电磁场复习题-2010-2011(1)
2010-2011年第1学期大学物理（二）试卷B卷
滁州学院2010/2011学年度第一学期期末考试试卷非物理专业（本科）2009级《大学物理》B 卷（时间120分钟）一、选择题（每小题3分，共30分）1、如图，在点电荷q 的电场中，选取以q 为中心、R 为半径的球面上一点P 处作电势零点，则与点电荷q 距离为r 的P'点的电势为（ ）(A) r q04πε (B) ⎪⎭⎫⎝⎛-R r q 1140πε(C) )(40R r q-πε (D) ⎪⎭⎫ ⎝⎛-r R q 1140πε2、图示一均匀带电球体，总电荷为+Q，其外部同心地罩一内、外半径分别为1r 、2r 的金属球壳．设无穷远处为电势零点，则在球壳内半径为r 的P 点处的场强和电势为：（） (A)rQ U r Q E 0204,4πεπε==．(B) 104,0r QU E πε==(C) r QU E 04,0πε==．(D) 204,0r QU E πε==3、如图所示，流出纸面的电流为2I ，流进纸面的电流为I 。
则对于图中的L 1、 L 2、 L 3、 L 4回路，下述各式哪一个是正确的?（ ）（A ）⎰=⋅→→12L I l d H （B ）⎰=⋅→→22L I l d H（C ）⎰=⋅→→3L I l d H （D ）⎰=⋅→→42L I l d H4、无限长的直导线在A 点弯成半径为R 的园环，则当通以电流I 时，园心O 处的磁感应强度大小等于：（ ）()R IA πμ20()R IB 40μ ()0C ())11(20πμ-R I D5、平行板电容器，量板间距d ，面积S ，介质介电常数ε，每板带电Q ，面密度σ，则电容器电容为（ ）A 、d QS C =B 、d SC σ= C 、d S C ε=D 、dC εσ=6、某种介质放在空气中，它的起偏振角为600，则其折射率为（ ）：（A ）33；（B ）3；（C ）32；（D ）33。
7、两偏振片堆叠在一起，一束自然光垂直入射其上时没有光线通过，当其中一偏振片慢慢转动1800时透射光强度发生的变化为（ ）（A ）光强单调增加； （B ）光强先增加，后又减小至零； （C ）光强先增加，后减小，再增加；（D ）光强先增加，然后减小，再增加，再减小至零。
电磁场复习题
电磁场复习题1.设y=0平面是两种介质分界面，在y>0的区域内，ε1=5ε0，而在y<0的区域内ε2=3ε0。
如已知E2=10i+20j伏/米，求D2，D1及E1。
2.简述静电场的基本性质。
3.为什么静电场解答是唯一的？4.求空气中一个点电荷q在地面上引起的感应电荷分布情况。
5.真空中有两个同号点电荷：q1（=q）和q2（=3q），它们的距离为d。
试决定在它们的联结线上，哪一点的电场强度为零；哪一点上由这两个电荷所引起的电场强度量值相等，方向一致。
6.一圆柱形电容器，外导体的直径为4厘米，内外导体间介质的击穿电场强度为200千伏/厘米，内导体的直径2γ可以自由选定，问γ为何值时，该电容器能承受最大电压并求此最大电压值？7.由方程x3+y2+z=1000（其中x，y和z皆为正值）决定的曲面是一个电位为200伏的等位面。
如果已知曲面上P点（7米，25米，32米）的|E|=50伏/米，求该点上的E。
8.一平行板电容器，极板面积S=400厘米2，两板相距d=0.5厘米，两板中间的一半厚度为玻璃所占，另一半为空气。
已知玻璃的εr=7，其击穿场强为60千伏/厘米，空气的击穿场强为30千伏/厘米。
当电容器接到10千伏的电源时，会不会被击穿？9.半径为R的金属球壳内，离球心d（d<R）处，置一点电荷q。
且已知金属球壳的电位为φ0，求q所受之力。
设球壳在真空中。
10.一根水平天线，直径为3毫米，长度为40米，轴线离地面5米，求此天线的电容。
11.电导率为γ的均匀、各向同性的导体球，其表面上的电位为φ0∞sθ，其中θ是球坐标（r，θ，α）的一个变量。
试决定表面上各点的电流密度δ。
12.一长度为1米，内外导体的半径分别是R1=5厘米，R2=10厘米的圆柱形电容器，中间的非理想介质有电导率γ=10-9西门子/米。
若在两电极间加电压U0=1000伏，求：（1）各点的电位、电场强度；（2）漏电导。
13.一个由钢条组成的接地体系统，已知其接地电阻为100欧姆，土壤的电导率γ=10-2西门子/米。
电磁场复习题
一、填空题⒈电场强度的方向与( )的受力方向相同。
⒉电偶极子产生的电场为（）。
⒊无限长带线电荷密度为τ的导线周围电场强度为( )。
⒋静电场中，选定Q点为电位参考点，则空间任一点P的电位值为( )。
⒌电力线的微分方程为( )。
⒍球坐标系中电力线的微分方程为( )。
⒎静电场中，电通密度与电场强度、极化强度之间的关系式为( )。
⒏各向同性的线性介质中，极化强度与电场强度的关系为( )。
⒐极化电介质中电通密度与电场强度和极化强度的关系式为( )。
⒑静电场中媒质分界面上的衔接条件为( )和( )。
⒒静电场中导体与电介质分界面上电位表示的衔接条件为( )和( )。
⒓真空中半径为a的孤立导体球的电容量为( )。
⒔半径为a的球形区域内均匀分布有电荷体密度为ρ，则此球内电场为( )。
⒕静电场中电位函数的泊松方程为( )。
⒖同轴电缆内外导体半径分别为a和b，电压为U，中间介质介电常数为ε，则中间介质的电场强度为( )。
⒗内外半径分别为a和b的同心球面间电容量为( )。
⒘已知带电体上连续电荷分布密度函数和电位分布，计算静电能量的公式为( )。
⒙已知n个分离带电体上电荷量和电位分布，计算总的静电能量的公式为( )。
⒚已知静电场分布区域中电场强度分布以及区域媒质介电常数，总的静电能量计算公式为( )。
⒛电荷为q的带电体在电场中受到电场力为( )。
21静电场中，对带电荷量不变的系统，虚位移法计算电场力的公式为( )。
22静电场中，对电位不变系统，虚位移法计算电场力的公式为( )。
23在自由空间中，电荷运动形成的电流称为( )。
24恒定电场中电流连续性方程为( )。
25恒定电流指的是( )。
2020/3/27 26元电流段具有的形式为( )、( )、( )和( )。
27电流线密度与运动电荷之间的关系为( )。
28焦耳定律的微分形式为( )。
29欧姆定律的微分形式为( )。
30电源电动势与局外场强的关系为( )。
31导电媒质中（电源外）恒定电场的基本方程微分形式为( )和( )。
2010级2012电磁场复习题
1、亥姆霍兹定理的数学表达式是 ，其中标量函数可以表示为 ，矢量函数可以表示为 。
2、麦克斯韦方程组的积分形式是 ，， ，。
