第3章 扩散

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第三章扩散工艺6

第三章扩散工艺6


如果体积元内的杂质不产生也不消失,则 (3-10)=(3-11)有
C( x, t ) J( x, t ) t x
(3-12)
C ( x, t ) C ( x, t ) ( D ) (3-13) t x x
扩散方程:
C( x, t ) 2C( x, t ) D 2 t x
开管扩散箱法扩散涂源法扩散杂质的化合物与硅反应生成单质的杂质原子向硅内扩散液态源扩散携带气体通过源瓶把杂质源蒸气带入扩散炉管内与与硅反应生成单质的杂质原子向硅内扩散气态源扩散气态杂质一般先在硅表面进行化学反应生成掺杂氧化层杂质再由氧化层向硅中扩散1n22纯化系统3滤球4流量5节流器6三通8热电偶9扩散炉液态源扩散?硼扩散工艺原理等其中用得较多的是硼酸三甲酯
得到方程组: C(0,t)=Cs C(x,0)=0
C 2C dx D 2 dx t x
解得:
C ( x, t ) CS (1 2
x 2 Dt
x=0 t=0
e d CS (1 erf
2
0
x x ) CS erfc 2 Dt 2 Dt
式中Cs为Si表面浓度,为常数
式中 : △ E扩散过程中的激活能,实际上就是杂质原子扩散 时所必须克服的某种势垒。 D0 :温度T为无穷大时,扩散系数D的表观值。 k :玻耳兹曼常数,其值为:8.6210-5ev/0k T:绝对温度( k)。
几种杂质在硅中的D0和E的数值
杂质元素 D0(cm2/s) E(ev) 适用的温度范围(C)
3.1 杂质的扩散机构

主要可分为以下两种机构, 替位式式扩散和间隙式扩散。 存在于晶格间隙的杂质称为间隙式杂质 间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位 置上的运动称为间隙式扩散 间隙式杂质主 要是半径小、且不 容易和硅原子键合 的原子,它们以间 隙方式在晶体中作 扩散运动。 间隙式杂质

第三章 固态扩散

第三章 固态扩散

三、晶界扩散
大角晶界的结构不清楚,且不可能制成单纯是晶 界的试样研究晶界处的扩散系数,所以此种机制 的扩散不易研究,可用放射性同位素用示踪原子 法进行研究。
1、一般设想 晶界上原子排列不规则,能量较高,晶界上原子 跳动频率大,扩散激活能小。 溶质沿晶界 快速扩散, 再向晶内扩 散。
多晶体的扩散系数是体积扩散与晶界扩散的总和。
第三章 固态扩散
扩散:物质中原子或分子迁移的现象。 扩散的重要性:铸件的均匀化,许多固态相变过程,表 面合金化,冷变形金属的回复,再结晶等都与扩散密切 相关。
人们关注的扩散问题: 宏观规律:扩散速度与浓度分布——与外界条件的关 系。 微观机制:扩散如何进行——扩散时原子的具体行为, 如何加速或抑制扩散。
其中D=1.5×10-11m2sec-1 纯铁气体渗碳的表 层碳浓度分布曲线 与实际吻合得很好。
第二节 扩散机制
由扩散第一定律知:扩散速度取决于扩散系数D和浓度梯 度。后者取决于浓度分布,因此扩散快慢主要取决于D。 扩散系数D可用下式表达
D = D0 e

Q RT
其中D0称为扩散常数,Q为扩散激活能,R为气体常 数,T为绝对温度。 按不同的机制(方式)扩散,所需的热激活不同,即 扩散难易不同。
即具有跳动条件的原子的分数。其中ΔG为能垒。 2、扩散系数的推导 间距为a的平行晶面I, II,其单位面积上的 溶质原子数分别为n1, n2。
每个溶质原子在单位时间内的跳动次数即跳动频 率为 Г,原子由I面跳至II面或II面跳至I面的几率 均为P,则在δt时间内由I→II和II→I的原子数为:
N 1→ 2 = n1 PΓδt
2、单晶体与多晶体的比较
高温时晶界的作用 不明显,约 0.75Tm 以下扩散系数开始 有差别。 多晶体的斜率约 为单晶体的一 半,表明晶界扩 散的激活能仅为 晶内的一半。

3随流扩散和紊动扩散

3随流扩散和紊动扩散
Yangzhou Univ
《环境水力学》
第三章 随流扩散和紊动扩散
§3 随流扩散方程的解
3.3 一维流动三维扩散的随流扩散方程的某些解析解 3.3.2 瞬时线源
2. 瞬时半无限长线源一维扩散
0, 初始条件: c ( x,0) c 0 ,
( x 0) ( x 0)
边界条件: c(, t ) 0, c(, t ) c0 相应的解为
1. 无限长瞬时线源二维扩散 设无限长瞬时线源与 z 轴重合
初始条件:单位长线源瞬时的投放质量 mz const
边界条件: c(, y, t ) c( x,, t ) 0 相应的解为
( x ut) 2 y 2 mz c( x, y, z, t ) exp 4Dt 4 Dt
3.2 随流扩散方程
某三维流场中
y
v
dy
w
o
z
dx
u
dz
x
Yangzhou Univ
《环境水力学》
第三章 随流扩散和紊动扩散
§2 随流扩散方程
3.2 随流扩散方程
某三维流场中
y
c q z wc D z
q x uc D
qy
dy
c x c q y vc D y
qq dx x x dx ( qq )dydz x x xx 22
3. 有限长瞬时线源一维扩散
0, ( x x1 ) 初始条件: c ( x,0) c0 , ( x x1 )
边界条件: c(, t ) 0 相应的解为
c0 c( x, t ) 2
Yangzhou Univ
x1 ut x x1 ut x ) erf ( ) erf ( 4Dt 4Dt

