进 一步发展提供了理论支持和技术 储备。
03
清洗技术的选择和应用需要根据具体 工艺需求进行优化和调整,以确保基 板表面的清洁度。
04
Array工艺的发展趋势
高分辨率显示技术
4K和8K分辨率
随着消费者对高清晰度显示的需求增 加,TFT-LCD面板正朝着更高的分辨 率发展,如4K和8K。这需要更精细 的像素设计和更先进的制程技术来实 现。
窄边框设计
为了实现更薄的、无边框的显示器外 观,Array工艺需要进一步优化,以减 小边框宽度,提高屏占比。
薄膜晶体管液晶显示器显示原理与设计
薄膜晶体管液晶显⽰器显⽰原理与设计薄膜晶体管液晶显⽰器显⽰原理与设计1 液晶显⽰的基本概念1.1 液晶简介1.2 液晶的特性1.2.1 电学各向异性1.2.2 光学各向异性1.2.3 ⼒学特性1.2.4 其他特性1.电阻率2.黏度系数3.相转变温度1.3 偏光⽚1.3.1 偏光⽚的基本原理1.3.2 偏光⽚的基本构成1.PVA层2.TAC层3.PSA层4.离型膜和保护膜5.补偿膜1.3.3 偏光⽚的参数1.偏振度2.透过率3.可靠性4.剥离⼒5.外观指标1.3.4 偏光⽚的表⾯处理1.4 玻璃基板1.5 液晶显⽰的基本原理1.5.1 液晶显⽰器的基本结构1.5.2 液晶显⽰原理1.6 显⽰器的光电特性1.6.1 透过率1.6.2 对⽐度1.6.3 响应时间1.6.4 视⾓1.按对⽐度定义2.按灰阶反转定义3.按⾊偏定义1.6.5 ⾊域1.6.6 ⾊温1.7 画质改善技术1.7.1 量⼦点技术1.7.2 ⾼动态范围图像技术1.7.3 局域调光技术1.7.4 姆拉擦除技术1.7.5 运动图像补偿技术1.7.6 帧频转换技术1.8 ⽴体显⽰技术原理1.8.4 裸眼3D显⽰技术1.视差光栅式裸眼3D显⽰2.柱棱镜式裸眼3D显⽰1.8.5 3D显⽰的主要问题2 氢化⾮晶硅薄膜晶体管材料与器件特性2.1 氢化⾮晶硅薄膜的特点2.1.1 原⼦排列和电⼦的态密度2.1.2 氢化⾮晶硅的导电机理2.1.3 氢化⾮晶硅的亚稳定性2.2 绝缘层材料的特点2.2.1 氮化硅2.2.2 氧化硅2.2.3 绝缘层的导电机理1.离⼦导电2.空间电荷限制电流3.隧穿和内场发射4.肖特基发射和Poole-Frenkel效应5.欧姆导电2.3 薄膜沉积2.3.1 概述2.3.2 a-Si:H薄膜的沉积2.3.3 a-Si:H薄膜的影响因素1.等离⼦体功率的影响3.a-Si:H薄膜的本体效应4.a-Si:H薄膜的光电导效应5.a-Si:H薄膜迁移率的提⾼2.3.4 n+a-Si:H薄膜的沉积2.3.5 绝缘层薄膜的沉积1.绝缘层薄膜的沉积⽅法2.SiNx薄膜的沉积⼯艺2.3.6 薄膜的界⾯效应1.界⾯粗糙度和应⼒的影响2.界⾯特性的改善2.4 薄膜刻蚀2.4.1 导电薄膜的刻蚀2.4.2 功能薄膜的刻蚀2.5 TFT器件结构与特点2.5.1 底栅结构1.背沟道刻蚀型结构2.刻蚀阻挡层型结构2.5.2 顶栅结构2.5.3 器件基本特性1.线性区2.饱和区3.亚阈值区4.截⽌区2.6 器件电学性能的不稳定性3 液晶⾯板设计与驱动3.1 显⽰屏的构成3.1.1 显⽰区1.分辨率2.像素尺⼨计算3.像素排列⽅式4.像素驱动结构3.1.2 密封区3.1.3 衬垫区3.1.4 特征标记1.切割标记2.研磨标记3.⼯艺标记4.重叠标记5.总节距标记3.2 玻璃基板上薄膜的边界条件3.2.1 彩膜基板上的边界条件3.2.2 阵列基板上的边界条件3.3 液晶显⽰模式与原理3.3.1 液晶显⽰模式3.3.2 液晶显⽰光阀原理3.4 曝光⼯艺技术3.4.1 掩模版3.4.2 曝光机类型3.4.3 光刻⼯艺3.4.4 五次/四次光刻⼯艺过程3.4.5 光透过率调制掩模版技术3.5 像素设计原理3.5.1 电容1.液晶电容计算2.液晶动态电容效应3.像素存储电容结构4.像素等价电路结构及各电容计算5.电容耦合效应6.像素馈⼊电压3.5.2 像素中电阻计算3.5.3 TFT性能要求1.TFT开关⽐的要求2.TFT开态电阻和关态电阻3.5.4 像素充电率模拟1.输⼊信号延迟2.