《模拟电子技术》备课笔记
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记在大学的学习生涯中，模拟电子技术这门课可真是让我又爱又恨。
它就像一个神秘的魔法世界，充满了各种奇妙的电路和元件，等待着我去探索和征服。
记得刚开始接触这门课的时候，看着那一本厚厚的教材，我心里直犯嘀咕：“这都是啥呀？怎么这么复杂！”但是，随着课程的推进，我逐渐被它的魅力所吸引。
先来说说二极管吧。
这小家伙看起来简单，可实际应用中却有不少讲究。
在一个实验课上，我们要搭建一个简单的整流电路，用到了二极管。
我小心翼翼地把二极管插在电路板上，心里默默祈祷：“可千万别出错啊！”结果，通电之后，啥反应都没有。
我当时就懵了，这是咋回事呢？经过一番仔细检查，才发现原来是我把二极管的极性接反了。
哎呀，真是个低级错误！不过通过这次，我可是把二极管的极性记得牢牢的，再也不会出错啦。
三极管也是个让人头疼的主儿。
它的工作原理那叫一个复杂，什么共射、共集、共基放大电路，听得我晕头转向。
为了搞清楚这些，我可是花了不少功夫。
有一次，我为了研究一个三极管放大电路的参数，在实验室里泡了整整一个下午。
我拿着万用表，不停地测量各个节点的电压和电流，一边记录数据，一边计算。
那认真劲儿，就像是在破解一个重大的科学谜题。
最后，当我算出的结果和理论值相差无几的时候，心里那个美呀，别提多有成就感了！说到集成运算放大器，这可是模拟电子技术中的大明星。
在做一个加法器实验的时候，我按照电路图连接好了所有的元件，满心期待着能得到正确的结果。
可是，现实却给了我一个大大的“惊喜”，输出的电压完全不对！我开始逐一检查线路，每一根导线、每一个焊点都不放过。
最后发现，原来是有一个电阻的阻值选错了。
换了正确的电阻之后，加法器终于正常工作了。
那一刻，我真的体会到了“细节决定成败”这句话的真谛。
还有反馈电路，这也是个难点。
为了搞清楚正反馈和负反馈的区别，我反复看书、做习题，还找老师和同学讨论。
有一次，我和几个同学为了一道关于反馈电路的题目争论得面红耳赤，谁也说服不了谁。
实验5 晶体管共射极单管放大器
实验二、晶体管共射极单管放大器一、实验目的1、 学会放大器静态工作点的调试方法，分析静态工作点对放大器性能的影响；2、 掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻测量方法；3、 掌握放大器上、下限截止频率的测试方法；4、 熟悉常用电子仪器及模拟电路实验设备的使用。
二、实验原理与内容：图2－1为电阻分压式工作点稳定单管放大器实验电路图。
它的偏置电路采用R B1和R B2组成的分压电路，并在发射极中接有电阻R E ，以稳定放大器的静态工作点。
当在放大器的输入端加入输入信号u i 后，在放大器的输出端便可得到一个与u i 相位相反，幅值被放大了的输出信号u 0，从而实现了电压放大。
图2－1 共射极单管放大器实验电路在图2－1电路中，当流过偏置电阻R B1和R B2 的电流远大于晶体管T 的 基极电流I B 时（一般5～10倍），则它的静态工作点可用下式估算： CC B2B1B1B U R R R U +≈U CE ＝U CC －I C （R C ＋R E ）电压放大倍数：beLC V r R R βA // -= 输入电阻：R i ＝R B1 // R B2 // [( r be +(1+ β) Re ) 输出电阻：R O ≈R C放大器的测量和调试一般包括：放大器静态工作点的测量与调试，消除干扰与自激振荡及放大器各项动态参数的测量与调试等。
1、 放大器静态工作点的测量与调试 1) 静态工作点的测量测量放大器的静态工作点，应在输入信号u i ＝0的情况下进行， 即将放大器输入端与地端短接，然后选用量程合适的直流毫安表和直流电压表，分别测量晶体管的集电极电流I C 以及各电极对地的电位U B 、U C 和U E 。
一般实验中，为了避免断开集电极，所以采用测量电压U E 或U C ，然后算出I C 的方法，例C EBEB E I R UU I ≈-≈如，只要测出U E ，即可用EEE C R U I I =≈算出I C （也可根据C CCC C R U U I -=，由U C 确定I C ），同时也能算出U BE ＝U B －U E ，U CE ＝U C －U E 。
模拟电子技术笔记
自强不息知行合一模拟电子技术笔记Part 1 绪论&常用半导体器件1. 绪论：讲解了主要介绍的内容。
1.1 电子元器件（包括二极管，三极管，集成电路）1.2 电子电路及其应用（放大，滤波，电源）1.3 参考书：《模拟电子技术》刘润华主编2. 常用半导体器件2.1 基本概念半导体的导电特性介于导体和绝缘体之间，如锗，硅，砷化镓等；完全纯净，结构完整的半导体晶体成为本征半导体，常温下其自由电子（即载流子，包括自由电子和空穴）很少，因此导电能力很弱；空穴的迁移是依靠吸引临近的电子来填补，从而实现空穴的移动的目的。
温度越高其载流子浓度越高，导电能力也就越强。