第3章 扩散(掺杂工艺)精简

第3章 扩散(掺杂工艺)精简
电子信息与计算机工程系
以替位式推导) 扩散系数(以替位式推导)
a a J = aC x − ,t ÷v − aC x + ,t ÷v P P 2 2 ∂C(x,t) 2 = − a Pv ∂x D = a 2 Pv (cm2/s)
a aC x − ,t Pv 2
电子信息与计算机工程系
间隙式扩散
Wi=0.61.2eV
跳跃率
P
间隙原子扩散势场示意图
i
按照玻尔兹曼统计规律,获得大于能过 按照玻尔兹曼统计规律,获得大于能过Wi的几率正比于exp(-Wi/kT)
k:玻尔兹曼常数 : kT:平均振动能,0.026eV 平均振动能, 平均振动能 υ0:振动频率,1013-1014/s :振动频率,
CB
0
xj1 xj2 xj3
x
C ( x,t ) = Cs erfc x 2 Dt
电子信息与计算机工程系
恒定表面源扩散
结深
CB Dt = A Dt x = 2 erfc−1 j C s
∞ Dt Q = ∫ C(x,t )dx = 2C = 1.13C Dt s π s 0 x2 − C ∂C(x,t) s e 4Dt =− ∂x x,t πDt
Pi = v0 e
−Wi / kT
电子信息与计算机工程系
空位浓度
替位式扩散Leabharlann n = Ne −Wv / kT
Pv = v0e
Ws
−(Wν +Ws )/kT
Wv + Ws ≈ 3 − 4eV
α
产生替位式扩散必需存在空位。 产生替位式扩散必需存在空位。 晶体中空位平衡浓度相当 室温下,替位式扩散跳跃率约每10 年一次。 低,室温下,替位式扩散跳跃率约每 45年一次。

第三章 扩散

第三章 扩散

3.5 扩散工艺
电炉 石英管
硅晶片
排气口 电炉
N2
液态杂质源
O2
3.6 扩散工艺的发展

自学
3.7 扩散层的质量参数
包括:结深xJ ,方块电阻R□(RS) ,表面浓度 NS, 击穿电压BV等。
①结深xj 定义:pn结的几何位置与扩散层表面的距离。 对erfc分布和高斯分布,其结深近似有相同的表达 式:
第三章 扩散
3.4 影响杂质分布的其他因素
3.4.1 硅中的点缺陷
缺陷:任何对周期晶格形成扰动都称为“缺陷”。 ①面缺陷:层错、多晶的晶粒间界等; ②线缺陷:位错等; ③点缺陷:杂质原子产生的缺陷,如空位、间隙、间隙 原子团。 空位缺陷:晶格上缺失一个 Si原子。主要包括4种: ①中性空位V0 ②带一个负电荷的空位V- ③带两个负电 荷的空位V-2 ④带一个正电荷的空位V+

3.4 影响杂质分布的其他因素

总的扩散系数
①低掺杂(本征扩散系数) Di= Di0+ Di++ Di-+ Di2②高掺杂(非本征扩散系数) De= Di0+ Di+(p/ni)+ Di-(n/ni)+ Di2-(n/ni)2 ni-本征载流子浓度;p-空穴浓度;n-电子浓度
引自李乃平《微电子器件工艺》

3.4 影响杂质分布的其他因素

横向扩散的影响 ①横向穿通效应; ②影响结电容。
3.5 扩散工艺

按扩散系统:开管、闭管、箱法; 按杂质源:固态,液态,气态;

3.5 扩散工艺
3.5.1 固态源扩散 组成:主要是掺杂元素的氧化物,如B2O3、P2O5、BN 形态:片状、粉状、乳胶状、薄膜(掺杂的多晶硅) 扩散方式: ①开管: 片状和粉状,与Si平分开,不接触。 ②箱法:杂质源和Si片放在有盖的石英箱里。 特点:恒定表面源扩散,即NS=NSi;兼有开管和闭管的优 点。 ③涂源法:将掺有扩散杂质的乳胶源旋涂在Si片上。 特点:适于各种扩散杂质。 ④薄膜法:用CVD方法先在Si片上淀积一层含扩散杂质的薄 膜,如SiO2、Poly-Si、Si3N4。 特点:工艺灵活。