3、静电场E 线的微分方程的表达式是 。
4、两种不同磁媒质分界面上，若该两种磁媒质均为线性且各向同性，当分界面上K =0时，分界面处B 线和H 线的折射规律为 。
5、磁场能量的分布密度='m ω 。
6、写出)sin()cos(αβωαβω+-++-=x t E e x t E e E zm z ym y的复矢量（有效值）。
7、凡满足 条件的时变电磁场，其在每一瞬间场量的解答均可按静态场规律进行分析，这类时变电磁场称为 。
8、坡印廷定理的积分形式是 ，其物理意义反映了。
9、散度定理的数学表达式是 ，10．静电场是 场， 场．（旋，散）11、麦克斯韦方程组的微分形式是 ，， ，。
12、磁场B 线的微分方程的表达式是 。
13、准静态场中，不同媒质分界面上，若该两种媒质均为线性且各向同性，关于Ｅ，Ｄ，Ｂ，Ｈ的边界条件 ， ， ， ．14、静电场能量的分布密度='e ω 。
15、凡满足 条件的时变电磁场，其在每一瞬间场量的解答均可按静态场规律进行分析，这类时变电磁场称为 。
16、电磁场物理模型构造中，基本源量:包括 ,和电流 。
根据恒等式 ，任一无旋场一定可以表示为一个 ； 17、E 线的微分方程可以表示为 。
18、在两种介质形成的边界上，电场强度的切向分量是 。
在两种各向同性的线性介质形成的边界上，电位移的切向分量是 。
19、静电系统具有能量，其中 是将许多元电荷 “压紧”构成 q 所需作的功。
是由于多个带电体之间的相互作用引起的能量。
20、恒定电场是无散无旋场，其微分表示为 ， 。
21、在库仑规范条件下，有源区域内，磁矢位A 应满足泊松方程，其微分表 达式为 ，无源区域内，磁矢位A 应满足拉普拉斯方 程，其微分表达式为 。
22、定义坡印亭矢 量，表示单位时间内流过与电磁波传播方向相 面积上的电磁能量，亦称为 密度，S 的方向代表波传播的方向，也是 流动的方向。
电磁场复习题
14设平板电容器中，电位函数为bx ax +2＝ϕ，则电容器中的电场强度E＝ ，体电荷密度ρ＝ 。
15、两个半无限大导电平面相交，夹角为90度，中间有一点电荷q ，若用镜像法求解，则应出现 个镜像点电荷。
16、半径为a 的球形接地体深埋地下，则接地电阻为 。
17、线圈1和2的形状、尺寸及相互间位置不变，现在它们之间放置一块铁板，则互感将 。
18、无限大导体平面一侧有一点电荷q ，利用镜像法求电介质空间的电场时，镜制中电感的单位是 。
9、欧姆定律的微分形式是E J γ=。
一、 单项选择题1、在静电场中，引入电位函数ϕ的依据是……………( )(1)0=∙∇E (2) 0=⨯∇E (3) 0=∙∇D2、一无限长空心铜圆柱体载有电流 I ，内外半径分别为1R 和2R ，另一无限长实心铜圆柱体载有电流 I ， 半径为2R ，则……………( )(1)2R r >处产生的磁场强度相同(2)在2R r >处空心导体产生的磁场强度比实心导体产生的磁场强度大(3)在2R r >处空心导体产生的磁场强度比实心导体产生的磁场强度小3、下列向量表达式中，哪一个可能是磁感应强度。
(其中a 为常数)……( )(1)F ＝ar 0r (2) F ＝i ay j ax - (3)F ＝0sin θθa4、长直同轴圆柱电容器，内外导体单位长度带电荷量分别为 +τ 和 -τ ，内外导体之间充满两种电介质，内层为1ε，外层为2ε。
分界面是以R 为半径的柱面。
则两种介质分界面上的电场强度 E 和电位移D 的关系为 ( )(1)2121,D D E E =≠ (2) 2121,D D E E ≠≠ (3) 2121,D D E E ≠=5、载有电流 I 的细导线，围成半径为 R 的圆环，置于k B B 0=的均匀磁场中，线圈环所在平面的法线方向为i 。
此时线圈导线上……………( )(1)受到0α方向的力 （2）不受力 （3）受到转距7、一半径为a 的圆柱形铁棒在均匀外磁场中磁化后，棒内的磁化强度为k M 0 ,则铁棒表面的磁化电流密度为……………( )(1)k M K m 0= (2) 00αM K m = (3) 00αM K m -=8、平板电容器板间介质为空气，板间距离为d ，平板面积为S,与恒定电压源U 相连，极间电场强度为E 。
电磁场理论期末复习题
电磁场理论期末复习题（附答案）一填空题1．静止电荷所产生的电场，称之为静电场；电荷Q在某点所受电场力为F，则该点电场强度的大小为QFE=。
2. 可以用电位的负梯度来表示电场强度；当电位的参考点选定之后，静电场中各点的电位值是唯一确定的。
3．__电荷_____的规则运动形成电流；将单位正电荷从电源负极移动到正极，非静电力__所做的功定义为电源的电动势4．由恒定电流或永磁体产生的磁场不随时间变化，称为恒定磁场。
5．磁感应强度B是无散场，它可以表示为另一个矢量场A的旋度，称A为矢量磁位，为了唯一地确定A，还必须指定A的散度为零，称为库仑规范。
6．静电场的边界条件，即边值问题通常分为三类：第一类为给定整个边界上的位函数值；第二类为给定边界上每一点位函数的法向导数值；第三类为给定一部分边界上每一点的位函数值，同时给定另一部分边界上每一点的位函数的法向导数值。
7．位移电流扩大了电流的概念，它由电场的变化产生，相对于位移电流我们称由电荷规则运动形成的电流为传导电流和运流电流。
8. 在电磁波传播中，衰减常数α的物理意义为表示电磁波每传播一个单位的距离，其振幅的衰减量，相位常数β的物理意义为表示电磁波每传播一个单位距离相位偏移量。
10.静电场是有势场，静电场中各点的电场与电位关系用公式表示是__Eφ=-∇_______。
13._____恒定电流________________产生的磁场，叫做恒定磁场。
14.库仑规范限制了矢量磁位A的多值性，但不能唯一确定A。
为了唯一确定A，还必须给定A的____散度为零________________________。
16.时变电磁场分析中，引入洛仑兹规范是为了解决动态位的____惟一性__________。
18.载流导体在磁场中会受到电磁力的作用，电磁力的方向由__左手_____定则确定。
