RMQ5Y系列产品样本

DVP-4000系列综合保护产品样本2012-8-17

北京德威特继保自动化科技股份有限公司硬件系列 DVP-4000系列 中低压开关控制 及综合保护监控装置 ---------------------------------------------------------------------------安全稳定可靠

北京德威特继保自动化科技股份有限公司致力于 ——中低压监控保护第一品牌 ——继电保护装置最高品质的创造者

目录 公司概况 (1) 第一章产品介绍 (3) 1.1产品概述 (3) 1.2产品功能型号表 (3) 1.3产品订货参数 (4) 1.4产品特点 (5) 1.5各型号配备的保护功能 (7) 1.6各型号配备的其它功能 (7) 1.7技术参数 (8) 第二章安装和接线 (9) 2.1装置组成示意图 (9) 2.2装置安装方式示意图 (10) 2.3装置最大尺寸图 (10) 2.4屏柜面板开孔尺寸图 (11) 2.5装置的端子图与端子定义 (12) 2.5.1DVP-4000系列装置端子图 (12) 2.5.2DVP-4000E系列装置端子图 (13) 第三章装置原理框图 (14) 3.1DVP-4222微机厂用变压器保护装置原理框图 (14) 3.2DVP-4223微机厂用变压器保护装置原理框图 (15) 3.3DVP-4321微机线路保护装置原理框图 (16) 3.4DVP-4421微机电容器保护装置原理框图 (17) 3.5DVP-4621微机电动机保护装置原理框图 (18) 3.6DVP-4222E微机厂用变压器保护装置原理框图 (19) 3.7DVP-4223E微机厂用变压器保护装置原理框图 (20) 3.8DVP-4321E微机线路保护装置原理框图 (21) 3.9DVP-4421E微机电容器保护装置原理框图 (22) 3.10DVP-4621E微机电动机保护装置原理框图 (23) 附录1：DVP-8182三相操作箱使用说明 (24) 附录2：DVP-4000系列微机保护装置开入出口出厂定义 (25) 2012年8月第二版 *本选型手册将随产品的升级配合修改，请注意资料版本。 *本选型手册仅作为选型时参考，内容如有变动，恕不另行通知

74LS系列芯片引脚图资料大全

74系列芯片引脚图资料大全 作者:佚名来源:本站原创点击数:57276 更新时间：2007年07月26日【字体：大中小】 为了方便大家我收集了下列74系列芯片的引脚图资料，如还有需要请上电子论坛https://www.360docs.net/doc/4b4803468.html,/b bs/ 反相器驱动器LS04 LS05 LS06 LS07 LS125 LS240 LS244 LS245 与门与非门LS00 LS08 LS10 LS11 LS20 LS21 LS27 LS30 LS38 或门或非门与或非门LS02 LS32 LS51 LS64 LS65 异或门比较器LS86 译码器LS138 LS139 寄存器LS74 LS175 LS373

反相器: Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A 4Y 六非门 74LS04 ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐六非门(OC门) 74LS05 _ │14 13 12 11 10 9 8│六非门(OC高压输出) 74LS06 Y = A ）│ │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND 驱动器: Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A 4Y ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ │14 13 12 11 10 9 8│ Y = A ）│六驱动器(OC高压输出) 74LS07 │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND Vcc -4C 4A 4Y -3C 3A 3Y ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ _ │14 13 12 11 10 9 8│ Y =A+C ）│四总线三态门74LS125 │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ -1C 1A 1Y -2C 2A 2Y GND

FEY FK6系列产品样本

Fey Lamellenringe Vertriebs GmbH, Austria Fey Lamellenringe GmbH & Co. KG

? Copyright by Fey Lamellenringe Attention: The groove width must be widened by at least 10% and GLEITMO 980 must be used for speeds above 1,000 RPM.Axial play R a d i a l p l a

in accordance with manufacturer's selection in accordance with manu-facturer's selection S e e p a g e 3 8

