模拟电子技术试题库(2012电信参考)

5. 放大电路的级数越多，频带越
。（填“宽”或“窄”）
6. 为了改善单管放大电路的低频特性，需
下限频率，
上限频率。（填“降低”或“增
大”）
第六章：
1. 为了稳定放大倍数，应引入
负反馈。
2. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入
负反馈。
3. 为了增大放大电路的输出电阻，应引入
负反馈。
第七章：
1. 欲将正ห้องสมุดไป่ตู้波电压转换成二倍频电压，应选用
1. 多级放大电路有四种常见的耦合方式，即
、
、
和
。
2. 直接耦合放大电路的优点是
。
3. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是
第四章：
1. 集成运放的第一级中通常采用电流源作为有源负载，其目的是为了
2. 集成运放的输出级通常采用U be 倍增电路。其目的是为了
。
。 。
3. 若将集成运放理想化，则差模输入信号 rid =
与
之比。
3. 在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有
。
第十章：
1. 单相半波整流电路输出电压的脉动系数 S=
。
2. 在直流电源中，当变压器副边电压有效值 U 2 =20V 时，单相半波整流电路的输出电压平均值
U o(AV) ≈
V，若负载电阻 RL =20 ，则负载电流平均值 I o(AV)
一、选择题： 第一章： 1.PN 结加正向电压时，空间电荷将（ ）。
A. 变窄
B. 基本不变
C. 变宽
2.PN 结加反向电压时，空间变电荷区将（ ）。
A. 变宽
B. 变窄
C. 基本不变
3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成 P 型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。
B. 变为半波整流
C. 整流管将因电流过大而烧坏
5. 型号为 W78L09 的三端稳压器，其输出电压为（ ），输出电流为（ ）。
A. +9V，0.1A
B. +9V，0.5A
C. －9V，0.1A
D. －9V，0.5A
6. 型号为 W79M09 的三端稳压器，其输出电压为（ ），输出电流为（ ）。
A. +9V，0.1A
第五章：（4 分）
1. 已知某共射放大电路的波特图如下图所示，试写出 Au 的表达式。
2. 已知某电路的幅频特性如下图所示，试问： （1）该电路的耦合方式； （2）该电路由几级放大电路组成； （3）当 f ＝104 Hz 时，附加相移为多少？当 f ＝105 Hz 时，附加相移又约为多少？
（4）试写出 Au 的表达式，并近似估算该电路的上限频率 f H。
3. 已知某共射放大电路的波特图如下图所示，试写出 Au 的表达式。
第六章：（8 分） 1．判断下图中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引入了 交流负反馈，判断引入了哪种组态。并估算此电路在理想运放条件下的电压放大倍数。
2．判断下图电路中是否引入了反馈，是直流反馈还是交流反馈，是正反馈还是负反馈，如果电路引 入了交流负反馈，判断引入了哪种组态。并估算此电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数。
极静态电流均为 0.5mA。 （1）Re 的值应为多少？T1 管和 T2 管的管压降 UCEQ 分别等于多少？ （2）计算 Au、Ri 和 Ro 的数值（设共模输出电压可忽略不计）
4、电路如下图所示， T1 管和 T2 管的 β 均为 50，rbb`均为 300Ω，毫安表满 偏 电 流 为 100µA。试 计 算 ：（ 1）每 个 管 子 的 静 态 电 流 IB 和 IC 值（ UBE=0.7V）。 （2）为使毫安表满偏需加入的输入电压 uI 是多少？
A. u DS > uGS -U GS(th)
U B. u DS < uGS - GS(th)
7. 下图中，哪种接法不能构成复合管？ （ ）
U C. u DS = uGS - GS(th)
第三章：
1. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。
A. 便于设计
B. 放大交流信号
C. 不易制作大容量电容
A.都使输出电压大于输入电压 B.都使输出电流大于输入电流
C.都使输出功率大于信号源提供的输入功率
3.功率放大电路与电压放大电路的区别是（ ）。
A.前者比后者电源电压高
B.前者比后者电压放大倍数数值大
C.前者比后者效率高
第十章：
1. 整流的目的是（ ）。
A. 将交流变为直流
B. 将高频变为低频 C. 将正弦波变为方波
， ro =
。