充电率模拟3.6 ⾯板的驱动3.6.1 ⾯板的电路驱动原理图3.6.2 极性反转驱动1.极性反转驱动⽅式3.PU与PD点的优化设计4.冗余GOA单元结构设计3.7.3 GOA 设计1.GOA输出信号参数与噪声抑制2.多时钟信号的GOA设计3.7.4 GOA的模拟仿真1.GOA模型与各TFT器件参数的确定2.外部环境参数对GOA的影响3.7.5 GOA设计的其他考虑4 液晶显⽰颜⾊基础4.1 ⾊度基础4.1.1 可见光谱4.1.2 辐射度与光度4.1.3 颜⾊的辨认4.1.4 颜⾊三要素1.⾊调2.明度3.饱和度4.2 颜⾊的表征4.2.1 格拉斯曼混合定律1.中间⾊率2.补⾊率3.代替率4.亮度相加率4.2.2 光谱三刺激值4.2.3 ⾊坐标计算4.2.4 均匀⾊度系统及⾊差4.3 液晶显⽰的颜⾊参数及计算4.3.1 颜⾊再现原理4.3.2 ⾊坐标和亮度计算4.3.3 灰阶与⾊深4.3.4 ⾊域计算4.3.5 ⾊温计算5 液晶光学设计基础5.1 概述5.1.1 液晶盒的主要参数5.1.2 常见的液晶显⽰模式5.2 透过率5.2.1 液晶光学偏振原理1.光的偏振性表⽰⽅法2.双折射及偏振光在双折射晶体中的传播5.2.2 不同显⽰模式的透过率1.TN模式2.IPS模式3.FFS模式4.VA模式5.3.2 不同模式下的对⽐度和视⾓1.TN模式2.IPS模式3.FFS模式4.VA模式5.4 阈值电压和响应时间5.4.1 液晶电学和⼒学原理5.4.2 不同显⽰模式的阈值电压和响应时间5.5 ⼯作温度对液晶的影响5.6 液晶参数对显⽰影响概述6 驱动电路系统设计基础6.1 模组驱动电路系统6.1.1 OC的驱动电路6.1.2 LED背光源的驱动电路6.2 电源管理集成电路6.2.1 Buck 电路6.2.2 Boost 电路6.2.3 Buck-Boost 电路6.2.4 LDO 电路6.2.5 电荷泵电路6.2.6 VCOM电路6.2.7 多阶栅驱动电路6.3 时序控制器6.3.1 时序控制器概述6.3.2 接⼝信号特点6.3.3 LVDS接⼝6.3.4 eDP接⼝6.3.5 mini-LVDS接⼝6.3.6 Point to Point接⼝6.3.7 V-by-One接⼝6.4 数据驱动集成电路6.4.1 数据驱动集成电路概述6.4.2 双向移位寄存器6.4.3 数据缓冲器6.4.4 电平转换器6.4.5 数模转换器6.4.6 缓冲器和输出多路转换器6.4.7 预充电电路6.4.8 电荷分享电路6.5 扫描驱动集成电路6.5.1 扫描驱动集成电路概述6.5.2 扫描驱动集成电路时序6.5.3 XAO电路6.6 Gamma电路与调试6.6.1 Gamma电路6.6.2 Gamma数值计算6.6.3 Gamma电压调试6.7 ACC调试6.8 ODC调试6.9 电视整机电路驱动系统概述7.2 发光⼆极管光源7.2.1 LED的基本特点7.2.2 LED的分类与光谱7.2.3 LED的I-V特性7.2.4 LED的辐射参数7.2.5 LED的光电特性1.电流与电压曲线2.LED电压挡3.LED⾊块7.3 光学膜材7.3.1 反射⽚7.3.2 导光板7.3.3 扩散板7.3.4 扩散⽚7.3.5 棱镜⽚7.3.6 反射型偏光增亮膜7.4 背光模组结构7.4.1 直下式背光结构7.4.2 侧光式背光结构7.5 机构部品材料特点7.5.1 ⾦属部品的特点7.5.2 ⾮⾦属部品的特点7.5.3 机构设计对散热的影响7.5.4 包装材料的特点7.6 能耗标准8 液晶显⽰器性能测试8.1 TFT电学性能测试8.1.1 TFT特性参数测试仪8.1.2 被测样品准备8.1.3 参数定义1.开态电流2.关态电流3.阈值电压4.迁移率8.1.4 TFT转移特性曲线测试8.1.5 TFT输出特性曲线测试8.1.6 TFT的光偏压应⼒测试8.1.7 TFT的热偏压应⼒测试8.1.8 TFT的电偏压应⼒测试8.2 显⽰器光学特性测试8.2.1 亮度及亮度均匀性测试8.2.2 对⽐度测试8.2.3 视⾓测试8.2.4 ⾊度学测试1.⾊域测试2.⾊偏测试3.