半导体器件型号命名方法(必看)
晶体管命名含义
2楼
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家ห้องสมุดไป่ตู้大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
半导体二极管的型号命名
半导体二极管的型号命名国产半导体器件的命名方法二极管的型号命名通常根据国家标准 GB_249 — 74 规定，由五部分组成。
第一部分：用数字表示器件电极的数目。
第二部分：用汉语拼音字母表示器件材料和极性。
第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型。
第四部分：用数字表示器件序号。
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。
如表 5 ． 1 所示。
表 5 ． 1 国产半导体器件的命名方法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分符号意义字母意义字母意义字母意义意义意义2二极管AN 型，锗材料P 普通X低频小功率(fa<3MHz ，Pc<1W)反映二极管、三极管参数的差别反映二极管、三极管承受反向击穿电压的高低。
如A 、B 、C 、D …其中 A 承受的反向击穿电压最低， B 稍高BP 型，锗材料W稳压管CN 型，硅材料Z整流管G高频小功率(fa>3MHz ，Pc<1W)DP 型，硅材料L整流堆3三极管APNP 型，锗材料N阻尼管D低频大功率(fa<3MHz ，Pc>1W)BNPN 型，锗材料K开关管CPNP 型，硅材料F发光管A高频大功率(fa>3MHz ，Pc>1W)DNPN 型，硅材料S隧道管E化合物材料U光电管T 可控硅CS 场效应管BT 特殊器件2 ．日本半导体器件的命名方法日本半导体器件命名型号由五部分组成。
第一部分：用数字表示半导体器件有效数目和类型。
1 表示二极管， 2 表示三极管。
第二部分：用 S 表示已在日本电子工业协会登记的半导体器件。
第三部分：用字母表示该器件使用材料、极性和类型。
第四部分：表示该器件在日本电子工业协会的登记号。
第五部分：表示同一型号的改进型产品。
具体符号意义如表 5 · 2 所示。
表 5 ． 2 日本半导体器件的命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分序号意义符号意义序号意义序号意义序号意义O光电二极管或三极管S已在日本电子工业协会注册登记的半导体器件APNP 高频晶体管多位数字该器件在日本电子工业协会的注册登记号ABCD该器件为原型号产品的改进产品BNP 低频晶体管CNPN 高频晶体管1 二极管 D NPN 低频晶体管2 三极管或有三个电极的其他器件EP 控制极可控硅GN 控制极可控硅HN 基极单结晶管JP 沟道场效应管3 四个电极的器件N 沟道场效应管M 双向可控硅3 ．美国半导体器件的命名方法美国电子工业协会半导体分立器件命名型号由五部分组成。
半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）
半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。
一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN 型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。
二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C 表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP 锗高频小功率三极管。
二极管命名规则
二极管命名规则 Revised by Liu Jing on January 12, 2021各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
半导体器件的命名方法
半导体器件的命名方法1．中国半导体器件的命名法根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表表2-15 国产半导体器件的型号命名方法例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。
2. 美国半导体器件命名法根据美国电子工业协会（EIA）规定的半导体器件型号命名方法如表2-16所示。
表2-16 美国半导体器件型号的命名法例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。
3．日本半导体器件命名法日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。
表2-17 日本半导体器件命名法例如2SA53表示高频PNP型三极管，1S92表示半导体二极管。
4．欧洲半导体器件命名法由于目前欧洲各国没有明确统一的标准半导体器件型号命名法，故他们大都使用国际电子联合会的标准。
半导体器件的型号一般由四部分组成，其基本含义如表2-18。
表2-18 欧洲半导体器件命名法补充说明：欧洲半导体器件型号除以上基本组成部分外，为进一步标明器件的特性，或对器件进一步分类，有时还加有后缀，后缀用破折号与基本部分分开。
常见的后缀有以下几种。
（1）稳压二极管型号后缀的第一部分是一个字母，用来表示器件标称稳定电压值的允许误差范围。
其代表的意义如表2-19。
表2-19 稳压二极管后缀字母的含义后缀的第二部分是数字，表示稳压二极管的标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
（2）整流二极管和可控硅型号的后缀是数字，表示其最大反向电压值，单位是伏。
例如BZY88-C9V1表示标称稳压值是9.1V、精度为±5%的硅稳压二极管；BTX64-200表示反向耐压为200V的大功率可控硅；BU406D表示大功率硅开关三极管。
2.5.4 几种常用半导体三极管的性能1. 常用小功率半导体三极管常用小功率半导体三极管的特性见表2-20。
