微电子工艺PPT课件

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微电子工艺原理与技术--离子注入 ppt课件

微电子工艺原理与技术--离子注入 ppt课件

先加速后分析注入机结构示意
离子注入系统的原理示意图
国产中束流离子注入机
Vll Sta 810XEr 中束流注入机
20-80KeV 400-500W/h
Vll Sta 80HP 300mm 大束流注入 机
1-80KeV FOR 90nm IC process
900XP 高能注入机
高能P阱注入机
2keV - 900keV
国产多功能离子改性注入机
无分析器 气体 金属 辅助 溅射 四种离子源
全方位离子注入
离子源的种类
1. 潘宁源 在阴极-阳极间起弧电离源气分子,获得等离 子体,适合小束流气体离子注入
2. 2.热灯丝源(Freeman源) 靠灯丝发射电子激发等 离子体,适合无氧气体离子的中小束流注入
中束流离子源(CF-3000)
Eaton注入机 离子源
大束流离子源(8-10mA) 中束流离子源(NV-6200)
蒸发离子源的结构
磁分析器原理
设吸出电压为V,对电荷q的正离子,能量为qV(eV)。
EqV1m2v, v 2qV
2
m
经过磁场强度为B、方向与离子运动方向垂直的分析腔,
受到洛仑兹力qvB,该力使离子作圆周运动。有:
m2v
mv1 2m 1 m
qvr B, V ,B 2V
r
qBB q
rq
可见,偏转半径r与B成反比,与m成正比。对固定的离 子注入机,分析器半径r和吸出电压固定,调节B的大小 (励磁电流)即可分析出不同荷质比的离子。
BF3气源磁分析质谱
磁分析器的分辨率
注意: 同一荷质比的离子有相同的偏转半径,磁分析 器无法作出区分。要求源气有很高的纯度,尽量避免相 同荷质比离子出现。如:N2+ 和Si+,N+ 和Si++ ,H2+ 和 He++等。

《微电子工艺实验》课件

《微电子工艺实验》课件

微电子基础
半导体材料
介绍半导体材料的特性和 用途。
PN结的特性
解释PN结在微电子中的重 要性和特征。
晶体管的基础知识
讲解晶体管的工作原理和 应用。
工艺流程
1
制程图
详细展示微电子工艺的流程和步骤。
2
工艺流程步骤
逐步介绍微电子工艺的各个步骤和操作。
3
介质与薄膜敷 deposition
Hale Waihona Puke 探讨介质材料和薄膜敷的工艺和应用。
工艺装备及材料
微细加工设备介绍
介绍常用的微细加工设备及其功能和用途。
典型微电子工艺材料
列举和解释一些常见的微电子工艺材料。
微电子工艺实验
实验一:制 作硅片测试 样品
详细描述制作硅片 测试样品的实验步 骤与要点。
实验二:光 刻制作器
介绍使用光刻制作 器进行微电子加工 的实验过程。
实验三:湿 法刻蚀
《微电子工艺实验》PPT 课件
在本课件中,将介绍《微电子工艺实验》课程的内容和目标,以及实验所需 的基础知识和工艺流程。通过该课程,您将深入了解微电子学的核心原理和 实践技巧。
绪论
课程简介
简要介绍《微电子工艺实验》的主题和内容。
实验教学要求
说明学生在实验中应遵守的规定和要求。
实验宗旨与目的
明确说明实验所追求的目标和意义。
实验现场注意事项
提醒学生在实验过程中需要注意的关键事项。
结论
课程总结
总结《微电子工艺实验》课程的重点和收获。
实验心得体会
分享学生参与实验后的体验和感悟。
参考文献
相关领域经典文献推荐
列出一些值得阅读的与微电子工艺实验相关的经典著作。