? Copyright by Fey Lamellenringe Attention: The groove width must be widened by at least 10% and GLEITMO 980 must be used for speeds above 1,000 RPM.Axial play R a d i a l p l a 1 ISD-ring {

in accordance with manufacturer's selection in accordance with manu- facturer's selection in accordance with manufacturer's selection in accordance with manu- facturer's selection S e e p a g e 3 8

ls系列芯片中文解释 (1)

74LS系列芯片中文解释 74LS00 TTL 2输入端四与非门 74LS01 TTL 集电极开路2输入端四与非门 74LS02 TTL 2输入端四或非门 74LS03 TTL 集电极开路2输入端四与非门 74LS04 TTL 六反相器 74LS05 TTL 集电极开路六反相器 74LS06 TTL 集电极开路六反相高压驱动器 74LS07 TTL 集电极开路六正相高压驱动器 74LS08 TTL 2输入端四与门 74LS09 TTL 集电极开路2输入端四与门 74LS10 TTL 3输入端3与非门 74LS107 TTL 带清除主从双J-K触发器 74LS109 TTL 带预置清除正触发双J-K触发器 74LS11 TTL 3输入端3与门 74LS112 TTL 带预置清除负触发双J-K触发器 74LS12 TTL 开路输出3输入端三与非门 74LS121 TTL 单稳态多谐振荡器 74LS122 TTL 可再触发单稳态多谐振荡器 74LS123 TTL 双可再触发单稳态多谐振荡器 74LS125 TTL 三态输出高有效四总线缓冲门 74LS126 TTL 三态输出低有效四总线缓冲门 74LS13 TTL 4输入端双与非施密特触发器 74LS132 TTL 2输入端四与非施密特触发器 74LS133 TTL 13输入端与非门 74LS136 TTL 四异或门 74LS138 TTL 3-8线译码器/复工器 74LS139 TTL 双2-4线译码器/复工器 74LS14 TTL 六反相施密特触发器 74LS145 TTL BCD—十进制译码/驱动器 74LS15 TTL 开路输出3输入端三与门 74LS150 TTL 16选1数据选择/多路开关 74LS151 TTL 8选1数据选择器 74LS153 TTL 双4选1数据选择器 74LS154 TTL 4线—16线译码器 74LS155 TTL 图腾柱输出译码器/分配器 74LS156 TTL 开路输出译码器/分配器 74LS157 TTL 同相输出四2选1数据选择器 74LS158 TTL 反相输出四2选1数据选择器 74LS16 TTL 开路输出六反相缓冲/驱动器 74LS160 TTL 可预置BCD异步清除计数器 74LS161 TTL 可予制四位二进制异步清除计数器 74LS162 TTL 可预置BCD同步清除计数器

电容器销售合作协议标准样本

协议编号：WU-PO-510-14 电容器销售合作协议标准样本 In Order T o Protect The Legitimate Rights And Interests Of Each Party, The Cooperative Parties Reach An Agreement Through Common Consultation And Fix The Responsibilities Of Each Party, So As T o Achieve The Effect Of Restricting All Parties 甲方：_________________________ 乙方：_________________________ 时间：________年_____月_____日 A4打印/ 新修订/ 完整/ 内容可编辑

电容器销售合作协议标准样本 使用说明：本协议资料适用于协作的当事人为保障各自的合法权益，经过共同协商达成一致意见并把各方所承担的责任固定下来，从而实现制约各方的效果。资料内容可按真实状况进行条款调整，套用时请仔细阅读。 甲方： 乙方： 兹因乙方对甲方所提供电容器之认识，愿诚信合作，共同拓展业务，遵从公平、互利、诚实、信用的原则，经双方协商一致，达成以下事项以共同遵守：第一条、合作项目 1、项目名称：__________。 2、销售地域：__________。 3、销售范围：__________。 第二条、合作时间 协议有效时间：_____年_____月_____日至_____年