二、选择题1.磁感应强度B与磁场强度H的一般关系为 ( B )A.H=μBB.B=μHC.H=μr BD.B=μ0H2 导体在静电平衡下，其内部电场强度( B )A.为常数B.为零C.不为零D.不确定3 真空中磁导率的数值为( C )A. ４π×10-5H/mB. ４π×10-6H/mC. ４π×10-7H/mD. ４π×10-8H/m4.磁通Φ的单位为( B )A.特斯拉B.韦伯C.库仑D.安匝5.矢量磁位的旋度是 ( A )A.磁感应强度B.磁通量C.电场强度D.磁场强度6.真空中介电常数ε0的值为 ( D )A.8.85×10-9F/mB.8.85×10-10F/mC.8.85×10-11F/mD.8.85×10-12F/m7.下面说法正确的是 ( A )A.凡是有磁场的区域都存在磁场能量B.仅在无源区域存在磁场能量C.仅在有源区域存在磁场能量D.在无源、有源区域均不存在磁场能量8 静电场中试验电荷受到的作用力大小与试验电荷的电量( C )A.成反比B.成平方关系C.成正比D.无关9.平板电容器的电容量与极板间的距离 ( B )A.成正比B.成反比C.成平方关系D.无关10.在磁场B中运动的电荷会受到洛仑兹力F的作用，F与B的空间位置关系 ( B )A.是任意的B.相互垂直C.同向平行D.反向平行2．高斯定理的积分形式描述了 B 的关系；A．闭合曲面内电场强度与闭合曲面内电荷之间的关系B. 闭合曲面的电场强度通量与闭合曲面内电荷之间的关系C．闭合曲面内电场强度与闭合曲面外电荷之间的关系D. 闭合曲面的电场强度通量与闭合曲面附近电荷之间的关系13．以下阐述中，你认为正确的一项为 D ；A. 可以用电位的函数的梯度表示电场强度B. 感应电场是保守场，其两点间线积分与路径无关C．静电场是无散场，其在无源区域的散度为零D．静电场是无旋场，其在任意闭合回路的环量为零14. 以下关于电感的阐述中，你认为错误的一项为 C ；A.电感与回路的几何结构有关B. 电感与介质的磁导率有关C．电感与回路的电流有关D．电感与回路所处的磁场强度无关17.若电介质中的极化强度矢量和电场强度成正比关系，则称这种电介质为 BC ；A.均匀的B.各向同性的C.线性的D.可极化的18. 均匀导电媒质是指其电导率无关于 B ；A.电流密度B.空间位置C.时间D.温度19.关于镜像法，以下不正确的是 B ；A.它是解静电边值问题的一种特殊方法B.用假想电荷代替原电荷C．假想电荷位于计算区域之外D．假想电荷与原电荷共同作用满足原边界条件20. 交变电磁场中，回路感应电动势与回路材料电导率的关系为 D ；A.电导率越大，感应电动势越大B.电导率越小，感应电动势越大C.电导率越大，感应电动势越小D.感应电动势大小与导电率无关22.相同尺寸和匝数的空心线圈的电感系数与铁心线圈的电感系数之比( C )A.大于1B.等于1C.小于1D.无确定关系24.真空中均匀平面波的波阻抗为 A ；A.377ΩB.237ΩC.277ΩD.337Ω25. 在磁场B 中运动的电荷会受到洛仑兹力F 的作用，F 与B 的空间位置关系 B ； A.是任意的 B.相互垂直 C.同向平行 D.反向平行三、简答题1.什么是接地电阻?其大小与哪些因素有关?答：接地设备呈现出的总电阻称之为接地电阻；其大小与土壤电导率和接地体尺寸（等效球半径）成反比2.写出微分形式的麦克斯韦的数学表达式。
电磁场详细复习题
电磁场详细复习题1.两条电⼒线是否相切？同⼀条电⼒线上任意两点的电位是否相等？为什么？答：电⼒线的疏密表⽰电场强度的强弱，电⼒线越密，说明该处的电场强度越⼤。
因此，若两条电⼒线相切，在切点处两条电⼒线⽆线靠近，即表⽰切点处的场强趋于⽆限⼤，这不符合实际，所以电⼒线不能相切。
因为d E l ?=?，说明同⼀条电⼒线上任意两点的电位不能相等，沿电⼒线⽅向电位减⼩。
2(1).说明E ，D 两个⽮量的物理意义。
D 与介质⽆关的说法对吗？答：E 是电场强度，其物理意义在于是从⼒的⾓度描述静电场特性的物理量，其定义为静电场中任意⼀点单位正电荷所受到的⼒。
D 是电位移⽮量，是⼀个辅助物理量，其本⾝并没有明确的物理意义，然⽽引⼊它可以⽅便的表达出静电场中任⼀点的场量与场源之间的关系，即电位移⽮量的散度等于该点分布的⾃由电荷体密度。
D 与介质⽆关的说法不对。
D 的分布与介质有关。
但是穿过闭合曲⾯的D 通量仅与该闭合⾯所包围的⾃由电荷有关，⽽与介质中的束缚电荷⽆关。
2(2).说明E ，P 两个⽮量的物理意义。
E 与介质有关的说法对吗？答：E 是电场强度，其物理意义在于是从⼒的⾓度描述静电场特性的物理量，其定义为静电场中任意⼀点单位正电荷所受到的⼒。
P 是电极化强度，其物理意义是描述电介质中任⼀点的电极化强弱的物理量。
E 与介质有关的说法不对。
E 的分布与介质有关。
3（1）.在恒定电场中的导体，其表⾯存在⾃由电荷分布，这些⾃由电荷是否都是静⽌不动的？其电荷⾯密度是否随时间变化？答：恒定电场中的导体表⾯上存在⾃由电荷分布，由于导体内部有电场，⾃由电荷在电场⼒的作⽤下⽽运动着。
但电荷⾯密度却不随时间的变化⽽变化，⽽是出于⼀种动态平衡中。
3（2）恒定电场基本⽅程的微分形式是什么，该基本⽅程表明电场的性质是什么？答：电源外导电媒质中，恒定电场基本⽅程的微分形式为：0=??J 0=??E表明恒定电场是⽆源⽆旋场，既电流密度线是⽆头⽆尾的闭合线，恒定电流只能在闭合电路中流动。
电磁场与电磁波第一章复习题练习答案
电子信息学院电磁场与电磁波第一章复习题练习姓名学号班级分数1-7题，每题5分；8-15题，每题5分，16题10分，17题15分。
8:解：不总等于，讨论合理即可9. 已知直角坐标系中的点P1(-3，1，4)和P2（2，-2,3）：(1)在直角坐标系中写出点P1、P2的位置矢量r1和r2；(2)求点P1到P2的距离矢量的大小和方向；(3)求矢量r1在r2的投影；解：（1）r1=-3a x+a y+4a z;r2=2a x-2a y+3a z(2)R=5a x-3a y-a z(3) [（r1•r2）/ │r2│] =（17）½10.用球坐标表示的场E=a r 25/r2，求：（1）在直角坐标系中的点（-3,4，-5）处的|E|和E z；（2）E与矢量B=2a x-2a y+a z之间的夹角。
解：（1）0.5；2½/4;(2)153.611.试计算∮s r·d S的值，式中的闭合曲面S是以原点为顶点的单位立方体，r为空间任一点的位置矢量。
解：学习指导书第13页12.从P（0,0,0）到Q（1,1,0）计算∫cA·d l，其中矢量场A的表达式为A=ax 4x-ay14y2.曲线C沿下列路径：（1） x=t，y=t2；（2）从（0,0,0）沿x轴到（1,0,0），再沿x=1到（1,1,0）；（3）此矢量场为保守场吗？解：学习指导书第14页13.求矢量场A =a x yz+a y xz+a z xy 的旋度。
A ∇⨯=x a （x -x ）+y a （y -y ）+z a （z -z ）=0 14.求标量场u=4x 2y+y 2z-4xz 的梯度。