半导体管的命名标准
导体分立器件的型号命名方法半导体分立器件的型号命名方法：1 国标命名方法：（引自GB249-74 ,1975）半导体器件有5部分组成第一部分：用数字表示器件的电极数目。
2，二极管。
3，三极管第二部分：用汉语拼音表示器件的材料极性。
二极管：A,N 锗材料，B,P 锗材料，C,N 硅材料，D,P 硅材料，三极管：A,PNP 锗材料，B,NPN 锗材料，C,PNP 硅材料，D,NPN 硅材料，E,化合物材料。
第三部分：用汉语拼音表示器件的类型。
P 普通管，V微波管，W 稳压管，C 参量管，Z 整流管，L 整流堆，S 隧道管，N 阻尼管，U 光电管，X 低频小功率，G 高频小功率，D 低频大功率，A 高频大功率，T 体效应管，B 雪崩管，J阶跃恢复管，CS 场效应管，BT 半导体特殊器件，FH 复合管，PIN,PIN 管，JG 激光管。
第四部分：用数字表示器件的序号。
第五部分：用汉语拼音表示规格号。
收藏 分享助理工程师发表于 2010-10-25 23:15 | 只看该作者美国半导体器件的命名方法：美国半导体器件的命名比较混乱，这里介绍的是美国电子工业协会（EIA ）规定的晶体管分立器件的命名法。
第一部分:用符号表示用途和类别，JAN,或J 军用。
无，民用。
威望822 金钱843第二部分：用数字表示PN结数，1，二极管，2 ，三极管。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志,N第四部分：美国电子工业协会（EIA）登记序号。
第五部分：同型号的不同档别，A,B,C…美国半导体器件的命名特点：1 除前缀以外，凡以1N,2N,3N开头的器件，大多为美国制造，或美国专利。
2 第四部分只是登记序号，无其他意义，所以相邻号参数也许相差很大。
3，不同厂家生产性能一致的器件使用同一登记号，故可以通用。
TOPaloevera助理工程师威望822金钱8433#发表于 2010-10-25 23:16 | 只看该作者欧洲半导体分立器件的型号命名方法：目前欧洲各国没有明确统一的型号命名方法，但大部分欧洲共同体的国家一般使用国际电子联合会的标准版导体分立器件的型号命名方法。
半导体分立器件的型号命名方法
半导体分立器件的型号命名方法半导体分立器件的型号命名方法国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见表15。
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
第三部分用字母表示二极管的类别。
第四部分用数字表示序号。
第五部分用字母表示二极管的规格号。
表15 国标国产二极管的型号命名及含义第一部分：主称第二部分：材料与极性第三部分：类别第四部分：序号第五部分：规格号数字含义字母含义字母含义用数字表示同一类别产品序号用字母表示产品规格、档次2 二极管A N型锗材料P 小信号管（普通管）W电压调整管和电压基准管（稳压管）L 整流堆B P型锗材料N 阻尼管Z 整流管U 光电管C N型硅材料K 开关管B或C 变容管V 混频检波管D P型硅材料JD 激光管S 遂道管CM 磁敏管E 化合物材料H 恒流管Y 体效应管EF 发光二极管例如：2AP9(N型锗材料普通二极管2CW56(N型硅材料稳压二极管)2——二极管2——二极管A——N型锗材料C——N型硅材料P——普通型W——稳压管9——序号56——序号电容器的型号命名方法有哪些?（一）国产电容器的型号命名法国产电容器型号命名由四部分组成，各部分的含义见表11。
第一部分用字母“C”表示主称为电容器。
第二部分用字母表示电容器的介质材料。
第三部分用数字或字母表示电容器的类别。
第四部分用数字表示序号。
表11 国产电容顺型号命名及含义第一部分：主称第二部分：介质材料第三部分：类别第四部分：序号字母含义字母含义数字或字母含义用数字表示序号，以区别电容器的外形尺寸及性能指标瓷介电容器云母电容器有机电容器电解电容解C 电容器A钽电解 1 圆形非密封非密封箔式B聚苯乙烯等非极性有机薄膜（常在“B”后面再加一字母，以区分具体材料。
例如“BB”为聚丙烯，“BF”为聚四氟乙烯）2 管形非密封非密封箔式3 叠片密封密封烧结粉，非固体4 独石密封密封烧结粉，固体C高频陶瓷D铝电解5 穿心穿心E其它材料电解6 支柱等G合金电解H纸膜复合7 无极性I玻璃釉8 高压高压高压J金属化纸介9 特殊特殊（二）国外电容器的型号命名方法国外电容器的型号命名由六部分组成，各部分的含义见表12。
中美日半导体器件命名规则
中美日半导体器件命名规则半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
半导体器件型号的命名方法
第三部分
用汉语拼音字母表示器件类型
符
符
号
意义
号Leabharlann 意义P 普通管D 低频率大功率管
V 微波管
fα ＜3MHz，Pc＞
W 稳压管
1W
C 参量管
A 高频率大功率
Z 整流管
fα ＜3MHz，Pc＞
L 整流堆
1W
S 隧道管
T 半导体闸流管
N 阻尼管
（可控整流管）
U 光点管
Y 体效应器件
K 开关管
B 雪崩管
X 低频小功率管 J 阶跃恢复管
别
日2
S
A．PNP 高频 两位以 A．B．C
本
B．PNP 低频 上 表示对原
C．NPN 高频 数字表 型号的改
D．NPN 低频 示
进
登记序
号
美2 国
N
多位数字表
示
登记序号
欧 A C－低频小功 三 位 数 字 表 B 参 数
洲锗
率
示
分
B D－低频大功 登记序号 档标志
硅
率
F－高频小功 率
L－高频大功 率
S－小功率开
关
U－大功率开 关
备注 不表示硅锗材料及功率
大小
不表示硅锗材料 NPN 或 PNP 及功率的大小及功 率大小
型号 9011 9012 9013 9014 9015 9016 9018 8050 8550
极性 NPN PNP NPN NPN PNP NPN NPN NPN PNP
表 3 韩国三星电子三极管特性
fα ＜3MHz，Pc CS 场效应器件
＜1W
BT 半导体特殊器件
G 高频率小功率 FH 复合管
二、三极管命名法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率名法