第三章:扩散教材

第三章:扩散教材
~ 1100℃ )、时间通常较短(10~40分)。 此步扩散为恒定表面源扩散余误差分布
第二步:再扩散或结推进,温度一般较高 ( 1000℃~1250℃ )、时间较长(大于60分),同 时生长SiO2 (此步已完成了杂质的电激活) 此步扩散为有限表面源扩散高斯分布
磷的液态源扩散(属于预扩散或预沉积)
磨角染色法 Xj = L×tgθ 方块电阻和结深是扩散的重要工艺参数,两个参
数已知则扩散分布曲线也可确定下来。
横向扩散 Xj横=(0.75~0.85)Xj纵
3.3 扩散工艺
扩散系统
下图是液态源扩散系统
两步扩散工艺
常规深结(Xj≥2μm)扩散采用两步扩散 第一步:预扩散或预沉积,温度一般较低(800℃
大浓度。
硅的原子密度: 5.0×1022/cm3
表1 杂质 硼(B) 磷(P) 砷(As) 锑(Sb) 铝(Al)
1100℃下硅中的固溶度 固溶度(atoms/cm3) 2.2×1020 1.1×1021 1.7×1021 5.0×1019 1.8×1019
扩散杂质的分布
1. 余误差函数分布(恒定表面源扩散属于此分布)
J— 扩散粒子流密度—单位时间通过单位面积的粒 子数
C — 扩散粒子的浓度(单位:粒子数/cm3)
D — 扩散系数—表征杂质扩散快慢的系数
非克第一定律揭示了扩散的本质即浓度差越大,温 度越高,扩散就越快。
常用扩散杂质
形成P型硅的杂质:B、Ga、Al(Ⅲ族元素) 形成N型硅的杂质:P、As、Sb(Ⅴ族元素) IC制造中常用的杂质: B、 P、As、Sb B:硼、Ga:镓、Al:铝 P:磷、As:砷、Sb:锑
分凝效应造成在硅中的硼杂质总量比磷损失的多, 其现象俗称SiO2吸硼排磷。

第三章污染扩散基本理论

第三章污染扩散基本理论

梯度输送理论借鉴分子扩散,然而对于湍流运动, 通量与梯度之间的线性关系只是一种假定
K不是流体的物理属性而是运动属性,随着运动 性质的变化而变化,K的确定存在一定困难
当前,中小尺度数值模式大多采用高阶闭合, 大尺度区域的扩散输送问题仍然采用K闭合。
§3.3 湍流统计理论的 基本处理
湍流统计理论-拉格朗日途径
欧拉方法和拉格朗日方法比较
欧拉方法-污染物平流扩散方程
qi t
x j
u jqi
Di
2qi x j x j
Ri (q1, q2........qN ,T ) Si (x,t)







源 项






将 u j u j u' j代入方程,并求雷诺平均(参考stull,第三章)
从研究个别微团(粒子)的运 动途径入手,通过研究湍流脉动场的 统计性质(如相关,湍强,湍谱)来 描述流场中扩散物质的散布规律。
个别粒子的随机运动无法描述,大量 粒子的集合趋向一个稳定的统计分布。
首要问题: 初始t=0时刻,从源发出的大量粒子经过 T时间后散布如何? 不能回答某一个粒子的位移距离,但可 以给出T时刻粒子在每个位置出现的概 率,即能否求出随机函数y(t)的概率分布。
4 kr
上式可见浓度 q与Q正比,而与时间无关,与距
离r成反比,与扩散系数成反比。
3 有风瞬时点源
采用移动坐标和原坐标解决有风与 无风差别(平均风速沿x轴)
可得:
q(x,
y,
z,t)
(2
Q
)3/ 2 x
y z
exp{[
(

第三章 扩散

第三章 扩散

x
x+△ x+△x
3.2 扩散系数与扩散方程
j(x,t)
△S
j(x+△ j(x+△x,t)
x
x+△ x+△x
在t时刻这个小体积(=△S·△x)内的杂质浓度为N(x,t)。在t+△t 时刻这个小体积( S·△x)内的杂质浓度为 内的杂质浓度为N(x,t)。 t+△ 时刻由于扩散而使浓度变为N(x , t+△t) . 则在△ 时刻由于扩散而使浓度变为 N(x,t+△ t).则在 △ t 时间里该小体 积内的杂质数目由N(x,t) 变为N(x,t+△ 积内的杂质数目由N(x,t)△S△X 变为N(x,t+△t)△S△X,即杂质减 少了[N(x,t)-N(x,t+△t)]△ 少了[N(x,t)-N(x,t+△t)]△s△x。
3.2 扩散系数与扩散方程
j(x,t)
△S
j(x+△ j(x+△x,t)
而在这个过程中由于扩散进入该小体积的杂质原子数为 j(x,t)△s△t,扩散出去的杂质原子数为j(x+△x,t)△s△t,进出之差为 扩散出去的杂质原子数为j(x+△x,t)△ [j(x+△x,t)[j(x+△x,t)-j(x,t)]△s△t(在这段时间将J视为与t无关的函数) 在这段时间将J视为与t无关的函数)
的圆柱体内的间隙原子数. 于 x轴 、 长度为 、 截面积为 的圆柱体内的间隙原子数 . 即 轴 长度为a、 截面积为1的圆柱体内的间隙原子数 N(x)·a,同样,在x+a处单位面积上的间隙原子数为 ,同样, 处单位面积上的间隙原子数为N(x+a)·a。 处单位面积上的间隙原子数为 。 因此,间隙原子在单位时间内通过单位截面积、由 x处跳跃到 因此, 间隙原子在单位时间内通过单位截面积、 处跳跃到 x+a处的原子数目为 处的原子数目为N(x)aPi,而由 而由x+a处跳跃到 处的原子数目 处跳跃到x处的原子数目 处的原子数目为 处跳跃到 为N(x+a)aPi 。

