电力电子器件总结
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电力电子器件总结:
名称优缺点应用
场合
电力二极管整流二极管优:结构简单、工作可靠
`
缺:不可控
整流,续
流,电压
隔离、钳
位或保护SBD(肖特基)
FRD(快恢复
SCR
晶闸管可控硅FST(快速)优:承受电压和电流容量在所有器件中最高
缺:半控
| TRIAC(双向)
RCT(逆向)
LTT(光控)
电力MOSFET(单极型)
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
金属-氧化物-半导体-场效应晶体管%
优:开关速度快(利用电场感应控制反型层导电
沟道,不存在正偏PN结所固有的载流子存储效
应),输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率
小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击
穿问题。
缺:电流容量小,耐压低。
一般只适
用于功率
不超过
10kW的
电力电子
装置
GTO(双极型)优点:电压、电流容量大,适用于大功率场合,
具有电导调制效应,其通流能力很强;
缺:电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流
大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,
开关频率低兆瓦以上的大功率
…
GTR(双极型)电力二极管优:耐压高,电流大,开关特性好,通流能力
强,饱和压降低;
缺:开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率
大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题
基本淘汰
IGBT(混合型)
《
绝缘栅门极晶体管(Insulated- Gate Bipolar Translator)
结合了GTR和MOSFET的优点优:开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流
冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电
压驱动,驱动功率小
缺:开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量
不及GTO
广泛应
用,指望
一统天下
(主要兆
瓦以下)
几种不可替代的场合:
FRD(Fast Recovery Diode)在中、高频整流和逆变;
SBD(Schottky Barrier Diode)在低压高频整流;(开关速度非常快,开关损耗也特别小,耐压比较低)
LTT(Light Triggered Thyristor)高电压大功率;(光触发保证住电路与控制电路之间的绝缘和电气隔离,可以避免电磁干扰的影响)
GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)兆瓦以上的大功率。