PPT微电子封装技术讲义

PPT微电子封装技术讲义
02
金属材料的可靠性较高,能够承 受较高的温度和压力,因此在高 集成度的芯片封装中广泛应用。
高分子材料
高分子材料在微电子封装中主要用于 绝缘、密封和塑形。常见的高分子材 料包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚四氟 乙烯等,它们具有良好的绝缘性能和 化学稳定性。
高分子材料成本较低,加工方便,因 此在低端和大规模生产中应用较广。
板级封装
1
板级封装是指将多个芯片或模块安装在同一基板 上,并通过基板与其他器件连接的系统封装类型。
2
板级封装具有制造成本低、易于维修和更换等优 点,因此在消费电子产品中应用广泛。
3
常见的板级封装类型包括双列直插式封装 (DIP)、小外形封装(SOP)、薄型小外形封 装(TSOP)等。
系统级封装
系统级封装是指将多个芯片、模块和其他元器件集成在一个封装体内,形成一个完 整的系统的封装类型。
微电子封装技术的应用领域
通信
高速数字信号处理、 光通信、无线通信等。
计算机
CPU、GPU、内存条 等计算机硬件的封装 和互连。
消费电子
智能手机、平板电脑、 电视等消费电子产品 中的集成电路封装。
汽车电子
汽车控制单元、传感 器、执行器等部件的 封装和互连。
医疗电子
医疗设备中的传感器、 控制器、执行器等部 件的封装和互连。
详细描述
芯片贴装是将微小芯片放置在基板上的过程,通常使用粘合剂将芯片固定在基板 上,以确保芯片与基板之间的电气连接。这一步是封装工艺中的关键环节,因为 芯片的正确贴装直接影响到后续的引线键合和整体封装质量。
引线键合
总结词
引线键合是将芯片的电路与基板的电路连接起来的工艺过程。
详细描述
引线键合是通过物理或化学方法将芯片的电路与基板的电路连接起来的过程。这一步通常使用金属线或带状线, 通过焊接、超声波键合或热压键合等方式将芯片与基板连接起来,以实现电气信号的传输。引线键合的质量直接 影响着封装产品的性能和可靠性。

《微电子封装技术》课件

《微电子封装技术》课件

医疗领域
微电子封装技术为医疗设备提 供高可靠性、小型化的解决方 案,如医学影像设备、诊断仪 器等。
航空航天领域
在航空航天领域,微电子封装 技术用于制造高精度、高稳定
的导航、控制和监测系统。
先进封装技术介绍
3D封装
通过在垂直方向上堆叠 芯片,实现更小体积、 更高性能的封装方式。
晶圆级封装
将整个芯片或多个芯片 直接封装在晶圆上,具 有更高的集成度和更小
BGA封装技术案例
总结词
高集成度、高可靠性
详细描述
BGA(Ball Grid Array)封装技术是一种高集成度的封装形式,通过将芯片粘接在基板上,并在芯片 下方布设球状焊球实现电气连接。BGA封装技术具有高集成度、高可靠性和低成本的特点,广泛应用 于处理器、存储器和高速数字电路等领域。
更轻便的设备需求。
A
B
C
D
更高可靠性
随着设备使用时间的延长,封装技术需要 不断提高产品的可靠性和寿命,以满足长 期使用的需求。
更低成本
随着市场竞争的加剧,封装技术需要不断 降低成本,以提高产品的市场竞争力。
04
封装技术面临的挑战与解 决方案
技术挑战
集成度散热 、信号传输等问题。
关注法规与环保要求
及时了解和遵守各国法规与环保要求,确保 企业的可持续发展。
05
封装技术案例分析
QFN封装技术案例
总结词
小型化、薄型化、低成本
详细描述
QFN(Quad Flat Non-leaded)封装技术是一种常见的无引脚封装形式,具有小型化、薄型化和低成本的特点 。它通过将芯片直接粘接在基板上,实现芯片与基板间的电气连接。QFN封装技术广泛应用于消费电子、通信和 汽车电子等领域。

