半导体激光器温度控制研究
半导体激光驱动电源温控算法与程序设计
Y
交换次数为零
N
从起始端开始比较
Y
符合降序要求?
N
交换两数 置标志位
N
Y
交换次数用完?
Y
发生过交换?
N
结束
冒泡排序算法流程
开始 取样值
采样值累加
N
N—1=0?
Y
置除数初值 调除法子程序
返回 累加求和算法流程
线性化处理
线性化
开始
初始化表首址
从表中取Ux值
Ux>Ui ?
Y Dptr减2
N Dptr加2
△u(k)=Pp+Pi+Pd u(k)=u(k-1)+ △u(k)
u(k-1)=u(k) e(k-2)=e(k-1),e(k-1)=e(k)
温度设定值转换
求e(k)
N
e(k)>ε?
Y
N
Y
e(k)>A?
调PID程序
调PD程序
返回 温度控制算法流程
返回
PID运算框图
系统调试
温度电压值转换实验数表
温度℃ 电压采样 温度℃ 电压采样 温度℃ 电压采样 温度℃ 电压采样
本课题主要通过80C32型单片机对激光器工作温度进行控制。
激光器电源系统框图
系统框图
温度控制模块
温度采样
N
滤波
U i>Um?
Y+
温度采样
U i>Um?
Y 滤波
N
紧急中断
Ui—U0
N
线性化处理
|差|>ε?
Y
实时显示
温度控制程序
返回 图2.2 温度控制模块流程图
开始
VCSEL激光器温度控制电路设计及氧气浓度测量实验研究的开题报告
VCSEL激光器温度控制电路设计及氧气浓度测量实验研究的开题报告一、选题背景及意义:VCSEL激光器是一种新型半导体激光器,具有功率密度高、体积小、发光波长可调等优点。
在通信、计算机、医疗与检测等领域具有广泛应用。
在VCSEL激光器的使用中,温度对其发射特性有很大影响。
因此,需要对VCSEL激光器进行温度控制,以稳定它的工作状态。
同时,VCSEL激光器在气体检测领域也有很大的应用,如氧气浓度检测。
通过对VCSEL激光器的射出光谱进行分析,可以得出氧气浓度的相关信息,从而实现氧气浓度的测量。
本文旨在研究VCSEL激光器的温度控制电路设计及氧气浓度测量实验研究。
二、研究内容:本文将研究VCSEL激光器在不同温度下的发光特性转换,通过调整温度来控制VCSEL激光器的工作状态,设计出一种可靠的温度控制电路。
另外,本文还将探究VCSEL激光器在气体检测领域的应用,针对氧气浓度测量这一应用场景,通过对VCSEL激光器的射出光谱进行分析,得出氧气浓度的相关信息。
三、研究方法和步骤:1. 文献调研:通过查阅相关文献,了解VCSEL激光器的基本原理和工作特性,以及温度控制电路和氧气浓度测量方法等相关内容。
2. 设计温度控制电路:通过实验研究VCSEL激光器在不同温度下的工作状态,设计出可靠的温度控制电路,以维持VCSEL激光器的稳定工作状态。
3. 实验测量氧气浓度:通过对VCSEL激光器的射出光谱进行分析,测量出氧气浓度的相关信息,并验证其准确性和可靠性。
四、预期结果:本研究将设计出一种可靠的VCSEL激光器温度控制电路,以及在气体检测领域具有应用前景的氧气浓度测量方法。
通过实验证明,所设计的温度控制电路和氧气浓度测量方法具有较高的准确性和可靠性,并为VCSEL激光器在实际应用中提供重要参考。
高精度输出半导体激光器的温度控制系统设计
输
体光的度制统计 激器温控 系设
章朝阳
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喜 嚣
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T e D s 9 f r a H 9 r c s 0 e p r t r y t m h e i n o i h P e i i n T m e a u e S s e
汁
Ke wo d :L s t D o e: T m e a u e C n r l g v rs a e i d e p r t r o t o i 1n
0 弓言 I 随着光纤通信向着小型化、 集成化发展, 掺铒光纤放大 器 ( F) RMN 大器 的பைடு நூலகம்用越来越广泛, E A和 AA 放 D 要求半导体激
将L 的温度反馈到输入端, D 经过差动放大和缓冲隔离后送入 PD I控制器, 通过控温执行元件实现温度控制【。 2 测温部分用 】 具有高灵敏 度的负温度系数的热敏电阻 (T) N C作为温度传感
器, 将实际温度与设置温度值相减 , 差值送 PD 制器 驱动 I控 温控执行部分 。用 T C E 作为 制冷器件 ,T C用乙类双电源互 E 补对称 功率放 大电路 驱动。 1 1温度 / . 电压 转换 电路 进行精 密温控的前提条件是能够高精 度高分辨率的检测 温度值 。 本文 中的温控装置用于激光器 , 温控 精度要求达到 ±O01,因此相 应的测温分辨率至少应高 出一个数量级 。 .2 C 通 常的集成温度传 感器或半 导体温度传感 器达不 到如此精 度, 热敏 电阻具有较高的温度系数 , 但非线性很大 。由于 L D体积 非常小 , 以,测温器件也要很小 。 所 采用半导体工艺 制成的薄膜铂热敏电阻器 , 不仅体积 小 ( 以做 到2O m x 可 .m 25 . mm 11 x .mm) 而且具有很好的灵敏度和 稳定性 , , 它 将 温度的变化转化 为电阻值的变化, 在不 太宽的温度范围 内 (0 1 2 0C以下) ,其 电阻与温度的关系可 以表示 为 : R R [一o ( = 。 1 【 0, 0 ) 】 式中 : 。 0 R 为 时的电阻值 ( : 为选 定温度,一般 Q) 0。 为 0C 0 时的 电阻值 ; o 1 ;R 为 。 【 为温度系数 。测温电路如 图一所示, 采用桥路放 大采样。 为了很好 的使 热敏 电阻 (t R) 的变化与输出的电压 线性化, 电路 中设计 TR与 R 并联。 t 电 桥由 R 、R 、R 、R 、R 组成。因此,R 上的电压变化就 1 2 3 4 t t
用于半导体激光器的温控电路设计
De i n o e p r t r o r lcr ui f r l s r d o sg ft m e a u e c nt o i c t o a e i de
H ag Z A G Y - n Y i - a U Yn, H N au, U J q n j n u
cru t ic i wa u e t ei n t v l g t mp r tr n n ie r ro i se d f o a H ・ rd e ic i. s s d o lmi ae o t e—e e au e o l a er r n ta o n r l a n m b g cr ut i
胡 杨, 亚军, 张 于锦 泉
( 国 工 程 物 理 研 究 院 流 体 物 理 研 究 所 , 川 绵 阳 6 10 中 四 2 9 0) 摘 要 :针 对 半 导 体 激 光 器 ( D) 光 稳 定 的 应 用 要 求 , 计 了一 种 有 效 的 温 度 控 制 电 路 。电路 基 L 出 设