半导体命名
半导体器件型号命名方法１、国产半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示有效电极数目。
2—二极管、3 —三极管第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性。
表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。
表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示类型。
P—普通管、V—微波管、W—稳压管、C—参量管、Z—整流管、L—整流堆、S—隧道管、N—阻尼管、U—光电器件、K—开关管、X—低频小功率管、G—高频小功率管、D—低频大功率管、A—高频大功率管、T—半导体晶闸管（可控整流器）、Y—体效应器件、B—雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT—半导体特殊器件、FH—复合管、PIN—PIN 型管、JG—激光器件。
高频、低频（f＝3MHz）大功率管、小功率管（Pc＝1W)第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG6A表示NPN型硅材料高频小功率三极管表1 中国半导体器件组成部分的符号及意义例如锗PNP高频小功率管为3AG11C。
３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）２、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN—军级、JANTX—特军级、JANTXV—超特军级、JANS—宇航级、（无）—非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1—二极管、2—三极管、3—三个pn结器件、n—n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
N—该器件已在美国电子工业协会注册登记第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
半导体三极管的命名方法(中日欧韩美)
半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。
一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:头，日本产的半导体三极管是以“2S”开头，目前市场上以“2S”开头的日本品比较多。
日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。
二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
半导体型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P 型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
国际电子联合会半导体器件型号命名法
国际电子联合会半导体器件型号命名法西德、法国、意大利、荷兰和比利时等参加欧洲共同市场的国家以及匈牙利、南斯拉夫、罗马尼亚、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会晶体管型号命名法。
这种方法组成部分的符号及意义见表。
在表中所列的四个基本部分后面，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见的后缀有如下几类：1.稳压二极管型号的后缀：其后缀的第一部分是一外字母，表示稳压电压值的容许误差范围。
其字母的意义如下：国际电子联合会半导体器件型号命名法注：小功率指热阻RT≤15℃／W：大功率指热阻RT≤15℃／W。
符号 A B C D E容许误差±1 ±2 ±5 ±10 ±15其后缀第二个部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀第三部分是字母V，是小数点的代号；后缀第四部分是数字，表示标称稳定电压的小数数值。
2.整流二极管型号的后缀：是数字。
表示最大反向峰值和最大反向断开电压（通常表示其最小值）。
现举例说明如下：例如，AF239锗材料高频小功率三极管普通用器件登记号A F 239例如，AF239S锗材料高频小功率三极管普通用登记序号AF239型某一参数的S档A F 239 S例如，BCP107硅材料低频小功率三极管专用登记号B C P107例如，BD239A硅材料低频大功率三极管普通登记序号BD239型某一参数的A档B D 239 A国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1.这种命名法被欧洲许多国家采用。
因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A、B、C、D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。
2.第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（PNP型或NPN型）。
3.第二个字母表示器件和类别和主要特点。
如C表示低频小功率、D表示低频大功率、F表示高频小功率、L表示高频大功率三极管等等。
若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。
半导体分立器件的型号命名方法
半导体分立器件的型号命名方法
(一)国产二极管的型号命名方法
国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分，各部分的含义见表1。
●第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
●第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
●第三部分用字母表示二极管的类别。