《微电子技术》课件

《微电子技术》课件
军事
微电子技术用于制造军事设备 ,如导弹制导系统、雷达、通
信设备等。
微电子技术的发展趋势
纳米技术
随着芯片上元件尺寸的 不断缩小,纳米技术成 为微电子技术的重要发
展方向。
3D集成
通过将多个芯片垂直集 成在一起,实现更高的
性能和更低的功耗。
柔性电子
柔性电子是将电子器件 制造在柔性材料上的技 术,具有可弯曲、可折
将杂质元素引入半导体材料中的 技术。
离子注入掺杂
利用离子注入机将杂质离子注入 到半导体材料中的技术。
化学气相掺杂
利用化学气相沉积的方法,将含 有杂质元素的化合物沉积到半导
体材料中的技术。
04
集成电路设计
集成电路设计流程
需求分析
明确设计要求,分析性能指标,确定设计规 模和复杂度。
逻辑设计
根据规格说明书,进行逻辑设计,包括算法 设计、逻辑电路设计等。
《微电子技术》 ppt课件
contents
目录
• 微电子技术概述 • 微电子器件 • 微电子工艺技术 • 集成电路设计 • 微电子封装技术 • 微电子技术发展面临的挑战与机遇
01
微电子技术概述
微电子技术的定义
微电子技术是一门研究在微小 尺寸下制造电子器件和系统的 技术。
它涉及到利用半导体材料、器 件设计和制造工艺,将电子系 统集成在微小尺寸的芯片上。
02
微电子技术领域的竞争非常激烈,企业需要不断提升自身的技
术水平和产品质量,以获得竞争优势。
客户需求多样化
03
客户需求多样化,要求企业提供更加定制化的产品和服务,以
满足不同客户的需求。
新材料、新工艺的机遇
新材料的应用

《半导体工艺概述》PPT课件

《半导体工艺概述》PPT课件

接触式 湿化学
扩散 离子注入
掺杂
开放式炉管—水平/竖置 封闭炉管
快速热处理 中/高电流离子注入
低能量/高能量离子注入
热处理
制程方法 加热
热辐射
具体分类 加热盘 热对流 快速加热
红处线加热
芯片制造的特点
超洁超净 半导体芯片尤其是高密度的集成电路,极易受到多种污染物的损害,主要体
现在器件成品率,器件性能,器件可靠性。 污染物:微粒、金属离子、化学物质、细菌
2、硼离子注入,形成 PMOS 源 、 漏 区 。 硼 离 子 注 入 剂 量 5*1015cm-2 ,能量100keV.
3、离子注入退火和推 进:在N2下退火,并将 源、漏区推进,形成 0.3~0.5微米深的源、 漏区。
化学气相淀积 磷硅玻璃介质 层
刻金属化的接触孔
磷硅玻璃回流,使 接触孔边缘台阶坡 度平滑,以利于金 属化。否则在台阶 边缘上金属化铝条 容易发生断裂。在 N2气氛下,1150℃ 回流30分钟。
利用氮化硅掩蔽氧 化的功能,在没有 氮化硅、并经硼离 子注入的区域,生 长一层场氧化层, 厚度400nm
去除N阱中非PMOS有 源区部分的氧化硅 和氮化硅,这部分 将是场区的一部分 。
对N阱中场区部分磷 离子注入,防止寄 生沟道影响。
一般采用湿氧 氧化或高压氧 化方法生长一 层1微米厚的 SiO2
首 先 生 长 缓 冲 SiO2 薄层,厚度600nm, 目的是减少淀积的 氮化硅与硅衬底之 间的应力。
其次低压CVD氮化硅 ,用于掩蔽氧化, 厚度100nm
确定NMOS有源区:利 用第二块掩膜版,经 曝光、等离子刻蚀, 保留NMOS有源区和N 阱区的氮化硅,去掉 场区氮化硅,NMOS场 区硼注入,剂量 1*1013cm-2,能量 120keV,防止场区下 硅表面反型,产生寄 生沟道。