半导体材料的外部特性：受到外界的热和光作用时，导电能力有明显变化；在半导体中掺入某些杂质则会改变其导电能力（载流子浓度增加）。
当掺入的杂质使自由电子浓度大大增加的半导体称为N（negative）型半导体（掺入五价的磷）；自由电子（多子）的浓度远远大于空穴（少子）的浓度。
使空穴浓度增加的半导体成为P（positive）型半导体（掺入三价的硼）；空穴（多子）的浓度远远大于自由电子（少子）的浓度。
Part 22.2 PN结及其导电性P型半导体和N型半导体的交界面处由于空穴和电子的扩散运动会形成内电场（方向由N到P，会抑制扩散运动，加强漂移运动），该区域为空间电荷区。
单向导电性：PN结加上正向电压（正向偏置），P区加正电压，N区加负电压，会有正向电流流过；反向偏置正好相反，没有电流在PN结流过。
PN结的伏安特性：当PN结加正向电压时，有电流流过，PN结两端有电压，此时电压与电流的关系为指数关系；当PN结接反向电压时，当方向电压小于U BR(方向击穿电压)时反向电流很小，但是当大于U BR时，会出现击穿电流。
下图为PN结的伏安特性曲线图。
其电压与电流的关系满足下式：I=Is(e u/U T-1)=Is(e qu/kT-1)势垒电容C T是在PN结反向偏置时起作用；扩散电容C D则是在PN结正向偏置是起作用。
模拟电子技术备课笔记
模拟电子技术备课笔记作为模拟电子技术教学的备课笔记，它是一个充分展示该学科知识体系和关键技能的文献。
备课笔记是一种很有用的教学资源，它包含了本课程重要的理论知识、实验操作步骤、案例分析和答案解析等内容，更重要的是，它为同学提供了一个系统的、有序的学习框架，让他们能够更好地掌握模拟电子技术原理，提高应用水平。
一、模拟电子技术的基础知识模拟电子技术是一门涉及分析、设计和制造各种模拟电路的学科，它的应用领域在实际工程中极其广泛，例如电子测量、自动控制、通信系统、计算机、医疗器械等等。
这里将模拟电子技术的基础知识进行了简要概述：1.什么是模拟电子技术？模拟电子技术是从电气工程领域中产生出来的一个学科，它主要涉及模拟信号的处理和控制。
模拟电路是由一些基本元器件实现的，这些元器件包括电感、电阻器、电容器、二极管、三极管、场效应管等。
2.模拟信号和数字信号在模拟电子技术中，信号可以分为模拟信号和数字信号两种。
模拟信号是连续变化的信号，其波形在一段时间内一直变化，而数字信号则是按一定速率采样的离散信号。
3.模拟电路的分类模拟电路无需数字信号处理的，主要分为线性电路和非线性电路。
其中，线性电路指电子元件的特性保持不变的电路，而非线性电路则指电子元件的特性随信号而改变的电路。
4.集成电路集成电路是现代电子技术的重要发明之一，它把数百个元件集成到一个芯片上，成为整体。
集成电路主要由半导体材料制成，诸如晶体管、二极管等。
VLSI（超大规模集成电路）进一步推动了电子技术的发展。
5.发射极跟基极的区别放大器有三部分：输入、输出和放大器。
其中输入和输出接收或送出信号，而放大器则通过使收到的信号变形来放大这些信号。
放大器的基本元件是晶体管，它有三个区域：发射区、基区和集电区。
二、模拟电子技术的实验操作除了基础知识，实验操作是教授模拟电子技术的重要内容。
学生要通过实验测量、设计模拟电路的原理、学习如何使用仪器设备，以获得真正的实战经验。
模电笔记知识点总结
模电笔记知识点总结一、模拟信号处理1. 模拟信号与数字信号模拟信号是指信号的数值是连续变化的，可以用连续的数学函数表示。
数字信号是指信号的数值是离散的，需要经过模数转换才能表示成数值输出。
模拟信号处理的目的是将模拟信号转换为数字信号，或者将数字信号转换为模拟信号。
2. 采样与保持采样是指将连续的模拟信号按照一定的时间间隔进行取样，得到一系列的离散数值。
保持是指在采样之后，保持所获得的信号值，直到下一次采样。
3. 模拟信号重构模拟信号重构是指将数字信号重新转换为模拟信号。
通常通过数字到模拟转换器（DAC）来实现。
4. 模拟信号滤波模拟信号滤波是指对模拟信号进行频率特性的调整，滤除不需要的频率成分，以及放大需要的频率成分。
常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
5. 模拟信号调制模拟信号调制是指将模拟信号转换为相应的调制信号，以便在传输和处理中更容易应用。
常见的模拟信号调制方式包括调幅调制（AM）、调频调制（FM）和调相调制（PM）。
二、放大器设计1. 放大器的基本原理放大器是一种电路，它可以放大输入信号的幅度，并输出相应的放大信号。
放大器的核心原理是利用晶体管或运算放大器等电子器件的非线性特性，实现信号的增益。
放大器的设计目标通常包括增益、带宽、输入/输出阻抗、噪声等方面的考虑。
2. 放大器的分类放大器可以根据其工作方式、频率响应等特性进行分类。
比较常见的放大器包括运算放大器、差分放大器、共模抑制放大器、功率放大器等。
3. 放大器的频率特性放大器的频率特性是指放大器对不同频率信号的响应。
常见的频率特性包括通频带、截止频率、增益带宽积等。
4. 放大器的非线性失真非线性失真是指放大器输出信号与输入信号之间存在非线性关系，导致输出信号不完全等于输入信号。