_____月_____日。 第三条、甲方的权利义务 1、甲方在区域内有义务做好电容器的广告宣传及其它相关产品推广工作。 2、甲方保留调整电容器市场价格政策，变更营销策略的权利。 3、若乙方连续____个月达不到所规定的最低进货量时，甲方有权取消乙方的经销商资格。 4、甲方须维护乙方的一切商业秘密。 第四条、乙方的权利义务 1、保证遵守国家的法律、法规和市场秩序，进行合法经营。 2、市场投入费用必须保证真实。 3、不得经销其它与甲方有竞争性的同类产品。 4、有义务向甲方及时提供市场反馈信息和合理

LS系列浪涌抑制器

雷尔逊LS系列浪涌保护器的优势特点 一、雷尔逊浪涌保护器执行的标准 ●IEC1024 建筑物防雷设计规范 ●IEC61643 低压配电系统的电涌保护器 ●UL 1449 低压配电系统的电涌保护器 ●BS 6651 低压配电系统的电涌保护器 ●GA173 计算机信息系统防雷保安器 ●YD-T 1235.1 通信局（站）低压配电系统用电涌保护器 二、LSY系列电源浪涌保护器的优势特点 1．箱式电源浪涌保护器 （1）产品高安全、高可靠性设计，最大限度地免除用户的后顾之忧： ●多通道冗余电路，支路失效或过流过热自动断开，后备电路继续工作，产品更加安全； ●可以虑除或者抑制电网中的高频干扰信号，被保护设备工作更加可靠； ●通流容量大，限制电压低，一级相当于两级保护（如下图）。 ●防爆金属外壳，超过10年设计寿命，可用于石油化工等特殊行业。 （2）加强保护型产品完备的自我监测、告警和保护功能，确保履行职责时决不失职： ●具有在线工作指示以及导线松脱、后备保险跳闸告警功能，避免保护器成为虚设； ●具有接地不良和交流缺相告警功能、保证保护器有效运行； ●具有老化预警功能，用指示灯提示，保证最终失效前有足够的时间进行更换； ●具有失效告警功能，用声光警示用户及时更换，避免保护中断。

2．小型电源浪涌保护器 ●串联使用时，当产品劣化或遭遇大电流冲击，会自动切断线路，进一步保护设备安全； ●并联使用时，当产品出现裂化，会自动退出系统，并可以“热更换”，不影响线路工作。 ●既可用DIN导轨直立安装，也可用L型附件卧式安装，并通过安装件自动接地。 3．交流电源防浪涌插座 ●-A型产品在电网异常，即交流电压有效值高于286V或低于154V时，将自动切断交流电路，以 保护贵重设备安全。 ●带后缀“+”的产品可以插挂有金属固定卡的各种通用信号浪涌保护器，以简化现场安装和接地 连接，节省空间。 三、LSX系列信号浪涌保护器的优势特点 1．过程控制信号浪涌保护器 ●既可用DIN导轨直立安装，也可用L型附件卧式安装，并通过安装件自动接地。 ●导线屏蔽层悬浮接地，可以消除地电流干扰或不接地隐患。 ●多路组合产品，适用于保护回路较多的场合，节省空间，简化安装。 ●可以按照用户的要求增加在线监测和劣化指示功能。 2．通用信号浪涌保护器 ●既可用DIN导轨直立安装，也可用L型配件卧式安装，并可两个重叠通过安装件自动接地。 ●多路组合产品可极大地节省空间，另外还可通过19英寸1U或2U机架进行大量集中安装。 ●有金属固定卡的产品可以插挂到型号后带“+”后缀的防浪涌电源插座上。

74LS系列主要芯片引脚及参数

<74LS00引脚图> 74l s00 是常用的2输入四与非门集成电路，他的作用很简单顾名思义就是实现一个与非门。 Vcc 4B 4A 4Y 3B 3A 3Y ┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ __ │14 13 12 11 10 9 8│ Y = AB ）│ 2输入四正与非门 74LS00 │ 1 2 3 4 5 6 7│ └┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ 1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND 74LS00真值表： A＝1 B=1 Y=0 A＝0 B=1 Y=1 A＝1 B=0 Y=1 A＝0 B=0 Y=1