第三章固体中的扩散(材料科学基础)

第三章固体中的扩散(材料科学基础)

第三章 固体中的扩散物质中的原子随时进行着热振动,温度越高,振动频率越快。

当某些原子具有足够高的能量时,便会离开原来的位置,跳向邻近的位置,这种由于物质中原子(或者其他微观粒子)的微观热运动所引起的宏观迁移现象称为扩散。

在气态和液态物质中,原子迁移可以通过对流和扩散两种方式进行,与扩散相比,对流要快得多。

然而,在固态物质中,扩散是原子迁移的唯一方式。

固态物质中的扩散与温度有很强的依赖关系,温度越高,原子扩散越快。

实验证实,物质在高温下的许多物理及化学过程均与扩散有关,因此研究物质中的扩散无论在理论上还是在应用上都具有重要意义。

物质中的原子在不同的情况下可以按不同的方式扩散,扩散速度可能存在明显的差异,可以分为以下几种类型。

① 化学扩散和自扩散:扩散系统中存在浓度梯度的扩散称为化学扩散,没有浓度梯度的扩散称为自扩散,后者是指纯金属的自扩散。

② 上坡扩散和下坡扩散:扩散系统中原子由浓度高处向浓度低处的扩散称为下坡扩散,由浓度低处向浓度高处的扩散称为上坡扩散。

③ 短路扩散:原子在晶格内部的扩散称为体扩散或称晶格扩散,沿晶体中缺陷进行的扩散称为短路扩散,后者主要包括表面扩散、晶界扩散、位错扩散等。

短路扩散比体扩散快得多。

④ 相变扩散:原子在扩散过程中由于固溶体过饱和而生成新相的扩散称为相变扩散或称反应扩散。

本章主要讨论扩散的宏观规律、微观机制和影响扩散的因素。

3.1 扩散定律及其应用3.1.1 扩散第一定律在纯金属中,原子的跳动是随机的,形成不了宏观的扩散流;在合金中,虽然单个原子的跳动也是随机的,但是在有浓度梯度的情况下,就会产生宏观的扩散流。

例如,具有严重晶内偏析的固溶体合金在高温扩散退火过程中,原子不断从高浓度向低浓度方向扩散,最终合金的浓度逐渐趋于均匀。

菲克(A. Fick )于1855年参考导热方程,通过实验确立了扩散物质量与其浓度梯度之间的宏观规律,即单位时间内通过垂直于扩散方向的单位截面积的物质量(扩散通量)与该物质在该面积处的浓度梯度成正比,数学表达式为x CD J ∂∂-= (3.1)上式称为菲克第一定律或称扩散第一定律。

3第三章 扩散

3第三章 扩散
缝隙进行的,这种依靠间隙方式而逐步跳跃前进的扩散方式称为间隙式扩散。 Na、K、Fe、Cu、Au 等杂质在由一个间隙位置到另外一个间隙位置必须穿 越一势能极大的位置,势垒高度Wi一般0.6-1.2ev,一般间 隙杂质在势能极小的位置做热振动,振动频率V0约为1013 -1014/s,室温下平均动能约为0.026ev,1200℃高温也只 有0.13ev。只有靠热涨落才能获得>Wi的能量。
第三章 扩散
E-mail:
1
掺杂:就是将所需的杂质,以一定的方式加入到半导体晶片 中,并使其在晶片中数量、分布形式和深度的分布符合预定 的要求的集成电路制造工艺。 掺杂的作用:制作pn结、欧姆接触区、IC中的电阻器、硅 栅和硅互连线等,是改变晶片电学性质,实现器件和电路纵 向结构的重要手段。掺杂技术包括热扩散、离子注入、合金 和中子嬗变等方法。
19
3.3.2 有限表面源扩散 扩散前在硅片表面先淀积一层杂质,在整个过程中,这
层杂质作为扩散源,不再有新源补充,杂质总量不再变化。 这种类型的扩散称为有限表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布
20
(2)
(3.26)
(1)
(3)
杂质高斯函数分布 (随时间变化) 21
将X=0代入 Cx,t Q(e3x2.24D6t)式中,可求出任何时刻t的表面浓
Q t0 C ser 2 fc xD d t x2 C s Dt
(3.19)
其中CB为硅衬底原有杂质浓度,A是仅与Cs CB比值有关的常数, A与Cs CB之间的关系如图3.7所示。
(2)结深
结深可根据C(x,t)=CB由3.18式得到:
xj
2
Detr f1cCB CS
A
Dt