u ∇=x a u x ∂∂+y a u y ∂∂+z a u z ∂∂=x a (8xy-4z)+y a (42x +2yz)+z a (2y -4x)15.求矢量场A =a x x 2y+a y yz+a z 3z 2在点P （1,1,0）的散度。
工程电磁场复习题
一填空题1.麦克斯韦方程组的微分形式是：、、和。
2.静电场的基本方程为：、 .3.恒定电场的基本方程为：、。
4.恒定磁场的基本方程为：、。
5.理想导体（媒质2)与空气(媒质1）分界面上，电磁场边界条件为: 、、和。
6.线性且各向同性媒质的本构关系方程是：、、 .7.电流连续性方程的微分形式为: .8.引入电位函数是根据静电场的特性。
9.引入矢量磁位是根据磁场的特性。
10.在两种不同电介质的分界面上，用电位函数表示的边界条件为：、。
11.电场强度的单位是，电位移的单位是；磁感应强度的单位是，磁场强度的单位是。
12.静场问题中,与的微分关系为: ，与的积分关系为： .13.在自由空间中，点电荷产生的电场强度与其电荷量成比,与观察点到电荷所在点的距离平方成比.14.XOY平面是两种电介质的分界面,分界面上方电位移矢量为 C/m2，相对介电常数为2，分界面下方相对介电常数为5,则分界面下方z方向电场强度为__________，分界面下方z方向的电位移矢量为_______________。
15.静电场中电场强度，则电位沿的方向导数为_______________，点A（1，2，3）和B（2，2,3）之间的电位差__________________。
16.两个电容器和各充以电荷和,且两电容器电压不相等,移去电源后将两电容器并联，总的电容器储存能量为，并联前后能量是否变化 .17.一无限长矩形接地导体槽，在导体槽中心位置有一电位为U的无限长圆柱导体，如图所示。
由于对称性,矩形槽与圆柱导体所围区域内电场分布的计算可归结为图中边界、、、和所围区域内的电场计算。
则在边界_____________上满足第一类边界条件,在边界_____________上满足第二类边界条件。
18.导体球壳内半径为a，外半径为b，球壳外距球心d处有一点电荷q，若导体球壳接地，则球壳内表面的感应电荷总量为____________，球壳外表面的感应电荷总量为____________。
《电磁场》复习题A
《电磁场》复习题A一、填空题1、描述电场对于电荷作用力的物理量叫做______________。
2、E线和等位面之间的关系是______________，和电场强度关系是______________。
3、静电场中的折射定律是______________。
4、静电场边界条件中的自然边界条件是______________。
5、静电场中，虚位移法求静电力的两个公式是______________、______________。
6、恒定磁场中的分界面衔接条件是______________、______________。
7、恒定磁场的泊松方程为______________。
8．材料能够安全承受的最大电场强度称为___________。
9．平板电容器的板面积增大时，电容量___________。
10．在均匀媒质中，电位函数满足的偏微分方程称为___________。
11．深埋于地下的球形导体接地体，其半径越大，接地电阻越___________。
12．多匝线圈交链磁通的总和，称为___________。
13．恒定磁场中的库仑规范就是选定矢量磁位A的散度为___________。
14．磁通连续性定理的微分形式是磁感应强度B的散度等于___________。
15．正弦电磁波在单位长度上相角的改变量称为___________。
16．电磁波的传播速度等于___________。
17．电场能量等于电场建立过程中外力所做的___________。
二、选择题1．两点电荷所带电量大小不等，则电量大者所受作用力（）A．更大B．更小C．与电量小者相等D．大小不定2．静电场中，场强大处，电位（）A．更高B．更低C．接近于零D．高低不定3．A 和B 为两个均匀带电球，S 为与A 同心的球面，B 在S 之外，则S 面的通量与B 的（ ）A ．电量及位置有关B ．电量及位置无关C ．电量有关、位置无关D ．电量无关、位置有关4．一中性导体球壳中放置一同心带电导体球，若用导线将导体球与中性导体球壳相联，则导体球的电位（ ）A ．会降低B ．会升高C ．保护不变D ．变为零5．相同场源条件下，均匀电介质中的电场强度值为真空中电场强度值的（） A ．ε倍 B ．εr 倍C ．倍ε1D ．倍r1ε6．导电媒质中的恒定电流场是（ ）A ．散度场B ．无散场C ．旋度场D ．无旋场7．在恒定电场中，电流密度的闭合面积分等于（ ）A ．电荷之和B ．电流之和C ．非零常数D ．零8．电流从良导体进入不良导体时，电流密度的切向分量（ ）A ．不变B ．不定C ．变小D ．变大9．磁感应强度B 的单位为（ ）A ．特斯拉B ．韦伯C ．库仑D ．安培10．如果在磁媒介中，M 和H 的关系处处相同，则称这种磁媒质为（ ）A ．线性媒质B ．均匀媒质C ．各向同性媒质D ．各向异性媒质三、名词解释1、非极性分子2、体电流密度3、恒定磁场4、时变场5、动生电动势四、简答题1、什么是唯一性定理？2、什么是传导电流、什么是运流电流，什么是位移电流。
电磁波与电磁场期末复习题（试题+答案）
电磁波与电磁场期末复习题（试题+答案）电磁波与电磁场期末试题一、填空题（20分）1．旋度矢量的散度恒等与零，梯度矢量的旋度恒等与零。
2．在理想导体与介质分界面上，法线矢量n r由理想导体2指向介质1，则磁场满足的边界条件：01=?B n ρρ，s J H n =?1ρρ。
3．在静电场中，导体表面的电荷密度σ与导体外的电位函数?满足的关系式n ??=?εσ-。
4．极化介质体积内的束缚电荷密度σ与极化强度P 之间的关系式为P ?-?=σ。
5．在解析法求解静态场的边值问题中，分离变量法是求解拉普拉斯方程的最基本方法；在某些特定情况下，还可用镜像法求拉普拉斯方程的特解。
6．若密绕的线圈匝数为N ，则产生的磁通为单匝时的N 倍，其自感为单匝的2N 倍。
7．麦克斯韦关于位移电流的假说反映出变化的电场要产生磁场。
8．表征时变场中电磁能量的守恒关系是坡印廷定理。
9．如果将导波装置的两端短路，使电磁波在两端来回反射以产生振荡的装置称为谐振腔。
10．写出下列两种情况下，介电常数为ε的均匀无界媒质中电场强度的量值随距离r 的变化规律：带电金属球（带电荷量为Q ）E = 24r Qπε；无限长线电荷（电荷线密度为λ）E =r2。
11．电介质的极性分子在无外电场作用下，所有正、负电荷的作用中心不相重合，而形成电偶极子，但由于电偶极矩方向不规则，电偶极矩的矢量和为零。