74HC138基本功能74LS138 为3 线－8 线译码器，共有54/74S138和54/74LS138 两种线路结构型式，其74LS138工作原理如下： 当一个选通端（G1）为高电平，另两个选通端（/(G2A)和/(G2B)）为低电平时，可将地址端（A、B、C）的二进制编码在一个对应的输出端以低电平译出。 74LS138的作用: 利用G1、/(G2A)和/(G2B)可级联扩展成24 线译码器；若外接一个反相器还可级联扩展成32 线译码器。若将选通端中的一个作为数据输入端时，74LS138还可作数据分配器 用与非门组成的3线-8线译码器74LS138

图74ls138译码器内部电路 3线-8线译码器74LS138的功能表 备注：这里的输入端的三个A0～1有的原理图中也用A B C表示（如74H138.pdf中所示，试用于普中科技的HC-6800 V2.2单片机开发板）。<74ls138功能表> 74LS138逻辑图

无论从逻辑图还是功能表我们都可以看到74LS138的八个输出管脚，任何时刻要么全为高电平1—芯片处于不工作状态，要么只有一个为低电平0，其余7个输出管脚全为高电平1。如果出现两个输出管脚在同一个时间为0的情况，说明该芯片已经损坏。 当附加控制门的输出为高电平（S＝1）时，可由逻辑图写出 74ls138逻辑图 由上式可以看出，在同一个时间又是这三个变量的全部最小项的译码输出，所以也把这种译码器叫做最小项译码器。 71LS138有三个附加的控制端、和。当、时，输出为高电平（S＝1），译码器处于工作状态。否则，译码器被禁止，所有的输出端被封锁在高电平，如表3.3.5所示。这三个控制端也叫做“片选”输入端，利用片选的作用可以将多篇连接起来以扩展译码器的功能。 带控制输入端的译码器又是一个完整的数据分配器。在图3.3.8电路中如果把作为“数据”输入端（在同一个时间），而将作为“地址”输入端，那么从送来的数据只能通过所指定的一根输出线送出去。这就不难理解为什么把叫做地址输入了。例如当＝101时，门的输入端除了接至输出端的一个以外全是高电平，因此的数据以反码的形式从输出，而不会被送到其他任何一个输出端上。 例2．74LS138 3－8译码器的各输入端的连接情况及第六脚（）输入信号A的波形如下图所示。试画出八个输出管脚的波形。