常见的非线性失真包括谐波失真、交调失真等。
5. 放大器的稳定性放大器的稳定性是指当放大器输出端负载发生变化时，放大器是否能够保持稳定的工作状态。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记说到模拟电子技术，那可真是让我又爱又恨啊！回想起当初学习这门课的时候，真的是有一箩筐的事儿能跟大家唠唠。
记得刚开始接触模拟电子技术这门课，看着那一本本厚厚的教材，我心里直发怵。
特别是那些密密麻麻的电路图，各种晶体管、放大器、反馈电路啥的，简直就像一团乱麻，让我摸不着头脑。
但没办法，硬着头皮也得上啊！我清楚地记得有一次上课，老师在黑板上画了一个复杂的共射极放大电路。
那线条纵横交错，元件一个挨着一个，我眼睛都快看花了。
老师在讲台上讲得口沫横飞，我在下面听得云里雾里。
好不容易熬到下课，我赶紧抱着书去找老师请教。
老师倒是很耐心，拿着笔在我的书上又画又写，给我一点点解释。
可我当时那个脑子啊，就像被糨糊给糊住了，怎么都转不过弯来。
回到宿舍，我不甘心就这样被这个电路给打败，于是决定自己好好钻研一番。
我把台灯开到最亮，摊开书本，拿出纸笔，准备大干一场。
我先从最基本的元件开始，一点点分析它们的作用。
三极管，这个小小的东西，居然能有那么大的能耐，控制电流的放大和缩小，真是神奇。
我对照着书上的原理图，自己在纸上反复画了好几遍，试图理解每一个节点的电流和电压变化。
然后是偏置电路，为了让三极管能正常工作，这偏置电路可太重要了。
我一会儿算算电阻的值，一会儿又想想电容的作用，脑袋里就像有一群小蜜蜂在嗡嗡乱飞。
不知不觉，几个小时过去了，我面前的草稿纸已经堆了厚厚一沓，可我还是感觉没有完全搞明白。
这时候，宿舍的哥们儿回来了，看到我一脸苦大仇深的样子，就凑过来问我咋回事。
我把书往他面前一推，说：“这破电路，我弄了半天也没整明白。
”他看了看，笑着说：“别急别急，咱们一起研究研究。
”于是，我俩就开始了一场“电路攻坚战”。
我们从三极管的特性开始，一点点梳理，互相交流自己的理解。
有时候我觉得他说得不对，就争得面红耳赤；有时候他又被我的想法给逗乐了，说我钻了牛角尖。
就这样，在我俩的“争吵”和“合作”中，这个电路渐渐变得清晰起来。
模拟电子技术基础知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体构造的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识在模拟电子技术中，首先要了解半导体的特性。
半导体材料，如硅和锗，其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体中的载流子有自由电子和空穴。
本征半导体，即纯净的半导体，在一定温度下，自由电子和空穴的浓度相等。
而杂质半导体，通过掺入不同杂质，可以形成 N 型半导体（多数载流子为电子）和 P 型半导体（多数载流子为空穴）。
PN 结是半导体器件的核心结构。
当 P 型半导体和 N 型半导体结合时，会形成空间电荷区，产生内建电场。
PN 结具有单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。
二、二极管二极管是由一个 PN 结加上电极和封装构成的。
其伏安特性是非线性的，正向导通时，电压超过开启电压后，电流迅速增加；反向截止时，只有很小的反向饱和电流。
二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压等。
在实际电路中，二极管常用于整流、限幅、钳位等。
例如，在整流电路中，利用二极管的单向导电性，将交流电压转换为直流电压。
三、三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件，分为NPN 型和PNP 型。
三极管的三个电极分别是基极（b）、集电极（c）和发射极（e）。
要使三极管处于放大状态，需要满足发射结正偏，集电结反偏的条件。
三极管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线。
输出特性曲线分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
在放大电路中，三极管通过对基极电流的控制来实现对集电极电流的放大。
四、基本放大电路基本放大电路有共射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
共射极放大电路的电压放大倍数较大，输入输出信号反相；共集电极放大电路的电压放大倍数接近 1，输入输出信号同相，具有电流放大和功率放大作用，常用于阻抗匹配；共基极放大电路的频率特性较好，适用于高频电路。
放大电路的性能指标包括放大倍数、输入电阻、输出电阻、通频带等。
为了改善放大电路的性能，常常引入负反馈。
负反馈可以提高放大电路的稳定性、减小非线性失真、扩展通频带等。