(E ) T C ,实现 了对 L 工 作 温 度 的 高精 度 控 制 。 通过 测 试 ,D 工 作 温 度 在 l n内达 到 设 定 温度 ,0m n D L mi 3 i 内 . 2 ℃ 的 工 作 温 度 下 稳 定 度 达± . 。 结 果 表 明 : 电路 能 快 速 、 效 地 控 制 T C 工 作 , 到 稳 在 5 02℃ 该 有 E 达
t mp rt r Pef r a c t s s o d h a LD wo k n tm p r tr r a h d h s t on tm p r tr e e au e. ro m n e e t h we t t r g e eau e e c e t e e p it e e a e i u
分段控制模式在半导体激光器温度控制中的应用研究
此,温度控制电路对整个激光器件的品质是非常关 键的。传 统 的温度控 制方 法包 括 线性 反馈 控制 、
PD控制等 ;随着 自动控制理论 的发展 ,出现了模 I 糊控制、神经网络控制 、遗传算法控制等现代化控
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实
验
技
术
与 管
理
V0 . 3 No 2 12 . F EB.2 o o6
EXPE MEN RI TAL TE CHN OCY OL AND MANAGEMEN T
分段控制模式在半导体激 光器 温度 控制 中 的应 用 研 究
w i h gv s s l a a t e a i t o t e s se ,t e pg y a k c n r lmo e c n i rv h e e au o t l n h c ie ef d p i b l y t h y tm - v i h ig b c o t d a mp e t e tmp r t r c n r l g o o e o i
tr o t lo sr do ew sraie i hsc nrl d . a aiae h e sblyo i c nrlmo e uec nr fl e - i a l d wt ti o t o a d e z h o mo e Th t l d td tefa iit ft s o t d . v i h o
Ke r s a e o e u py; tmp r t r o t l s l a a t e a i mei ; E y wo d :ls rp w rs p l e e a u e c nr ; ef d pi rt o - v h t c DA
半导体激光器温度控制系统设计与算法仿真
De s i g n a nd S i mu l a t i o n Al g o r i t h m o f Te m pe r a t u r e Co nt r o l S y s t e m o f Di o d e La s e r
WANG L i n g , YE Hu i — y i n g , Z HAO We n
Ab s t r a c t : D i o d e l a s e r ( L D)h a s t h e c h a r a c t e i r s t i c s o f l a r g e v o l u m e , a n d l o w p r e c i s i o n o f t e m p e r a t u r e c o n t r o 1 . T h i s p a p e r d e —
2 01 3
仪 表 技 术 与 传 感 器
I n s t r u me n t T e c h n i q u e a n d S e n s o r
2 01 3
第 5期
No . 5
半导 体 激光 器 温 度控 制 系统 设 计 与算 法 仿真
.
汪
灵, 叶会 英 , 赵
t u r e c o n t r o l a c c u r a c y a n d s t a b i l i t y o f t h i s s y s t e m. Ke y wo r d s : s e mi c o n d u c t o r l a s e r s ; t e mp e r a t u r e c o n t r o l ; S mi t h a l g o r i t h m; f u z z y P I D・ S mi t h c o n t r o l
基于ADRC的半导体激光器温度控制的仿真研究
0 引 言
半 导体 激光 器是 基 于半导 体材 料 中 电子 一空穴
体 激光 器 温度 。
关 键词 : 半 导体 激光 器 ; 温度控 制 ; 自抗 扰控 制
中图分 类号 : T N 2 4 8 . 4
文献 标 志码 : A
文章 编号 : 1 0 0 0— 0 6 8 2 ( 2 0 1 3 ) o l一 0 0 0 3— 0 3
Re s e a r c h o n t h e s i mu l a t i o n o f t e mp e r a t u r e c o n t r o l o f s e mi c o n d u c t o r l a s e r b se a d o n ADRC
a c c umu l a t i o n a n d t e mp e r a t u r e r i s e,t h e r e b y a f f e c t i n g i t s o p t i c a l o u t p u t p o we r a nd wa v e l e n g t h.I t i s n e c e s — s a r y t o c o n t r o l t h e s e mi c o nd u c t o r l a s e r t e mp e r a t ur e .Th i s p a pe r a n a l y z e d t h e t e mpe r a t u r e o f t h e s e mi c o n—
Ke y w o r d s : s e m i c o n d u c t o r l a s e r ; t e m p e r a t u r e c o n t r o l ; a c t i v e d i s t u r b a n c e r e j e c t i o n c o n t r o l l e r( A D R C)
半导体激光器_实验报告
半导体激光器_实验报告【标题】半导体激光器实验报告【摘要】本实验主要通过实际操作和测量,研究半导体激光器的工作原理和性能特点。
通过改变电流和温度等参数,观察激光器的输出功率和波长、发散角度等特性的变化,并分析其与激光器内部结构和材料特性之间的关系。
【引言】半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高等优点,在光通信、激光加工、医疗等领域有广泛应用。