在外电场作用下，极性分子的电矩发生转向，使电偶极矩的矢量和不再为零，而产生极化。
12．根据场的唯一性定理在静态场的边值问题中，只要满足给定的边界条件，则泊松方程或拉普拉斯方程的解是唯一的。
二、判断题（每空2分，共10分）1．应用分离变量法求解电、磁场问题时，要求整个场域内媒质必须是均匀、线性的。
（×）2．一个点电荷Q 放在球形高斯面中心处。
如果此电荷被移开原来的球心，但仍在球内，则通过这个球面的电通量将会改变。
（×）3．在线性磁介质中，由IL ψ=的关系可知，电感系数不仅与导线的几何尺寸、材料特性有关，还与通过线圈的电流有关。
电磁场复习题
电磁场复习题(总11页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--《电磁场与电磁波基础》复习题一、 填空题： （第一章）（第二章）（第三章）（第四章）（第五章）（第六章）（第一章）1、直角坐标系下，微分线元表达式 z e y e x e l z y x d d d d ++=面积元表达式2、圆柱坐标系下，微分线元表达式z e e e l z d d d d ++=φρρφρ， 面积元表达式z e l l e S z d d d d d φρρφρρ == z e l l e S z d d d d d ρφρφφ ==φρρφρd d d d d z z z e l l e S ==3、圆柱坐标系中，ρe 、e ϕ 随变量ϕ 的变化关系分别是φρφe e =∂∂，ρφφe -e =∂∂ 4、矢量的通量物理含义是 矢量穿过曲面的矢量线的总和；散度的物理意义是 矢量场中任意一点处通量对体积的变化率；散度与通量的关系是 散度一个单位体积内通过的通量。
5、散度在直角坐标系 F zF y F x F V S d F F div Z Y X SV ⋅∇=∂∂+∂∂+∂∂=∆⋅=⎰→∆0lim 散度在圆柱坐标系 zF F F F div Z ∂∂+∂∂+∂∂=φρρρρφρ1)(1 6、矢量微分算符（哈密顿算符）∇在直角坐标系的表达式为 z z y y x x e e e ∂∂+∂∂+∂∂=∇圆柱坐标系 ze z ∂∂+∂∂+∂∂=∇ φρρφρe e球坐标系分别 ϕθθφθ∂∂+∂∂+∂∂=∇sin e e r e r r r 7、高斯散度定理数学表达式 ⎰⎰⋅=⋅∇V sS d F dV F ，本课程主要应用的两个方面分别是 静电场的散度 、 恒定磁场的散度 ；8、矢量函数的环量定义 ⎰⋅=ΓC l z y x F d ),,(；旋度的定义MAX l S Sl d F F rot ∆⋅=⎰→∆ lim 0；二者的关系 ⎰⎰•=•⨯∇C S l d F S d F )(；旋度的物理意义：描述矢量场中某一点漩涡源密度。
电磁场精选复习题 附答案
18、真空中的安培环路定律（用积分公式表示）
。
19、在磁介质中的安培环路定律（用积分公式表示）
20、磁场的两个基本变量是(或磁感应强度)和(或磁场强度)。
21、无限长电流I，在空间r处产生的磁场强度为。
22、磁感应强度可定义为某一矢量的 旋度 ，我们把这个矢量称作
为矢量位。
23、媒质分界面有面电流分布时，磁场强度的切向分量 不连续 。
电磁场精选复习题
一、单项选择题
(在答案中，选出一个正确答案，并将正确答案的序号填在题干的括号 内。每小题2分，共20分)。
1、导体在静电平衡下，其体内电荷密度( B )。
A.为常数 B.为零
C.不为零 D.不确定
2、两个点电荷对试验电荷的作用力可表示为两个力的 ( D )。
A．算术和 B．代数和
C．平方和 D．矢量和
3、电介质极化后，其内部存在 ( D )。
A. 自由正电荷
B. 自由负电荷
C. 自由正负电荷 D. 电偶极子
4、在两种导电介质的分界面处,电场强度的( A )保持连续.
A.切向分量 B.幅值 C.法向分量 D.所有分量
5、介电常数为ε的介质区域中，静电荷的体密度为ρ，已知这些电荷产
6、试解释坡印亭矢量的物理意义？ 答：坡印亭矢量E×H相当于功率流的面密度,(3分)即垂直于功率流动方 向单位面积上流过的电磁场功率.(3分)
7、为什么说体电荷密度就是电荷的体密度，而体电流密度不是电流的 体密度？
8、什么是高斯定理?在电场具有什么特征时可以用它来求解静电场问 题?
.=q 当电场具有对称性质时，可以用来求解静电场。
A.电导率越大，感应电动势越大
B.电导率越大，感应电动势越小
电磁场与电磁波复习题
文档解密：6cL4SsoDTwyFgJ电磁场与电磁波复习题一、填空1、球坐标系的坐标变量分别为半径r，角度φ，角度θ。
2、散度处处为零的场称为无散场，旋度处处为零的场称为无旋场。
3、无极分子的极化称为位移极化，有极分子的极化称为取向。
4、真空中的恒定电流场是无旋无散场。
5、任一标量场梯度的旋度一定等于0。
6、线性各向同性的均匀介质，极化的本构关系为D=ε E ，磁化的本构关系为βμH ，导电介质的本构关系为J=σE 。
7、恒定磁场的两种磁介质分界面处，磁感应强度的法向分量一定连续。
8、传导电流是指电子离子在导体或液体中形成的电流。
9、均匀平面波的电场强度和磁场强度之比，称为电磁波的___波阻抗_____________。
10、散度定理的公式∮sAds=∫r(∆A)dr 。
11、真空中的恒定磁场是有旋无散场。
12、复能流密度矢量的实部代表流动，虚部代表交换。
13、电磁波的频率描述相位随时间的变化特性, 而波长描述相位随空间的变化特性。
14、根据介质中束缚电荷的分布特性，介质分子可以分为有极分子和无极分子。
15、恒定磁场是有旋无散场。
16、电磁波的周期是描述相位随时间的变化特性，而波长是描述相位随空间的变化特性。
17、复数形式的麦克斯韦方程组是__________________，____________________,________________,___________________。
18、均匀平面波的电场和磁场振幅之比等于__波阻抗_______。
19、损耗媒质的本征阻抗为_②_____（①实数，②复数），损耗媒质又称为_____散媒介____。
20、理想介质分界面两侧电场强度E满足的关系是_E1t=E2t__________，电位移矢量D满足的关系是___D1n=D2n___________。
21、已知介质中有恒定电流分布J，则介质中磁场强度H与J的关系为_D×H=J__________，磁感应强度B的散度为__∆·B=0____________。
电磁场复习题..