模拟电子技术基础笔记（一）
模拟电⼦技术基础笔记（⼀）2.1 既然BJT具有两个PN结，可否⽤两个⼆极管取代PN结并相联以构成⼀只BJT?试说明其理由。
答：不可以，因为BJT的两个PN结掺杂浓度、⾯积等制作⼯艺与⼆极管不同2.2 要使BJT具有放⼤作⽤，发射结和集电结的偏置电压应如何联接？答：集电极结反偏，发射结正偏2.3 ⼀只NPN型BJT，具有e、b、c三个电极，能否将e、c两电极交换使⽤？为什么？答：不可以，因为未吸收更多的电⼦，集电极⾯积⼤，为发射更多的电⼦发射极掺杂浓度⾼。
交换后，集电极发射电⼦的能⼒很低，三极管的放⼤能⼒降低。
2.4 为什么BJT的输出特性在VCE＞1V以后是平坦的？⼜为什么说，BJT是电流控制器件？答：BJT的输出特性在VCE＞1V以后因为发射极发射出来的所有电⼦都被集电极吸收，此时再增加集电极与发射极之间的电压，发射极也没有更多的电⼦向外发射了所以VCE＞1V以后的输出特性是平坦的。
2.5 BJT的电流放⼤系数a、b是如何定义的，能否从共射极输出特性上求得b值，并算出a值？在整个输出特性上，b或a值是否均匀⼀致？答：b =IC/IB，a=IC/IE，在整个输出特性上，b或a值基本是均匀⼀致的。
2.6 如何⽤⼀台欧姆表（模拟型）判别⼀只BJT的三个电极e、b、c？答：数字表：因为数字表红表棒接表内电源正极，所以红表棒接⼀只⽤⿊表棒测另两只脚均为低阻的脚为NPN型管的基极，由于发射极参杂浓度⾼，导电性也好，所以阻值较⼩的为发射极。
如果模拟表测出如上结果，则为PNP型管。
2.7 为什么说，放⼤器是⼀种能量控制器件？⼀台输出功率为5W的扩⾳机，这5W功率来⾃何处？当扩⾳机接通电源和微⾳器，但⽆⼈对着微⾳器讲话时，喇叭⽆声⾳发出。
于是有⼈对放⼤器⽤两句话来描述：“⼩能量控制⼤能量，放⼤对象是变化量”，对此有如何体会？答：话⾳产⽣的功率是很低的，经放⼤器放⼤后声⾳加⼤，说明信号的功率被放⼤。
这种功率来⾃于放⼤器将直流电源的电功率转换成了声⾳的功率。
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
《模拟电子技术》备课笔记(图文并茂非常实用)
第二章 放大电路基础第一节 放大电路基本概念和主要性能指标和共射极放大电路组成及工作原理【教学目的】了解放大电路、放大电路模型、熟悉放大电路的主要性能指标，掌握共射极放大电路组成及工作原理、放大电路的分析方法【教学重点】共射极放大电路组成及工作原理、放大电路的分析方法 【教学难点】共射极放大电路组成及工作原理、放大电路的分析方法 【教学方法及手段】【课外作业】多媒体辅助教学 【学时分配】2学时 【自学内容】 【教学内容】 1.放大的基本概念2.放大电路、放大电路模型、放大电路的主要性能指标 3电路组成 4工作原理5放大电路的分析方法1.1、电路放大的概念放大的本质是能量的控制和转换 1.2、放大电路的主要性能指标 放大器可视为一个双端口网络， 1. 电路增益。
XiXo1）电压增益：。
ViVo （无量纲）2）电流增益：。
iI Io （无量纲）3）互阻增益 。
iI Vo =Ar （Ω） 4）互导增益 ViIo Ag 。
=（S ）2. 输入电阻从放大电路输入端看进去的等效电阻为：。
iI Vi =Ri3. 输出电阻：从放大电路输出端逆向看进去的电阻值为：。
oI Vo Ro （Ω）在信号源短路（。
Vs =0,但保留Rs ）和负载开路（RL=∞）的条件下，在放大电路的输出端加一测试电压。
T V ，相应的产生一测试电流。
T I ，于是可得输出电阻为：为减少信号的衰减，输入电压信号时要求其输入电阻Ri 越大越好，输入电流信号时要求其输入电阻Ri 越小越好；输出电压信号时要求其输出电阻Ro 越小越好，输出电流信号时要求其输出电阻Ro 越大越好。
4. 通频带宽BW5. 非线性失真系数6. 最大不失真输出电压。
Vom7. 最大输出功率Pom 与效率η η＝Pom/Pv1.3共射极放大电路组成● 电路组成放大电路组成原则： ◆ 提供直流电源，为电路提供能源。
◆ 电源的极性和大小应保证BJT 基极与发射极之间处于正向偏置；而集电极与基极之间处于反向偏置，从而使BJT 工作在放大区。
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第二章 放大电路基础第一节 放大电路基本概念和主要性能指标和共射极放大电路组成及工作原理【教学目的】了解放大电路、放大电路模型、熟悉放大电路的主要性能指标，掌握共射极放大电路组成及工作原理、放大电路的分析方法【教学重点】共射极放大电路组成及工作原理、放大电路的分析方法 【教学难点】共射极放大电路组成及工作原理、放大电路的分析方法 【教学方法及手段】【课外作业】多媒体辅助教学 【学时分配】2学时 【自学内容】 【教学内容】 1.放大的基本概念2.放大电路、放大电路模型、放大电路的主要性能指标 3电路组成 4工作原理5放大电路的分析方法1.1、电路放大的概念放大的本质是能量的控制和转换 1.2、放大电路的主要性能指标 放大器可视为一个双端口网络， 1. 电路增益。
