6类场效应管
5000种场效应管参数
5000种场效应管参数场效应管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路。
与双极性晶体管相比，场效应管具有较高的输入阻抗和较低的功耗。
根据不同的应用需求，场效应管有很多不同的参数。
以下是5000种场效应管的一些常见参数：1.管子类型：场效应管分为N型和P型两种类型。
N型场效应管是以负电压作用于栅极时导通，而P型场效应管是以正电压作用于栅极时导通。
2.最大漏极电流：场效应管可以通过的最大漏极电流。
不同型号的场效应管具有不同的最大漏极电流。
3.开启电压：场效应管进入导通状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的开启电压。
4.截止电压：场效应管进入截止状态所需的门源电压。
不同型号的场效应管具有不同的截止电压。
5.静态漏极电阻：当场效应管工作在饱和状态时，漏极电压变化与漏极电流之间的比值。
6.转导电导：场效应管的输出电流和输入电压之间的比例关系。
7.最大功耗：场效应管能够承受的最大功率。
8.响应时间：场效应管从关态到开态或开态到关态的响应时间。
9.管脚电容：场效应管各管脚之间的电容。
10.峰值电压：场效应管可以承受的最大电压。
此外，还有许多其他参数，如漏极反向电流、漏极与源极之间的电阻、起始电流、迁移率、温度系数等，这些参数也是来描述场效应管性能的重要指标。
需要注意的是，由于场效应管有很多不同型号，每种型号的参数都有所不同。
因此，在实际应用中，需要根据具体的需求选择合适的场效应管型号。
以上仅列举了一小部分场效应管的参数，实际上还有许多其他参数。
场效应管参数对照表
场效应管参数对照表场效应管（Field Effect Transistor，简称FET），是一种常用的半导体器件，其工作原理基于场效应。
场效应管分为两种基本类型：N-沟道型场效应管（N-channel FET）和P-沟道型场效应管（P-channel FET）。
场效应管有着很多特性参数，下面是场效应管常见参数的对照表。
1. 驱动电压（Vds）：场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差，也成为漏极与源极之间的电压。
该驱动电压决定了场效应管的导通与截止，一般用正参考电压。
2. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的初始电压，也就是漏极电流开始出现的电压。
阈值电压决定了FET是否在导通状态，一般用负参考电压。
3.漏极电流（Id）：漏极电流是指通过场效应管漏极的电流，当驱动电压大于阈值电压时，场效应管导通，漏极电流会随之增加。
4. 器件尺寸（Size）：场效应管的尺寸通常由器件的长度（L）和宽度（W）决定。
尺寸越大，场效应管的漏极电流也越大。
5. 开关速度（Switching Speed）：场效应管的开关速度指的是从导通到截止或者从截止到导通的反应时间。
开关速度快的场效应管适用于高频应用。
6. 衰减（Attenuation）：场效应管的衰减是指信号经过场效应管后的信号衰减量。
7. 耐压（Vdss）：耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大电压。
一般情况下，Vdss会比驱动电压Vds的值要大。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指场效应管输入端的容量。
输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。
9. 输出电阻（Rds）：输出电阻是指场效应管导通状态下，漏极与源极之间的等效电阻。
输出电阻越小，对负载输出能力越强。
10. 控制源电压（Vgs）：控制源电压是指场效应管的栅极电压，通过改变栅极电压，可以控制场效应管的导通与截止。
以上是几个常见的场效应管参数对照表。
不同应用场景的场效应管参数有所不同，使用时需根据具体需求来选择合适的场效应管。
场效应管
D (mA) 可变电阻区
i
uGS= 0V uGS = -1V uGS = -2V uGS= -3V
u
DS
时,iD 是 vDS 的线性函数，
管子的漏源间呈现为线
性电阻，且其阻值受 vGS
控制。 （2）管压降vDS 很小。
沟道未 夹断
用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态
的电子开关。
gm
VDS
2、 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为
0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。
vDS 3、 输出电阻rd：rd iD
三、极限参数
VGS
1、 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流 的上限值。
2、 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。
3、当vGD< VGS(off)时，vGS对iD的控制作用
当vGD = vGS - vDS <VGS(off) 时，即vDS > vGS VGS(off) > 0，导电沟道夹断， iD 不随vDS 变化 ； 但vGS 越小，即|vGS| 越大，沟道电阻越大，对同 样的vDS ， iD 的值越小。所以，此时可以通过改变
③ 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电
阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小，
但易受静电影响。
④ 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后 特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特 性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要 注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬 底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互 换使用。
JFET 结型
9.2 结型场效应管
一、结型场效应管的结构
场效应管(建议看)
0V –1V –2V uGS = – 3 V
uDS
IDSS
可 变 电 阻 区
预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）
恒 流 区
击 穿 区
i D gm U GS
夹断电压
夹断区（截止区）
夹断电压为负
∴栅源电压越负，电流iD越小。
①夹断区： i D 0 UGS<UGS(off) ②可变电阻区(预夹断轨迹左边区域）：
之间的函数关系，即
iD f (uGS ) |U DS 常数
N沟道结型场效应管UGS=0时，存在导电沟道，电流最大；
栅源之间加负向电压UGS＜0直至沟道消失，电流为零。
UGS=0V -1V -2V -3V 夹断电压
U GS ( off ) 0
栅源电压越负，电流越小 恒流区条件：
U GS U GS (off )
3、特性曲线与电流方程
转移特性 输出特性曲线
N沟道增强型MOS管在UGS=0时，无导电沟道，电流为零。
UGS加正向电压至开启电压后，电流随UGS的增大而增大。
VDS 为正的
6V 5V 4V 3V 开启电压
U GS ( th ) 0
栅源电压越正，电流越大 恒流区条件：
U GS U GS (th )
增强型N沟道
耗尽型N沟道
增强型P沟道 耗尽型P沟道
说明：
1、栅极用短线和沟道隔开，表示绝缘栅； 2、箭头：由P区指向N区； 3、虚线：增强型MOS管； 实线：耗尽型MOS管。
二、N沟道增强型MOS管的工作原理
在通常情况下，源极一般都与衬底相连，即UBS=0。 为保证N沟道增强型MOS管正常工作，应保证： ① UGS=0时，漏源之间是两只背向的PN结，不管UDS 极性 如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电 沟道。UGS必须大于0（UGS>0）管子才能工作。 ②漏极对源极的电压UDS必须为正值(UDS>0)。这样在漏 极电压作用下，源区电子沿导电沟道行进到漏区，产 生自漏极流向源极的电流。
常用场效应管的种类与识别
常用场效应管的种类与识别一、什么是场效应管场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）简称场效应管。
这种晶体管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管，它属于电压控制型半导体元件。
具有输入阻抗高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极（闸极）与其他电极完全绝缘而得名。
按沟道半导体材料的不同，场效应管又分为N沟道和P沟道两种。
P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已，这如同三极管有NPN型和PNP型一样。
同普通三极管一样，场效应管也有三个引脚，分别是门极（又称栅极）、源极、漏极3个端子。
场效应管可看做一只普通三极管，栅极（闸极）G对应基极B，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E（N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP晶体管）。
二、常用场效应管的种类与识别目前应用最为广泛的是绝缘栅型场效应管，简称MOS管或简称MOSFET（Met al Oxide Semiconductor FET，即金属-氧化物-半导体场效应管），这里就侧重介绍绝缘栅型场效应管的相关知识与测量方法。
1、常用场效应管的种类（1）小功率场效应管常用的小功率场效应管主要有TO-92封装和SOT-23、SOT-223等封装形式。