《电磁场》一、填空题1．静止电荷产生的电场称为 __ 场。
它的特点是。
2.两个点电荷之间的作用力大小与两点电荷电量之积成关系。
3．高斯定律的微分形式是，它表明静电场中任一点上电通密度的散度等于。
4．若电磁波从一种媒质进入另一种媒质，当入射角等于布儒斯特角时，两种媒质分界面会发生现象。
5．静止媒质中时变电磁场基本方程（微分形式）组为、、、。
时变电磁场在不同媒质分界面上的衔接条件是、、、。
6．两种不同媒质分界面上的衔接条件是和。
7．磁位相等的各点形成的曲面称为，它与磁场强度线。
8．导体中磁的扩散过程是按指数规律随时间衰减的。
长薄导电圆管的扩散时间的表达式为。
9. 坡印亭定理反映了电磁场中的定律，其表达式为。
10. 状态是传输能量所希望的一种工作状态。
11.波导的本征值与波导的和有关，波在波导中传播时，从传播模式变为非传播模式发生在处，此时的频率称为，其表达式为。
12.静电场中导体内的电场为，导体电位为，导体表面电荷分布可由公式计算。
简答、证明题（每题5分，共4题）1.说明E、P二矢量的物理意义。
E与介质有关，D与介质无关的说法对吗？2．证明两个振幅相同，旋向相反的圆极化波可合成为一直线极化波。
3．坡印亭定理的数学表达式是什么？简要说明表达式中各项的物理含义。
第3页，共4页 第4页，共4页4.什么是电准静态场？什么是磁准静态场？四、计算题（每题10分，共3题）1．真空中一半径为a 的球体内分布有体密度为常量ρ的电荷，试求静电能量。
2．设y=0的平面是两种媒质的分界面。
在y>0处媒质的磁导率105μμ=；在y<0处，媒质的磁导率203μμ=。
设已知分界面上无电流分布，且H 2=()1020x y e e +A/m ，求B 2 ，B 1和H 1。
3．在无源（ρ=0，J =0）的自由空间中，已知电磁场的电场强度复矢量()j z y E z Ee e β∙-=，式中β、E 为常数。
求：（1）磁场强度复矢量H ∙(z) （2）坡印亭矢量的瞬时值。
电磁场与电磁波试题及参考答案
2010-2011-2学期《电磁场与电磁波》课程考试试卷参考答案及评分标准命题教师：李学军 审题教师：米燕一、判断题（10分）（每题1分）1. 旋度就是任意方向的环量密度 （ × ）2. 某一方向的的方向导数是描述标量场沿该方向的变化情况 （ √ ）3. 点电荷仅仅指直径非常小的带电体 （ × ）4. 静电场中介质的相对介电常数总是大于 1 （ √ ）5. 静电场的电场力只能通过库仑定律进行计算 （ × ）6. 理想介质和导电媒质都是色散媒质 （ × ）7. 均匀平面电磁波在无耗媒质里电场强度和磁场强度保持同相位 （ √ ）8. 复坡印廷矢量的模值是通过单位面积上的电磁功率 （ × ）9. 在真空中电磁波的群速与相速的大小总是相同的 （ √ ） 10 趋肤深度是电磁波进入导体后能量衰减为零所能够达到的深度 （ × ）二、选择填空（10分）1. 已知标量场u 的梯度为G ，则u 沿l 方向的方向导数为（ B ）。
A. G l ⋅B. 0G l ⋅ C. G l ⨯2. 半径为a 导体球，带电量为Q ，球外套有外半径为b ，介电常数为ε的同心介质球壳，壳外是空气，则介质球壳内的电场强度E 等于（ C ）。
A.24Q r π B. 204Q r πε C. 24Q r πε 3. 一个半径为a 的均匀带电圆柱(无限长)的电荷密度是ρ，则圆柱体内的电场强度E 为（ C ）。
A. 22a E r ρε= B. 202r E a ρε= C. 02r E ρε=4. 半径为a 的无限长直导线，载有电流I ，则导体内的磁感应强度B 为（ C ）。
A.02I rμπ B. 02Ir a μπ C. 022Ira μπ5. 已知复数场矢量0x e E =E ，则其瞬时值表述式为( B )。
A. ()0cos y x e E t ωϕ+B. ()0cos x x e E t ωϕ+C. ()0sin x x e E t ωϕ+ 6. 已知无界理想媒质(ε=9ε0, μ=μ0，σ=0)中正弦均匀平面电磁波的频率f=108 Hz ，则电磁波的波长为（ C ）。
电磁场与电磁波复习题(含答案)
电磁场与电磁波复习题 一、填空题1、矢量的通量物理含义是矢量穿过曲面的矢量线总数，散度的物理意义矢量场中任意一点处通量对体积的变化率。
散度与通量的关系是矢量场中任意一点处通量对体积的变化率。
2、 散度在直角坐标系的表达式 z A y A x A z yxA A ∂∂∂∂∂∂++=⋅∇= div ；散度在圆柱坐标系下的表达；3、矢量函数的环量定义矢量A 沿空间有向闭合曲线C 的线积分， 旋度的定义 过点P 作一微小曲面S,它的边界曲线记为L,面的法线方与曲线绕向成右手螺旋法则。
当S 点P 时,存在极限环量密度。
二者的关系n dS dC e A ⋅=rot ；旋度的物理意义点P 的旋度的大小是该点环量密度的最大值；点P 的旋度的方向是该点最 大环量密度的方向。
4.矢量的旋度在直角坐标系下的表达式。
5、梯度的物理意义标量场的梯度是一个矢量,是空间坐标点的函数。
梯度的大小为该点标量函数ϕ的最大变化率，即该点最 大方向导数;梯度的方向为该点最大方向导数的方向,即与等值线（面）相垂直的方向，它指向函数的增加方向等值面、方向导数与梯度的关系是梯度的大小为该点标量函数ϕ的最大变化率，即该点最 大方向导数;梯度的方向为该点最大方向导数的方向,即与等值线（面）相垂直的方向，它指向函数的增加方向.； 6、用方向余弦cos ,cos ,cos αβγ写出直角坐标系中单位矢量l e 的表达式 ； 7、直角坐标系下方向导数u ∂的数学表达式是cos cos cos l αβγ∂∂∂∂∂∂∂∂ｕｕｕｕ＝＋＋ｘｙｚ ，梯度的表达式x y z G e e e grad x y z φφφφφ∂∂∂=++=∇=∂∂∂；8、亥姆霍兹定理的表述在有限区域内，矢量场由它的散度、旋度及边界条件唯一地确定，说明的问题是矢量场的散度应满足的关系及旋度应满足的关系决定了矢量场的基本性质。
9、麦克斯韦方程组的积分形式分别为0()s l s s l s D dS Q B E dl dS t B dS D H dl J dS t ⋅=∂⋅=-⋅∂=∂=+⋅∂⎰⎰⎰⎰⎰⎰其物理描述分别为10、麦克斯韦方程组的微分形式分别为20E /E /tB 0B //tB c J E ρεε∇⋅=∇⨯=-∂∂∇⋅=∇⨯=+∂∂其物理意义分别为 11、时谐场是激励源按照单一频率随时间作正弦变化时所激发的也随时间按照正弦变化的场， 一般采用时谐场来分析时变电磁场的一般规律，是因为任何时变周期函数都可以用正弦函数表示的傅里叶级数来表示；在线性条件下，可以使用叠加原理。
2010-2011学年单元考试题(含答案)
★秘密★启用前2011年重庆一中高2012级物理单元测试物理试题共5页。
满分 150 分。
时间 120 分钟。
注意事项：1.答题前，务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡规定的位置上。
2. 所有题目必须使用0.5毫米黑色签字笔，将答案书写在答题卡规定的位置上，在试题卷上答题无效。