XiXo1）电压增益：。
ViVo （无量纲）2）电流增益：。
iI Io （无量纲）3）互阻增益 。
iI Vo =Ar （Ω） 4）互导增益 ViIo Ag 。
=（S ）2. 输入电阻从放大电路输入端看进去的等效电阻为：。
iI Vi =Ri3. 输出电阻：从放大电路输出端逆向看进去的电阻值为：。
oI Vo Ro （Ω）在信号源短路（。
Vs =0,但保留Rs ）和负载开路（RL=∞）的条件下，在放大电路的输出端加一测试电压。
T V ，相应的产生一测试电流。
T I ，于是可得输出电阻为：为减少信号的衰减，输入电压信号时要求其输入电阻Ri 越大越好，输入电流信号时要求其输入电阻Ri 越小越好；输出电压信号时要求其输出电阻Ro 越小越好，输出电流信号时要求其输出电阻Ro 越大越好。
4. 通频带宽BW5. 非线性失真系数6. 最大不失真输出电压。
Vom7. 最大输出功率Pom 与效率η η＝Pom/Pv1.3共射极放大电路组成● 电路组成放大电路组成原则： ◆ 提供直流电源，为电路提供能源。
◆ 电源的极性和大小应保证BJT 基极与发射极之间处于正向偏置；而集电极与基极之间处于反向偏置，从而使BJT 工作在放大区。
模拟的电子技术基础知识点的总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模电笔记总结
模电笔记总结哎呀，提起模电这门课，那可真是让我又爱又恨！模电，全称模拟电子技术，对于咱电子信息专业的学生来说，它就像是一座必须要攀登的高山。
记得刚开始接触模电的时候，我满心欢喜，觉得自己能轻松拿下。
可现实却给了我一个大大的耳光。
那些三极管、二极管、放大器的知识，就像一群调皮的小精灵，在我脑子里到处乱窜，就是不肯乖乖待在该待的地方。
先来说说三极管吧。
这玩意儿就像是电路世界里的一个神奇角色。
三极管有三个极，分别是基极、集电极和发射极。
老师在讲台上讲得唾沫横飞，说什么三极管能放大电流、能控制电路的开关。
可我当时就迷糊了，这小小的三极管怎么就能有这么大的能耐呢？为了搞清楚它，我可是下了不少功夫。
我找了一堆废旧的电路板，拿着万用表，一个一个地测量三极管的参数。
那认真劲儿，就跟考古学家研究珍贵文物似的。
有时候测着测着，我还会自言自语：“哎呀，这个三极管是不是坏了呀？怎么数值这么奇怪？”我瞪大了眼睛，仔细观察着万用表上的数字变化，生怕错过了任何一个细微的波动。
还有那些放大器的电路，更是让我头疼不已。
什么共射极放大器、共集电极放大器、共基极放大器，每个都有自己独特的特点和计算方法。
我就像在迷宫里摸索的小老鼠，一会儿觉得找到了出路，一会儿又发现走进了死胡同。
为了能真正理解放大器的工作原理，我在宿舍里搭起了简易的电路实验。
舍友们看着我那一堆乱七八糟的电线和零件，都笑我是不是要搞发明创造。
我也顾不得他们的调侃，一心沉浸在自己的模电世界里。
我小心翼翼地连接着每一根电线，调整着电阻和电容的值，眼睛紧紧盯着示波器上的波形，心里默默祈祷着：“拜托，一定要出现我想要的结果啊！”当看到那清晰稳定的放大波形时，我兴奋得差点跳起来，那种成就感，简直无法用言语形容。
二极管也是模电里的一个重要角色。
它的单向导电性，一开始让我觉得很神奇。
我就想啊，这东西怎么就只能让电流单向通过呢？为了搞明白，我找了各种二极管的资料，看了无数的电路图。
还专门跑到学校的电子实验室，用实验来验证二极管的特性。
模拟电子技术学习笔记
本证半导体：纯净晶体结构的导体。
常用的有硅和锗。
在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键，出现电子的空位，称为空穴。
空穴也进行位置的相对移动，形成空穴电流。
N型半导体：在本征半导体中加入+5价的元素，（磷，锑，砷）。
使导体内的每一个原子周围除形成共价键之外，有一个游离的电子，N型半导体的多数载流子电子，少数载流子空穴。
电子受力移动，留下施主杂质带正电（不参与导电）。
所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。
少数载流子有共价键提供，其浓度取决于温度。
整个半导体内先电中性。
本征半导体+微量正3价元素，晶格内形成共价键时，少电子而多空穴，即为多数载流子。
电子则为少数载流子。
P型半导体杂质元素称为受主杂质，在外界能量的作用下形成空穴的移动，留下带负电的杂质离子。
主要靠空穴导电，P型与N型的交界处形成PN结。
交界两侧电子与空穴浓度差悬殊，产生扩散运动。
电子由N向P移动，形成P向N的电子电流。
交界P,N分别留下（漂移）了不能移PN结动且显负，正的杂质离子，从而形成N向P的自建电场，阻碍了扩散运动，中将达到二者平衡。
当达到平衡时，扩散运动与漂移运动的作用相等，通过界面的总载流子数为零，PN结的电流为0；PN结交界区形成一个高阻区，称为耗尽层。
扩散电容P接电源高电压，N接电源低电压，正向电压外加电场与自建场方向相反，阻挡层变窄，促进多子扩散，PN结导通。
