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1.Base
2.Emitter
3.collector Unit:mm
SOT-23
2N7002
1GATE 2SOURCE 3DRAIN
Marking
Features
High density cell design for low R DS(ON)Voltage controlled small signal switch Rugged and reliable
High saturation current capability
Electrical Characteristics Ta =25
Absolute Maximum Ratings Ta=25
N-Channel
Enhancement
MOSFET
■ Typical Characterisitics
1
2
4
6
8
Transfer Characteristics
0.3
0.03
S O U R C E C U R R E N T I
(A )
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE V (V)
Output Characteristics D R A I N C U R R E N T I
(A )
O N -R E S I S T A N C E R
(Ω)
2N7002
N-Channel Enhancement MOSFET