传质学第三章

传质学第三章

二、
菲克第一定律
1858年,菲克(Fick)参照了傅里叶(Fourier)于1822年建 立的导热方程,获得了描述物质从高浓度区向低浓度区迁移的定量 公式。 假设有一单相固溶体,横截面积为A,浓度C不均匀,在dt 时间内,沿方向通过处截面所迁移的物质的量与处的浓度梯度成正 比:
∆C ∆m ∝ A∆t ∆x
cs − cx x = erf ( ) cs − c0 2 Dt
例1:含0.20%碳的碳钢在927 ℃进行气体渗碳。假定表面C含量增 加到0.9%,试求距表面0.5mm处的C含量达0.4%所需的时间。已知 D972=1.28 ×10 -11 m2/s 解:已知c s,x,c0,D,c x代入式得 erf()=0.7143 查表得erf(0.8)=0.7421,erf(0.75)=0.7112,用内差法可得 erf 0.8 =0.7421 erf 0.75 =0.7112 β=0.755 因此,t=8567s=2.38h
威尔基和张方程:
3.2.3 气体分子扩散系数
富勒半经验式
1 × 10 T D AB =
−7
1.75
p VA
(
1 1 M + M B A + VB
1 3
1 2
1
3
)
2
式中: D—分子扩散系数,m2/s VA,VB—分别为组分A,B分子体积cm3/mol MA,MB—分别为组分A,B的摩尔质量g/mol; P—体系的总压atm; T—体系的温度,K。
第三章 分子扩散
3.1 扩散动力学方程 1 扩散动力学方程——菲克定律 菲克定律
一、基本概念 1.扩散通量 扩散通量 扩散通量——单位时间内通过单位面积的物质的量。 用J表示,为矢量(因为扩散流具有方向性) 量纲:摩尔数/(时间.长度2) 量纲 单位:mol/(m2. s) 单位

第三章农业创新扩散原理_农业推广学

第三章农业创新扩散原理_农业推广学

第一章农业创新扩散原理基本要求:通过本章的学习,弄清创新的概念和特性,理解和认识农民在创新采用过程不同阶段的心理特点,掌握创新扩散的基本理论,并能够针对创新扩散的时效性规律和交替规律在创新扩散的不同阶段选择适宜的推广方法。

重点:创新的采用过程各阶段农民的心理特点,创新扩散过程的特点以及创新采用过程不同阶段推广方法的选择。

难点:农业创新扩散曲线形成,S型曲线理论。

名家介绍:埃弗雷特.M.罗杰斯,传播理论家,新墨西哥大学新闻与传播系教授,系主任曾任估计国际传播协会会长,著有《创新的扩散》。

本书研究了扩散的要素,扩散的研究史、扩散的贡献、创新的产生,创新的决策过程以及创新的属性和采纳率、扩散网络等。

80年代著有《硅谷热》约瑟夫·阿洛伊斯·熊彼得,美籍奥地利人,当代西方著名经济学家,1939年他在其名著《资本主义、社会主义和民主主义》中,提出了著名的创新理论(innovation theory)。

第一节农业创新的采用一、创新的概念和特性1.创新的概念熊彼得认为:所谓创新就是建立一种“新的生产函数”,生产函数即生产要素的一种组合比率P=f(a,b,c,┅n),也就是说,将一种从来没有过的生产要素和生产条件的“新组合”引入生产体系。

(经济学角度)罗杰斯认为:创新是一种被个人或其他采纳单位视为新颖的观念、时间或事物(传播学角度)。

“创新”不同于“发明”发明是新技术的发现,创新则是将发明应用到经济活动中,为当事人带来利润。

2. 创新的五种存在形式:(1)引进新产品或提供一种产品的新质量;(农作物品种引入新的地区;鲜牛奶高温灭菌耐贮藏)(2)采用新技术或新生产方法;(苹果套代技术的采用;玉米面玉米渣)(3)开辟新市场;(蔬菜当地消费出口创汇)(4)获得原材料的新来源;(南水北调)(5)实现企业组织的新形式。

(国企股份制)总之,应用于农业推广中的创新可以是新的技术、产品或设备,也可以是新的方法或思想变化。

第3章-中子扩散理论

第3章-中子扩散理论
第3章 中子扩散理论
主讲:马续波
maxb@
华北电力大学核科学与工程学院
1
堆内链式裂变反应过程实质:中子在介质内不断的产生、
运动和消亡的过程
反应堆物理的核心问题之一:确定堆内中子通量密度按空 间和能量的分布 第二章通过求解中子慢化方程,解决了中子通量密度按能 量的分布, φ (E)~ E,即中子能谱
19
场论知识
• 数量场φ的梯度
• 向量场 J 的散度 div J J
算子
grad
i j k x y z 2 2 2 x y z
2 2 2 2
20
2、菲克定律的推导
– 确定性方法(Deterministic method)
• 数学模型用数学物理方程表示,然后采用数值方法求解 • 优点:计算快速,相对精确等

• 缺点:模型简化,大型多维问题需大量计算时间及存储空间等
• 典型方法:离散纵标法(SN) – 非确定性方法(蒙特卡罗方法,Monte Carlo method): • 基于统计理论,通过计算机的随机模拟来跟踪中子在介质中的运动 • 优点:计算精确,可以模拟三维复杂几何模型 • 缺点:对于深穿透问题(Deep-penetration),计算非常耗时
6
2、中子状态的描述
中子状态: 位置矢量 r (x,y,z)、能量E(或运 动速度v)、运动方向、 时间 (7个)
:单位矢量,模等 于1,方向表示中子的 运动方向,通过极角 和方位角来表示
7
中子角密度:在r处单位体积内和能量为E的单位能量间
隔内,运动方向为 的单位立体角内的中子数目。
由于中子与原子核的无规则碰撞,中子在介质内的运动是一种 杂乱无章的具有统计性质的运动,即初始在堆内某一位置具有某 种能量及某一运动方向的中子,在稍晚些时候,将运动到堆内另 一位置以另一能量和另一运动方向出现。这一现象称为中子在介 质内的输运过程(Transport)。描述这一过程的精确方程为玻 尔兹曼输运方程(Boltzmann equation)。 输运理论:微观粒子(中子、光子、电子、离子和分子等)在介 质中的迁移统计规律的数学理论;不是研究个别粒子的运动,而