微电子工艺PPT课件

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1833年,英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的 电阻随着温度的变化情况不同于一般金属,一般情况下, 金属的电阻随温度升高而增加,但巴拉迪发现硫化银材料 的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次 发现。
1874年,电报机、电话和无线电相继发明等早期电子仪器 亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。
如今,渝德科技被中航集团收购,更名为中航微电子。我市已有西南集 成电路、中航微电子、奥特斯集成电路基板、台晶(重庆)电子、重庆石墨 烯科技公司、SK海力士、中电24所、四联微电子等集成电路生产和研发机构, 形成了设计-制造-封装的完备产业链,重庆大学和重庆邮电大学成立了半导 体学院培养集成电路人才。
.
20
1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔 数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;
1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;1962年:美国RCA 公司研制出MOS场效应晶体管。
1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天, 95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺
1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,这是一个里程碑 式的发明; 1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了 14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;
1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基 于8088推出全球第一台PC
.
115
本课程内容结构?
集成电路制造技术—原理与工艺
硅材料
集成电路工艺
集成和封装测试
第1单元
1 单晶硅结 构
2 硅锭及圆 片制备

微电子工艺17zhang 共65页PPT资料

微电子工艺17zhang 共65页PPT资料
3
17.1 引言
杂质改变半导体的导电性
受主杂质 IIIA 族 (P-Type)
元素
原子序数
半导体 IVA 族
元素
原子序数
施主杂质 VA 族(N-Type)
元素
原子序数
Boron (B) Aluminum Gallium Indium
5
Carbon
6
Nitrogen
7
13
Silicon (Si)
14 Phosphorus (P)
B
Diffusion
B
Diffusion
C.倒掺杂 n-Well
P
Ion Implant
D. 倒掺杂 p-well
B
Ion Implant
E. p-Channel Punchthrough
P
Ion Implant
F. p-Channel Threshold Voltage (VT) Adjust
P
Ion Implant
Figure 17.5
18
离子注入机示意图
Ion source
Plasma Extraction assembly Analyzing magnet Ion beam
Acceleration column
Process chamber
Scanning disk
19
离子注入机
Photograph courtesy of Varian SemPihcootnod1u7c.1tor, VIISion 80 Source/Terminal side
Ion Source
N S
+
+
+

哈尔滨工业大学-微电子工艺基础绪论(王静)PPT(共64页)

哈尔滨工业大学-微电子工艺基础绪论(王静)PPT(共64页)

1.为什么要学这门课?
提高显示芯片的制造工艺具有重大的意义,因为更先进的制 造工艺会在显示芯片内部集成更多的晶体管,使显示芯片实 现更高的性能、支持更多的特效;更先进的制造工艺会使显 示芯片的核心面积进一步减小,也就是说在相同面积的晶圆 上可以制造出更多的显示芯片产品,直接降低了显示芯片的 产品成本,从而最终会降低显卡的销售价格使广大消费者得 利;更先进的制造工艺还会减少显示芯片的功耗,从而减少 其发热量,解决显示芯片核心频率提升的障碍.....显示芯片自 身的发展历史也充分的说明了这一点,先进的制造工艺使显 卡的性能和支持的特效不断增强,而价格则不断下滑,例如 售价为1500左右的中端显卡GeForce 7600GT其性能就足以 击败上一代售价为5000元左右的顶级显卡GeForce 6800Ultra。
先修课程
半导体物理、固体物理学
参考文献
刘玉岭等编著,《微电子技术工程—材料、工艺与测试》 施敏等编著,《半导体制造工艺基础》
一 概述
1ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ为什么要学这门课?
2.这门课的对象?
3.本课程的主要内容
4.第1章 绪论
第1章 绪论
本章(2学时)目标:
1、分立器件和集成电路的区别 2、平面工艺的特点
3、微电子工艺的特点 4、芯片制造的四个阶段
第1章 绪论 一、微电子产业
4、微电子工艺的发展概况 (1)平面工艺的诞生
平面工艺是由Hoerni于1960年提出的。在这项技术中,整个半导体表面先形成 一层氧化层,再借助平板印刷技术,通过刻蚀去除部分氧化层,从而形成一个 窗口。
①合金结方法 A 接触加热:
集成电路是工业发展水平的标志。
第1章 绪论
一、微电子产业