了解半导体激光器的工作原理和特性对于深入理解其应用具有重要意义。
【实验内容】1. 实验器材与仪器准备:准备半导体激光器、电源、温度控制器、功率测量仪等实验设备。
2. 实验步骤:a. 连接电源和温度控制器,调节温度至设定值。
b. 调节电流,记录相应的激光器输出功率。
c. 测量激光器的输出波长和发散角度。
d. 分析激光器输出功率、波长和发散角度等特性随电流和温度变化的规律。
【实验结果】1. 实验数据记录:记录不同电流和温度下的激光器输出功率、波长和发散角度数据。
2. 实验结果分析:a. 输出功率与电流和温度的关系。
b. 输出波长与电流和温度的关系。
c. 发散角度与电流和温度的关系。
【讨论】根据实验结果,结合半导体激光器的内部结构和材料特性,讨论激光器输出功率、波长和发散角度等特性与电流和温度的关系。
分析激光器的工作原理和性能特点,并讨论其在实际应用中的优缺点。
【结论】通过实验,我们深入了解了半导体激光器的工作原理和性能特点。
通过调节电流和温度等参数,可以控制激光器的输出功率、波长和发散角度等特性。
半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高等优点,但也存在一些限制,如温度敏感性较强。
最后,我们对半导体激光器的应用前景进行了展望。
《面向混沌半导体激光器的驱动与温度控制系统设计》范文
《面向混沌半导体激光器的驱动与温度控制系统设计》篇一一、引言随着科技的飞速发展,半导体激光器在通信、医疗、军事、工业加工等多个领域发挥着日益重要的作用。
特别是混沌半导体激光器,因其在信号处理和信号增强等应用上的突出优势,得到了广泛的研究与应用。
然而,要充分发挥其性能,其驱动与温度控制系统的设计是关键所在。
本文旨在研究并设计一个面向混沌半导体激光器的驱动与温度控制系统,为混沌半导体激光器的实际应用提供支持。
二、混沌半导体激光器的工作原理及特点混沌半导体激光器,作为新一代的光源,具有优良的光束质量、高稳定性和高效率等特点。
其工作原理主要基于半导体材料的光电效应和激光原理。
然而,其工作状态易受环境因素如温度、电流等的影响,因此需要精细的驱动和温度控制系统。
三、驱动系统设计1. 电源设计:为了满足混沌半导体激光器的高精度和高效率的工作需求,驱动电源应具备高稳定性、低噪声和快速响应等特点。
我们采用高精度直流电源模块,并配合精确的电压和电流控制电路,以实现对激光器的高精度驱动。
2. 驱动电路设计:驱动电路是控制激光器工作状态的核心部分。
我们采用数字控制技术,结合精确的反馈机制,实现对激光器工作电流的实时调节和精准控制。
同时,我们还设置了保护电路,以防止因电流过大或过小对激光器造成损害。
四、温度控制系统设计1. 温度传感与监控:为了实现对激光器工作温度的实时监控和控制,我们采用了高精度的温度传感器,将实时温度数据传输至控制中心进行处理和分析。
2. 温控模块设计:根据实时温度数据,我们设计了温控模块,通过调节制冷或加热装置的工作状态,实现对激光器工作温度的精确控制。
同时,我们还设置了温度保护机制,以防止因温度过高或过低对激光器造成损害。
3. 反馈与优化:我们通过引入反馈机制,将实际温度与设定温度进行对比,根据对比结果调整温控模块的工作状态,以达到精确控制激光器工作温度的目的。
此外,我们还通过优化算法和程序,进一步提高系统的稳定性和响应速度。
半导体激光器温度控制系统.
半导体激光器温度控制系统半导体激光器广泛应用在工业加工、精密测量、通讯等领域。
半导体激光器是一个对温度很敏感的器件,它的输出波长和功率会随着温度的变化而改变,工作寿命也会因此而缩短。
所以为了保证半导体激光器工作性能的良好,必须要控制半导体激光器的温度。
本文利用半导体制冷器作为系统的执行元件,设计出了半导体激光器的温度控制系统。
目前半导体激光器的温控执行元件大多使用半导体制冷器。
半导体制冷器是根据珀尔贴效应而制成的,当给它通上直流电时,半导体制冷器就会加热或制冷,从而控制半导体激光器的温度。
本文首先研究了半导体制冷器的工作原理,而后在此基础上应用小信号分析法,建立出在平均意义下的半导体制冷器的数学模型。
其次研究半导体激光器和温度传感器的模型,得出了温控系统的传递函数,通过分析温控系统的传函和温控系统需要达到的性能要求,设计了PID控制器和模糊自适应PID控制器来优化系统,得出应用模糊自适应PID的系统控制精度可以达到0.01℃。
然后又利用遗传算法对系统进行寻优,遗传算法不需要任何初始信息便可以寻求到全局最优解,本文设计出基于遗传算法的PID控制器,与PID控制和模糊自适应PID进行比较,经过仿真比较,得出基于遗传优化的PID控制效果更好。
最后,设计温度控制系统的硬件部分。
详细介绍了系统的数据采集部分、单片机接口部分、功率驱动器部分和显示器部分。
同主题文章[1].高俊杰,马俊芝. 结构参数对半导体激光器激光特性的影响' [J]. 激光技术. 1981.(03)[2].史一京. 半导体激光器的光注入调试' [J]. 中国激光. 1983.(Z1)[3].徐振华. 室温下15GHz直接调制的半导体激光器' [J]. 半导体光电. 1986.(01)[4].罗本清. PCM二次群和三次群光发射盘' [J]. 半导体光电. 1987.(03)[5].陈其道. 在快速激发下,DC—PBH 1.3μm InGaAsP/InP激光器的动态光谱展宽' [J]. 半导体光电. 1987.(03)[6].刘弘度,林祥芝,鲍学军. 单纵模耦合腔半导体激光器' [J]. 光通信技术. 1987.(01)[7].史一京,李东姝,潘贵生. 用计算机对半导体激光器L-I特性等的测量'[J]. 激光与红外. 1987.(01)[8].李林林,杨恩泽. 半导体激光器的强度调制研究' [J]. 半导体光电. 1988.(04)[9].刘劲松,詹玉书. 阈值载流子密度对注入锁定半导体激光器双稳输出特性的影响' [J]. 应用激光. 1988.(02)[10].李及,闫军. 半导体激光器的最新进展' [J]. 今日科技. 1996.(01)【关键词相关文档搜索】:控制理论与控制工程; 半导体激光器; 半导体制冷器; 温度控制; 模糊PID控制; 遗传算法【作者相关信息搜索】:燕山大学;控制理论与控制工程;臧怀泉;李茜;。
半导体激光器温度控制研究
等有利因
素, 用其作为干涉测量中的光源, 使得干涉测量系统 。 另一方面, 从图 , 可以看出, -5 的输出功率与 , 当 -5 内部温度增加时, 输出功率也 随之增加, 而 -5 要在干涉测量领域当中应用, 首要 如果温度不稳 任务是使 -5 的输出功率非常稳定, 则可能会引发模式跳跃现象
,# 引# 言 半导体激光器 ( -5 ) 具有体积小、 重量轻、 输入 电压小、 结构简单、 寿命长、 转换效率高、 功耗低、 结 构简单、 价格低廉、 使用安全、 易于调制 的集成化、 实用化变为可行 温度的关系
[ !] [ *] [ ,]