第五章： 1. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 2. 放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是
3. 对于单管共射放大电路，当 f ＝ fL 时，U o 与U i 相位关系是
。 。
。
4. 对于单管共射放大电路，当 f ＝ fH 时，U o 与U i 相位关系是
。
2. 选用差分放大电路的原因是（ ）。
A. 克服温漂
B. 提高输入电阻
C. 稳定放大倍数
3. 差分放大电路的共模信号是两个输入端的信号的（ ）。
A. 差
B. 和
C. 平均值
第四章：
1. 通用型集成运放适用于放大（ ）。
A. 高频信号
B. 低频信号
C. 任何频率信号
2. 集成运放制造工艺使得同类半导体管的（ ）。
(1) 求电路的 Q 点、 Au、Ri 和 Ro。 （2）若电容 Ce 开路，求电路的 Au、Ri 和 Ro。要求分别画出电路的直流通路和交流等效电路。
3. 电路如图所示，晶体管的 ＝60，UBE＝0.7V， rbb ＝100 。
（1）求解 Q 点、 Au、Ri 和 Ro。要求分别画出电路的直流通路和交流等效电路。 (2) 设 Us＝10mV（有效值），则 Ui＝?,Uo＝? 若 C3 开路，则 Ui＝?,Uo＝？
，二是
。
2. 对于直流通路，电容视为
；对于交流通路，无内阻的直流电源视为
。（填“开
路”或“短路”）
3. 晶体管共射 h 参数等效模型只能用于放大电路
动态小信号参数的分析。（填“低频”
或“高频”）
4.用直流电子电压表测得各三极管在放大电路中各管脚对地电位如表所示，判断三极管的电极，管
型及所用材料。
第三章：
A、电流串联 C、电流并联
B、电压串联 C、电压并联
第八章：
1. 在正弦波振荡电路中，当信号频率 f = f 0 时，RC 串并联网络呈（ ）。
A. 容性
B. 阻性
C. 感性
2. 在正弦波振荡电路中，为了使反馈信号能够取代输入信号，电路中必须（ ）。
A. 开环
B. 引入正反馈
C. 引入负反馈
3. 已知下图所示方框图输出的波形如图所示，则电路 2 为（ ）。
B. +9V，0.5A
C. －9V，0.1A
D. －9V，0.5A
二、填空题
第一章：
1. PN 结的结电容是
电容和
电容之和。
2. 使晶体管工作在放大状态的外部条件是
。
3. 从输出特性曲线可以看出，晶体管有三个工作区域，即
、
和
。
4. 某电路中一只 NPN 型晶体管三个极的直流电位分别为 UB＝1V，UE＝0.3V，UC＝0.7V，则该管子
约为（ ）。
A. 1
B. 86
C. 90
5. 对于 n 沟道增强型 MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。
A. u DS > uGS -U GS(th)
U B. u DS < uGS - GS(th)
U C. u DS = uGS - GS(th)
6. 对于 n 沟道增强型 MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在可变电阻区。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。
A. 不变
B. 左移
C. 右移
6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。
A. 正向导通
B. 反向截止
C. 反向击穿
第二章：
1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。
A. 共射电路
B. 共集接法
C. 共基接法
A. 指标参数准确
B. 参数不受温度影响
C. 参数一致性好
3. 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级采用（ ）。
A.共射放大电路
B.共集放大电路
C.共基放大电路
第六章：
1. 欲减小电路从信号源索取的电路，增强带负载能力，应在放大电路中引入（ ）负反馈。
A. 电压并联
B. 电压串联
C. 电流并联
D. 电流串联
四、综合计算题 第二章：（16 分）
1. 电路如下图所示，晶体管的 ＝100，rbb ＝100 ，UBE＝0.7V，分别计算 RL＝ 和 RL＝5k 时
的 Q 点、 Au、Ri 和 Ro。要求分别画出该电路的直流通路和交流等效电路。
2. 电路如下图所示，晶体管的 =100，UBE＝0.7V， rbb ＝100 。
电路1U01 电路2 U02
A. 正弦波振荡电路
B. 同相输入的过零比较器
C. 反相输入的积分运算电路
第九章：
1.功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可获得
的最大（ ）。
A.交流功率 B.直流功率 C.平均功率
2.功率放大电路与电压放大电路，电流放大电路的共同点是（ ）。