《微电子封装技术》课件

《微电子封装技术》课件

航空航天设备封装案例
航空航天设备封装案例:航空航天领域对设备的可靠性和稳定性要求极高,而微电子封装技术能够满 足这些要求。例如,在飞机发动机控制系统中、卫星导航系统中等,微电子封装技术发挥着重要作用 。它能够提高设备的可靠性和稳定性,降低成本,并促进小型化、集成化的发展趋势。
具体而言,在飞机发动机控制系统中,微电子封装技术能够实现高精度和高可靠性的控制,从而提高 发动机的性能和安全性。在卫星导航系统中,微电子封装技术能够提高定位精度和信号质量,从而提 高导航的准确性和可靠性。
医疗电子设备封装案例
医疗电子设备封装案例:医疗电子设备对精度和可靠性要求极高,而微电子封装技术能够满足这些要求。例如,在医疗影像 设备、心脏起搏器、血糖监测仪等中,微电子封装技术发挥着重要作用。它能够提高设备的性能和可靠性,降低成本,并促 进小型化、集成化的发展趋势。
具体而言,在医疗影像设备中,微电子封装技术能够提高图像质量和设备性能,从而提高诊断的准确性和可靠性。在心脏起 搏器中,微电子封装技术能够实现高精度和高可靠性的起搏控制,从而提高患者的生命安全和生活质量。在血糖监测仪中, 微电子封装技术能够实现快速、准确的血糖监测,从而帮助患者及时了解自身血糖状况并进行有效控制。
封装测试பைடு நூலகம்
01
封装测试是确保微电子封装产品性能和质量的 重要环节。
03
随着技术的不断发展,新型测试方法也在不断涌现 ,如X射线检测、超声检测等。
02
测试内容包括气密性检测、外观检测、电性能 测试等,以确保产品符合设计要求和性能标准

