常用半导体器件_三极管的输出特性曲线

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

0
U(BR)CEO uCE
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
2. 三极管型号的意义 国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
用字母表示同一型号中的不同规格
用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类
用字母表示材料
三极管 第二位:A 锗PNP管, B 锗NPN管, C 硅PNP管, D 硅NPN管 第三位:X 低频小功率管,D 低频大功率管,
iC
iB
+
u+−BE
uCE −
当三极管饱和时,UCE 0,C-E iC/mA 饱和区
间如同一个开关的接通。
IB=40μA 4
当三极管截止时,IC 0 , C-E 3
之间如同一个开关的断开。
2
可见,三极管除了有放大作用外, 1
放大区 IB=20 μA 截止区
IB=0
还有开关作用。
0 2 4 6 8 uCE /V
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
4.3.2 三极管的特性曲线
1. 输入特性曲线
iB f (uBE ) uCE 常 数
iB /μ A
100 uCE=0V 1V
80
10V
60
Hale Waihona Puke Baidu
40
20
o 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
uBE /V
iC
iB
+
u+−BE
uCE −
iB 和uBE之间的关系与二 极管相似。
输入特性也有一段死区, 在发射结外加电压大于死区 电压时,才会产生 iB。
第四章 常用半导体器件
2. 输出特性曲线
iC f (uCE ) iB 常数
(1) 放大区 IC=β IB NPN 型管: VC > VB > VE PNP 型管: VC < VB <VE
(2) 截止区 对应IB = 0 以下的区域。 处于截止状态:发射结和 集电结均处于反向偏置 。
(b)
(c)
(d)
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
分析: 1)三极管工作于放大状态,发射结应正偏,集电结应反偏,
因而NPN型有VC>VB>VE, PNP型有VC<VB<VE。可见基极 电位总是居中,据此可确定基极。 2)硅管|UBE|=0.6~0.8V,锗管 |UBE|=0.2~0.4V,与基极电位相 差此值的电极为发射极,并可判断是硅管还是锗管。 3)余下一电极为集电极。 4)集电极电位为最高的是NPN型管,集电极电位为最低的是 PNP型管。
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
−1.4V 硅管
−2.8V −3.5V 1.1V
锗管
1.3V 1V
12V 硅管 2V
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
发射结偏、集电结均正偏,管子饱和。
UBE=2.7V,远大于发射结正偏时的电压, 故管子已损坏。
−0.7V
1. 常用的主要参数 (1)电流放大系数β
(2)极间反向电流 ICBO、 ICEO (3)极限参数
集电极最大允许电流 ICM 集电极—发射极间的击穿电压U(BR)CEO 集电极最大耗散功率 PCM
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
iC ICM
过流区

PCM=ICUCE


过损区
过压 区
IB=0
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
3V 8V −3V 2.3V −5V 0V −0.8V −1V
3.7V
2V
−0.6V
6V
(a)
(b)
(c)
(d)
(a)NPN型硅管,-发射极,-基极,-集电极
(b)PNP型锗管,-集电极,-基极,-发射极
(c)PNP型硅管,-集电极,-基极,-发射极
B
ic
C
(d)NPN型锗管,-基极,-集电极,-发射极
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
例4.3.2: 测得电路中三极管3个电极的电位如图所示。问哪 些管子工作于放大状态,哪些处于截止、饱和,哪些已损 坏?
锗管 0V
−3V
发射结、集电结均反偏,管子截止。
−2.7V 锗管 3.7V 1.8V
1.5V
4.3 双极型三极管
iC
iB
+
u+−BE
uCE −
iC/mA 饱和区
IB=40μA 4
3
放大区 IB=20 μA
2
截止区
1
IB=0
0 2 4 6 8 uCE /V
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
(3) 饱和区 三极管处于饱和状态:发射结和
集电结均处于正向偏置状态。
在饱和区,IC 和IB 不成正比。
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
−3V 锗管
发射结正偏、集电结反偏,管子放大。
−0.3V
0V 锗管 1.3V
1.2V
发射结、集电结均正偏,管子饱和。
1.5V
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
4.3.3 三极管的主要参数
三极管的参数是用来表征其性能和适用范围的,也是 评价三极管质量以及选择三极管的依据。
G 高频小功率管,A 高频大功率管,K 开关管
第四章 常用半导体器件
4.3.4 三极管的其它形式
1. 复合三极管 β=β1 β2 复合管的类型取决于T1管
2. 光电三极管和光电耦合器
IC
+ −uCE
4.3 双极型三极管
C
ic
ib
B
T1
T2
ie
E
C
ib
ic
B
ie
E
E
ie
ib
B
T1
T2
ic
C
E
ib
ie
第四章 常用半导体器件
4.3 双极型三极管
例4.3.1 在放大电路中测得4个三极管的各管脚对“地”电位如图所 示。试判断各三极管的类型(是NPN型还是PNP型,是硅管 还是锗管),并确定e、b、c三个电极。
3V
8V
−3V 2.3V
−5V
0V
−0.8V −1V
3.7V
2V
−0.6V
6V
(a)
相关文档
最新文档