作电流 3 4 的关系可知: 阈值电流随温度升高而升 高, 整个激光管的特性曲线基本上随温度的变化而 当环境 平行移动。如果 -5 在恒定的电流下工作, -5 输出的功率将明显改变, 因此, 温度发生变化时, 对 -5 的内部温度进行严格的控制, 有着非常重要 的意义。 *# 温度控制工作原理 半导体激光器恒温控制系统结构如图 * 所示, 该系统由四个部分组成: 制冷及其控制执行机构, 温 度传感器 件 以 及 传 输 部 分, 高精度放大电路以及 @35 控制驱动电路组成。当 -5 工作时发热, 与 -5
[ !]
, 其结果会严重影响
干涉场质量, 因此, 为了使干涉测量达到优良的精 度, 必须对 -5 的内部温度进行严格的控制。另外, 万方数据 由 -5 在不同温度下的激光输出功率 @ 6 与正向工
半导体激光器温度控制模块的设计
实现进行 了分析 。测试结果表明本模块也适用于其它类型半导体器件的工作温度控制 。
关键 词 : 温度 ; 半导体激光器; 双温度测试 ; 控制
・
中图分 类号 :N 4 T 28
文献标 识码 : A
文章 编号 :0419 (0 60-0 90 10-6 920 )410 -3
自 17 90年光纤 的损耗性能和半导体激光器性 能取得重大 突破之后 , 光纤通 信进入实用化 时代。 半导体激光器作为一种以半导体材料为工作物质的 激光器 , 是光纤通 信的重要光源。半导体激光器 的
应用覆 盖 了整个 电 子学 领 域 , 己成 为 当今 光 电 子科 学的核心技术 。由于半导体激光器 的体积小 , 结 构简单 、 输入能量低 、 寿命较长 , 易于调制及价格低
高呈指数增长 。为保证稳定的发光性能 , 必须采取 措施对 S I芯片工作环境的温度进行控制 。一般采
用组 件 方 式 , 件 由 S 芯 片 、 导 体 制 冷 器 及 热 组 L 半
f ro h rs mio d co e ie o t e e c n u t rd vc .
Ke r s tm p r t r ; e io d co a e ; L ; u l e p r t r e tc n r l ywo d :e ea u e sm c n u t rls r S d a m e a u e ts o to t EE ACC: 2 0 7 2 R 4 3 J; 3 0
( c ol fElcrnca d if r ainE g nern Ta jnU iest Ta jn3 0 7 , hn ) Sh o eto i n n o m t n ineig, in i nvri o o y, ini 0 0 2 C ia
大功率半导体激光器高精度温控系统研究
大功率半导体激光器高精度温控系统研究王宗清;段军;曾晓雁【摘要】为了减小温度对半导体激光器输出光波长和功率稳定性的影响,设计了由恒流模块驱动半导体制冷器,通过改变恒流模块的电流来控制半导体制冷器的制冷量,利用分段积分的比例-积分-微分控制算法,选择最优控制参量,实现大功率半导体激光器的精密温控系统。
系统包括高精度测温电路、控制核心DSPF28335、半导体制冷器控制电路、人机交互及通信模块。
在5℃~26℃环境下对系统进行测试,实现50W大功率半导体激光器的恒温控制,温控范围为15℃~45℃,温控精度达到±0.02℃。
结果表明,该系统温控范围广,控制精度高,满足大功率半导体激光器的温控要求。
%In order to reduce the influence of temperature on output wavelength and power stability of semiconductor lasers, a constant current module was designed to drive thermoelectric cooler .The cooling capacity of the thermoelectric cooler was controlled by changing the current of the constant current module .The optimal control parameters of proportion-integration-differentiation algorithm were set to realize high precision temperature control .The system consists of high precision temperature measurement circuit , control core of DSP F28335, thermoelectric cooler control circuit , human-computer interaction and communication module .Constant temperature control was realized for a 50W high power laser diode at 5℃~26℃ambient temperature, the temperature control accuracy reached ±0.02℃at 15℃~45℃.The results show that this system has a wide temperature control range and highcontrol precision , which satisfies the requirement of temperature control of high power semiconductor lasers .【期刊名称】《激光技术》【年(卷),期】2015(000)003【总页数】4页(P353-356)【关键词】光电子学;温度控制;恒流源;半导体激光器;温控算法【作者】王宗清;段军;曾晓雁【作者单位】华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉430074;华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉430074;华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉430074【正文语种】中文【中图分类】TP273引言半导体激光器(laser diode,LD)的性能受温度的影响很大,如阈值电流、输出光波长和功率都会随温度变化。
半导体激光器的高精度温度控制优化设计
1 激光器温度特性
温度特性主要影响到 L D的平均 发送光功率 、 P I 特性 的线 性及 工 作 波 长 。 当温 度 增 加 时 ,D 的 L
—
平均发送光功率就会下 降 , 例如 1 1n 30 m波段光源 平均 发 送 光 功 率 随 温 度 的 变 化 率 约 为 一0 .