《材料科学基础》第3章扩散作业(2)

《材料科学基础》第3章扩散作业(2)

材料科学基础 from headder3.5 作业3.5.1设体积扩散与晶界扩散活化能间关系为Q gb =Q v /2(Q gb 、Q v 分别为晶界扩散与体积扩散活化能),试画出lnD ~l/T 曲线,并分析在哪个温度范围内,晶界扩散超过体积扩散?3.5.2 在某种材料中,某种粒子的晶界扩散系数与晶格扩散系数分别为D b =2.00×10-10exp (-19100/T )和D l =1.00×10-4exp (-38200/T ),是求晶界扩散系数和晶格扩散系数分别在什么温度范围内占优势?3.5.3假设大小一样的A 、B 原子组成的置换式固溶体。

该固溶体具有简单立方的晶体结构,点阵常数a=3Å,且A 原子在固溶体中分布成直线变化,0.12 mm 距离内由0.15%增至0.63%(原子数目)。

又设A 原子频率Γ=10-6(sec -1),试求每秒内通过单位截面A 的原子数。

提示:必须考虑和菲克第一定律,关键是简单立方的p 值。

附加题(自选)3.5.4根据ZnS 的烧结数据,在563°C 时,测得扩散系数为3x10-4cm 2/sec ;在450°C 时,扩散系数为1x10-4cm 2/sec 。

1、试确定扩散活化能D E 和系数D 0;2、ZnS 与MgO 的性质相似,有类似的缺陷反应。

试求扩散系数D 与硫分压的关系。

3.5.5 在NaCl 单晶中添加10-4 mol%的ZnCl 2,已知NaCl 的Schottky 缺陷形成能为2.3 eV ,试分析在高温和低温时分别是由本征和非本征扩散机制的哪一种控制的?并求出转变温度。

(k=8.616x10-5 eV/K)3.5.6 在KCl 晶体中掺入10-5mo1%CaCl 2,低温时KCl 中的K +离子扩散以非本征扩散为主,试回答在多高温度以上,K +离子扩散以热缺陷控制的本征扩散为主?(KCl 的肖特基缺陷形成能∆H s =251kJ/mol ,R=8.314J/mo1·K )3.5.7 (1)贫铁的Fe 3O 4,结构式可写成Fe 1-x O ,相当于FeO 体系中氧增加,且有铁的空位形成。

第3章:中子的慢化、扩散与反应堆临界理论

第3章:中子的慢化、扩散与反应堆临界理论

三、反应堆临界理论(1) 反应堆临界理论
3.1 反应堆临界的概念
反应堆最重要的就是要能够维持连续稳定的 运行,即维持连续稳定的链式核裂变反应。 这种状态称为临界状态。若裂变反应率自发 地不断增加,称之为超临界,反之为次临界。 倍增因子K:反应堆内中子产生率与消失率 的比值,或:代中子比值。
三、反应堆临界理论(2) 反应堆临界理论
四因子、 3.2 四因子、六因子公式
无限大反应堆: Kinf = εp fη 无限大反应堆: 有限尺寸的反应堆: 有限尺寸的反应堆:Keff =εp fη Pf Pt
ε:快中子裂变因子 : p :逃脱共振吸收几率 f :热中子利用系数 η:热中子裂变因子 : Pf:快中子不泄漏几率 Pt:热中子不泄漏几率 Kinf :无限倍因子 Keff :有效倍增因子 临界、次临界、超临界: = 、 、 临界、次临界、超临界:K=1、<1、>1
三、反应堆临界理论(3) 反应堆临界理论
3.3 扩散方程确定的临界条件
若方程有解,则必须 材料曲率=几何曲率 若方程有解,则必须B2=Bg2,材料曲率 几何曲率 即: Bg2 = (Kinf-1)/L2,或: Kinf/(1 + L2Bg2 ) = 1 因此, 因此,Keff = Kinf / (1 + L2Bg2 ), 1/(1 + L2Bg2 )表示的是不泄 , 表示的是不泄 漏几率。 漏几率。 应用双群扩散理论,可类似得到: 应用双群扩散理论,可类似得到: Keff = Kinf/ [(1 + L12Bg2)(1 + L22Bg2)] L12= D1/(∑a1 + ∑1->2);L22= D2 / ∑a2 ; Pf = 1/(1 + L12Bg2); Pt = 1/(1 + L22Bg2) ; 解多群扩散方程时可以得到反应堆的Keff。 解多群扩散方程时可以得到反应堆的 。
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三.扩散系数公式
扩散系数公式:
式中:
D0称为扩散常数; Q称为扩散激活能,代表每摩尔原子的激活能; R为气体常数,其值为8.314J/mol.K; T为绝对温度。
一般认为, D0和Q的大小与温度无关,只是与扩散 机制和材料相关。
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第四节 影响扩散的因素
温度 固溶体类型 晶体结构 晶体缺陷 化学成分
erf称为误差函数,故该解又称为误差函数解。
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据此可确定不同时间和距 界面不同距离处的浓度: 当X=0时, β=0, erf(β)=0, 当C1=0时,
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2.半无限长物体中的扩散(一端成分不受扩 散影响的扩散偶)

