场效应管作用及分类
场效应管作用
场效应管作用场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的半导体器件，其作用是控制电流流动。
它采用半导体材料制造而成，具有三个电极，分别是源极、栅极和漏极。
场效应管广泛应用于电子设备中，如放大器、开关等方面。
场效应管的作用是通过栅极电压来控制漏极-源极之间的电流。
它的工作原理是利用外加电场改变半导体中电荷的分布，从而改变导电能力。
与双极型晶体管相比，场效应管具有许多优点，如高输入阻抗、低噪声、低失真等。
因此，广泛应用于各种电子设备中。
场效应管主要有两种类型：MOSFET和JFET。
MOSFET全称金属-氧化物-半导体场效应管，是采用金属层、氧化物层和半导体层构成的结构；JFET全称结型场效应管，是采用PN结构构成的。
两者的主要区别在于结构不同，性能也略有差异。
在MOSFET中，栅极的电压通过金属层传递到氧化物层，从而改变半导体中电荷分布。
根据栅极电压的不同，MOSFET可以分为两种类型：增强型和耗尽型。
增强型MOSFET需要一定的栅极电压才能导通，而耗尽型MOSFET则是通过减小栅极电压来导通。
MOSFET 的漏极和源极之间的电流由外加电场和栅极电压来控制。
JFET的工作原理与MOSFET有一定的相似之处，都是通过栅极电压来控制漏极-源极之间的电流。
JFET的结构是由N型或P型半导体材料构成的，两个电极分别为源极和漏极，而栅极则是通过PN 结来实现。
不同材料的JFET的特性有所不同，N型JFET通常被用作放大器，P型JFET通常用作开关。
场效应管的作用可以通过以下几个方面来描述。
首先，场效应管可以用来放大信号。
通过在源极和漏极之间加上适当的电压，使得输入信号经过放大后输出。
这种放大作用可以有效地提高信号的幅度和质量，并广泛应用于各种音频和视频设备中。
其次，场效应管可以用作开关。
在适当的电压条件下，场效应管可以控制漏极-源极之间的电流流动。
通过输入不同的电压信号，可以实现开关的打开和关闭。
场效应管
D (mA) 可变电阻区
i
uGS= 0V uGS = -1V uGS = -2V uGS= -3V
u
DS
时,iD 是 vDS 的线性函数，
管子的漏源间呈现为线
性电阻，且其阻值受 vGS
控制。 （2）管压降vDS 很小。
沟道未 夹断
用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态
的电子开关。
gm
VDS
2、 极间电容： Cgs和Cgd约为1~3pF，和 Cds约为
0.1~1pF。高频应用时，应考虑极间电容的影响。
vDS 3、 输出电阻rd：rd iD
三、极限参数
VGS
1、 最大漏极电流IDM：管子正常工作时漏极电流 的上限值。
2、 最大耗散功率 PDM ：决定于管子允许的温升。
3、当vGD< VGS(off)时，vGS对iD的控制作用
当vGD = vGS - vDS <VGS(off) 时，即vDS > vGS VGS(off) > 0，导电沟道夹断， iD 不随vDS 变化 ； 但vGS 越小，即|vGS| 越大，沟道电阻越大，对同 样的vDS ， iD 的值越小。所以，此时可以通过改变
③ 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电
阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小，
但易受静电影响。
④ 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后 特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特 性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要 注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬 底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互 换使用。
JFET 结型
9.2 结型场效应管
一、结型场效应管的结构
场效应管的作用及原理
场效应管的作用及原理
场效应管是一种重要的电子器件，它在电子技术中起着至关重要的作用。
本文将介绍场效应管的作用及原理。
一、场效应管的作用
场效应管的主要作用是放大和开关信号。
它可以根据输入信号的大小，通过控制栅极电压来改变输出信号的幅度。
场效应管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，因此可以有效地将输入信号放大，并将放大后的信号输出到负载上。
此外，场效应管还可以作为开关使用，通过控制栅极电压来控制导通或截止状态，实现信号的开关控制。
二、场效应管的原理
场效应管的工作原理是基于电场控制电流的机制。
它由源极、漏极和栅极组成。