⾊温测试8.3 响应时间测试8.3.1 灰阶响应时间测试8.3.2 动态响应时间测试8.6 串扰测试8.7 残像测试8.8 VT曲线测试8.9 Gamma曲线测试9 阵列制造⼯程9.1 阵列制造⼯程概述9.2 溅射9.3 磁控溅射9.3.1 磁控溅射的特点9.3.2 ⼯艺条件对沉积薄膜的影响9.4 等离⼦体增强化学⽓相沉积9.4.1 薄膜沉积基本过程9.4.2 沉积SiNx薄膜9.4.3 沉积a-Si:H薄膜9.4.4 沉积n+a-Si:H薄膜9.5 光刻胶的涂布与显影⼯艺9.5.1 光刻胶材料特性9.5.2 光刻胶涂布⼯艺9.5.3 光刻胶显影⼯艺9.5.4 光刻胶剥离⼯艺9.6 ⼲法刻蚀⼯艺9.6.1 ⼲法刻蚀基本原理9.6.2 ⼲法刻蚀种类9.7 湿法刻蚀9.8 阵列不良的检测与修复9.8.1 检测与修复概述9.8.2 ⾃动光学检查9.8.3 断路/短路检查9.8.4 阵列综合检测9.8.5 阵列不良修复10 彩膜制造⼯程10.1 彩膜制造⼯程概述10.2 光刻胶的主要组分与作⽤10.2.1 颜料10.2.2 分散剂10.2.3 碱可溶性树脂10.2.4 感光树脂10.2.5 光引发剂10.2.6 有机溶剂10.2.7 其他添加剂10.3 彩膜制作⼯艺流程10.4 彩膜中各层薄膜的特性10.4.1 ⿊矩阵10.4.2 ⾊阻10.4.3 平坦化层10.4.4 透明导电薄膜10.4.5 柱状隔垫物10.5 彩膜制程各⼯艺特点10.5.5 显影⼯艺10.5.6 后烘⼯艺10.6 不良的检测与修复10.6.1 不良的检测10.6.2 不良的修复10.7 再⼯⼯程10.8 材料测试与评价10.8.1 ⾊度和光学密度10.8.2 对⽐度10.8.3 ⾊阻的位相差10.8.4 黏度10.8.5 固含量10.8.6 溶剂再溶解性10.8.7 制版性10.8.8 电学特性10.8.9 表⾯特性测试11 液晶盒制造⼯程11.1 液晶盒制造⼯程概述11.2 取向层涂布⼯艺11.2.1 取向层材料特点11.2.2 凸版印刷⽅式11.2.3 喷墨印刷⽅式11.2.4 热固化11.3 取向技术11.3.1 取向机理11.3.2 摩擦取向11.3.3 光控取向1.偶氮类材料2.光交联类材料3.光降解类材料11.4 液晶滴注11.5 边框胶涂布11.6 真空对盒11.7 紫外固化和热固化11.8 切割和研磨11.9 液晶盒检测和修复1.液晶盒检测2.液晶盒的检测和维修过程11.10 清洗1.湿式清洗2.⼲式清洗12 模组制造⼯程12.1 模组制造⼯程概述12.2 偏光⽚贴附⼯艺12.2.1 偏光⽚贴附12.2.2 加压脱泡12.3 OLB⼯艺12.3.1 ACF材料特点附录A 薄膜晶体管的SPICE模型与参数提取A.1 概述A.2 数据获取A.2.1 ⼯艺参数的确定A.2.2 阈值电压的确定A.2.3 场效应迁移率的确定A.2.4 器件开关⽐的确定A.2.5 亚阈值斜率的确定A.3 模型参数的优化A.3.1 薄膜晶体管等效电路A.3.2 氢化⾮晶硅器件模型A.3.3 低温多晶硅器件模型A.4 模型参数提取A.4.1 提取⼯具简介A.4.2 模型参数提取实例1.氢化⾮晶硅器件模型参数提取2.低温多晶硅器件模型参数提取3.优化策略定义附录B ⾯板设计流程与验证⼯具B.1 设计流程概述B.1.1 设计数据管理⼯具B.1.2 电路原理图设计B.1.3 电路仿真B.1.4 版图设计B.2 版图验证B.2.1 DRC验证B.2.2 ERC验证B.2.3 LVS验证B.2.4 LVL验证思维导图防⽌博客图床图⽚失效,防⽌图⽚源站外链:)思维导图在线编辑链接:。
tft-lcd工艺
tft-lcd工艺TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是现代平面显示器的一种主流技术,广泛应用于智能手机、电视、电脑显示器等各种设备中。
TFT-LCD工艺是制造TFT-LCD的一系列技术过程,包括掩膜制作、刻蚀、沉积薄膜等多个步骤。
本文将对TFT-LCD工艺进行详细介绍。
TFT-LCD工艺通常由以下几个步骤组成:第一步是掩膜制作。
在TFT-LCD的生产过程中,需要使用金属掩膜来定义每个像素的位置。