3.重力加速度取g=10 m/s 2一、单项选择题（本题共8小题，每小题5分，共40分。
每小题只有一个选项最符合题意）1．在下列情况中，线圈abcd 中会产生感应电流的是（ ） A ．部分放入匀强磁场中，绕ab 边转过一个小角度 B ．与通电导线共面放置，垂直于纸面向外平动 C ．与条形磁铁共面放置，按图示方向平动D ．全部放入匀强磁场中，绕过其中心的轴在纸平面内旋转2．有四个电源，电动势均为8V ，内阻分别为1Ω、2Ω、4Ω、8Ω，今要对R=2Ω的电阻供电，问选择内阻为多大的电源才能使R 上获得的功率最大？（ ）A ．1ΩB ．2ΩC ．4ΩD ．8Ω 3．如图所示，固定不动的绝缘直导线PQ 和可以自由移动的矩形线框abcd 位于同一平面内，PQ 与ad 、bc 边平行且距离相等，当导线PQ中通以向下的电流I 1、线框中通以顺时针方向的电流I 2时，线框的运动情况是（ ）A ．静止不动B ．向右运动C ．以PQ 为轴转动D ．向左运动4．如图所示，在倾角为α的光滑斜面上，垂直纸面放置一根长为L ，质量为m 的直导体棒。
当导体棒中的电流I 垂直纸面向里时，欲使导体棒静止在斜面上，可将导体棒置于匀强磁场中，当外加匀强磁场的磁感应强度B 的方向在纸面内由竖直向上沿逆时针转至水平向左的过程中，下列关于B 的大小变化的说法中，正确的是（ ）A ．逐渐增大B ．逐渐减小C ．先减小后增大D ．先增大后减小 5．如图所示电路中，由于某一电阻断路，使伏特表和安培表的读数均变大，则断路的电阻可能是（ ） A ．R 1 B ．R 1或R 3 C ．R 2或R 3 D ．R 1或R 4 6．如图所示，两个半径相同的半圆形轨道分别竖直放置在水平方向的匀强电场和匀强磁场中，轨道上是光滑的。
2010-2011(1)复习资料2答案
判断改错题（判断由下划线标明的关键词的叙述是否正确，正确的打√，错误的打×并改正。
）1.若把计算机系统分为若干层次，则按由上而下顺序可分为应用系统与应用软件、操作系统、其它系统软件和裸机。
（）错：应为：若把计算机系统分为若干层次，则按由上而下顺序可分为应用系统与应用软件、其它系统软件、操作系统和裸机。
2.批处理控制程序解决了作业间的自动转换，减少了时间浪费，尤其是主机CPU时间的浪费，如果一个用户的计算作业非常庞大,也不会独自一直占据CPU。
（）错；改为：批处理控制程序解决了作业间的自动转换，减少了时间浪费，尤其是主机CPU 时间的浪费，如果一个用户的计算作业非常庞大,就会独自一直占据CPU。
3.计算机系统的资源包括程序和数据两大部分。
（）错；改为：计算机系统的资源包括硬件资源和软件资源两大部分。
4.操作系统虚拟机在逻辑功能上与裸机一样，具有一个物理实体。
（）错；应为：操作系统虚拟机在逻辑功能上与裸机不同，但具有一个物理实体。
5.操作系统的发展是伴随着计算机发展而发展的，第一台计算机的问世，也产生了相应操作系统。
（）错；应为：操作系统的发展是伴随着计算机发展而发展的，第一台计算机的问世时还没有操作系统。
6.操作系统的运行与顺序程序的执行一样都使按顺序有规律执行的，什么时候执行是可知的。
（）错；应为：……，不是按顺序有规律执行的，什么时候执行是不可知的。
7.程序的封闭性是指该程序不允许某些进程调用。
（）错；应为：程序的封闭性是指该程序在运行独占系统资源，只有程序本身能改变系统资源。
8.进程的互斥和同步，是其两种状态。
（）错；应为：进程的互斥和同步，是进程间的两种基本关系。
9.资源的同时共享是指多个用户作业可以在一段时间内使用同一资源。
（）对；10.撤下的进程可以根据不同情况重新调度回就绪队列，或被挂起。
（）对；11.进程是进行资源分配、调度和管理的最小独立单位，系统的各种活动都与它有关。
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电磁场复习题（2010.06）一、单项选择题(每小题2分，共20分)。
1、导体在静电平衡下，其体内电荷密度( B )。
A.为常数B.为零C.不为零D.不确定2、两个点电荷对试验电荷的作用力可表示为两个力的( D )。
A．算术和B．代数和C．平方和D．矢量和3、电介质极化后，其内部存在( D )。
A. 自由正电荷B. 自由负电荷C. 自由正负电荷D. 电偶极子4、在两种导电介质的分界面处,电场强度的( A )保持连续.A.切向分量B.幅值C.法向分量D.所有分量5、介电常数为ε的介质区域中，静电荷的体密度为ρ，已知这些电荷产生的电场为E(x,y,z),而D(x,y,z)＝εE(x,y,z)。
下面的表达式中正确的是（ C ）。
A. ▽·D＝0B. ▽·E＝ρ／ε0C. ▽·D＝ρD. ▽×D＝ρ6、介质的极化程度取决于：( D )。
A:静电场B: 外加电场C: 极化电场D: 外加电场和极化电场之和7、相同的场源条件下，真空中的电场强度是电介质中的( C )倍。
A.ε0εrB. 1/ε0εrC. εrD. 1/εr8、梯度的：( C )。
A: 散度为0 B: 梯度为0 C: 旋度为09、旋度的：( A )。
A: 散度为0 B: 梯度为0 C: 旋度为010、导体电容的大小( C )A.与导体的电势有关B.与导体所带电荷有关C.与导体的电势无关D.与导体间电位差有关11、下面的矢量函数中哪些可能是磁场：( B )。
A: r ar =H e B:()x y ay ax =-+H e e C: ()x y ax ay =+-H e e12、在两种介质的分界面上，若分界面上存在传导电流，则边界条件为( B ) A. H t 不连续，B n 不连续B. H t 不连续，B n 连续C. H t 连续，B n 不连续D. H t 连续，B n 连续13、磁介质中的磁场强度由( D )产生. A.自由电流 B.束缚电流C.磁化电流D.自由电流和束缚电流共同14、相同场源条件下，磁媒质中的磁感应强度是真空中磁感应强度的( C )倍。
A.μr μ0 B .1/μr μ0 C.μr D.1/μr 15、长度为L 的长直导线的内自感等于( B )。
A.πμ160L B. πμ80L C.πμ40L D. πμ20L 16、交变电磁场中，回路感应电动势与回路材料电导率的关系为( D ) A.电导率越大，感应电动势越大 B.电导率越大，感应电动势越小 C.电导率越小，感应电动势越大 D.感应电动势大小与电导率无关17、坡印亭矢量与电磁场满足( B )法则。
A.左手B.右手C.亥姆霍兹D.高斯 18、频率为50Hz 的场源，在自由空间中的波长为( A )。