采用TO-92封装的场效应管型号常用的有2N7002、BSP254、BS170、1N60等。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
TO-92封装场效应管的实物如图1所示。
图1 TO-92封装场效应管采用SOT-23封装的有代码为K1N、K72、K7A、K7B的2N7002（N沟道）、代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等型号。
这种场效应管主要用在放大、电子开关电路中。
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类：场效应管K1113 管脚排列图：MOS场效应管的检测方法:（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。
交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。
双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。
MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS 器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。
场效应管
U GS 2 I D I DSS (1 ) UP
偏置电路
外加偏置电路
R1和R2提供一个固定栅压
R2 UG ED R1 R 2 R2 E D -I R D S R1 R 2
正常工作
UGS = UG-US
注：要求UG>US，才能提供一个正偏压，增强型管子才能
三种基本放大电路
当UDS增加到UGDUT时， 此时预夹断区域加长，伸向S极。 UDS增加的
部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本
趋于不变。 动画3-3
耗尽型MOS场效应管
N沟道耗尽型MOS场效应管结构
耗尽型MOS管存在 原始导电沟道
+++++++
耗尽型MOS管
1 gm
微变参数
5. 极间电容
主要的极间电容有：
Cgs—栅极与源极间电容 Cgd —栅极与漏极间电容
Cgb —栅极与衬底间电容
Csd —源极与漏极间电容 Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容
场效应管的微变等效电路
低频微变等效电路
由输出特性： ID=f(UGS,UDS)
Δ ID Δ ID Δ ID Δ I DU g0Δ U GS g dsΔ UΔ U GS 0Δ U DS Δ DS mΔ U GS Δ U GS Δ U DS DS
结型场效应管
结型场效应管（JFET)的特性曲线
与MOS的特性曲线基本相同，只不过MOS的栅压可正可负，而结型场效 应三极管的栅压只能是P沟道的为正或N沟道的为负。 转移特性曲线 输出特性曲线
UP
结 型 场 效 应 管
N 沟 道 耗 尽 型
常用全系列场效应管
常用全系列场效应管M OS管型号参数封装资料场效应管分类型号简介封装DIS CRETEMOSFET 2N7000 60V,0.115A TO-92DIS CRETEMOSFET 2N7002 60V,0.2A SOT-23DI SCRET EMOS FETI RF510A 100V,5.6A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF520A 100V,9.2A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF530A 100V,14A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF540A 100V,28A T O-220DIS CRETEMOSFET IR F610A200V,3.3A TO-220DI SCRET EMOS FETI RF620A 200V,5A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF630A 200V,9A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF634A 250V,8.1A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF640A 200V,18A T O-220DIS CRETEMOSFET IR F644A250V,14A TO-220DI SCRET EMOS FETI RF650A 200V,28A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF654A 250V,21A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF720A 400V,3.3A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF730A 400V,5.5A T O-220 DIS CRETEMOSFET IR F740A400V,10A TO-220 DI SCRET EMOS FETI RF750A 400V,15A TO-220 D ISCRE TEMO S FETIRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCR ETEM OS FE T IRF830A 500V,4.5A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF840A 500V,8AT O-220 DIS CRETEMOSFET IR F9520TO-220DI SCRET EMOS FETI RF9540 TO-220D ISCRE TEMO S FETIRF9610 TO-220DISCR ETEM OS FE T IRF9620 TO-220DISC RETEMOS F ET IRF P150A 100V,43A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF P250A 200V,32A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF P450A 500V,14A T O-3PDISC RETEMOS F ET IRF R024A 60V,15AD-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R120A 100V,8.4A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R214A 250V,2.2A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R220A 200V,4.6A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R224A 250V,3.8A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R310A 400V,1.7A D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF R9020TF D-PAKDISC RETEMOS F ET IRF S540A 100V,17A T O-220F DI SCRET EMOS FETI RFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCR ETEM OS FE T IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DIS CRETEMOSFET IR FS640A 200V,9.8A TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRFS644A 250V,7.9A TO-220FDISC RETEMOS F ET IRF S730A 400V,3.9A T O-220F DI SCRET EMOS FETI RFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCR ETEM OS FE T IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DIS CRETEMOSFET IR FS840A 500V,4.6A TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRFS9Z34 -60V,12A TO-220FDISC RETEMOS F ET IRF SZ24A 60V,14AT O-220FDI SCRET EMOS FETI RFSZ34A 60V,20A TO-220FDISCR ETEM OS FE T IRFU110A 100V,4.7A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU120A 100V,8.4A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU220A 200V,4.6A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU230A 200V,7.5A I-PAKDISCR ETEM OS FE T IRFU410A 500V I-PAKDISC RETEMOS F ET IRF U420A 500V,2.3A I-PAKDIS CRETEMOSFET IR FZ20A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRFZ24A 60V,17A TO-220DISC RETEMOS