通过光刻技术,将金属掩膜上的图案转移到底片上,形成像素点的排列。
这个步骤的关键是确保掩膜的制作精度和稳定性。
第二步是刻蚀。
刻蚀是将底片上金属掩膜之外的区域去除,只保留需要的图案。
这可以通过化学或物理的方式完成。
刻蚀是整个工艺中最关键的一步,任何偏差都可能导致显示器的质量问题,因此需要非常精确和细致的处理。
第三步是沉积薄膜。
TFT-LCD中的薄膜分为多层,包括背板、栅极、源极、漏极等各种功能层。
通过化学气相沉积或物理气相沉积技术,可以将这些薄膜一层层地覆盖在底片上。
每层薄膜的厚度和性质都需要严格控制,以确保显示器的性能。
第四步是液晶注入和密封。
在前面的步骤中,已经制作好了底板和上层玻璃基板。
这两个基板之间需要注入液晶,然后密封起来,形成显示器的组装。
液晶注入需要在无尘室条件下进行,以防止杂质进入液晶层。
密封需要使用高精度的设备确保两个基板之间的间隙均匀。
第五步是后道工艺。
后道工艺主要包括退火、切割、组装等步骤。
退火是为了改善TFT电流和透光率的特性,提高显示器的性能。
切割是将大尺寸的面板切割成小尺寸的显示器,方便后续的组装。
组装包括贴合触摸屏、封装等过程,将显示器组装成最终的产品。
总之,TFT-LCD工艺是一项十分复杂而精密的技术。
它需要高度纯净的生产环境、精密的设备和高水平的技术人员来完成。
通过掩膜制作、刻蚀、沉积薄膜、液晶注入和密封、后道工艺等多个步骤,可以制造出高性能、高品质的TFT-LCD显示器。
tft-lcd原理与技术
tft-lcd原理与技术TFT-LCD原理与技术TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是一种常见的显示技术,广泛应用于各种电子产品中,如手机、平板电脑、电视等。
本文将介绍TFT-LCD的原理与技术,帮助读者理解这一显示技术的工作原理和特点。
TFT-LCD是由薄膜晶体管和液晶层组成的。
薄膜晶体管是一种电子器件,可以控制液晶层中的液晶分子的排列状态,从而实现像素点的亮与暗的切换。
液晶层由液晶分子组成,这些分子可以通过电场的作用改变其排列方式,从而改变光的透过性。
TFT-LCD的工作原理是基于液晶分子的光学特性。
当电场施加在液晶层上时,液晶分子会发生排列变化,使得光通过液晶层时发生偏振。
通过调整电场的强度和方向,可以控制液晶分子的排列,从而控制光的透过性。
这样,当电场作用在某个像素点上时,该像素点就会变亮或变暗。
TFT-LCD技术在制造过程中需要采用多种材料和工艺。
首先,需要使用透明导电材料制作出薄膜晶体管。
常用的材料有氧化铟锡(ITO)等。
然后,通过光刻工艺和化学蚀刻等步骤,将这些材料制作成薄膜晶体管的结构。
接下来,液晶层的制作是关键步骤之一。
液晶层由两片玻璃基板组成,中间夹着液晶材料。
在液晶材料中,还需要加入对齐剂等物质,以控制液晶分子的排列方向。
最后,通过封装工艺,将薄膜晶体管和液晶层组装在一起,形成最终的显示器件。
TFT-LCD的优点之一是可以实现高分辨率和高色彩饱和度。
由于每个像素点都有独立的薄膜晶体管控制,因此可以实现更高的像素密度和更细腻的图像显示。
此外,TFT-LCD还具有响应速度快、视角广、功耗低等优点,使其成为了电子产品中最主流的显示技术之一。
然而,TFT-LCD也存在一些局限性。
例如,TFT-LCD在观看角度较大时会出现颜色变化和对比度下降的问题,这被称为视角效应。
此外,TFT-LCD在显示快速运动的图像时,可能会出现残影现象,影响图像的清晰度。
为了解决这些问题,一些改进技术也被应用于TFT-LCD中,如IPS(In-Plane Switching)和VA(Vertical Alignment)等。
tft的原理及应用
TFT的原理及应用1. TFT的概述薄膜晶体管(Thin Film Transistor),简称TFT,是一种使用于液晶显示器的关键技术。
TFT技术逐渐取代了传统的CRT显示器,成为现代平面显示器的主流技术。
2. TFT的原理TFT利用带有薄膜晶体管的透明衬底来控制液晶的亮度和颜色。