钢铁材料的渗碳:把含碳量较低的钢或不含碳的 纯铁工件放入渗碳介质中,加热到一定温度,保 温一定时间,使工件表层含碳量增高的操作。 设一根纯铁棒,其一端在加热保温过程中进行渗 碳——碳原子沿试棒X轴向一端单向扩散。

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初始条件: 边界条件:
扩散第二方程的解:
19
¾
实际渗碳时,渗碳层深度x通常规定从表面测量到 某一碳浓度处(如0.4%C)为止,此时:
渗碳层深度与扩 散时间的关系
¾
生产中多以低碳钢(小于0.25%碳含量)作为渗 碳工件,故当试棒存在原始浓度的情况下,扩散方 程的解改变为:
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3.成分偏析的均匀化
28
其中
29
其中 由于M与D的正负号相同, 当 时,J与 方向相反 与菲克定律一致; 当 时,J与 与菲克定律不相符。 方向相同
下坡扩散, 上坡扩散,
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第三节 扩散的原子理论
晶体中原子的跳动与扩散 扩散机制 扩散系数公式
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一.晶体中原子的跳动与扩散
晶体中原子的跳动

假设一个原子在其原始位置每次跳动的距离均为 r,在进行n次跳动过程中引起迁移的平均距离为 R,根据统计学规律可存在
¾ ¾
一般,晶体的对称性越低,扩散各向异性越显著。 立方晶系,由于三个晶轴方向的原子排列情况相同 (如<100>晶向族),故其扩散系数基本一致。 异向性较大的六方晶系,特别是菱方结构,其扩散 的各向异性则尤为明显。 六方晶系沿平行于[0001]方向上的扩散系数小于 垂直于此方向的扩散系数。 因为平行于[0001]方向上的扩散,原子要通过原 子排列最密排的(0001)面。
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二.扩散机制
晶体中原子的扩散途径
1—表面扩散; 2—晶界扩散; 3—位错扩散; 4—体积扩散。
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体积扩散过程的微观机制

可能的机制
1-直接交换 2-环形交换 3-空位 4-间隙 5-推填 6-挤列
3 4 5
2 1
6

根据单原子的跳动方式主要有:间隙扩散和空位扩 散两种机制。
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间隙扩散机制 9 定义:扩散原子在点阵间隙位置之间的跃迁而导致 的扩散。面心立方点阵中间隙扩散如图所示。
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1.无限长物体中的扩散(两端成分不受扩散影 响的扩散偶)
设有两根很长且截面相同的固溶体合金棒对焊连 接,形成扩散偶。A棒的溶质浓度为C2,B棒的溶 质浓度为C1。 当扩散偶经加热保温不同时间后,对焊面附近的 浓度将发生明显变化,但其两端仍保持各自浓度。

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初始条件:
边界条件:
无限长等截面扩散偶的扩散第二方程解为:
浓度梯度与化学位梯度一致,下坡扩散,成分趋于 均匀,如铸锭均匀化。 浓度梯度与化学位梯度不一致,上坡扩散,成分区 域性不均匀,如共析分解。

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当系统中组元的活度或浓度沿X方向存在差 别时,则该组元的化学位随X不同而发生变 化。此时组元所受扩散驱动力为:
负号说明扩散驱动力与化学位 下降方向相同,即扩散原子向 化学位减小方向进行。
令跳动n次所需要时间为t,跳动频率为г (单位 时间内跳动的次数),则 例如,当原子跳动频率г =1010/S,每次跳动 距离r =0.1nm,经4小时后的平均迁移距离可按 上式计算等于0.12cm,即体现了原子跳动的明显 宏观效果。
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原子的跳动频率与扩散系数

设晶面Ⅰ、Ⅱ(面积均为单位面 积)分别含有n1、n2个溶质原子 (n1 > n2)。在一定温度下其 跳动频率为г,每个原子由 Ⅰ→Ⅱ和由Ⅱ→Ⅰ任意跳动落到 对面上的几率 P 相同,则在△t 时间间隔内分别跳到Ⅰ、Ⅱ两晶 面上的溶质原子数相应为:
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晶面Ⅱ上净增加溶质原子数相当于△t时间内的扩 散通量,即 设Ⅰ、Ⅱ面间距为a ,面积均为1。则各自的溶质 原子体积浓度分别为C1=n1/a ; C2=n2/a 。 若以溶质原子沿X方向的浓度分布表示,则晶面Ⅱ 上的浓度可确定为:

与扩散第一方程
相对比:则
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表明: 扩散系数D同时与原子跳动频率以及每次跳动距离 的平方成正比。 原子跳动频率取决于原子本性与温度,每次跳动距 离和P与晶体结构有关,所以在影响扩散系数的诸 因素中温度条件和晶体结构具有重要作用。