F ET IRF Z30 TO-220DI SCRET EMOS FETI RFZ34A 60V,30A TO-220DISCR ETEM OS FE T IRFZ40 T O-220DIS CRETEMOSFET IR FZ44A60V,50A TO-220D ISCRE TEMO S FETIRLS530A 100V,10.7A,Log ic T O-220F DI SCRET EMOS FETI RLSZ14A 60V,8A,Log ic TO-220F D ISCRE TEMO S FETIRLZ24A 60V,17A,L ogic TO-220 D ISCRE TEMO S FETIRLZ44A 60V,50A,L ogic TO-220 D ISCRE TEMO S FETSFP36N03 30V,36A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFP65N06 60V,65A TO-220DISC RETEMOS F ET SFP9540 -100V,17A T O-220DIS CRETEMOSFET SF P9634-250V,5A TO-220DI SCRET EMOS FETS FP9644 -250V,8.6A TO-220D ISCRE TEMO S FETSFP9Z34 -60V,18A TO-220DISCR ETEM OS FE T SFR9214 -250V,1.53A D-PAKDISC RETEMOS F ET SFR9224 -250V,2.5A D-PAKDIS CRETEMOSFET SF R9310 -400V,1.5A D-PA KDI SCRET EMOS FETS FS9630 -200V,4.4A TO-220FDISC RETEMOS F ET SFS9634 -250V,3.4A TO-220FD ISCRE TEMO S FETSFU9220 -200V,3.1A I-PAKDISCR ETEM OS FE T SSD2002 25V N/P Du al 8SOPDISC RETEMOS F ET SSD2019 20VP-chDual 8SOP DIS CRETEMOSFET SS D2101 30V N-ch Sing le 8SOP DISCR ETEM OS FE T SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH60N10 TO-3PDISCR ETEM OS FE T SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCR ETEM OS FE T SSP10N60A 600V,9A TO-220DISC RETEMOS F ET SSP1N60A 600V,1AT O-220 DIS CRETEMOSFET SS P2N90A 900V,2A TO-220 DI SCRET EMOS FETS SP35N03 30V,35A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCR ETEM OS FE T SSP4N60A 600V,4A TO-220DISC RETEMOS F ET SSP4N60A S 600V,4AT O-220 DIS CRETEMOSFET SS P4N90AS 900V,4.5A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP5N90A 900V,5A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP60N06 60V,60A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP6N60A 600V,6A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP70N10A 100V,55A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSP7N60A 600V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP7N80A 800V,7A TO-220D ISCRE TEMO S FETSSP80N06A 60V,80A TO-220 D ISCRE TEMO S FETSSR1N60A 600V,0.9A D-P AK D ISCRE TEMO S FETSSR2N60A 600V,1.8A D-P AK D ISCRE TEMO S FETSSR3055A 60V,8A D-P AKD ISCRE TEMO S FETSSS10N60A 600V,5.1A TO-220FDISC RETEMOS F ET SSS2N60A 600V,1.3A T O-220F DI SCRET EMOS FETS SS3N80A 800V,2A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS3N90A 900V,2A TO-220FDISC RETEMOS F ET SSS4N60A 600V,3.5A T O-220(F/P) DIS CRETEMOSFET SS S4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DI SCRET EMOS FETS SS4N60AS 600V,2.3A TO-220FDISCR ETEM OS FE T SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220FDIS CRETEMOSFET SS S5N80A 800V,3A TO-220FD ISCRE TEMO S FETSSS6N60A 600V, TO-220(F/P)常用贴片三极管查询贴片三极管型号查询直插封装的型号贴片的型号9011 1T9012 2T9013 J39014J69015 M69016 Y69018 J8S8050 J3YS8550 2T Y8050 Y18550Y22S A1015 BA2SC1815 HF2SC945 CRMMBT3904 1AMMM BT3906 2AMMBT2222 1PMMB T5401 2LM MBT5551 G1MMBT A42 1DMMB TA922DBC807-16 5ABC807-25 5BBC807-40 5CB C817-16 6ABC817-256BBC817-40 6CBC846A 1ABC846B 1BBC847A 1EBC847B 1FBC847C 1GBC848A 1JBC848B 1KBC848C 1LBC856A 3ABC856B 3BBC857A 3EBC857B 3FBC858A 3JBC858B 3KBC858C 3L2SA733 CSUN2111 V1UN2112 V2UN2113 V3UN2211 V4UN2212 V5UN2213 V62SC3356 R232SC3838AD2N7002702回答人的补充2010-02-0117:31 Stem pel TypHerst.Ba seG eh?us eSt andar d Ver gleic hstypJ0HSM S-2840HPCSOT23sch ottky diod eJ01S O2906RN2N2906J03S O2907ARR2N2907AJ05SO2907RR2N2907J1HSMS-2841HPKSO T23schot tky d iodeJ1ZC830Ze tCZC820 v arica ps J1B SS138LMo tMSOT23n-ch en h TMO S fet J12SO2906A RR2N2906AJ1AZC830AZe tCSOT23va ricap hype rabru pt 28V 10p F@2VJ1BZC830BZetCSO T23varic ap hy perab rupt28V 10pF@2V J2ZC833ZetCSO T23ZC823J2AZC833AZetCS OT23vari cap h ypera brupt 28V33pF@2V J2BZC833BZe tCSOT23va ricap hype rabru pt 28V 33p F@2VJ3ZC831Ze tCSOT23ZC821J32SO5400RSGSR2N5400J33S O5401RSG SR2N5401J39SO692RSGSp np Vc e 300VJ3AZ C831AZetCSOT23var icaphyper abrup t 28V 15pF@2V J3BZC831BZ etCSOT23v arica p hyp erabr upt 28V 15pF@2V J3DMS B81T1Motvhfpnp f T 0.6GHzJ4ZC832ZetCSOT23ZC823J4AMBV109Mo tCSOT2329pF VH F var icapdiodeJ4AZC832AZetCS OT23vari cap h ypera brupt 28V22pF@2V J4BZC832BZe tCSOT23va ricap hype rabru pt 28V 22p F@2VJ5ZC834Ze tCSOT23ZC824。
场效应管的作用、规格及分类
场效应管的作用、规格及分类1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的I，用以门D"。
常用场效应管与三极管参数
常用场效应管与三极管参数一、场效应管（MOSFET）场效应管是一种基于场效应原理工作的半导体器件。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗和良好的高频响应。
场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
常用的N沟道场效应管为N-沟道金属氧化物半导体场效应管（NMOS），而常用的P沟道场效应管为P-沟道金属氧化物半导体场效应管（PMOS）。