04
封装测试的发展趋势是高精度、高效率、自动化, 以提高测试准确性和降低成本。

柔性封装技术
03

微电子技术绪论PPT课件

微电子技术绪论PPT课件
光刻技术的分辨率、对比度、均匀度等对微电子器件的 性能有着重要影响,需要精确控制和优化。
光刻技术包括接触式、接近式、扫描式等几种方式,不 同的方式适用于不同的工艺要求和节点。
未来发展方向包括探索更先进的光刻技术和方法,以提 高分辨率、降低成本和提高可靠性。
04
微电子封装与测试
封装技术
芯片贴装技术
集成电路
集成电路的基本概念
集成电路是将多个晶体管和其他电子元件集成在一块衬底上,实 现一定的电路或系统功能。
集成电路的制造工艺
集成电路的制造需要经过多个复杂工艺步骤,包括光刻、掺杂、刻 蚀和镀膜等,以确保电路性能的稳定性和可靠性。
集成电路的应用
集成电路被广泛应用于计算机、通信、消费电子和汽车电子等领域, 对现代科技的发展起着至关重要的作用。
晶体管
1 2 3
晶体管的基本结构
晶体管由三个电极(集电极、基极和发射极)构 成,其工作原理是通过控制基极电流来调节集电 极和发射极之间的电流。
晶体管的类型
晶体管分为NPN和PNP两种类型,其工作电压和 电流大小各不相同,根据实际需求选择合适的晶 体管类型。
晶体管的应用
晶体管是构成各种电子电路的基本元件,广泛应 用于信号放大、开关控制和逻辑运算等领域。
系统集成创新
系统集成创新
随着微电子器件的集成度不断提高,系统集成创新成为了一个重要的研究方向。通过将不同的器件和电路集成在一个 芯片上,可以实现更复杂的功能和更高的性能。
3D集成技术
3D集成技术是指将多个芯片堆叠在一起,并通过垂直互联实现高速信号传输。这种技术可以显著提高芯片的集成度 和性能,同时降低能耗和成本。
掺杂技术分为非故意掺杂和故意掺杂两种,非故 意掺杂是指在制造过程中不可避免地引入杂质, 而故意掺杂则是为了实现特定的电路功能而人为 地引入杂质。
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集成电 路应用
.
5
半导体产业结构
.
6
我国集成电路产业在世界中的地位
1、中国目前进口第一多的商品不是原油,是芯片,一 年进口2500亿美元。 2、我国集成电路产业处在世界的中下端,属于集成电 路消费大国、制造大国,粗放型、高投入、低利润。 3、缺少高端设计,设备主要被国外垄断。 4、集成电路产业是国家的命脉,走到了危险的边缘, 不能再继续落后下去。
.
7
2014年6月,《国家集成电路产业发展推进纲要》
1、集成电路定位
它是信息技术产业的核心,是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性 和先导性产业,当前和今后一段时期是我国集成电路产业发展的重要战略机遇期和攻坚 期。
2、发展目标
到2015年,集成电路产业销售超3500亿元。移动智能终端、网络通信等部分重点 领域集成电路设计技术接近国际一流水平。32/28纳米(nm)制造工艺实现规模量产, 中高端封装测试销售收入占封装测试业总收入比例达到30%以上,65-45nm关键设备和 12英寸硅片等关键材料在生产线上得到应用。
1、2014年全球半导体市场规模达到3331亿美元,同比增长9%,为近四年增速之最。 2、从产业链结构看。制造业、IC设计业、封装和测试业分别占全球半导体产业整体营业收入 的50%、27%、和23%。 3、从产品结构看。模拟芯片、处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片2014年销售额分别442.1 亿美元、622.1亿美元、859.3亿美元和786.1亿美元,分别占全球集成电路市场份额的 16.1%、22.6%、32.6%和28.6%。
电子工业出版社,2003
考核方式:考勤20+作业10+考试(闭卷)70
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2
第0章 绪论
1. 引言 2、集成电路的历史 3. 何为集成电路 4. 微电子工艺特点与基本工艺流程
.
3
第0章 绪论
一、引言
1、为什么要学习本课程?
2、本课程内容结构?
3、本课程学习目的?
4、如何学习本课程?
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4
为什么要学习本课程?
2005年年 32nm
2012年 22nm
2014年 14/16nm
Intel首款14nm处理器——第五代Core处理器问世(2015-1-6) 第五代Core处理器平台电晶体(Transistor)数量比第四代Core加35%,但尺寸却缩减37%; 此外,在3D图像处理性能、影片转码速度、电池续航力、整体性能等评比项目,第五代Core处理 器平台都较前一代产品分别提升22%、50%、40%以及1.5小时的表现。
4、保障措施