势垒电容N接电源高电压，P接电源低电压外加电场与自建场方向相同，阻挡层变宽，促进少子漂移，PN结截止，反向电压电流方向与正向偏置时相反，称为反向电流。
少子成小电流，反向电流很小。
PN结的导电性电压超反向电压超过0.几V时少子基本在过门限电场作用下，形成漂移电流，少子不值，PN因为电压变大而增多，反向电流基本结击穿不变，即饱和电流。
击穿不一定PN结的损坏雪奔击穿（碰撞击穿）少子能量过大，与原子碰撞，从而形成电子——空穴对。
模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一、半导体的基础知识1、半导体---导电能力介于导体与绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2、特性---光敏、热敏与掺杂特性。
3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4、两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴与电子统称为载流子。
5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的就是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子就是空穴,少子就是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子就是电子,少子就是空穴)。
6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7、 PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V,锗材料约为0、2~0、3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0、6~0、7V,锗管0、2~0、3V。
*死区电压------硅管0、5V,锗管0、1V。
3、分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础笔记
第一章常用半导体器件 (1)Q&A: (1)1.1 半导体基础知识 (2)1.1.1 本征半导体 (2)1.1.2 杂质半导体 (3)1.1.3 PN结 (3)1.2 半导体二极管 (4)1.2.1 二极管常见结构 (4)1.2.3 二极管的主要参数 (5)1.2.5 稳压二极管 (5)1.2.6 其他类型二极管 (6)1.3 晶体三极管 (6)1.3.1 晶体管的结构和类型 (6)1.3.2 晶体管的放大作用 (6)1.3.3 晶体管的共射特性曲线 (7)1.3.4 晶体管的主要参数 (8)1.4 场效应管 (9)1.4.1结型场效应管 (9)1.4.2 绝缘栅型场效应管 (11)第二章基本放大电路 (14)2.1 放大的概念和放大电路的主要性能指标 (14)2.3 放大电路的分析方法 (15)第一章常用半导体器件Q&A:??1.1 半导体基础知识1.1.1 本征半导体导体形成电流：导体一般为低价元素，最外层的点子极易挣脱原子核的束缚成为自由电子，在外电场的作用下产生定向移动而产生电流。
高价元素对电子的束缚力强，外层电子很难挣脱，所以是绝缘体。
半导体用的硅和锗属于4价元素，介于导体和绝缘体中间。
共价键：共价键中的电子跑出来之后就成为自由电子，在原位置形成空穴。
空穴电流和电子电流，自由电子的定向移动形成电子电流，电子的移动过程中，电子将以一定的方向依次的填补空穴导致空穴也定向产生移动，故而产生空穴电流，半导体相比导体的一个特殊性就是半导体有两种载流子，空穴和电子，而导体只有电子。
本征半导体载流子的浓度公式：ni=pi=K1T32e−E G02kT其中：ni和pi为电子和空穴的浓度k为波尔兹曼常数（8.63*10-5eV/K）E G0为热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁断宽度（硅为1.21eV，锗为0.785eV）K1是与半导体材料载流子有效质量，有效能级密度有关的常量（硅为1.87*1016cm-3*k-3/2, 锗为1.76*~~~）常温时（T=300K），硅材料ni=pi=1.43*1010cm-3，锗材料ni=pi=2.38*1013cm-3本征半导体对温度敏感，既可以用来做热敏和光敏器件，有是造成半导体温度稳定性差的原因。
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第八章 波形的发生和信号的转换电路第一节 正弦波振荡电路的概念【教学目的】了解振荡电路的概念，掌握正弦波振荡电路的组成、稳定振荡条件及起振条件．振荡条件，掌握RC 正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅原理及振荡频率的计算; 【教学重点】正弦波振荡电路的组成、振荡条件； 【教学难点】振荡条件；【教学方法及手段】多媒体辅助教学； 【课外作业】 8．7 【学时分配】 ２学时 【自学内容】 【教学内容】1．产生正弦波振荡的条件;２.ＲＣ正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅原理及振荡频率的计算。