其原理如下:•薄膜晶体管(TFT):TFT是一个特殊的晶体管,由一层薄膜材料制作而成。
它是一种用于电子设备的半导体器件,用于控制电流的通过情况。
•液晶屏幕:液晶屏幕是由若干液晶单元组成,每个液晶单元由两个电极之间夹带液晶分子的层构成。
当通过液晶单元的电流改变时,液晶分子会变换排列方式,从而改变光的传输性质。
•控制信号:TFT的关键是能够控制液晶分子的排列方式。
通过控制TFT的电流,可以改变液晶屏幕的亮度和颜色。
3. TFT的应用领域TFT技术已广泛应用于多个领域,下面列举了一些主要的应用领域:3.1 电子显示器•智能手机和平板电脑:TFT技术在智能手机和平板电脑上的应用非常普遍。
高分辨率、高亮度、高对比度的液晶显示屏成为这些设备的主要特征之一。
•笔记本电脑:大多数笔记本电脑也采用了TFT技术,以实现更好的显示效果。
•电视和投影仪:大型液晶电视和投影仪也广泛采用TFT技术,以提供更真实、清晰的图像。
3.2 工业控制由于TFT技术具有快速响应时间和广视角的特点,因此它在工业控制系统中得到了广泛应用。
TFT屏幕通常用于显示监控数据、生产数据和控制界面。
3.3 医疗设备医疗设备广泛使用TFT技术来显示患者信息、图像和监护数据。
例如,多参数监护仪和医疗成像设备都使用了TFT屏幕。
3.4 车载设备许多汽车配备了TFT显示屏,用于显示导航、媒体播放和车辆信息。
TFT技术可以提供良好的视觉效果和易于操作的用户界面。
4. TFT的优势和挑战TFT技术作为平面显示器的主流技术之一,具有以下优势和挑战:4.1 优势•高分辨率和良好的色彩表现能力,提供更清晰、真实的图像。
TFT-LCD显示原理介绍
混色效果 分別控制RGB dot亮度 ,自由组成各种图案
三角形越大所能显示的颜色越丰富
TFT LCD的显示方式
Scan Line
ON OFF
OFF OFF
先开启第一行,其余关闭。
TFT 玻璃电极
Data Line
OFF ON
OFF
OFF 接着关闭第一行,电压已经固定,所以显示颜色也已 固定。开启第二行,其余仍保持关闭。依此类推,可 完成整个画面之显示。
特点:视角好,色域高。但是响应时间较慢。功耗较大,成本较TN 屏高。显示模式: Normally black
6.TN技术
TN屏(Twisted Nematic(扭曲向列型)面板) 特点:视角较差,色域低。优点是成本较IPS低,响应时间快,功耗较小。 显示模式: Normally white
7.LVDS信号格式有两种,一种JEIDA的标准,一种是VESA的标准。 JEIDA(日本电子协会)数据格式: 单数据通道:
G
S
D
Scan Data
液晶特性:极性反转驱动
•液晶必须以交流信号驱动;
•长时间持某一极性,液晶分子可能受到破坏,导致出现液晶
极化现象。
VCOM (CF侧电极) --- +++
VCOM ++++
----
+
---
-
Vpixel
+(T+FT+侧电极)
正+极性驱动
Vpixel > Vcom
++++ ----
Vpixel 负极性驱动 Vpixel < Vcom
Frame Inversion
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有重量轻、平板化
薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有重量轻、平板化、低功耗、无辐射、显示品质优良等特点,其应用领域正在逐步扩大,已经从音像制品、笔记本电脑等显示器发展到台式计算机、工程工作站(EWS)用监视器。
对液晶显示器的要求也正在向高分辨率、高彩色化发展。
由于CRT显示器和液晶屏具有不同的显示特性,两者的显示信号参数也不同,因此在计算机(或MCU)和液晶屏之间设计液晶显示器的驱动电路是必需的,其主要功能是通过调制输出到LCD电极上的电位信号、峰值、频率等参数来建立交流驱动电场。
本文实现了将VGA接口信号转换到模拟液晶屏上显示的驱动电路,采用ADI公司的高性能DSP芯片ADSP-21160来实现驱动电路的主要功能。
硬件电路设计AD9883A是高性能的三通道视频ADC可以同时实现对RGB三色信号的实时采样。