1. 阈值电压（Vth）- 阈值电压是场效应管的一个重要参数。
它指的是在场效应管的控制电压达到一定程度时，导电性开始有效的电压。
对于NMOS，控制电压高于阈值电压时，NMOS将开启，并使电流通过。
而对于PMOS，控制电压低于阈值电压时，PMOS将开启，并使电流通过。
2. 饱和电流（IDsat）- 饱和电流是场效应管导通时的最大电流。
当场效应管被完全点通时，达到饱和电流的最大值。
它决定了场效应管的能力和性能。
3. 导通电阻（Ron）- 导通电阻指的是场效应管在线性区域时的等效电阻。
导通电阻越小，线性区域的电流控制能力越强。
4. 最大漏极-源极电压（Vdsmax）- 最大漏极-源极电压是场效应管可以承受的最大电压。
超过这个电压，场效应管可能损坏。
5. 输出电容（Coss）- 输出电容是场效应管的一种内部电容。
它与频率响应和开关速度有关。
较大的输出电容可能导致电压上升和下降的延迟。
6. 开关时间（ton、toff）- 开关时间指场效应管从关闭到打开的时间和从打开到关闭的时间。
开关时间越短，场效应管的开关速度越快。
7.漏极电流-漏极电压特性（Id-Vd）-这个特性曲线描述了场效应管的非线性特性。
在不同的漏极电压下，漏极电流的变化将给出场效应管的工作区域。
二、三极管（BJT）三极管是一种基于电流控制原理工作的半导体器件。
它由基极（B）、发射极（E）和集电极（C）三个区域组成。
常见的三极管有NPN和PNP两种类型。
1.饱和电流增益（β）-饱和电流增益是指集电极电流与基极电流之间的比率。
它决定了三极管的放大能力。
常用场效应管参数大全
常用场效应管参数大全场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子管，有三个电极：栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。
相对于双极晶体管，场效应管在功耗和输入电阻方面具有优势。
下面是常用的场效应管参数的详细解释。
1. 栅源阈值电压（Vth）：栅源电压达到一定值时，场效应管开始导通。
阈值电压的大小决定了在何时开始导通。
有两种类型的场效应管：N 沟道（N-channel）和P沟道（P-channel）。
对于N沟道型FET，阈值电压一般为负值；而对于P沟道型FET，阈值电压一般为正值。
2. 最大漏源电压（Vdsmax）：场效应管能够承受的最大电压。
超过这个电压，管子可能损坏。
3. 漏源饱和电压（Vds(sat)）：当栅源电压为零时，漏源电压的最小值。
超过这个电压，管子可能损坏。
4. 最大漏电流（Idmax）：场效应管能够承受的最大电流。
超过这个电流，管子可能损坏。
5. 最大功率耗散（Pdmax）：场效应管能够承受的最大功率。
超过这个功率，管子可能损坏。
6. 开导通电压（Vgs(th)）：栅源电压达到一定值时，场效应管开始导通。
与栅源阈值电压类似，但是开导通电压表示栅源电压为正值时的情况。
7. 栅源电容（Cgs）：栅源电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cgs会使高频性能下降。
8. 漏源电容（Cds）：漏源电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cds会使高频性能下降。
9. 反馈电容（Cgd）：栅漏电极之间的电容。
这个参数影响了管子的高频性能，较大的Cgd会使高频性能下降。
10. 输入电阻（Rin）：场效应管的输入电阻。
输入电阻越大，对输入信号的影响就越小。
11. 输出电阻（Rout）：场效应管的输出电阻。
输出电阻越小，对输出信号的影响就越小。
12. 转移导纳（Yfs或Y21）：栅源电压增加时，漏源电流的变化。
它是对管子放大能力的度量。
13.增益（A或hFE）：输出电流（漏源电流）与输入电流（栅源电流）的比值。
常用场效应管及晶体管参数66681
*
NMOS场效应
IRFP340
400V
10A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP250
200V
33A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFP240
200V
19A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP150
100V
40A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFP140
100V
30A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP054
IRF130
100V
14A
79W
**NMOSFra bibliotek效应BUZ20
100V
12A
75W
*
*
NMOS场效应
BUZ11A
50V
25A
75W
*
*
NMOS场效应
BS170
60V
0.3A
0.63W
*
*
NMOS场效应
常用场效应管及晶体管参数(2)
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SC4582
IRF9630
200V
6.5A
75W
*
*
PMOS场效应
IRF9610
200V
1A
20W
*
*
PMOS场效应
IRF9541
60V
19A
125W
*
*
PMOS场效应
IRF9531
60V
5000种场效应管参数查询
5000种场效应管参数查询场效应管（Field-effect transistor，简称FET）是一种重要的电子元器件，常用于放大和开关电路中。
根据不同的结构和特性，场效应管有很多不同的类型和型号。
在本文中，我将介绍一些常见的场效应管型号及其参数。
1.MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）MOSFET是目前最常见的一种场效应管。
它有三个重要参数：漏极-源极间饱和电压（Vds），漏极电流（Id）和栅极电压（Vgs）。
不同的型号有不同的额定值，比如常见的IRF510型号的Vds为100V，Id为5.6A，Vgs为-20V。
2.JFET（结型场效应管）JFET是另一种常见的场效应管类型。
它也有三个重要参数：漏极-源极间饱和电压（Vds）、漏极电流（Id）和栅极电压（Vgs）。
与MOSFET 不同，JFET的工作原理是根据PN结的导电特性来实现的。
常见的2N3819型号的Vds为25V，Id为10mA，Vgs为-5V。
3.IGBT（绝缘栅双极结型场效应管）IGBT是一种结合了双极晶体管和MOSFET的特点的高功率场效应管。
它的主要参数包括最大漏极-源极间饱和电压（Vce(sat)）、最大漏极电流（Ic）和最大栅极电压（Vge）。
常见的IRG4PC40W型号的Vce(sat)为1.8V，Ic为50A，Vge为20V。
S（沟道型超级结框场效应管）5.MESFET（金属半导体场效应管）以上仅是几种常见的场效应管型号及其参数的简要介绍。
实际上，市面上有成千上万种不同型号的场效应管，每种型号都有其自身的特性和应用领域。
因此，在选择和使用场效应管时，需要根据具体的应用需求和电路设计要求来确定合适的型号和参数。
同时还需要查阅相关的器件手册和数据表，以获取更详细的参数信息。
六种场效应管
六种场效应管场效应管，也称为放大管或开关管，是一种电子元件，常用于放大电路和开关电路中。
根据N沟道场效应管（N-channel）和P沟道场效应管（P-channel）的不同，可以将场效应管分为两类。
下文将详细介绍这六种场效应管的特点和应用。
1. N沟道增强型场效应管（N-channel Enhancement-mode MOSFET）N沟道增强型场效应管是一种常见的场效应管，其通道内没有形成倒转层，需要加正压才能导通。
它具有高输入阻抗、低输出阻抗以及较高的放大能力。
N沟道增强型场效应管广泛应用于放大电路、开关电路、数字电路、感应器等。
2. P沟道增强型场效应管（P-channel Enhancement-mode MOSFET）P沟道增强型场效应管与N沟道增强型场效应管相似，但其通道内由P型材料构成，需要加负压才能导通。
P沟道增强型场效应管广泛应用于自动控制系统、电源管理、信号处理等领域。
3. N沟道耗尽型场效应管（N-channel Depletion-mode MOSFET）N沟道耗尽型场效应管是一种通道内部已经形成倒转层的场效应管，其导通状态是默认状态，需要施加负压才能阻断导通。
N沟道耗尽型场效应管常用于模拟电路、功率放大器、电源稳压器等领域。
4. P沟道耗尽型场效应管（P-channel Depletion-mode MOSFET）P沟道耗尽型场效应管与N沟道耗尽型场效应管类似，但其导通状态是默认阻断状态，需要施加正压才能导通。
P沟道耗尽型场效应管广泛应用于低电平开关、电源管理、信号选择等场合。
5. 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor，IGBT）绝缘栅双极晶体管是一种结合了MOSFET和双极晶体管特点的高压功率半导体器件。
IGBT具有高输入阻抗、低导通压降、高电流放大倍数等特点，在电力电子领域被广泛应用于变频器、电机驱动、逆变器等高压高功率设备中。
场效应管
管
2. 耗尽型绝缘栅场效应管
如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为 耗尽型场效应管。
(1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子
符号： D
G S N沟道 G
D
预埋了N型 导电沟道
S P沟道
2.7.1 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： 是结型和耗尽型 (3) 饱和漏电流 IDSS： MOS管的参数
A
U DD
u DS
u GS
u DS u GS U GS(off)
(c)
(d)
u DS uGS U GS(off)
沟道预夹断
沟道夹断
综上分析可知
• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。 • JFET是电压控制电流器件，iD受uGS控制。 • 预夹断前iD与uDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。
（2）转移特性曲线
转移特性是指在漏源电压uDS为某一常数时，uGS与iD之间的关系。
iD f (uGS ) u
DS 常数
在FET输出特性的饱和区（UGS（off）≤uGS≤0内），iD随uGS的增加 （负数减小）近似按平方上升。 i mA
D
漏极饱 和电流
I DSS
C B A
D
6 5 4 3 2 1
Rg1 Rg2
Rg2 Rg1 Rg2
VDD
U S I D RS
VDD I D RS
将已知的UGS(off)、IDSS代入方程 ，可求得静态时漏极电流ID 和栅源电压UGS。引入Rg3有利于 提高输入电阻。
常用场效应管参数及代换
常用场效应管参数及代换场效应管是一种常用的电子器件，常用于放大、开关和稳压等电路中。
场效应管的参数包括管子类型、三极管参数、特性参数等。
本文将介绍常用场效应管的参数及其代换关系。
1.场效应管的类型场效应管分为两种类型：N 沟道型（N-Channel）和 P 沟道型（P-Channel）。
N 沟道型的导电介质是负载，而 P 沟道型则是正载。
2.场效应管的三极管参数（1）漏源电流（ID）：场效应管导通时的电流。
（2）漏源电压（VD）：场效应管导通时的电压。
（3）栅极电压（VG）：用于控制场效应管导通和截止的电压。
（4）漏极电压（VDS）：场效应管导通时的漏极电压。
（5）栅源电压（VGS）：场效应管导通时的栅源电压。
3.场效应管的特性参数（1）漏源电流增益（gm）：当栅源电压变化时，漏源电流的变化率。
（2）输出电导（gds）：当栅源电压变化时，输出端漏源电流的变化率。
（3）输出电导增益（gm/gds）：输出电导与漏源电流的比值，表示场效应管的放大性能。
（4）输入电阻（Rin）：场效应管的输入端电阻，用于表示对输入信号的接受能力。
（5）输出电阻（Rout）：场效应管的输出端电阻，用于表示对输出信号的驱动能力。
（6）跨导电导增益（gm/rd）：跨导电导与输出电阻的比值，表示场效应管的放大性能。
（7）截止电压（VGSoff）：当栅源电压较低时，导通电流减小到很小的值。
4.场效应管的代换场效应管的代换常用于简化电路分析和设计。
常用的场效应管代换模型有三种：电流源代换、跨导电源代换和电阻代换。
（1）电流源代换：当场效应管工作在饱和区时，可以将电流源与场效应管并联，电流源的电流值等于场效应管漏源电流（ID），电压值等于场效应管的漏源电压（VD）。
（2）跨导电源代换：当场效应管工作在正常放大区时，可以将跨导电源与场效应管串联，跨导电源的电流值等于场效应管输电导（gm），电压值等于场效应管的栅源电压（VGS）。
（3）电阻代换：当输入电阻（Rin）和输出电阻（Rout）较大时，可以用电阻代替场效应管。
常用场效应管和晶体管参数大全
常用场效应管和晶体管参数大全2010年03月04日 10:13 www.elecfans.co 作者：佚名用户评论（1）关键字：晶体管参数(6)场效应管(6)常用场效应管和晶体管参数大全IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应常用场效应管及晶体管参数(2)晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC4582 600V 15A 75W * * NPN2SC4517 550V 3A 30W * * NPN2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN2SC4297 500V 12A 75W * * NPN2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN2SC4242 450V 7A 40W * * NPN2SC4231 800V 2A 30W * * NPN2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN 2SC4024 100V 10A 35W * * NPN2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿) 2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN 2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN 2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN2SC3866 900V 3A 40W * * NPN2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN 2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN2SC3783 900V 5A 100W * * NPN2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN2SC3680 900V 7A 120W * * NPN2SC3679 900V 5A 100W * * NPN2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN2SC3320 500V 15A 80W * * NPN2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN2SC3300 100V 15A 100W * * NPN2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN常用场效应管及晶体管参数(3)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿）2SB1429 180V 15A 150W * * PNP2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿）2SB1375 60V 3A 2W * * PNP2SB1335 80V 4A 30W * * PNP2SB1317 180V 15A 150W * * PNP2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿）2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿）2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿）2SB834 60V 3A 30W * * PNP2SB817 160V 12A 100W * * PNP2SB772 40V 3A 10W * * PNP2SB744 70V 3A 10W * * PNP2SB734 60V 1A 1W * * PNP2SB688 120V 8A 80W * * PNP2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿）2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿）2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP2SA1943 230V 15A 150W * * PNP2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP2SA1302 200V 15A 150W * * PNP2SA1301 200V 10A 100W * * PNP2SA1295 230V 17A 200W * * PNP2SA1265 140V 10A 30W * * PNP2SA1216 180V 17A 200W * * PNP-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(4)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP2SA1009 350V 2A 15W * * PNP2N6678 650V 15A 175W * * NPN2N5685 60V 50A 300W * * NPN2N6277 180V 50A 300W * * NPN2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN 2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP 2N3773 160V 16A 150W * * NPN2N3440 450V 1A 1W * * NPN2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN TIP147 100V 10A 125W * * PNPTIP127 100V 8A 65W * * PNPTIP122 100V 8A 65W * * NPNTIP102 100V 8A 2W * * NPNTIP42C 100V 6A 65W * * PNPTIP41C 100V 6A 65W * * NPNTIP36C 100V 25A 125W * * PNP TIP35C 100V 25A 125W * * NPN TIP32C 100V 3A 40W * * PNPTIP31C 100V 3A 40W * * NPNMJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPN MJE13005 400V 4A 60W * * NPN MJE13003 400V 1.5A 14W * * NPN MJE2955T 60V 10A 75W * * NPN MJE350 300V 0.5A 20W * * NPN MJE340 300V 0.5A 20W * * NPN MJ15025 400V 16A 250W * * PNP