1.1正弦波产生条件● 正弦波振荡电路的四个环节正弦波振荡电路由放大电路、正反馈网络、选频网络、稳幅电路组成。
● 振荡平衡条件（a) 负反馈放大电路 （b) 正反馈振荡电路负反馈放大电路和正反馈振荡电路框图比较负反馈放大电路和正反馈振荡电路的区别。
正反馈一般表达式的分母项变成负号，而且振荡电路的输入信号 ，所以 正反馈一般表达式：振荡条件为：包括振幅平衡条件: ，相位平衡条件:ｊ AF = ϕA ＋ϕ F= ±２n π● 起振条件和稳幅原理振荡器在刚刚起振时,要求 在反馈网络中加入非线性稳幅环节,用以调节放大电路的增益,从而达到稳幅的目的。
0i =X f i 'XX =1=FA F A A A -=1f 1=F A1||>F A 1||>F A判断一个电路是否为正弦波振荡器， 就看其组成是否含有上述四个部分。
判断振荡的一般方法是：（１) 是否满足相位条件, 即电路是否为正反馈, 只有满足相位条件才有可能振荡。
（２) 放大电路的结构是否合理, 有无放大能力， 静态工作点是否合适。
(3) 分析是否满足幅度条件, 检验, 若 ， 则不可能振荡。
, 能振荡, 但输出波形明显失真。
, 产生振荡。
振荡稳定后 。
再加上稳幅措施,振荡稳定,而且输出波形失真小。
1．2 RC 正弦波振荡电路 ＲC 网络的频率响应 １) R Ｃ串并联网络的电路 其频率响应如下:2)频率特性(1) 幅频特性表达式:(2)相频特性表达式：（a ） 幅频特性曲线(b) 相频特性曲线该网络有选频特性,振荡频率为 时 ,幅频值最大为1/3,相位ϕF=0︒。
••F A 1<••F A 1>>••F A 1>••F A 1=••F A )j /1(111C R Z ω+=222222j 1 )j /1//(C R R C R Z ωω+===F20022122121221)(31)1()1(1ωωωωωω-+=-+++C R C R C C R R3arctg11arctg 0012211221F ωωωωωωφ--=++--=C C R R C R C R RCf f π210==RＣ文氏桥振荡器当f=f０时的反馈系数=F 31,且与频率f０的大小无关。
此时的相角ϕＦ=0︒。
即改变频率不会影响反馈系数和相角,在调节谐振频率的过程中，不会停振,也不会使输出幅度改变。
(１) RC文氏桥振荡电路的构成ＲC文氏桥振荡电路ＲＣ串并联网C１、R1和C2、R2正反馈支路与R３、R4负反馈支路。
可导出：为满足振荡的幅度条件｜|=1,所以A f≥3。
加入Ｒ3、R4支路，构成串联电压负反馈。
(２) RC文氏桥振荡电路的稳幅过程RＣ文氏桥振荡电路的稳幅作用是靠热敏电阻Ｒ4实现的。
R4是正温度系数热敏电阻,当输出电压升高,Ｒ4上所加的电压升高,即温度升高，Ｒ4的阻值增加，负反馈增强，输出幅度下降。
反之输出幅度增加。
采用反并联二极管的稳幅电路：二极管工作在A、B点,电路的增益较大,引起增幅过程。
当输出幅度大到一定程度,增益下降,最后达到稳定幅度的目的。
反并联二极管的稳幅电路:FA3143f≥+=RRA第二节 ＬC 正弦波振荡电路【教学目的】掌握LC 正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅原理及振荡频率的计算; 【教学重点】LC 正弦波振荡电路的工作原理、起振条件; 【教学难点】LC 正弦波振荡电路的工作原理、起振条件； 【教学方法及手段】多媒体辅助教学; 【课外作业】８.11、8.12 【学时分配】2学时 【教学内容】1.LC 变压器反馈ＬC 振荡器； 2．电感三点式LC 振荡器； 3.电容三点式L Ｃ振荡电路; 4.石英晶体LC 振荡电路。
２.1 LC 正弦波振荡电路包括有放大电路、正反馈网络、选频网络和稳幅电路。
这里的选频网络是由LC 并联谐振电路构成。
● ＬC 并联谐振电路的频率响应LC 并联谐振电路如图所示。
显然输出电压是频率的函数： 输入信号频率过高，电容的旁路作用加强,输出减小;反之频率太低，电感将短路输出。
并联谐振曲线如图所示。
● 变压器反馈ＬC 振荡器变压器反馈ＬＣ振荡电路如图所示。
LC 并联谐振电路作为三极管的负载,反馈线圈Ｌ2与电感线圈Ｌ相耦合,将反馈信号送入三极管的输入回路。
交换反馈线圈的两个线头,可使反馈极性发生变化。
调整反馈线圈的匝数可以改变反馈信号的强度，以使正反馈的幅度条件得以满足。
变压器反馈L Ｃ振荡电路 同名端的极性变压器反馈LC 振荡电路的振荡频率与并联LC 谐振电路相同,为LCf π210=)]([)(i o ωωV f V =●电感三点式LＣ振荡器电感线圈L1和L2, 2点是中间抽头。
如果设某个瞬间集电极电流减小,线圈上的瞬时极性如图所示。