研究扩散一般有两种方法:
表象理论:根据所测量的参数描述物质传输的速率 和数量等; 原子理论:扩散过程中原子是如何迁移的。

5
第一节 表象理论
主要内容 扩散第一定律 扩散第二定律 扩散第二定律的应用 置换固溶体中的扩散
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一.扩散第一定律(Fike第一定律)
菲克定律是1855年菲克在研究固态原子从高 浓度向低浓度扩散时给出的扩散通量和浓度 梯度的关系。 扩散第一定律:在单位时间内通过垂直于扩 散方向的单位截面积的扩散物质质量(扩散 通量) 与该截面处的浓度梯度成正比。其数 学表达式又称作扩散第一方程。
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三.晶体结构
具有同素异构性的金属
所有元素在α- Fe中的扩散系数大于在γ- Fe中 的扩散系数。Dα-Fe >Dγ-Fe 原因:在密堆积点阵中的扩散比在非密堆积点阵中 的慢。原子排列密度大的点阵,原子移动需要克服 的原子结合力大,所需要的扩散激活能大,扩散系 数小。 例如:

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晶体的各向异性的影响
固溶体合金在非平衡结晶时会出现枝晶偏析。即合 金以树枝状结晶,先结晶的枝干含高熔点组元多, 后结晶的枝晶间含低熔点组元多的现象。 消除办法:扩散退火(均匀化退火)。

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扩散退火过程中组元浓度的变化可用菲克第二定律来 描述:
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欲达到完全均匀化(C=C0)和偏析峰值的衰减程度趋于零, 实际上是不可能的,使成分偏析的振幅降到偏析峰值的1% ( )所需的退火时间t为:
D:扩散系数; λ:二次枝晶轴间距的 一半,即溶质浓度最高 点与最低点的距离。
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可见: (1)在给定温度下均匀化退火所需要的时间与λ 的平方成正比。减小原始组织中晶粒尺寸或枝晶间的 距离,如加快速凝固和形变加工等,可以缩短均匀化 的扩散时间。 (2)均匀化退火所需要的时间与扩散系数成反 比,退火温度升高,D增大,均匀化退火所需要的时 间大大缩短。 (3)只有时间趋近于无穷大时,偏析衰减程度才 趋近于零,才会完全均匀化。
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一.温度
温度——最主要的因素
温度越高,扩散系数越大。 原因: ¾ 随着温度的升高,由于具有跳动条件的原子几率增 大; ¾ 随着温度的升高,空位浓度相应增加,因而有利于 扩散。

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例如,碳在γ铁中扩散时:
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二.固溶体类型
Q间隙< Q置换;D间隙>D置换 例如:
C、N等溶质原子在铁中的间隙扩散激活能比 Cr、Al等溶质原于在铁中的空位扩散激活能要小 得多,因此钢中渗C、渗N 较渗Cr、渗Al 等金属 易于进行。
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四.置换固溶体中的扩散
同时考虑两种原子的互扩散问题 柯肯达尔效应
柯肯达尔最先于1947年发现互扩 散: 置换互溶的铜和镍棒(原子直径差 别小) 对焊构成扩散偶 在其 对焊面上嵌钼丝作标志 高温加 热和长时间保温 铜、镍原子分 别越过界面向对方迁移 标记界 面钼丝向镍棒侧移动了一段距离 (铜侧膨胀,镍侧则相应发生收缩)
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四.晶体缺陷
扩散的范围:晶内、外表面、 晶界、相界及位错线。


表面扩散最快,晶界次之,亚晶界 又次之,晶内扩散最慢。 外表面、晶界、晶内扩散系数的相 对差别与温度有关,温度越低,差 别越大。因此当温度较低时,晶界 扩散起着重要作用。 在位错、空位等缺陷处比完整晶格 处扩散容易得多。特别在温度较低 时(晶内扩散很难进行时),沿位 错扩散是重要过程。
¾
40
9
• •
空位扩散条件: 结构条件:扩散原子周围存在点阵空位。 能量条件:扩散原子应具有可以超越能垒的自由能。 铜的自扩散激活能按三种机制计算的理论值如下所 示:
实验值为:Q=1.93×105J/mol,与空位机制的 激活能基本相等。
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9
空位扩散时扩散系数
空位扩散激活能:由原子跳动激活能△E与空位形成 能△Ev两部分组成 。 可见,置换扩散激活能( 散激活能( )。 )大于间隙扩
3
扩散与金属的加工、使用性能之间存在密切 的关系,例:

铸造合金消除枝晶偏析的均匀化退火; 钢在加热和冷却时的一些相变; 金属塑变后的回复与再结晶; 钢的化学热处理; 金属的氧化、脱碳; 粉末合金的烧结等。
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扩散类型(金属中):
自扩散:纯金属中的扩散,如:α-Fe →γ-Fe, 由于原子自身扩散引起晶格类型的改变。 异扩散:溶质原子在溶剂金属中的扩散。 互扩散:溶质原子和溶剂原子的相互扩散。
第三章 固体中原子及分子的运动
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本章的主要内容
扩散的表象理论 扩散的热力学 扩散的原子理论 影响扩散的因素 反应扩散 扩散在冶金方面的应用举例
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