成立国家集成电路产业发展领导小组,国务院副总理马凯任组长,工业化信息化部 部长苗圩任副组长。
设立国家产业投资基金,已成功吸引了金融机构、民营企业等各方出资,募资已超 1000亿;已向紫光集团投资合计300亿元。
加大金融支持力度。 加大人才培养和引进力度。
.
9
产业现状-全球
2018-2014全球集成电路市场规模及增速
到2020年,全行业销售收入年均增速超过20%,移动智能终端、网络通信、云计 算、物联网、大数据等重点领域集成电路设计技术达到国际领先水平,16/14nm制造工 艺实现规模量产,封装测试技术达到国际领先水平,关键装备和材料进入国际采购体系。
到2030年,集成电路产业链主要环节达到国际先进水平,一批企业进入国际第一 梯队,实现跨越发展。
.
110
技术现状-全球
年代
集成度
最小 线宽 光刻 技术
1985年
1988年
1M
4M
1.25
0.8
光学曝光
1991年
16M
0.6 准分子 电子束
1994年 64M 0.5
电子束
1997年
2000年
256M
1G
0.35
0.18
X射线 (电子束)
年代
最小 线宽
2001年 0.13um
2003年 90nm
五大展望:
一是产业规模持续增大,市场引领全球增长。 二是细分三业齐头并进,产业结构日趋合理。 三是技术水平持续提升,国际差距逐步缩小。 四是国内企业实力倍增,有望洗牌全球格局。 五是政策环境日趋向好,基金引领投资热潮。
.
112
产业现状-中国
2011-2014年我国集成电路产业销售规模及增长情况
1、2014年我国集成电路产业销售收入达3015.4亿元,同比增长20.2%,增速较2013 年提高4个百分点。 2、从产业链结构看。2014年集成电路产业中,设计的销售额为1047.4亿元,同比增长 29.5%;芯片制造业销售收额712.1亿元,同比增长18.5%;封装测试业销售额1255.9亿 元,同比增长14.3%。 3、通信和消费电子是我国集成电路最主要的应用市场,合计共占整体市场的48.9%。计 算机类集成电路市场份额进一步下滑,同比下滑达13.28%。
集成电路制造技术
——原理与工艺
.
1
教材与参考书、考核
教材:王蔚 《微电子制造技术----原理与工艺》 (修订版)电子工业出版社 2013
参考书:关旭东 《硅集成电路工艺基础》北京大 学出版 2003
清华大学《集成电路工艺》多媒体教学课件 2001 Stephen A. C.《微电子制造科学原理与工程技术》
.
11
《集成电路产业发展白皮书(2015版)》
世界创新三大重点:
一是14nm FinFET工艺芯片正式进入市场,英特尔公司在22nm的FinFET结构三栅 晶体管技术及IBM和意法半导体公司的22nm制程节点中采用的FD-SOI全耗尽技术。 二是3D-NAND存储技术走向商用。 三是可穿戴市场推动无线充电技术走向成熟。无线充电技术已经成为业界“抢攻” 的重点。
.
8
2014年6月,《国家集成电路产业发展推进纲要》
3、主要任务和发展重点
加速发展集成电路制造业,加快45/40nm芯片产能扩充,加紧32/28nm芯片生产线 建设,加快立体工艺开发,推动22/20nm、16/14nm芯片生产线建设。大力发展模拟及 数模混合电路、微机电系统(MEMS)、高压电路、射频电路等特色专用工艺生产线; 突破集成电路关键装备和材料。
.
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2015中国集成电路产业发展十大趋势
1、中国IC市场仍将引领全球增长。2014年中国集成电路市场规模超过1万亿元 2、中国IC企业开始步入全球第一梯队。海思2有望跻身全fablessTop10;紫光集团收购展讯 和锐迪科,并获得英特尔入股之后,成为国内IC企业的巨头;长电科技联合国家集成电路产 业投资基金股份有限公司、中芯国际子公司芯电上海共同出资收购全球第四大半导体封装测 试企业—新加坡星科金朋。 3、产业基金引领IC产业投资热潮。国家集成电路产业基金一期预计总规模已达1387.2亿元, 实现超募187.2亿元,重点投资芯片制造业,未来10年将拉动5万亿元资金投入到芯片产业。 4、中国将成为12寸IC生产线全球投资热点区域。国内中芯国际和华力微电子等代工厂急需 扩充产能,建设新的12寸晶圆厂。 5、12寸晶圆将正式实现“Made in China”。 6、中国集成电路制造工艺将跻身国际主流水平。目前国际主流制造工艺为28nm工艺,占 据了约四成的市场份额,中芯国际的28nm制造工艺已经量产。 7、4G“中国芯”将取得重大突破。 8、芯片国产化替代进程将在多行业取得突破2014年,国产芯片在多个行业应用中取得了突 破。 9、智能终端与汽车电子仍将是推动中国IC市场发展的主要动力。 10、趋势十:IC行业的专利争夺将愈加激烈。
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