反馈到发射极的极性对地为正,图中三极管是共基极接法，所以使发射结的净输入减小，集电极电流减小，符合正反馈的相位条件。
图为另一种电感三点式ＬC振荡电路。
电感三点式ＬＣ振荡电路电感三点式LC振荡电路分析三点式LC振荡电路常用如下方法，将谐振回路的阻抗折算到三极管的各个电极之间，有Zｂe、Zｃe、Zcb ,如图所示。
对于图Zｂe是L2、 Zｃe是L1、 Zcb是C。
可以证明若满足相位平衡条件, Ｚｂｅ和Zce必须同性质，即同为电容或同为电感，且与Zcb性质相反。
谐振回路的阻抗折算●电容三点式LＣ振荡电路与电感三点式LC振荡电路类似的有电容三点式LC振荡电路,见图电容三点式LC振荡电路●石英晶体ＬC振荡电路利用石英晶体的高品质因数的特点,构成LC振荡电路，如图所示石英晶体LC振荡电路对于图电路，满足正反馈的条件,为此，石英晶体必须呈电感性才能形成LC并联谐振回路，产生振荡。
由于石英晶体的Q值很高，可达到几千以上，所示电路可以获得很高的振荡频率稳定性。
ﻬ第三节电压比较器电路【教学目的】掌握电压比较器电路的组成及分析应用方法;了解集成比较器的特点;【教学重点】电压比较器电路的组成、工作原理；【教学难点】比较器的分析应用方法；【教学方法及手段】多媒体辅助教学;【课外作业】8.15、８．17【学时分配】2学时【教学内容】1.单电压比较器电路;2.滞洄比较器电路;3.窗口比较器电路的组成及分析应用方法。
3.1 比较器概念比较器是将一个模拟电压信号与一个基准电压相比较的电路。
分类有电压比较器、窗口比较器和具有滞回特性的比较器。
●固定幅度比较器➢过零比较器和电压比较器过零电压比较器电路图和传输特性曲线如图所示过零比较器传输特性曲线将过零电压比较器的一个输入端从接地改接到一个电压值ＶRE Ｆ 上 ， 就得到电压比较器,它的电路图和传输特性曲线如图所示:比较器的基本特点(1） 工作在开环或正反馈状态。
(２) 开关特性,因开环增益很大,比较器的输出只有高电平和低电平两个稳定状态。
(3) 非线性，因大幅度工作,输出和输入不成线性关系。
● 滞回比较器从输出引一个电阻分压支路到同相输入端，电路如图所示。
当输入电压v I 从零逐渐增大,且T I V v ≤ 时，+=om OV v，T V 称为上限触发电平。
当输入电压T I V v ≥ 时, -=om O V v ,此时触发电平变为T 'V ，T 'V 称为下限阈值(触发)电平。
● 窗口比较器窗口比较器的电路如图。
电路由两个幅度比较器和一些二极管与电阻构成。
设R １ =R ２,则有：窗口比较器的电压传输特性当ｖI>ＶＨ时,ｖO1为高电平,Ｄ３导通；v O2为低电平, Ｄ4截止,v Ｏ= v Ｏ1。
当ｖI ＜V L 时，v O2为高电平，D4导通;ｖO1为低电平，Ｄ3截止，ｖO= v Ｏ2。
当V H >v I> V L 时，v O1为低电平,v Ｏ2为低电平，D3、Ｄ4截止，ｖＯ为低电平。
● 比较器的应用比较器主要用来对输入波形进行整形,可以将不规则的输入波形整形为方波输出，其原理图如图所示:++++=om 21221REF 1T V R R R R R V R V -+++=om 21221REF 1T 'V R R R R R V R V DL H D CC 212D CC L 2=)2(21)2(=V V V V V R R R V V V +-=+-正弦波变换为矩形波有干扰正弦波变换为方波第四节 非正弦波产生电路【教学目的】掌握非正弦波产生电路的组成、原理及振荡参数的计算;【教学重点】非正弦波产生电路的原理及振荡参数的计算； 【教学难点】非正弦波产生电路的振荡参数的计算; 【教学方法及手段】多媒体辅助教学; 【课外作业】8．20、8.26 【学时分配】2学时 【自学内容】 【教学内容】1．矩形波产生电路; 2．三角波产生电路; 3．锯齿波产生电路。
４.1 ＲC 充、放电电路其三要素为4.２ 矩形波产生电路由滞回比较电路和RC 定时电路构成的工作原理在图所示电路中， 通过R ｏ和稳压管V Ｄz1、V Ｄz ２对输出限幅, 如果它们的稳压值相等,即U z1=Ｕz ２＝Ｕz, 那么电路输出电压正、 负幅度对称:U O Ｈ=+U ｚ, U ＯＬ＝-Ｕz, 同相端电位由u o 通过1U C C 充放(b ) τ充＝τ放 T ＜＜充 放 充C RCU u u CC C C ==∞=+充τ,)(,0)0(RC u U u C CC C ==∞=+放τ,0)(,)0(R 2、R ３分压后得到，这是引入的正反馈;反相端电压受积分器电容两端的电压u C 控制。
电路接通电源时, 与 必存在差别。
或 是随机的。
尽管这种差别极其微小，但一旦出现 , u ｏ=ＵOH ＝＋U z 。
反之， 当出现 时, u ｏ=ＵOL ＝－U z 。
因此, u ｏ不可能居于其它中间值。
设t =０（电源接通时刻),电容两端电压u Ｃ=0,滞回比较器的输出电压u ｏ=+Ｕz ， 则集成运放同相输入端的电位为:此时, 输出电压u o=+U z 对电容充电, 使 由零逐渐上升。
在等于以前， u o=+U ｚ不变。
当时，输出电压u ｏ从高电平+U z 跳变为低电平-U z 。