一
1 )根据实际情况 , 人为设定阈值 占 0 >;
1 一 6
维普资讯
2 )当 J r ( ) > 时, o | J e rI r } 采用 比例 、 积分控制即
P D控制 , 可避免产生过大的超调 , 又使 系统有较快 的响应 ;
制器给控制对象的控制输出, 从而使得控制对象的过
制冷 或加 热 , 而 为保 持 激 光 器 的温 度 恒 定 提供 了 从 必要的保证。其具体实现步骤如下 :
2 激 光 器 温 度 测 量 、 制 工 作 原 理 控
半 导 体激 光器 恒 温 控 制 系统 结 构 如 图 1所示 , 该 系统 由温 度检 测 与采 样 保 持 部 分 、 央处 理 器 部 中 分 、 制策 略 与温控 驱 动部 分 、 冷 驱动 部分 和通讯 控 致 显示 部分组 成 五个 部分 组 成 :
中 圈分类号 :P 7 T 22 文献标识码 : A
0 引言
半导体激光 器具有 体 积小 、 量轻 、 入 电压 小 、 重 输
温 控系统
制冷 加热 双 向制冷
苴
片 机
结构简单、 寿命长、 转换效率高、 功耗低、 结构简单、 价
格低廉、 使用安全、 易于调制 等有利因素, 现代光纤 通讯系统 均使 用半 导 体光 源 器件 。11n 尾纤 型 激 30m
半导体激光器温度控制系统的设计
激 光 与 红 外 No. 4 2006 焦明星 邢俊红 刘 芸等 半导体激光器温度控制系统的设计
263
0~2A 的电流来驱动 TEC 工作 ,从而控制 LD 的温 度。
4 系统软件设计 本系统的被控对象是中小功率 LD ,针对 LD 温
度数学模型的不确定性 (LD 温度随 LD 注入电流大 小改变而改变 ) ,我们采用模糊控制理论与数字 P ID 参数自适应调整相结合的控制算法 。温度控制系统
3. 2 温度信号的采集与控制 通过对温控系统的原始信号进行转换 、处理 ,以
产生与温度偏差相对应的控制量 ,从而驱动半导体 制冷元件工作 。
系统采用 12位双积分 A /D 转换器 ICL7109,对 1~4V的温度模拟电压信号进行 A /D 转换 , ICL7109 的分辨率为 1 /4096 或 244ppm ,内部有锁存器和寄 存器 ,可以和各种微处理器直接连接 ,转换速度最高 达每秒 30 次 。在单片机 AT89S52 控制下 ,温度模 拟电 压 信 号 经 CD4051 多 路 模 拟 开 关 , 输 入 到 ICL7109的模拟量输入端实现 A /D 转换 。转换数据 的显示采用专用数码管显示驱动芯片 MAX7219,该 芯片硬件电路简单 ,不占用数据存储空间 ,只需将欲 显示的数字量逐位送至相应的数字存储器即可自动 扫描 ,自动显示 。设定温度的标准电信号由精密电 位器对基准电压源分压得到 ,经多路模拟开关和 A / D 转换器采集后由单片机读取并保存 。
(4)
其中 , P、I和 D 依次为比例 、积分和微分系数 , 可见
P、I、D 参数对系统总输出控制量有很大影响 。由于
本温控系统的控温范围较大 ( 10~40℃) , 控温稳定
度要求较高 ( 0. 2℃) , 所以控温点比较多 , 较多的控
用于光频标半导体激光器温度控制电路的设计
2 模 块功 能
3 . 1 采 样 及 误 差 放 大 电路 电 阻 、 R 、 R 、 凡、 R R 构 成 采 样 电
『 6 ] - E 、 丽飞, 田 小建 , 艾 宝丽. 大 功 率 半 导体 激 光 器 的精 密模 糊 P I D温 控 系统 『 J 1 . 量 子 电子 学报 , 2 0 0 5 , 1 2 2 ( 3 ) : 3 8 2 — 3 8 7 . 『 7 1 吕得胜 , 黄凯凯 , 王凤芝. 6 5 7 n m外腔
半导体激 光器以其体积小 、 寿命 长 、 使
用 简单方便 等优点 广泛应 用于各个 领域 。 其输 出激光 的线宽与稳定性是影响频标性 能指 标 的重要 因素之一 。由于激光 器输 出的 中心频 率是不 稳定 的 , 对 注入 电流和
温度很敏感 , 因而 对 于 光 频 标 的 实现 , 必 须
Wi e ma n . An a r r o w~ b a n d t u n a b l e d i o d e l a s e r s y s — t e mw i t h g r a t i n g f e e d b a c k, a n d a s a t u r a t e d a b —
1 — 。 — — — — 一 醒 _ 1 一 、 >
4 结 论
3 . 2 P I D控制 电路。
这样最后 的输出就是当前温度 。
利用 该控 温电路 的设计 , 实现对 激光
器工作温度进行控制 。通过对整个 电路做 出了实验仿真和测试 , 控温精度达到0 . 叭 ℃。
证 实 了 以上 设 计 方 法 的科 学 性 和 实 用 性 。
度很敏 感 , 需要有恒定温度保证半导体激光 器工作稳 定。本文在借 鉴常用的一些温控 电路的基础上 , 给 出了一种 实用的控制精度较 高的温控 电路 设 计, 实现 了对激光 器工作温度的控制。并对整个电路做 出了实验仿真和测试 , 系统控温精度达到O . 0 1 ℃。
高精度半导体激光器温度控制系统技术研究
输出影响最大 。D的输出波长与温度有着很大的关 L 系。当 L 内部温度增加时, D 输出波长也随之增加, 波长随温度变化的典型值为 0 一O / [ - .n  ̄ 3 4m C 。 要想得到 L D高效稳频 、 低噪声的输 出, 则必须 对 L 的驱动电流和温度进行高精度的控制。传统 D
smi n u trl e i etmp rtr cnrltepei o f h o t l dtmp rtr e c d c sr o o o a d d e ea e o t ,h rcs no ec nr l u o i t o e e eauei s士 00 ℃ a dte .1 n h pei o fh o t l dw v l ghi士 0Im。 h p r n aue n f up t urn ait s rcs no tec n ol a ee t i r e n s . n T e x e met e i mesrmet o t r ttblya oi o uc e s i l s