系统采用32位浮点芯片ADSP-21160来处理数据,能实时完成伽玛校正、时基校正、图像优化等处理,且满足了系统的各项性能需求。
ADSP-21160有6个独立的高速8位并行链路口,分别连接ADSP-21160前端的模数转换芯片AD9883A和后端的数模转换芯片ADV7125。
ADSP-21160具有超级哈佛结构,支持单指令多操图1 系统硬件原理框图本设计采用从闪存引导的方式加载DSP的程序文件,闪存具有很高的性价比,体积小,功耗低。
由于本系统中的闪存既要存储DSP程序,又要保存对应于不同的伽玛值的查找表数据以及部分预设的显示数据,故选择ST公司的容量较大的M29W641DL,既能保存程序代码,又能保存必要的数据信息。
图2为DSP与闪存的接口电路。
因为采用8位闪存引导方式,所以ADSP-21160地址线应使用A20~A0,数据线为D39~32,读、写和片选信号分别接到闪存相应引脚上。
图2 DSP和Flash的接口电路系统功能及实现本设计采用ADSP-21160完成伽玛校正、时基校正、时钟发生器、图像优化和控制信号的产生等功能。
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薄膜晶体管液晶显示器技术简介15英吋的TFT-LCD薄膜晶体管液晶显示器英文名是Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD 是英文字头的缩写。
薄膜晶体管液晶显示器技术是一种微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的技术。
把单晶上进行微电子精细加工的技术,移植到在大面积玻璃上进行薄膜晶体管(TFT)阵列的加工,再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板,利用与业已成熟的液晶显示器(LCD)技术,形成一个液晶盒,再经过后工序如偏光片贴覆等过程,最后形成液晶显示器件。
TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器, Thin film transistor liquid crystal display)是多数液晶显示器的一种,它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。
虽然TFT-LCD被统称为LCD,不过它是种主动式矩阵LCD。
它被应用在电视、平面显示器及投影机上。
简单说,TFT-LCD皮肤可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶,上层的玻璃基板是与彩色滤光片(Color Filter)、而下层的玻璃则有晶体管镶嵌于上。
当电流通过晶体管产生电场变化,造成液晶分子偏转,藉以改变光线的偏极性,再利用偏光片决定像素(Pixel)的明暗状态。
此外,上层玻璃因与彩色滤光片贴合,形成每个像素(Pi xel)各包含红蓝绿三颜色,这些发出红蓝绿色彩的像素便构成了皮肤上的图像画面。
TFT-LCD结构。
薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。
TFT-LCD显示屏,包括阵列玻璃基板、彩色滤光膜以及液晶材料。
阵列玻璃基板制备工艺是:用三个光刻掩膜板,首先在玻璃基板上连续淀积ITO膜(厚20~50n m)和Cr膜(厚50~100nm),并光刻图形,然后连续淀积绝缘栅膜SiN:(厚约400n m),再本征a-Si(厚50~100n m)和n+a-Si层,并光刻图形(干法)淀积Al 膜,光刻漏源电极,最后以漏源电极作掩膜,自对准刻蚀象素电极上的Cr膜和TFT源漏之间n+a-Si膜。
这就是TFT反交错结构的简单制造工艺。
下一步是:在玻璃基板上涂布聚酰亚胺取向层,用绒布沿一定方向摩擦,使取向层表面形成方向一致的微细沟道,控制液晶分子定向排列。