74LS系列芯片简介

74LS系列芯片简介 74ls00 2输入四与非门 74ls01 2输入四与非门 (oc) 74ls02 2输入四或非门 74ls03 2输入四与非门 (oc) 74ls04 六倒相器 74ls05 六倒相器(oc) 74ls06 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,30v) 74ls07 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,30v) 74ls08 2输入四与门 74ls09 2输入四与门(oc) 74ls10 3输入三与非门 74ls11 3输入三与门 74ls12 3输入三与非门 (oc) 74ls13 4输入双与非门 (斯密特触发) 74ls14 六倒相器(斯密特触发) 74ls15 3输入三与门 (oc) 74ls16 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,15v) 74ls17 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,15v) 74ls18 4输入双与非门 (斯密特触发) 74ls19 六倒相器(斯密特触发) 74ls20 4输入双与非门 74ls21 4输入双与门 74ls22 4输入双与非门(oc) 74ls23 双可扩展的输入或非门 74ls24 2输入四与非门(斯密特触发) 74ls25 4输入双或非门(有选通) 74ls26 2输入四高电平接口与非缓冲器(oc,15v) 74ls27 3输入三或非门 74ls28 2输入四或非缓冲器 74ls30 8输入与非门 74ls31 延迟电路 74ls32 2输入四或门 74ls33 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74ls34 六缓冲器 74ls35 六缓冲器(oc) 74ls36 2输入四或非门(有选通) 74ls37 2输入四与非缓冲器 74ls38 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74ls39 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74ls40 4输入双与非缓冲器 74ls41 bcd-十进制计数器 74ls42 4线-10线译码器(bcd输入) 74ls43 4线-10线译码器(余3码输入) 74ls44 4线-10线译码器(余3葛莱码输入) 74ls45 bcd-十进制译码器/驱动器 74ls46 bcd-七段译码器/驱动器 74ls47 bcd-七段译码器/驱动器74ls48 bcd-七段译码器/驱动器 74ls49 bcd-七段译码器/驱动器(oc) 74ls50 双二路2-2输入与或非门(一门可扩展) 74ls51 双二路2-2输入与或非门 74ls51 二路3-3输入,二路2-2输入与或非门 74ls52 四路2-3-2-2输入与或门(可扩展) 74ls53 四路2-2-2-2输入与或非门(可扩展) 74ls53 四路2-2-3-2输入与或非门(可扩展) 74ls54 四路2-2-2-2输入与或非门 74ls54 四路2-3-3-2输入与或非门 74ls54 四路2-2-3-2输入与或非门 74ls55 二路4-4输入与或非门(可扩展) 74ls60 双四输入与扩展 74ls61 三3输入与扩展 74ls62 四路2-3-3-2输入与或扩展器 74ls63 六电流读出接口门 74ls64 四路4-2-3-2输入与或非门 74ls65 四路4-2-3-2输入与或非门(oc) 74ls70 与门输入上升沿jk触发器 74ls71 与输入r-s主从触发器 74ls72 与门输入主从jk触发器 74ls73 双j-k触发器(带清除端) 74ls74 正沿触发双d型触发器(带预置端和清除端) 74ls75 4位双稳锁存器 74ls76 双j-k触发器(带预置端和清除端) 74ls77 4位双稳态锁存器 74ls78 双j-k触发器(带预置端,公共清除端和公共时钟端) 74ls80 门控全加器 74ls81 16位随机存取存储器 74ls82 2位二进制全加器(快速进位) 74ls83 4位二进制全加器(快速进位) 74ls84 16位随机存取存储器 74ls85 4位数字比较器 74ls86 2输入四异或门 74ls87 四位二进制原码/反码/oi单元 74ls89 64位读/写存储器 74ls90 十进制计数器 74ls91 八位移位寄存器 74ls92 12分频计数器(2分频和6分频) 74ls93 4位二进制计数器 74ls94 4位移位寄存器(异步) 74ls95 4位移位寄存器(并行io) 74ls96 5位移位寄存器 74ls97 六位同步二进制比率乘法器 74ls100 八位双稳锁存器 74ls103 负沿触发双j-k主从触发器(带清除端)

74系列中lvc lv hc ls等有什么区别

74系列中lvc lv hc ls等有什么区别 ABT高级双极CMOS技术 ABTE/ETL高级双极CMOS技术增强收发逻辑 AC/ACT高级CMOS逻辑 AHC/AHCT高级高速CMOS逻辑 ALB高级低电压BiCMOS ALS高级低功耗肖特基逻辑 ALVC高级低电压CMOS技术 ALVT高级低电压BiCMOS技术 AS高级肖特基逻辑 AUC高级极低电压CMOS逻辑 AUP高级极低功耗CMOS逻辑 AVC高级很低电压CMOS逻辑 BCT双极CMOS技术 CB3Q 2.5V、3.3V低电压高带宽总线交换纵横逻辑 CB3T 2.5V、3.3V低电压晶体管总线交换纵横逻辑 CBT纵横技术 CBT-C有2V下冲保护的5V总线交换纵横逻辑 CBTLV低电压纵横技术逻辑 CD4000CMOS逻辑4000系列 F快速逻辑 FB基底电极收发逻辑 FCT高速CMOS技术 GTL电子?收发逻辑 GTLP电子?收发逻辑+ HC/HCT高速CMOS逻辑 HSTL高速收发逻辑 LS低功耗肖特基逻辑 LV低电压 LV-A低电压CMOS技术 LV-AT低电压CMOS技术并兼容TTL电平 LVC低电压CMOS技术 LVT低电压BiCMOS技术 S肖特基逻辑 SSTL抽头级联逻辑 SSTU抽头级联极低电压逻辑 SSTV/SSTVF抽头级联低电压逻辑 TVC平移电压箝位逻辑