当栅极施加正电压时，栅极与源极之间形成一个正电场，这会吸引漂浮在栅极上的自由电子，使得栅极与源极之间形成导电通道。
电子通过通道流向漏极，形成电流。
此时，场效应管处于导通状态。
相反，当栅极施加负电压或不施加电压时，栅极与源极之间的电场消失，导电通道关闭，电流无法通过。
此时，场效应管处于截止状态。
由于栅极与源极之间的电场可以通过改变栅极电压来控制，因此场效应管具有电压控制电流的特性。
栅极电压变化可以引起漏极电流的变化，从而实现对信号的放大或开关控制。
三、总结
场效应管是一种重要的电子器件，它可以实现信号的放大和开关控制。
其工作原理是通过电场控制电流，栅极电压的变化可以改变漏极电流，从而实现对信号的控制。
场效应管具有高输入阻抗和低输出阻抗的特性，适用于各种电子设备中的放大和开关电路。
通过深入理解场效应管的作用和原理，我们可以更好地应用和设计电子电路，推动电子技术的发展。
irfz44n场效应管制作逆变器
irfz44n场效应管制作逆变器摘要：一、场效应管简介1.场效应管的作用2.场效应管的分类二、irfz44n 场效应管特点1.性能参数2.应用领域三、制作逆变器的过程1.准备材料2.制作电路板3.安装元器件4.接线与调试四、逆变器的应用1.电源供应2.电子设备驱动正文：场效应管（FET）是一种半导体器件，具有高输入电阻、低噪声和低失真等优点，广泛应用于各种电子设备中。
其中，irfz44n 是一种性能优越的场效应管，具有高速度、高电流和低栅极电荷等特性。
场效应管根据其导电方式可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型氮化镓场效应管（eGaN FET）等。
不同类型的场效应管在性能和应用领域上有所差异，需要根据实际需求进行选择。
irfz44n 场效应管具有较高的性能参数，如击穿电压、漏极电流和栅极阈值电压等。
这使得它在制作逆变器等高功率应用中具有优势。
逆变器是一种将直流电转换为交流电的设备，广泛应用于电源供应、电子设备驱动等领域。
制作逆变器的步骤如下：1.准备材料：根据逆变器的设计方案，选购所需的元器件，如irfz44n 场效应管、集成电路、变压器等。
同时，准备电路板、焊接工具等制作工具。
2.制作电路板：将设计好的电路图印制在电路板上，按照图纸要求进行布局和焊接。
在焊接过程中要注意焊接质量和元器件的封装，确保连接可靠。
3.安装元器件：将选购的元器件安装到电路板上，如将irfz44n 场效应管固定在散热器上，并连接相应的引脚。
同时，检查元器件的连接是否正确。
4.接线与调试：将电路板与外部电源、负载等连接，检查电路的连通性。
接着，对电路进行调试，调整irfz44n 场效应管的栅极阈值电压等参数，确保逆变器性能稳定。
总之，irfz44n 场效应管具有优良的性能，适用于制作逆变器等高功率应用。
nce3095k场效应管参数
nce3095k场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.3095k场效应管的特性与应用4.场效应管的选型与使用注意事项正文：一、场效应管的基本概念与分类场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子导电的晶体管。
它主要有两种分类：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和增强型金属氧化物半导体场效应管（Emitter Coupled Logic，ECL）。
二、场效应管的主要参数及其作用1.阈值电压（Vth）：在场效应管的输入端电压大于阈值电压时，管子进入截止状态；小于阈值电压时，管子进入导通状态。
2.电流放大系数（β）：在场效应管导通状态下，输出电流与输入电流之比。
β值越大，放大效果越好。
3.输入阻抗（Zi）：场效应管的输入阻抗较高，可以减小信号源的内阻干扰。
4.输出阻抗（Zo）：场效应管的输出阻抗较低，可以提高负载驱动能力。
5.功耗（Pd）：在场效应管工作过程中，功耗与电流、电压有关。
合理选择参数可降低功耗。
三、3095k场效应管的特性与应用3095k场效应管是一种常用的MOSFET，具有较低的阈值电压、较高的电流放大系数和较低的功耗。
它广泛应用于放大、开关、振荡、电源管理等电路。
四、场效应管的选型与使用注意事项1.根据电路需求选择合适的场效应管类型，如MOSFET或ECL。
2.选择合适的阈值电压，以满足工作电压要求。
3.考虑电流放大系数，确保放大效果。
4.注意场效应管的功耗和热设计，确保其在高温环境下的稳定性。
5.使用时，注意防止静电击穿，避免损坏场效应管。
6.合理选择电路布局和元件参数，以减小相互干扰，提高电路的稳定性。
总之，场效应管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中具有广泛的应用。
场效应管的作用和工作原理
场效应管的作用和工作原理
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种电子器件，常用于放大、开关和调节信号的电流。