在保证两块玻璃基板上下取向槽沟的槽方向正交的条件下,将两块玻璃基板上下密封成一个盒,盒间隙一般只有几个微米(如10μm),然后抽真空封灌液晶材料。
彩色滤光膜(Color Filter)简称CF。
TFT-LCD的彩色显示,实际是通过阵列基板的光,照射在彩膜上,显示屏就能显示颜色。
彩色滤光膜(如同着色的玻璃纸)可以制作在透明的电极之上(透明电极和液晶层之间),也可制作在透明电极之下(透明电极和玻璃之间),上下玻璃基板与CF膜对准精度非常高,要求CF膜黑白矩阵正好对准ITO象素电极的边缘,CF膜附着在液晶盒表面,然后用两片无色偏振片夹住液晶盒。
彩色显示原理可以简述为:把TFT-LCD的一个象素点分割成红、绿、蓝(R、G、B)三基色,并对应CF膜的RGB,起光阀作用的LCD对透过CF膜的三色光量,进行平衡、调节得到所要的彩色。
穿过CF膜的入射光如果漏射,则会影响TFT-LCD的对比度,所以在间隙处要设置遮光的黑矩阵(B lack Matrix)简称BM。
为了稳定性和平滑性,使用丙烯基树脂和环氧树脂制成厚0.5~2μm的保护层(oe cota)简称OC。
然后在这个保护层上面形成共用电极,即透明电极膜。
BM层通常是由金属铬(Cr)制作,为了降低表面反射,也有用氧化铬(CrOx)或树脂。
金属铬厚度约为1000~1500埃,用树脂、染料或颜料,作为着色层来着色。
每个象素点的着色图形,因TFT-LCD的用途而不同。
如可按条形、玛赛克形、三角形等排列。
CF膜的特性用透过率、色纯度、对比度以及低反射化表示,所以对CF膜的要求是:高透过率和色纯度;高对比度和平整性以及极低的扩散反射。
一.磁控溅射(MCS)溅射是指在反应室中,被电离的正离子在暗区电场的加速下撞击阴极靶,使靶材溅射而淀积在基板上形成薄膜。
磁控溅射(MCS)则是指在阴极靶背后加装磁场,使二次电子在洛仑兹力的作用下被束缚在靶表面。
延长二次电子运动轨迹,使产生更多的正离子来轰击靶,同时消耗了电子能量,具有淀积速率高和温度低两大优点。
MCS 在TFT-LCD 生产中,用于淀积栅电极,源/漏电极和铟锡氧化物(ITO)像素电极。
也用于彩色滤光片(CF)中的淀积,如黑色矩阵和ITO 共用电极的淀积。
淀积的材料则用Ta, Cr, MoTa, MoW, MoAlNd 等。
对淀积工艺的要求是:电阻率低,厚度均匀,光滑,和底层粘附好,台阶覆盖好,应力小,沾污少,不形成小丘,电迁移率小,不起弧等。
目前TFT-LCD 生产使用的MCS 设备供应商有ULVAC,Unaxis, AKT 等公司。
其中ULVAC 公司在2006 年占全部市场的94%。
靶的供应商则有NIKKO 公司。
一条7 代生产线就需要8 台MCS 设备。
每台的价格大约为1050 万美元。
目前TFT-LCD 生产使用的MCS 设备供应商有ULVAC,Unaxis, AKT 等公司。
其中ULVAC 公司在2006 年占全部市场的94%。
靶的供应商则有NIKKO 公司。
一条7 代生产线就需要8 台MCS 设备。
每台的价格大约为1050 万美元。
液晶材料。
据不完全统计,可以作液晶材料的高分子化合物,已超过1万种。
用一种液晶材料通常很难满足器件要求的温度范围、弹性系数、介电常数、折射率各向异性以及粘度等主要技术指标,工程上必须用混合液晶来调制物理性能。
常用的具有代表性的液晶材料,按分子排列方向不同可分成三大类:一类是向列相液晶。
这种液晶材料,分子长轴平行,分子除转动滑动外,还可以上下移动;二是胆甾相液晶。
这种液晶材料,分子在不同的平面上取向,在同一平面上,分子长轴平行各平面的指向矢,并逐层扭转呈螺旋变化;三是近相晶液晶。
这种液晶材料,分子排列为层状,各层的分子长轴平行,可以相互平行移动,但分子在层与层之间不能自由滑动。
液晶材料的主要特点是:具有细长分子结构,在和分子指向矢垂直和平行两个方向,其层电率、介电常数、折射率均不相同,并随温度和驱动频率等外界条件而变化。
另外,折射率各向异性大,在产生同样光学效应的情况下,可以使液晶盒变薄。
相同电压下的电场强度就能加快液晶盒的响应速度。
TFT-LCD背光源。
液晶本身并不发光,外部必须施加照射光,这种外部照射光称为背光源。