这些逻辑电平对应的英文含义如下： S-Schottky Logic LS-Low-Power Schottky Logic CD4000-CMOS Logic4000 AS-Advanced Schottky Logic 74F-Fast Logic ALS-Advanced Low-Power Schottky Logic HC/HCT-High-Speed CMOS Logic BCT-BiCMOS Technology AC/ACT-Advanced CMOS Logic FCT-Fast CMOS Technology ABT-Advanced BiCMOS Technology LVT-Low-Voltage BiCMOS Technology LVC-Low Voltage CMOS Technology LV-Low-Voltage CBT-Crossbar Technology ALVC-Advanced Low-Voltage CMOS Technology AHC/AHCT-Advanced High-Speed CMOS CBTLV-Low-Voltage Crossbar Technology ALVT-Advanced Low-Voltage BiCMOS Technology AVC-Advanced Very-Low-Voltage CMOS Logic

正泰NWC6干式低电压并联电容器样本

NWC6干式低电压并联电容器 1 适用范围 NWC6系列干式低电压并联电容器适用于标称电压1000V及以下工频交流电力系统中，作提高功率因数，降低线路损耗,改善电压质量之用。内部填充介质采用干式阻燃材料。 执行标准：GB/T 12747.1-2004、GB/T 12747.2-2004、IEC60831：1-2002、IEC60831：2-1995。 2 型号及其含义 相数：3-三相1-单相 额定容量（kvar ) 额定电压（kV ) 设计序号 自愈式低电压并联电容器 企业代号 3 正常工作条件和安装条件 3.1 环境空气温度:-25℃～+50℃（-25/C）; 3.2 相对湿度:40℃时≤50%;20℃时≤90%; 3.3 海拔高度:≤2000m; 3.4 环境条件:无有害气体和蒸汽,无导电性或爆炸性尘埃,无剧烈的机械振动。 4 主要技术参数及技术性能 4.1 主要技术参数 4.1.1 额定电压: 0.4kV、0.45kV、0.525kV; 4.1.2 额定频率：50Hz或60Hz； 4.1.3 额定容量:（5～25）kvar; 4.1.4 电容偏差: -5%～+10% ;对三相电容器任意两出线端子之间测得的电容的最大值和最小值之比不超过1.08; 4.1.5 损耗角正切值tgδ:工频额定电压下,低于0.0012; 4.1.6 耐受电压: 极间，工频2.15U N, 2s; 极对壳，工频3.6kV,5s； 4.1.7 最高允许过电压:1.1 U N;每24h中不超过8h; 4.1.8 最大允许过电流:1.3I N； 4.1.9 自放电特性:电容器施加√2 U N直流电压,断开电源3 min后,剩余电压降到75V或以下; 4.2主要产品型号及数据表

74系列芯片 LS和HC的区别

LS与HC门电路的区别 LS与HC门电路的区别 1、LS是低功耗肖特基，HC是高速COMS。LS的速度比HC略快。HCT输入输出与LS 兼容，但是功耗低；F是高速肖特基电路； 2、LS是TTL电平，HC是COMS电平。 3、LS输入开路为高电平，HC输入不允许开路，hc 一般都要求有上下拉电阻来确定输入端无效时的电平。LS 却没有这个要求 4、LS输出下拉强上拉弱，HC上拉下拉相同。 5、工作电压不同，LS只能用5V，而HC一般为2V到6V； 6、电平不同。LS是TTL电平，其低电平和高电平分别为0.8和V2.4，而CMOS在工作电压为5V时分别为0.3V和3.6V，所以CMOS可以驱动TTL，但反过来是不行的 7、驱动能力不同，LS一般高电平的驱动能力为5mA，低电平为20mA；而CMOS的高低电平均为5mA； 8、CMOS器件抗静电能力差，易发生栓锁问题，所以CMOS的输入脚不能直接接电源。 下面是TTL与COMS的区别： 什么是ttl电平 TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V 等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。 TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控