g v n o t W i h s s se , u x e i n p r v s t e l e a d t e p r p c r m fl s r d o e c n b m - ie u . t ti ytm o re p r h me ta p o e h i n h u e s e t f u o e id a e i a
长 的单 一性 。
关键词: 激光光源 ; 温度控制 ; 半导体制冷器; 驱动电路 ;I PD控制器 中图分 类号 : P 7 T 23 文献 标识 码 : B 文章 编号 :6 1 7 2(0 30 3 —4 1 7 . 9 . 1).0 00 4 2 1
《面向混沌半导体激光器的驱动与温度控制系统设计》范文
《面向混沌半导体激光器的驱动与温度控制系统设计》篇一一、引言随着科技的飞速发展,半导体激光器因其独特的优势,如体积小、重量轻、能耗低以及高性能等特点,已被广泛应用于工业制造、医学治疗、信息传输等各个领域。
特别是对于混沌半导体激光器,其应用范围更加广泛,但其稳定性及控制问题却提出了更高的技术要求。
因此,设计一个高效的驱动与温度控制系统对于保障混沌半导体激光器的性能稳定性和运行效率至关重要。
本文将详细探讨面向混沌半导体激光器的驱动与温度控制系统设计。
二、驱动系统设计1. 驱动电路设计驱动电路是控制半导体激光器运行的核心部分,它决定了激光器的发光性能。
为了确保混沌半导体激光器的稳定运行,我们采用了高精度的电流控制电路和电压控制电路。
电流控制电路通过精确控制流过激光器二极管的电流大小和波形,实现对激光器发光强度的控制。
电压控制电路则通过调节激光器的工作电压,实现对其工作状态的控制。
2. 调制与优化技术在驱动系统设计中,我们还引入了调制与优化技术。
该技术可以通过对电流和电压的调制,实现激光器发光状态的实时调整,以满足不同的应用需求。
同时,我们通过优化驱动电路的设计和参数设置,使得驱动系统具有更高的效率和更低的能耗。
三、温度控制系统设计1. 温度传感与监控为了确保混沌半导体激光器的稳定运行,我们需要对激光器的工作温度进行实时监控。
我们采用了高精度的温度传感器,实时检测激光器的工作温度,并通过反馈机制,将检测到的温度信息传输给温度控制单元。
2. 温控单元设计温控单元是温度控制系统的核心部分,它根据接收到的温度信息,自动调节制冷或加热装置的工作状态,以实现对激光器工作温度的精确控制。
我们采用了先进的PID控制算法,使得温控单元具有更高的控制精度和更快的响应速度。
同时,我们还在温控单元中引入了自适应学习技术,使系统可以根据工作环境的变化,自动调整控制策略,以达到更好的控制效果。
四、系统实现与测试在完成驱动与温度控制系统的设计后,我们进行了系统的实现与测试。
半导体激光器件中的温度对性能的影响研究
半导体激光器件中的温度对性能的影响研究激光器件是一种重要的电子元器件,被广泛应用于通信、医疗、工业和军事等领域。
而在激光器件中,温度是一个重要的参数,它对激光器件的性能产生着重要的影响。
本文将研究半导体激光器件中温度对其性能的影响,并探讨温度对激光器件性能的调控与优化方法。
温度对半导体激光器件的影响主要体现在以下几个方面:输出功率、阈值电流、光谱特性、转换效率、调制速度和寿命等。
下面将逐一进行探讨。
首先,温度对激光器件的输出功率有着直接影响。
一般而言,激光器件的输出功率随着温度的增加而增加,这是由于温度升高引导带能级和价带能级之间的能隙减小,进而提高电子和空穴的复合概率,从而增加激光的产生和放大效率。
但当温度过高时,由于激光介质材料的热膨胀系数受限,会导致激光谐振腔的尺寸变化,进而降低激光输出功率。
其次,阈值电流是指激光器件开始激发激光所需的最低电流。
温度对阈值电流也有显著的影响。
一般来说,随着温度的升高,激光器件的阈值电流减小。
这是因为随着温度升高,载流子浓度增加,从而提高电子与空穴的复合概率,进而减小阈值电流。
光谱特性也是激光器件性能中重要的一部分。
温度对激光器件的光谱特性有着明显的影响。
一般而言,随着温度的增加,激光器件的光谱峰值波长会发生红移。
这是由于温度升高导致晶格热膨胀,进而降低光子和晶格振动之间的耦合强度,从而减小光子的能量。
温度对激光器件的转换效率也有重要影响。
一般来说,随着温度的升高,激光器件的转换效率会降低。
这是由于温度升高会增加非辐射复合过程的概率,导致少量的能量从光子形式转化为热能。
因此,为了提高激光器件的转换效率,需要控制好温度的变化范围。
调制速度是指激光器件在高频调制下的响应速度。
温度对激光器件的调制速度也有一定的影响。
一般来说,温度升高会导致载流子的迁移率增加,从而提高激光器件的调制速度。
但当温度过高时,激光器件的响应时间会受到载流子寿命的限制,进而降低调制速度。
最后,温度对激光器件寿命的影响也是需要考虑的重要因素。
基于TMS320F2812的半导体激光器温度控制
( 昌航 空 大 学 无 损 检 测 技 术 教 育 部 重 点 实验 室 , 西 南 昌 3 0 6 南 江 3 0 9)
摘 要 : 绍 了一 种 基 于 数 字 信 号 处 理 器 的 半 导 体 激 光 器 P 介 WM 温 度 控 制 系统 ,给 出 了一 种 采 用
比 较 放 大 的 热 电制 冷 器 驱 动 电路 , 能 避 免 M0 F T桥 的 直 通 短 路 。 在 数 字 控 制 系 统 中 。采 用 3 SE 2位
T 302 1 MS 2 F 8 2芯 片 作 为 控 制 核 心 , 过 其 GP OA0 口从 数 字 式 温 度 传 感 器 DS 8 0 中 读 取 半 导 体 激 通 I 1B2
维普资讯
第3 7卷 第 4期
V O .7 N o4 13 .
