模电模拟试卷

《模拟电子技术》

模拟试题一

一．填充题（每空1分，共20分）

1．在本征半导体中，有 和 两种载流子。

2．与反向偏置相比，正向偏置时PN 结的宽度 、等效电阻 。

3．晶体管工作在放大区时，要求发射结 向偏置、集电结 向偏置。

4．在晶体管三种基本放大电路中，输入电压与输出电压同相并具有电压放大能力的是共 放大电路，没有电压放大能力的是共 放大电路。

5．在多级放大电路中常用的三种耦合方式中，只能放大交流信号的耦合方式有 耦合和 耦合两种。

6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻E R ，可以使电路的 电压放大倍数降低， 提高。

7．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是 平衡条件和 平衡条件。

8．在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在 或 状态。

9．组成正弦波振荡器的电路单元除了有放大电路、正反馈网络外，还有 和 。

10．整流电路的功能是将交流电压转换成 电压，滤波电路主要用来滤除整流电路输出中的 。

二．分析计算题（共80分）

1．（12分）电路如附图1.1所示，已知I U =18V ，硅稳压管Z D 的稳定电压Z U =10V ，

动态电

阻Z r 可以忽略。试求：

（1）O U 、O I 、I 、Z I 的值；

（2）当负载电阻值减小一半，即L R =0.5k Ω时的O U 、O I 、I 、Z I 的值。

2．（16分）电路如附图1.2所示，已知T 的BE U =18V 、β=100、'bb r =300Ω。试求静态工作点及u A 、i R 、o R 的值。

3．（14分）电路如附图1.3所示，已知集成运放A 性能理想，T 1和T 2的特性一致，CES U 可以忽略。

（1）请说出2R 引入的是哪种反馈？

（2）试求该电路的电压放大倍数i o u /U U A =的值。

（3）若t)V 3140(sin 414.1i =u ，试求输出功率o P 、功放级的电源消耗功率V P 和效率η。

4．（14分）电路如附图1.4所示，已知T 1和T 2的性能一致，β=100、'bb r =300Ω、BE U =0.6V 。试求：

（1）C1Q I 、C1Q U ；

（2）ud A 、id R 、o R 、uc A 及CMR K 。

5．（8分）电路如附图1.5所示，设集成运放性能理想。试推导电路

i o u /U U A =及P

f 的表达式，并判断这是一个什么类型的滤波电路。

6．（6分）电路如附图1.6所示，设运放性能理想，直流输入电压I U =2V 。试求：

（1）S 1、S 2均闭合时的O U 值；

（2）S 1、S 2均断开时的O U 值；

（3）S 1闭合、S 2断开时的O U 值。

7．（10分）如附图1.7（a ）、（b ）所示两个部分电路，参数选择合理。试说出如何连接这两个部分电路的有关端子，使其构成一个电容三点式正弦波振荡电路。

《模拟电子技术》

模拟试题二

一．填充题（每空1分，共20分）

1．掺杂半导体有 型半导体和 型半导体两类。

2．PN 结的电容效应用 电容和 电容等效。

3．当温度升高时，晶体管的 和CBO I ；BE u （B i 不变) 。

4．基本放大电路的非线性失真包括 失真和 失真。

5．直接耦合放大电路有两个特殊问题，它们是 和 。

6．为了使放大电路的o R 增大应引入 反馈；深反馈的条件是 。

7．文氏电桥正弦波振荡电路用 网络选频，当电路产生正弦波振荡时，该网络反馈系数的模F = 。

8．乙类互补推挽功率放大电路的静态功耗为 ，在理想情况下的最高能量转换效率可达到 。

9．运放组成的方波-三角波发生器由 和 两个单元电路组成。

10．在整流电路的输入电压相等的情况下，半波、全波、桥式三种整流电路中，输出电压平均值最低的是 整流电路，二极管承受反向电压最高的是 整流电路。

二．分析计算题（共80分）

1．（9分）电路如附图2.1所示，设T 的DSS I =2mA 、GS(off)U =－5V 。试求：GSQ U 、DQ I 、DSQ U 值。

2．（12分）电路如附图2.2所示，设集成运放A 性能理想。试问4R 引入什么反馈？并求O u 的表达式。

3．（12分）电路如附图2.3所示，设T 1、T 2的特性完全对称，β=120、BE U = 0.6V ，开关S 闭合。试求：（1）R I 、C2I 值；

（2）若将开关S 打开，经过多少时间后，O u 下降到7.8V 。

4．（18分）电路如附图2.4所示，已知T 为3DG4A 型硅管，β=50、'bb r =80Ω，

1C 、2C 、e C 的电容量均足够大。试求： （1）BQ U 、CQ I 、CEQ U 值；（2）i o u /U U A =、s o us /U U A =、i R 及o R 值。

5．（11分）一个尚未设计完成的文氏电桥振荡器及三个未接入的元件如附图2.5所示，已知灯泡t R 的冷态电阻小于1k Ω。

（1）请将1R 、2R 、t R 接到应接的位置完成这一电路设计。

（2）求出该文氏电桥振荡器的振荡频率0f 。

6．（6分）电路如附图2.6所示，已知I U ＝40V ，W I 可忽略。试求O U 值。

7．（12分）电路如附图2.7所示，设集成运放A 性能理想，硅稳压管Z D 的正向导通电压DF U =0.7V ，稳定电压Z U =5V ，Z r 可以忽略，R U =6V 。

（1）请问A 组成的是单门限比较器还是多门限比较器？

（2）计算该比较器的门限电压th U 值，并画出该比较器的电压传输特性曲线。

模拟试题三

一．填充题（每空1分，共20分）

1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于 ；当杂质浓度一定时，少数载流子的浓度与 有关。

2．就PN 结的结电容大小进行比较，正向偏置时比反向偏置时的结电容 ；就PN 结的结电容对性能影响，正向偏置时比反向偏置时的影响 。