A.6000km B.600km C.60km D.6km19、波长为1米的场源，在自由空间中的频率( B ) A. 30MHzB. 300MHzC. 3000MHzD. 3MHz20、波长为0.1米的场源，自由空间中的频率( C )A. 30MHzB. 300MHzC. 3000MHzD. 3MHz21、真空中均匀平面波的波阻抗为( D ) A. 237Ω B. 277Ω C. 327ΩD. 377Ω22、真空中均匀平面波的波阻抗为( ) A. 80π(Ω) B. 100π(Ω) C. 20π(Ω)D. 120π(Ω)23、均匀平面波在良导体中的穿透深度为（ A ）A ．ωμσ2B ．2ωμσC ．μσω224、均匀平面波的电场为00sin()cos()x y E wt kz E wt kz =--E a +a，则表明此波是（ B ）A ．直线极化波B ．圆极化波C ．椭圆极化波25、沿z 轴方向传播的均匀平面波，E x =cos(ωt －kz －90°)，E y =cos(ωt －kz －180°)，问该平面波是( B ) A. 直线极化 B. 圆极化 C. 椭圆极化D. 水平极化26、若1σωε 介质属于（ A ）。
A ．良导体 B ．电介质 C ．不良导体 27、若1σωε 介质属于（A ）。
A ．电介质 B ．良导体 C ．不良导体 28、若1σωε≈介质属于（C ）。
A ．电介质 B ．良导体 C ．不良导体29、两个相互平行的导体平板构成一个电容器，其电容与（A ）无关。
A ．导体板上的电荷B ．平板间的介质C ．导体板的面积D ．两个导体板的相对位置 30、时变场中，电场的源包括：（A C ）A. 电荷B. 传导电流C. 变化的磁场D. 位移电流31、两个相互平行的导体平板构成一个电容器，其电容与（A C ）无关。
A ．导体板上的电荷B ．平板间的介质C ．导体板的几何形状D ．两个导体板的距离 二、填空题 (每空2分，共20分)1、对于矢量A ，若x x y y z z A A A A =++a a a，则：z x ⨯a a ＝y a ；x x ⨯a a ＝ 0 ；y x ⋅a a＝ 0 ；2、标量函数 φ = xyz 的梯度为 x y z yz xz xy ++a a a3、矢量函数22x y z A x x y y =++a a a的散度为：21+x4.对于矢量A ，写出：散度定理 VSdV d ∇⋅=⋅⎰⎰A A S斯托克斯定理 CSd dS ⋅=∇⨯⋅⎰⎰A l A5、静止电荷所产生的电场，称之为__静电场_____。
6、电场强度的方向与正电荷在电场中受力的方向___相同____。
7、电位参考点就是指定电位值恒为 零 的点。
8、在正方形的四顶点上，各放一电量相等的同性点电荷，几何中心放置荷Q ，则Q 不论取何值，其所受这电场力为 零 。
9、真空中静电场的两个基本方程的积分形式为 0.=ε⎰Sq E ds 、 0⋅=⎰lE dl10、写出真空中静电场的两个基本方程的微分形式为 0ρ∇⋅=ε E 0∇⨯= E 11、电流的方向是指 正电荷 运动方向。
12、恒定电场的基本方程为：.0=⎰SJ ds 0⋅=⎰lE dl13、在无源理想介质中 Jc= 0 ，ρ= 014、在理想介质中电位的泊松方程2ρϕε∇=-。
15、无源介质中电位的拉普拉斯方程为20ϕ∇=16、分析恒定磁场时，在无界真空中，两个基本场变量之间的关系为 ， 通常称它为 真空的磁特性方程或本构关系17、磁介质中磁场的基本方程为：.0=⎰SB dSI ⋅=∑⎰lH dl18、真空中的安培环路定律（用积分公式表示） 。
19、在磁介质中的安培环路定律（用积分公式表示）d I ⋅=∑⎰lH l20、磁场的两个基本变量是B (或磁感应强度)和H(或磁场强度)。
21、无限长电流I ，在空间r 处产生的磁场强度为2r Irπa 。
22、磁感应强度可定义为某一矢量的 旋度 ，我们把这个矢量称作量位。
23、媒质分界面有面电流分布时，磁场强度的切向分量 不连续 。
24、变化的磁场产生电场的现象称作_电磁感应_定律。
25、电磁感应定律的积分形式为d ls BE dl s t∂⋅=-⋅∂⎰⎰26、麦克斯韦方程组中关于H 和E 的微分表达式为 t ∂∇⨯=+∂DH J、t∂∇⨯=-∂B E27、写出波印廷矢量瞬时值的表达式(,)(,)(,)r t r t r t =⨯S E H写出波印廷矢量的复数表达式12*=⨯S E H28、当场量随时间变化的频率较高时，场量几乎仅存在于导体表面附近，这种现象称这为 集肤 效应。
三、简答题0=μB H1、说明静电场中的电位函数，并写出其定义式。
答：静电场是无旋的矢量场，它可以用一个标量函数的梯度表示，此标量函数称为电位函数(3 分)。
静电场中，电位函数的定义为grad ϕϕ=-=-∇E(3 分) 2、什么叫集肤效应、集肤深度？试写出集肤深度与衰减常数的关系式。
高频率电磁波传入良导体后，由于良导体的电导率一般在107S/m 量级，所以电磁波在良导体中衰减极快。
电磁波往往在微米量级的距离内就衰减得近于零了。
因此高频电磁场只能存在于良导体表面的一个薄层内， 这种现象称为集肤效应(Skin Effect)。
电磁波场强振幅衰减到表面处的1/e 的深度，称为集肤深度(穿透深度)， 以δ表示。
集肤深度 001E e E eαδ-=⋅ ⇒ 1δα=3、说明真空中电场强度和库仑定律。
答：电场强度表示电场中某点的单位正试验电荷所受到的力，其定义式为：()()r r q=F E(3 分)。
库仑定律是描述真空中两个静止点电荷之间相互作用的规律，其表达式为：'20=4Rq q Re πεF(3 分)。
4、用数学式说明梯度无旋。
答：x y z x y zϕϕϕϕ∂∂∂∇=++∂∂∂e e e (2 分) ()xy zx y z xyzϕϕϕϕ∂∂∂∇⨯∇=∂∂∂∂∂∂∂∂∂e e e (2 分) 222222()()()x y z z y z y x z x z x y x yϕϕϕϕϕϕ∂∂∂∂∂∂=---+-∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂∂e e e(2 分) 0=()0ϕ∴∇⨯∇=5、什么是真空中的高斯定理?请利用高斯定理求解下面问题：假设真空中有半径为a 的球形带电体，电荷总量Q 均匀分布在球体内，求任意点的电场强度。
0()SQ E r dS ε=⎰分析：电场方向垂直于球面。
电场大小只与r 有关。
在球外区域：r>a0()SQ E r dS ε=⎰20()(4)r Q E r r πε⇒⋅=a 204r Q E rπε⇒=⋅a在球内区域：r<a由334Q QV a ρπ== 因为0'()S Q E r dS ε=⎰ 得 32043()(4)r r E r r ρππε⋅⋅=a30034r r r QrE aρεπε⇒==⋅a a6、试解释坡印亭矢量的物理意义？答：坡印亭矢量E×H 相当于功率流的面密度,(3分)即垂直于功率流动方向单位面积上流过的电磁场功率.(3分)7、为什么说体电荷密度就是电荷的体密度，而体电流密度不是电流的体密度？8、什么是高斯定理?在电场具有什么特征时可以用它来求解静电场问题?.S d D s⎰⋅=q 当电场具有对称性质时，可以用来求解静电场。
9、波的圆极化(写出波的方程及与x 轴夹角表达式)若电场的水平分量E x 与垂直分量E y 振幅相等，相位相差±90°，合成电场为圆极化波。
E=2y 2x E E + =Em=常数与x 轴夹角tanα=ExEy=tanωt 10、在良导体内电场强度E 等于零，磁感应强度是否也为零？为什么？ 可以不为零。
（2分）因为E=0，只表明磁通及磁场的变化率为零，但磁感应强度可为任意常数。