液晶显示器的背光源,按液晶显示面与光源的相对位置,大体上可分为边缘式、直下式和自发光式三种。
白炽灯、白卤素灯为点光源,荧光灯(热阴极、冷阴极)为线光源,电致发光(EL)以及矩阵式发光二极管为面光源。
边缘式背光源是在显示区的侧面,装配线光源的荧光灯。
为了确保显示区亮度的均匀性,边缘式背光源均采取集光和导光措施。
集光是为有效地使入射光能从一个侧面射出去,导光是将集光射出的光进行反射,使之成为平面光源;直下式背光源是在显示区的正下方,装配1只或几只并排的冷阴极灯,在冷阴极灯的上面同时装配漫散射板,以消除冷阴极灯造成的斑点;自发光式背光源是在显示区的下方,装配电致发光板。
电致发光为面发光,可整面均匀发光且没有斑点,发光颜色为绿、蓝、白,亮度为30~100尼特。
TFT-LCD背光源的发展趋势是:大画面、高亮度、广视角以及薄型化、轻量化、低功耗化和低价格化。
TFT-LCD驱动电路。
为了显示任意图形,TFT-LCD用m×n点排列的逐行扫描矩阵显示。
在设计驱动电路时,首先要考虑液晶电解会使液晶材料变质,为确保寿命一般都采用交流驱动方式。
已经形成的驱动方式有:电压选择方式、斜坡方式、DAC方式和模拟方式等。
由于TFT-LCD主要用于笔记本电脑,所以驱动电路大致分成:信号控制电路、电源电路、灰度电压电路、公用电极驱动电路、数据线驱动电路和寻址线驱动电路(栅极驱动I C)。
上述驱动电路的主要功能是:信号控制电路将数字信号、控制信号以及时钟信号供给数字IC,并把控制信号和时钟信号供给栅极驱动IC;电源电路将需要的电源电压供给数字IC和栅极驱动IC;灰度电压电路将数字驱动电路产生的10个灰度电压各自供给数据驱动;公用电极驱动电路将公用电压供给相对于象素电极的共用电极;数据线驱动电路将信号控制电路送来的RGB信号的各6个比特显示数据以及时钟信号,定时顺序锁存并续进内部,然后此显示数据以6比特DA变换器转换成模拟信号,再由输出电路变换成阻抗,供给液晶屏的数据线;栅极驱动电路将信号控制电路送来的时钟信号,通过移位寄存器转换动作,将输出电路切换成ON/OFF电压,并顺次加到液晶屏上。
最后,将驱动电路装配在TAB(自动焊接柔性线路板)上,用ACF(各向异性导电胶膜)、TCP(驱动电路柔性引带)与液晶显示屏相连接。
TFT-LCD工作原理。
首先介绍显示原理。
液晶显示的原理基于液晶的透光率随其所施电压大小而变化的特性。
当光通过上偏振片后,变成线性偏振光,偏振方向与偏振片振动方向一致,与上下玻璃基板上面液晶分子排列顺序一致。
当光通过液晶层时,由于受液晶折射,线性偏振光被分解为两束光。
又由于这两束光传播速度不同(相位相同),因而当两束光合成后,必然使振光的振动方向发生变化。
通过液晶层的光,则被逐渐扭曲。
当光达到下偏振片时,其光轴振动方向被扭曲了90度,且与下偏振片的振动方向保持一致。
这样,光线通过下偏振片形成亮场。
加上电压以后,液晶在电场作用下取向,扭曲消失。
这时,通过上偏振片的线性偏振光,在液晶层不再旋转,无法通过下偏振片而形成暗场。
可见液晶本身不发光,在外光源的调制下,才能显示,在整个显示过程中,液晶起到一个电压控制的光阀作用。
TFT-LCD的工作原理则可简述为:当栅极正向电压大于施加电压时,漏源电极导通,当栅极正向电压等于0或负电压时,漏源电极断开。
漏电极与ITO象素电极连结,源电极与源线(列电极)连结,栅极与栅线(行电极)连结。
这就是TFT-LCD的简单工作原理。
TFT-LCD的关键技术。
TFT-LCD的关键技术很多,主要有以下几个大的方面:一是提高开口率技术。
开口率指TFT-LCD显示屏光透过部分和不透过部分之比,开口率越大,亮度越高。
影响开口率的主要是栅和源总线宽度、TFT尺寸、上下基板对盒精度、存贮电容尺寸及黑矩阵尺寸等。
为了提高开口率,采取的办法是:将黑白矩阵和彩膜都做在TFT基板上,此办法避免了对盒精度引起的开口率下降,但成品率不是很高,成本也会相应加大。
另外就是栅源总线,采用集成电路微加工技术。
90年代TFT矩阵微加工约10μm,开口率为35%,微加工达到5μm时,开口率为80%。