红 外 与 激 光 工 程
I fa e n s rE gn e ig n r da dLa e n i e rn r
2 0 年 8月 08
Aug. 0 20 8
基 于T 3 O 2 1 MS 2 F 8 半 导 体 激 光 器 温 度 控 制 2的
中 图分 类 号 : N 4 . T 2 84
文献标 识码 : A
文 章 编 号 :0 7 2 7 (0 80 — 6 2 0 10 — 2620 )4 0 4 — 5
LD e p r t r o t o a e n TM S 2 F2 1 t m e a u e c n r lb s d o 3 0 82
cr u t ic i wa g v n, wh c c u d v i tr u h o d c o o M O S ET H  ̄fdg . I t e i i l o to s ie ih o l a od h o g c n u t n f i F i e n h d g t c n l a r s se ,a 3 b tTM S3 0 8 2 c i s u e s t e c n a r c so .The o ea n e p r tr au s ytm 2-i 2 F2 1 hp wa s d a e t lp o e s r h r p r t g tm e au e v l e i o s m io d co l sr e d b dgi l e e au e s n o DS1 B2 we e s n t GP OA0 p n o f e c n u t r a e r a y i t t mp r t e s r a r 8 0 r e t o I i f TM S3 0 8 2, a d 2 F2 1 n PW M wa e e e ae fo v g n r td r m t e v n ma a e d o e h e h e o lcrc c o e . h e e t n g r r v t t r ee ti o lr m Ac o d n o h e r q ie n f tm p r tr sa ii n s m c n u tr a e d v c ,t e a a ee u o— c r g t t e u me to e e au e tb lt i e i r y i o d co ls r e ie h p r m tr a t t n n Fu z — D ag rtm w a a o td o ar u ig z y PI lo h i s d p e t c ry o t e o to o tm p r tr . W i P M c rir n h c n l f e e au e r h t W a re r q e c o 0 Hz n e lb r t r e v n n , he y tm s c e sul sa lz d h e s m c n u t r fe u n y f 5 k u d r a o ao y n io m e t t s se r u c sf l tbi e t e y i i o d co
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1 T1 s
+
Tds)
1 (τs + 1) (τ1 s + 1)
(2)
若要系统的超调量 P 不大于 25 % , 调节时间小于
5s ,利用齐格列勒和尼柯尔斯[5] 提出的调整 PID 控
制网络 (即设置 K ,Ti ,和 Td 的值) 的法则 ,得到其传
递函数 Gc (s) 如下 :
GC ( s)
=
的凹点 ( t1 Φ t Φ t2 时) 。该凹点所对应的时间应等 于热像仪瞬时视场停留时间 , 强激光在此时刻打进 热像仪时的致盲效果最好 ; 在第三阶段 ( t2 Φ t Φ t3 时) 探测器逐渐退出瞬时视场时 ,探测器另一侧的基 片材料开始参与反射 ,反射光强较强 ,随着探测器逐 渐退出视场反射光强开始逐渐减弱 。
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340
激 光 与 红 外 第 34 卷
集成在一起的负温度系数的热敏电阻将温度信号快 速转换为电阻值的变化 ,然后与设定的高精度基准 温度电阻阻值比较 ,其比较结果通过失调电压温度 系数为 0. 1nV/ ℃,电压放大倍数可从 1 到 1000 的精 密差动信号处理放大电路放大 ,此电路为高精度控 制提供有利保证 ,放大后的信号进入 PID 控制网络 , 通过满足闭环系统的瞬态和稳定性能指标 PID 控制 网络 ,保证系统稳定并具有很好的动态特性 ,根据 PID 处理结果 ,驱动执行机构控制 LD 制冷或加热 , 以保持 LD 的温度恒定 ,从而保证了激光器在恒定 的温度下工作 。
1 引 言 半导体激光器 (LD) 具有体积小 、重量轻 、输入
电压小 、结构简单 、寿命长 、转换效率高 、功耗低 、结 构简单 、价格低廉 、使用安全 、易于调制[1]等有利因 素 ,用其作为干涉测量中的光源 ,使得干涉测量系统 的集成化 、实用化变为可行[2] 。
另一方面 ,从图 1 可以看出 ,LD 的输出功率与 温度的关系[3] ,当 LD 内部温度增加时 ,输出功率也 随之增加 ,而 LD 要在干涉测量领域当中应用 ,首要 任务是使 LD 的输出功率非常稳定 ,如果温度不稳 则可能会引发模式跳跃现象[3] ,其结果会严重影响 干涉场质量 ,因此 ,为了使干涉测量达到优良的精 度 ,必须对 LD 的内部温度进行严格的控制 。另外 , 由 LD 在不同温度下的激光输出功率 PO 与正向工
Temperature Control of Semiconductor Laser for Interferometry
ZENG Hua2lin , J IANG Peng2fei , XIE Fu2zeng
( Institution of Semiconductor , Chinese Academy of Science , Beijing 100083 , China)
第 34 卷 第 5 期 激 光 与 红 外 2004 年 10 月 LASER & INFRARED
文章编号 :100125078 (2004) 0520339202
Vol. 34 ,No. 5 October ,2004
半导体激光器温度控制研究
曾华林 ,江鹏飞 ,谢福增