制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL 型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。 TTL电路的电平就叫TTL 电平，CMOS电路的电平就叫CMOS电平 TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-Transistor Logic),主要有 54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL （S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列。标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.5V。LS-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类 2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值 3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V，Ⅱ、Ⅲ类0.8V，输出低电平最大Ⅰ类0.4V，Ⅱ、Ⅲ类0.5V，典型值0.25V。TTL电路的电源VDD供电只允许在+5V±10%范围内，扇出数为10个以下TTL门电路； COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体（Compiementary symmetry metal oxide semicoductor）集成电路的英文缩写，电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的，静态功耗很小。COMS电路的供电电压VDD 范围比较广在+5--+15V均能正常工作，电压波动允许±10，当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1，输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0，扇出数为10--20个COMS门电路. TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑"1"，0V 等价于逻辑"0"，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响；另外对于并行数据传输，电缆以及连接器的费用比起串行通信方式来也要高一些。CMOS电平和TTL电平: CMOS电平电压范围在3～15V，比如4000系列当5V供电时，输出在4.6以上为高电平，输出在0.05V以下为低电平。输入在3.5V以上为高电平，输入在1.5V以下为低电平。而对于TTL芯片，供电范围在0～5V，常见都是5V，如74系列5V供电，输出在2.7V以上为高电平，输出在0.5V以下为低电平，输入在2V以上为高电平，在0.8V以下为低电平。因此，CMOS电路与TTL电路就有一个电平转换的问题，使两者电平域值能匹配 TTL电平与CMOS电平的区别 (一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为0.1Vcc。 CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。 TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。 用TTL电平他们就可以兼容