它的作用类似于晶体管，但是它的控制方式不同。
场效应管的工作原理是利用电场控制电流流动。
它由一个P
型或N型的半导体基片、上面覆盖着一个绝缘层和一个金属
门极组成。
当施加一个外部电压于门极时，电场会影响衬底与沟道之间的电荷分布，从而改变电流的流动。
N型场效应管：
1. 当门极施加正电压时，形成一个负电荷区（空穴）在绝缘层下方，继而吸引N型衬底上的自由电子形成一个由N型沟道
连接源极与漏极的导电通道。
这时，N型场效应管处于导通状态。
2. 当门极施加负电压时，将把基片上空N型区的电子排斥开，减少了N型沟道的导电能力，导致漏电流减小，所以N型场
效应管处于截止状态。
P型场效应管：
1. 当门极施加负电压时，形成一个正电荷区（电子）在绝缘层下方，继而吸引P型衬底上的空穴形成一个由P型沟道连接
源极与漏极的导电通道。
这时，P型场效应管处于导通状态。
2. 当门极施加正电压时，将把基片上空P型区的空穴排斥开，减少了P型沟道的导电能力，导致漏电流减小，所以P型场
效应管处于截止状态。
总之，场效应管的工作原理是通过改变门极电压来控制沟道的导电能力，从而实现对电流的调节。
与晶体管相比，场效应管具有输入电阻高、噪声低、频率响应宽等优点，因此在很多应用中被广泛使用。
59n30场效应管参数
59n30场效应管参数摘要：1.场效应管的基本概念与分类2.场效应管的主要参数及其作用3.59n30场效应管的特性与应用4.59n30场效应管的优缺点分析5.如何选择合适的59n30场效应管正文：场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种根据半导体材料的电荷载流子浓度调节电流的半导体器件。
它具有高输入电阻、低噪声、低失真等特点，广泛应用于放大、开关、调制、功率输出等电路。
根据导体通道的材质和结构，场效应管可分为金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘层场效应管（IGFET）、增强型和耗尽型等不同类型。
在众多场效应管中，59n30场效应管是一种常见的功率场效应管，具有较高的电流密度和优异的稳定性。
它的主要参数包括：1.漏极电流（ID）：在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电压之间的关系。
59n30场效应管的漏极电流较小，有利于降低功耗。
2.阈值电压（Vth）：场效应管从截止区进入线性区的工作电压。
59n30场效应管的阈值电压较低，有利于实现高精度放大和开关控制。
3.跨导（gm）：表示场效应管在一定栅极电压下，漏极电流与栅极电流之间的比例关系。
59n30场效应管具有较高的跨导，可以实现高速响应和低失真度。
4.输入电阻（Rin）：场效应管输入端的电阻。
59n30场效应管具有较高的输入电阻，可以减小外部干扰对电路性能的影响。
59n30场效应管在实际应用中具有以下优点：1.低噪声：59n30场效应管的噪声较低，有利于提高电路的信号传输质量。
2.高频响应：59n30场效应管具有较高的跨导和较低的阈值电压，可以实现高速响应。
3.线性度好：59n30场效应管的线性度较好，有利于实现高精度放大和控制。
4.稳定性好：59n30场效应管具有较高的电流密度和稳定性，有利于长时间运行。
然而，59n30场效应管也存在一定的局限性，如易受温度、电压等环境因素影响，以及栅极漏极电容较大等。
因此，在选择59n30场效应管时，应充分考虑其适用场景和性能要求。
场效应管的识别分类及测量
场效应管的识别分类及测量一、符号：“Q、VT”，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：二、场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
三、场效应管的特性：1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通4、场管的ＤＳ功能可互换Ｎ沟道场管的导通截止电压：导通条件：ＶＧ>ＶＳ，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大截止条件：ＶＧ<ＶＳ，ＩＤ没有电流或有很小的电流四、场效应管的作用：放大、调制、谐振、开关五、场效应管的测量及好坏判断1、测量极性及管型判断红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准2、好坏判断测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。
六、场管的代换原则（只适合主板）场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换七、主板上常见的场管型号N沟道：702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、703055N03、76139D、76129S、10N03、15M03F827、F841、BPS100P沟道：352A、356。