(中国科学院半导体研究所 ,北京 100083)
摘 要 :温度对半导体激光器的特性有很大的影响 。为了使半导体激光器输出功率稳定 ,必须 对其温度进行高精度的控制 。利用 PID 控制网络设计了温控系统 ,控制精度达到 ±0. 01 ℃,与 无 PID 控制网络相比 ,极大的提高了系统的瞬态特性 ,并且试验发现采用带有温控系统的半导 体激光器的输出功率稳定性比没有温控系统的输出功率得到显著改善 。 关键词 :半导体激光器 (LD) ;温度控制 ;PID 控制网络 ;瞬态特性 中图分类号 :TN248. 4 ;TP272 文献标识码 :A
是基片材料反射的结果 。
图 5 碲镉汞探测器结构
图 6 探测器的运动
为便于说明 ,我们可以假设瞬时视场不动而探 测器是运动的 (如图 6 所示) 。根据探测器与瞬时视 场的关系可分为三个运动阶段 :探测器逐渐进入视 场 - 正对视场 - 逐渐退出视场 。这三个阶段反射光 是有变化的 。在第一阶段 (0 Φ t Φ t1 时) , 由于探测 器边缘基片材料较高的反射率使得回波信号由小到 大逐渐增强 ;当探测器光敏面进入视场后反射光强 开始减弱 ,正对视场时反射光强最弱 ,此时探测器对 入射激光的吸收能力最强 ,所以图中显示有一明显
半导体激光器恒温控制系统结构如图 2 所示 , 该系统由四个部分组成 :制冷及其控制执行机构 ,温 度传感器件以及传输部分 , 高精度放大电路以及 PID 控制驱动电路组成 。当 LD 工作时发热 ,与 LD
作者简介 :曾华林 (1974 - ) ,男 ,博士 ,主要从事光干涉测量技术 研究 。Email :zhlin @red. semi . ac. cn 收稿日期 :2004204201
Kp ( 1 +
1 Tis
+
Tds) ,因此其系统数学模型如图 3 所示 。
图 3 系统数学模型
从图 3 可以看出未加 PID 控制网络的系统的开环传 递函数为
Tlme/ s 图 4 系统瞬态特性曲线
4 功率检测 为避免被控制 LD 的温度受外界因素影响过大
等现象的发生 ,将传感器 、散热片 、LD 、制冷器等合 理集成在一起 ,构造了一个较小的几乎绝热的空间 , 以保证较好的恒温效果 。采用光功率计测量 LD 输 出的光功率 ,从图 5 的虚线可以看出 ,LD 在没有控 温系统的条件下 ,半导体激光器的功率随时发生改 变 ,而在有控温的系统中 ,从图 5 中实线可以得到 ,
CURRENT/ mA 图 1 半导体激光器的温度 —功率特性
WK( s)
=
(τs
K1
+ 1) (τ1 s + 1)
(1)
式中τ= 2 τ, 1 = 0. 5 分别由激光器和温度传感器的
特性决定 ,基本确定 ,不易更改 ,设置放大电路的放
大系数 K1 = 100 ,用 MATLAB 仿真[4] 得到其动态特
Abstract :Semiconductor laser as the light source has many advantages such as smaller volume , but the temperature greatly influences the properties of the semiconductor laser. The temperature control must be very rigorous so that steady power of semiconductor laser is got. The temperature control system that designed according to PID control system is discussed in this paper. The precision of controlled temperature is ±0. 01 ℃, the response characteristic of the system with PID control sys2 tem is better than that of the system without PID control system ,and the experiment shows that the stability of semiconductor laser power with temperature control system is better than that without temperature control system. Key words :semiconductor laser ; temperature control ; PID control system ; response character
征曲线如图 4 中的虚线所示 ,从图中可以得出其超
调量过大 ,振荡次数多 ,影响系统的性能 ,因此需要
对系统性能进行改善 ,从而通过引进 PID 控制网络 ,
使系统实现较少的振荡次数 、较小的超调量和较快
的平衡时间等预期的控制指标 ,引进控制网络后的 系统开环传递函数为 :
WK( s)
=
K1 KP (1 +
作电流 IF 的关系可知 : 阈值电流随温度升高而升 高 ,整个激光管的特性曲线基本上随温度的变化而 平行移动 。如果 LD 在恒定的电流下工作 ,当环境 温度发生变化时 ,LD 输出的功率将明显改变 ,因此 , 对 LD 的内部温度进行严格的控制 ,有着非常重要 的意义 。 2 温度控制工作原理
5 结 论 通过加有和没有 PID 控制网络的温度控制系
统 ,采用 MATLAB 软件进行仿真比较 ,发现采用 PID 控制网络的温度控制系统与没有 PID 控制网络的温 控系统相比 ,其超调量明显减少和调节时间极大的
缩短 ,振荡次数减少到只有一次 ,系统稳定性和瞬态 特性得到显著改善 ,并且试验表明带有 PID 控制网 络的温度控制系统完全能满足设计要求 。同时也发 现 ,不带温度控制系统激光器输出功率漂移不定 ,而 当半导体激光器加上带有 PID 控制网络的温度控制 系统 ,其输出功率几乎非常稳定 ,完全能满足干涉测 量光源温控要求 。
图 3 所给出的试验波形是探测设备与目标瞬时 视场正对时的单个回波信号波形 , 该信号反映了探 测目标的τs 参数 。该数值对干扰激光脉冲宽度的 选取具有重要的参考价值 。 5 结束语
光电技术在军事上的广泛应用促进了光电对抗 技术的发展 。对红外夜视器材和机载前视红外系统 的侦察干扰作为光电对抗技术的一个重要分支 ,必 将在未来发挥重要作用 。