2012狄恩电容器补偿样本

Introduction 简介Capacitors 电容器 In its power factor correction systems, DNELE uses only capacitors entirely made within the facilities of its group. Nowadays, factory is one of the few companies able to manufacture capacitors starting from the raw material up to the finished product ；the entire process is checked in order to obtain DNELE product of high quality level. Today factory produces different type of capacitors , from the lighting and single phase motor types to the ones for power electronics (electric traction, industrial services) and those of medium voltage. The various characteristics demanded to these products in terms of electric, mechanical and thermal stress ,enabled to find technical solutions that have been applying in other fields with interesting results: for instance the optimization of capacitors for special applications enabled to find very strong solutions that have been then applied on power factor correction capacitors. The production of the dielectric film (polypropylene or special paper), the metallization process, the production of the capacitor and the construction of the power factor correction banks are fully executed within companies of the Group; that guarantees the achievement of the highest quality standard weather of the metalized film or, consequently, the capacitors manufactured. Furthermore, the knowhow acquired in almost 50 years of metalized film production, has enabled our to realize absolute innovative products like 3Ut range of capacitors. Used to deal with International markets factory faced the requests of the strictest Certification Bodies and was awarded UNI EN ISO 9001:2000 Certification. Factory periodically takes part to CEI/IEC committees for the compilation of the product regulations , aimed at setting the objective criterions to evaluate capacitors performances and safety. It’s constantly in the vanguard and able to anticipate the regulations requirements; in order to ensure the accordance with the International regulations and the most strict customers acceptance criterions, products are submitted to tests in the internal laboratories (where it’s possible to test capacitors up to 700μF and voltage up to 80kV) and in the greatest internationally recognized laboratories (CESI) . Everything is performed for the safety of the customer who entrusted a reliable partner with a pluridecennal experience in capacitors production for the most disparate applications . 在无功补偿系统里面，DNELE 电容器的核心组件全部由自己生产。 如今，工厂是全球少数几家能够从原材料到成品生产电容器的厂家之一，为了保证产品的品质，我们在整个生产过程中都要进行检测.正因如此 DNELE 的产品品质得到了最好的保证。 现在工厂生产不同种类的电容器。灯具电容，单相的马达电容,电力电子电容(电力牵引，工业服务)和中压电容。产品的各种特性使他们被广泛的应用于电气，机械和热能方面，以确保能找到在其他领域应用的技术解决方案。例如，为了特殊要求的电容器最优化而找到的最佳解决方案已被应用到无功补偿电容器中。 介质膜的生产（聚丙烯或特殊纸张），金属化的过程，电容器的生产，无功补偿系统的生产，都完全在集团公司内部完成。这保证了金属化膜和电容器产品的高品质要求。而且，以工厂50年的金属化膜的生产经验。使我们创新制造了3ut 标准的电容器。 为了打开国际市场，工厂提高了各种生产管理机制，并取得了UNI EN ISO 9001:2000的认证。工厂定期参与CEI/IEC 委员会产品规范的制定，使产品的性能和安全性有了一个客观的标准。工厂一直持续不断的走在规范要求的前列，为了确保产品按照国际规范生产和一些高品质要求的客户的认可，我们的产品会在工厂内部的实验室接受700μF 和80KV 电压的测试，或送到国际上最权威的实验室（CESI ）进行检测。 我们将在不同的领域成为您安全可靠的合作伙伴！ Introduction High density metalized polypropylene film capacitors The film used in the MKPDS power capacitors comes directly from the MKPDS experience in the high performance capacitors, in particular it is defined as “High density metalized polypropylene film”. The main difference in comparison to standard polypropylene capacitors is the way in which the dielectric film is metalized. In standard polypropylene capacitors the thickness of the metal layer deposited on the film surface is constant; in 1995, instead, factory has developed a manufacturing process that enables obtaining a metal layer with properly modulated thickness and achieving extraordinary results in the capacitors field for direct current and energy storage applications. Subsequently, this technology has been extended to capacitors for alternating current applications, with same remarkable results in power factor correction of industrial facilities. The modulation of the metallization thickness, allows considerably betters capacitors performances (and therefore the one of the power factor corrector systems of which they are the basic component ) in terms of : ---- Increased specific power (kvar/dm3)with resulting reduction of power factor corrector systems dimension ; ---- Improvement of the strengthens to continuous and temporaries overvoltage for a better reliability even in plants with voltage peaks due to the network or manoeuvres on the plant ; 3Ut capacitors are in fact tested at three times the rated voltage (type test) from which procedure comes their name ; ---- Better reaction to the internal short circuit thanks to the special metallization with variable thickness . 简介 高密度金属化薄膜电容器 MKPDS 电容器使用的金属化聚丙烯薄膜直接来自于工厂丰富的生产经验,准确的说是”高密度金属化聚丙烯薄膜” 他与标准的聚丙烯薄膜电容器的主要区别就是他的薄膜是变量金属层的。而标准聚丙烯薄膜的金属层厚度是均匀的 .在1995年，工厂有了成熟的生产工艺开始生产变量金属层聚丙烯薄膜，在直流和能量储存电容器领域取得了非凡的成果。后来这个工艺被延伸到交流电容器的应用中，在无功补偿领域也取得了同样的显著的成果。 变量的金属层厚度，使电容器的性能得到很大的提高（金属化薄膜是无功补偿的核心组件之一） ---- 增加特定容量的无功补偿系统不会因此而增加尺寸。---- 在连续变化的过电压甚至在电网的电压峰值环境中，都具有很好的可靠性，3ut 电容器 意味着取得这个认证必须经过3次形式实验。 ---- 变量的金属层使电容器的性能在内部短路时也具有很好的表现。