MJ15024 400V 16A 250W * * NPN MJ13333 400V 20A 175W * * NPN MJ11033 120V 50A 300W * * NPN MJ11032 120V 50A 300W * * NPN MJ10025 850V 20A 250W * * NPN-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(5)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型BUS13A 1000V 15A 175W * * NPNBUH515 1500V 10A 80W * * NPNBU2532 1500V 15A 150W * * NPNBU2527 1500V 15A 150W * * NPNBU2525 1500V 12A 150W * * NPNBU2522 1500V 11A 150W * * NPNBU2520 800V 10A 150W * * NPNBU2508 700V 8A 125W * * NPNBU2506 1500V 7A 50W * * NPNBU932R 500V 15A 150W * * NPNBU806 400V 8A 60W * * NPNBU406 400V 7A 60W * * NPNBU323 450V 10A 125W * * NPN(达林顿)BF458 250V 0.1A 10W * * NPNMJ10015 400V 50A 200W * * NPNMJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿) MJ4502 90V 30A 200W * * PNPMJ3055 60V 15A 115W * * NPNMJ2955 60V 15A 115W * * PNPMN650 1500V 6A 80W * * NPNBUX98A 400V 30A 210W * * NPNBUX84 800V 2A 40W * * NPNBUW13A 1000V 15A 150W * * NPNBUV48A 450V 15A 150W * * NPNBUV28A 225V 10A 65W * * NPNBUV26 90V 14A 65W * * NPNBUT12A 450V 10A 125W * * NPNBUT11A 1000V 5A 100W * * NPNBUS14A 1000V 30A 250W * * NPNBD681 100V 4A 40W * * NPNBD244 45V 6A 65W * * PNPBD243 45V 6A 65W * * NPNBD238 100V 2A 25W * * PNPBD237 100V 2A 25W * * NPNBD138 60V 1.5A 12.5W * * PNPBD135 45V 1.5A 12.5W * * NPNBC547 50V 0.2A 0.5W * 300MHZ NPNBC546 80V 0.2A 0.5W * * NPNBC338 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC337 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC327 50V 0.8 0.6W * * PNPBC307 50V 0.2AA 0.3W * * PNP-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(6)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SDK55 400V 4A 60W * * NPN2SD2445 1500V 12.5A 120W * * NPN2SD2388 90V 3A 1.2W * * NPN(达林顿)2SD2335 1500V 7A 100W * * NPN2SD2334 1500V 5A 80W * * NPN2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 * NPN(达林顿)2SD2012 60V 3A 2W * * NPN2SD2008 80V 1A 1.5W * * NPN2SD1997 40V 3A 1.5W * 100MHZ NPN2SD1994 60V 1A 1W * * NPN2SD1993 50V 0.1A 0.4W * * NPN2SD1980 100V 2A 10W 1000-10000 * NPN(达林顿) 2SD1978 120V 1.5A 1W 30000 * NPN(达林顿)2SD1975 180V 15A 150W * * NPN2SD1930 100V 2A 1.2W 1000 * NPN(达林顿)2SD1847 50V 1A 1W * * NPN(低噪)2SD1762 60V 3A 25W * 90MHZ NPN2SD1718 180V 15A 3.2W * 20MHZ NPN2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-40000 * NPN(达林顿) 2SD1590 150V 8A 25W 15000 * NPN(达林顿)2SD1559 100V 20A 20W 5000 * NPN(达林顿)2SD1415 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1416 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1302 25V 0.5A 0.5W * 200MHZ NPN2SD1273 80V 3A 40W * 50MHZ NPN2SD1163A 350V 7A 40W * 60MHZ NPN2SD1025 200V 8A 50W * * NPN(达林顿)2SD789 100V 1A 0.9W * * NPN2SD774 100V 1A 1W * * NPN2SD669 180V 1.5A 1W * 140MHZ NPN2SD667 120V 1A 0.9W * 140MHZ NPN( 达林顿)2SD560 150V 5A 30W * * NPN( 达林顿)2SD547 600V 50A 400W * * NPN2SD438 500V 1A 0.75W * 100MHZ NPN2SD415 120V 0.8A 5W * * NPN2SD385 100V 7A 30W * * NPN( 达林顿)2SD325 50V 3A 25W * * NPN2SD40C 40V 0.5A 40W * * NPN( 达林顿)2SC5252 1500V 15A 100W * * NPN2SC5251 1500V 12A 50W * * NPN2SC5250 1000V 7A 100W * * NPN-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(7)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC5243 1500V 15A 200W * * NPN2SC5207 1500V 10A 50W * * NPN2sc5200 230V 15A 150W * * NPN2sc5132 1500V 16A 50W * * NPN2sc5088 1500V 10A 50W * * NPN2sc5086 1500V 10A 50W * * NPN2sc5068 1500V 10A 50W * * NPN2sc5020 1000V 7A 100W * * NPN2sc4953 500V 2A 25W * * NPN2sc4941 1500V 6A 65W * * NPN2sc4927 1500V 8A 50W * * NPN2sc4924 800V 10A 70W * * NPN2sc4913 2000V 0.2A 35W * * NPN2sc4769 1500V 7A 60W * * NPN( 带阻尼) 2sc4747 1500V 10A 50W * * NPN2sc4745 1500V 6A 50W * * NPN2sc4742 1500V 6A 50W * * NPN( 带阻尼) 2sc4706 900V 14A 130W * 6MH NPN2SD1887 1500V 10A 70W * * NPN2SD1886 1500V 8A 70W * * NPN2SD1883 1500V 4A 50W * * NPN 2SD1882 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1881 1500V 10A 70W * * NPN 2SD1880 1500V 8A 70W * * NPN 2SD1879 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1878 1500V 5A 60W * * NPN 2SD1876 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1739 1500V 6A 100W * * NPN 2SD1738 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1737 1500V 3.5A 60W * * NPN 2SD1732 1500V 7A 120W * * NPN 2SD1731 1500V 6A 100W * * NPN 2SD1730 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1729 1500V 3.5A 60W * * NPN 2SD1711 1500V 7A 100W * * NPN 2SD1710 1500V 6A 100W * * NPN 2SD1656 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1655 1500V 5A 60W * * NPN 2SD1654 