●第四部分用数字表示序号。
●第五部分用字母表示二极管的规格号。
表 1 国标国产二极管的型号命名及含义
例如：
(二)国产三极管的型号命名方法
国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分的含义见表2。
●第一部分用数字“3”表示主称和三极管。
●第二部分用字母表示三极管的材料和极性。
●第三部分用字母表示三极管的类别。
●第四部分用数字表示同一类型产品的序号。
●第五部分用字母表示规格号。
例如：。
三极管的命名规则
三极管的命名规则一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N 型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN 型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。
中国半导体分立器件型号的命名法
中国半导体分立器件型号的命名法中国半导体分立器件型号的命名法中国晶体管和其他半导体器件的型号,通常由以下五部分组成:第一部分:用阿拉伯数字表示器件的有效电极数目. 例如:3AX81-81的3第二部分:用汉语拼音字母表示器件的极性和材料. 例如:3AX81-81的A第三部分:用汉语拼音字母表示器件的类型. 例如:3AX81-81的X第四部分:用阿拉伯数字表示器件的序号. 例如:3AX81-81的81第五部分:用汉语拼音字母表示规格. 例如:3AX81-81的-81但是,场效应晶体管,半导体特殊器件,复合管,PIN型二极管(P区和N区之间夹一层本征半导体或低浓度杂质半导体的二极管.当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存储效应和I层中的渡越时间效应,二极管失去整流作用,而成为阻抗元件,并且,其阻抗值的大小随直流偏置而改变)和激光器件等型号的组成只有第三,第四和第五部分.例如:CS2B是表示:B规格2号场效应管.中国半导体分立器件型号的组成符号及其意义用数字表示器件的有效电极数目用汉语拼音字母表示器件俄材料和极性用汉语拼音字母表示器件的类型用阿拉伯数字表示器件的序号用汉语拼音字母表示规格2二极管AN型,锗材料P 普通管D 低频大功率管B P型,锗材料V 微波管A 高频大功率管C N型,硅材料W 稳压管T 半导体闸流管D P型,硅材料C 参量管Y 体效应器件3三极管APNP型,锗材料Z 整流管B 雪崩管B NPN型,锗材料L 整流堆J 阶跃恢复管C PNP型,硅材料S 隧道管CS 场效应管D NPN型,硅材料N 阻尼管BT 半导体特殊器件U 光电器件FH 复合管E 化合物材料K 开关管PIN PIN型管X 低频小功率管JG 激光器件G 高频小功率管。
半导体器件的型号命名方法(精)
美国半导体器件的型号命名方法美国半导体器件型号命名由四部分组成。
各部分的含义见下表。
第一部分用数字表示器件的类别。
第二部分用字母“N”表示该器件已在EIA注册登记。
第三部分用数字表示该器件的注册登记号。
第四部分用字母表示器件的规格号。
美国半导体器件型号命名及含义第一部分：类别第二部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志第三部分：美国电子工业协会（EIA）登记号第四部分：器件规格号数字含义字母含义用多位数字表示该器件在美国电子工业协会（EIA）的登记号用字母A、B、C、D……表示同一型号器件的不同档次1二极管N该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记2晶体管3三个PN 结器件（如双栅场效应管晶体管）n n个PN 结器件例如：lN 40072N 2907 A l——二极管2——晶体管N——ElA注册标N——ElA注册标志志4007——ElA登记号2907——ElA登记号A——规格号欧共体半导体器件的型号命名方法欧式电子管的型号命名由三部分组成，见下表第一部分：灯丝电压或灯丝电流第二部分：类型第三部分：管外形与序号字母含义字母含义数字含义A4V（AC）A二极管1～9边接触式管座B双二极管B0.18V C三极管（功率管除外）11～19钢质管座C0.2A D功率三极管E四极管（功率管除外）21～26自锁式管座D 1.2～1.4V(DC F五极管（功率管除外）E 6.3V(AC H六极管或七极管31～34普通八脚管座K八极管F12.6V L功率五极管或束射四极管40～49紧锁式管座M调谐指示管G5V N充气三极管或四极管61～65超小型管座H0.15A P二次放射管K2V(DC Q九极管71～79自锁式管座T多种复合管M 1.5V,2.4～2.8V W充气半波整流管80～89指形小九脚管座X充气全波整流管P0.3A Y高真空半波整流管90～99指形小七脚管座U0.1A Z高真空全波整流管ABC 高频二极管、双二极三极管100～169特种管V0.05A AF二极—五极管X0.6A BC二极三极管CH二极—六极管Y0.45A BF双二极—五极管Z冷阴极CC双三极管CF、三极—五极管CL第一部分用字母表示灯丝电压或灯丝电流。
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1、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
2、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”
开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn 结器件。
第三部分：美国电子工业协会(EIA)注册标志。
N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：
a稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
b整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
c晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。