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1653 1500V 2.5A 50W * * NPN-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(8)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1650 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1635 1500V 5A 100W * * NPN2SD1632 1500V 4A 70W * * NPN2SD1577 1500V 5A 80W * * NPN2SD1554 1500V 3.5A 40W * * NPN2SD1548 1500V 10A 50W * * NPN2SD1547 1500V 7A 50W * * NPN2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN2SD1456 1500V 6A 50W * * NPN2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN2SD1454 1700V 4A 50W * * NPN2SD1434 1700V 5A 80W * * NPN2SD1431 1500V 5A 80W * * NPN2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN 2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN 2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN 2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN 2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN 2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN 2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN 2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN 2SD995 2500V 3A 50W * * NPN2SD994 1500V 8A 50W * * NPN2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN 2SD954 1500V 5A 95W * * NPN2SD903 1500V 7A 50W * * NPN2SD871 1500V 6A 50W * * NPN2SD870 1500V 5A 50W * * NPN2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD838 2500V 3A 50W * * NPN2SD822 1500V 7A 50W * * NPN2SD821 1500V 6A 50W * * NPN-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(9)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN 2SC3687 1500V 8A 150W * * NPN 2SC3686 1500V 7A 120W * * NPN 2SC3685 1500V 6A 120W * * NPN 2SC3486 1500V 6A 120W * * NPN 2SC3485 1500V 5A 120W * * NPN 2SC3484 1500V 3.5A 80W * * NPN 2SC3482 1500V 6A 120W * * NPN 2SC3481 1500V 5A 120W * * NPN 2SC3480 1500V 3.5A 80W * * NPN 2SC2125 2200V 5A 50W * * NPN2SC2027 1500V 5A 50W * * NPN BUY71 2200V 2A 40W * * NPNBU508A 1500V 7.5A 75W * * NPN BU500 1500V 6A 75W * * NPNBU308 1500V 5A 12.5W * * NPN BU209A 1700V 5A 12.5W * * NPN BU208D 1500V 5A 12.5W * * NPN BU208A 1500V 5A 12.5W * * NPN BU108 1500V 5A 12.5W * * NPN2SD1585 60V 3A 15W * * NPN2SC2785 60V 0.1A 0.3W * * NPN2SC403 50V 0.1A 0.1W * * NPN2SD1246 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2570A 25V 0.07A 0.6W * * NPN2SC1047 30V 0.015A 0.15W * * NPN2SC3114 60V 0.15A 0.2W * * NPN2SD400 25V 1A 0.75W * * NPN2SC1923 40V 0.02A 0.1W * * NPN2SC2621 300V 0.2A 10W * * NPN2SC2568 300V 0.2A 10W * * NPN2SC2216 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SC1674 30V 0.02A 0.1W * * NPN2SC536F 40V 0.1A 0.25W * * NPN2SA608F 30V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1271A 130V 7A 40W * * NPN2SD1133 70V 4A 40W * * NPN-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(10)--------------------------------------------------------------------------------2SC1890A 120V 0.05A 0.3W * * NPN 2SC1360 50V 0.05A 0.5W * * NPN2SA1304 150V 1.5A 25W * * PNP2SD1274A 150V 5A 40W * * NPN2SC2371 300V 0.1A 10W * * NPN2SA966Y 30V 1.5A 0.9W * * PNP2SD1378 80V 0.7A 10W * * NPN2SD553Y 70V 7A 40W * * NPNRN1204 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SD1405Y 50V 3A 30W * * NPN2SC2878 50V 0.3A 0.4W * * NPN2SC1959 30V 0.4A 0.5W * * NPN2SC1569 300V 0.15A 1.5W * * NPN 2SC2383Y 160V 1A 0.9W * * NPN2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP2SB564A 45V 0.05 0.25W * * PNP2SD1877 800V 4A 50W * * NPNBU508A 1500V 8A 125W * * NPN BUT11 1500V 5A 80W * * NPN2SD3505 900V 6A 50W * * NPN2SC1942 1500V 3A 100W * * NPN 2SD1397 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1396 1500V 2.5A 50W * * NPN 2SC3153 900V 6A 100W * * NPN 2SD1403 1500V 6A 50W * * NPN 2SD1410 1500V 3.5A 80W * * NPN 2SD2057 1500V 5A 100W * * NPN 2SD2027 1500V 5A 50W * * NPN 2SD953 1500V 7A 95W * * NPN2SD951 1500V 3A 65W * * NPN2SD950 1500V 3.5A 80W * * NPN 2SD852 1500V 5A 70W * * NPN2SD850 1500V 3A 25W * * NPN2SD900B 1500V 5A 50W * * NPN 2SD899A 1500V 4A 50W * * NPN 2SD898B 1500V 3A 50W * * NPN 2SD871 1500V 6A 50W * * NPN2SD870 1500V 5A 50W * * NPN2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN 2SD1433 1500V 7A 80W * * NPN2SD820 1500V 5A 50W * * NPN常用场效应管及晶体管参数(11)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD819 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1497 1500V 6A 50W * * NPN2SD1398 1500V 5A 50W * * NPN2SD1427 1500V 5A 80W * * NPN2SD1428 1500V 6A 80W * * NPN2SD1426 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC2068 70V 0.2A 0.62W * * NPN2SC1627Y 80V 0.3A 0.6W * * NPN2SC495Y 70V 0.8A 5W * * NPN2SC388A 20V 0.02A 0.2W * * NPN2SB686 100V 6A 60W * * PNP2SA940 150V 1.5A 1.5W * * PNP2SC2120Y 30V 0.8A 0.6W * * NPN2SD1555 1500V 5A 50W * * NPN2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP2SC304CD 60V 0.5A 0.8W * * NPN 2SC2238 160V 1.5A 25W * * NPN 2SC3328 80V 2A 0.9W * * NPN2SC2190 450V 5A 100W * * NPN2SA968Y 160V 1.5A 25W * * PNP2SC3402 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SC2168 200V 2A 30W * * NPN2SC3198G 60V 0.15A 0.4W * * NPN 2SC2655Y 60V 2A 0.9W * * NPN2SC1827 80V 4A 30W * * NPN2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SD880 60V 3A 30W * * NPN2SC1906 30V 0.05A 0.3W * * NPN 2SC945 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3279 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2229 200V 0.05A 0.8W * * NPN 2SC2236 30V 1.5A 0.9W * * NPN2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN2SA950Y 150V 0.8A 0.6W * * PNP2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN2SC1983R 80V 3A 30W * * NPN2SC227 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1213D 50V 0.5A 0.4W * * NPN2SA778AK 180V 0.05A 0.2W * * PNPDTC114ES 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3413C 40V 0.1A 0.5W * * NPN常用场效应管及晶体管参数(12)---------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN2SC1514 300V 0.1A 1.25W * * NPNDTC124ES 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1078 50V 2A 20W * * NPN2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP2SD788 20V 2A 0.9W * * NPN2SD882 40V 3A 10W * * NPN2SD787 20V 2A 0.9W * * NPN2SC2271N 300V 0.1A 0.75W * * NPN 2SC1740 50V 0.3A 0.3W * * NPN2SC1214C 50V 0.5A 0.6W * * NPN2SC458D 30V 0.1A 0.2W * * NPN2SA673 50V 0.5A 0.4W * * PNP2SD1556 1500V 6A 50W * * NPN2SD1499 100V 5A 40W * * NPN2SD1264A 200V 2A 30W * * NPN2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SD966 60V 5A 1W * * NPN2SD601AR 60V 0.1A 0.2W * * NPN 2SC3265Y 30V 0.8A 0.2W * * NPN2SC3063 300V 0.1A 1.2W * * NPN2SC2594 40V 5A 10W * * NPN2SC1317-R 30V 0.5A 0.4W * * NPN 2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP2SD1226 60V 3A 35W * * NPN2SC2636Y 30V 0.05A 0.4W * * NPN 2SB940 200V 2A 30W * * PNP2SA720-Q 50V 0.5A 0.4W * * PNP2SK301-R * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1266 60V 3A 35W * * NPN2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN2SD973 30V 1A 1W * * NPN2SC2923 300V 0.2A 15W * * NPN2SC2653H 250V 0.2A 15W * * NPN2SC2377C 30V 0.15A 0.2W * * NPN2SC1685Q 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SB642-R 60V 0.2A 0.4W * * PNP2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP2SA564A 25V 0.1A 0.25W * * PNP-------------------------------------------------------------------------------- 常用场效应管及晶体管参数(13)-------------------------------------------------------------------------------- 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1685 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN 2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP UN4213 50V 0.1A 0.25W * * NPN UN4211 50V 0.1A 0.25W * * NPN UN4212 50V 0.1A 0.25W * * NPN UN4111 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SD965 40V 5A 0.75W * * NPN2SC2839 30V 0.1A 0.1W * * NPN2SC2258 250V 0.1A 1W * * NPN2SC1846 45V 1A 1.2W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN 2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SD1544 1500V 3.5A 40W * * NPN 2SD802 900V 6A 50W * * NPN2SC2717 35V 0.8A 7.5W * * NPN2SC2482 150V 0.1A 0.9W * * NPN2SC2073 150V 1.5A 25W * * NPN2SC1815Y 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SA904 90V 0.05A 0.2W * * PNP 2SA562T 30V 0.4A 0.3W * * PNP。
常用场效应管及晶体管参数
TIP147 TIP142 TIP127 TIP122 TIP102 TIP42C TIP41C TIP36C TIP35C TIP32C TIP31C MJE13007 MJE13005 MJE13003 MJE2955T MJE350 MJE340 MJ15025 MJ15024 MJ13333 MJ11033 MJ11032 MJ10025 MJ10016 BUS13A BUH515 BU2532 BU2527 BU2525 BU2522 BU2520 BU2508 BU2506 BU932R BU806 BU406 BU323 BF458 BD682 MJ10015 MJ10012 MJ4502 MJ3055 MJ2955 MN650 BUX98A BUX84 BUW13A BUV48A BUV28A BUV26 BUT12A BUT11A BUS14A
3A 4A 15A 2A 3A 2A 0.7A 3A 20A 7A 3A 12A 3A 3A 1A 8A 7A 4A 1.5A 1A 3.5A 15A 1A 2A 12A 17A 1.5A 1A 15A 10A 17A 10A 17A 0.15A 0.05A 2A 2A 15A 50A 50A 0.6A 0.6A 16A 1A 15A 0.6A 0.5A 0.8A 0.05A 0.1A 0.1A 0.5A 0.5A 0.03A
PNP PNP PNP PNP(达林顿） PNP PNP PNP PNP PNP(达林顿） PNP(达林顿） PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP(达林顿） PNP(达林顿） PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN PNP NPN NPN PNP NPN