h25r1203场效应管参数
h25r1203场效应管参数摘要：一、场效应管简介1.场效应管的定义和作用2.场效应管的分类二、场效应管参数1.类型2.栅极电压3.漏极电流4.源极电流5.导通电阻6.输入电容7.输出电容8.耗尽模式和增强模式9.工作温度10.额定电压和额定电流三、场效应管参数的选择与应用1.根据电路需求选择参数2.性能指标与参数的关系正文：场效应管（FET）是一种半导体器件，具有放大、开关、振荡、信号处理等功能，被广泛应用于各种电子设备中。
为了充分发挥场效应管的性能，了解其参数至关重要。
本文将对场效应管的一些重要参数进行概述。
一、场效应管简介场效应管，简称FET，是一种利用栅极电场控制半导体沟道导通的器件。
它具有输入阻抗高、输出阻抗低、驱动电流小等特点。
根据结构和工作原理，场效应管可以分为金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）、增强型和耗尽型。
二、场效应管参数1.类型：场效应管根据结构和工作原理分为金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）、增强型和耗尽型。
其中，MOSFET具有更高的输入阻抗和更低的驱动电流。
2.栅极电压：栅极电压是控制场效应管导通或截止的电压。
不同类型的场效应管具有不同的栅极电压范围。
3.漏极电流：在栅极电压一定时，漏极的电流。
漏极电流与栅极电压成正比，不同类型的场效应管具有不同的漏极电流特性。
4.源极电流：在栅极电压一定时，源极的电流。
源极电流与漏极电流相等，且与栅极电压无关。
5.导通电阻：在漏极电压一定时，栅极和源极之间的电阻。
导通电阻越小，器件的导通性能越好。
6.输入电容：栅极和源极之间的电容。
输入电容越大，器件的输入阻抗越高。
7.输出电容：漏极和源极之间的电容。
输出电容越大，器件的输出阻抗越低。
8.耗尽模式和增强模式：根据漏极和源极之间的导电类型，场效应管可以分为耗尽模式和增强模式。
耗尽模式FET在栅极电压为零时导通，增强模式FET在栅极电压为最大值时导通。
9.工作温度：场效应管能正常工作的温度范围。
场效应管的作用、规格及分类
场效应管的作用、规格及分类1.什么叫场效应管？FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。
然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：(a) JFET的概念图(b) JFET的符号图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。
图1（a）表示n沟道JFET的特性例。
以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。
在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。
VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。
此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。
与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。
其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。
将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。
n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID=0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。
关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。
场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的I，用以门D"。
常用部分场效应管型号用途参数
常用部分场效应管型号用途参数场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种利用电子场的作用控制电流的半导体元件。
常用的场效应管型号有MOSFET和JFET，它们在电子电路中广泛应用。
下面将介绍几种常用的场效应管型号及其用途和参数。
1.N沟道MOS场效应管（NMOS）NMOS是最早出现的一种场效应管，通过在P型衬底上形成N型沟道来控制电流。
NMOS在低电压和低功率电子电路中广泛应用。
它具有低开关损耗、高通道导电度等特点。
常用的NMOS型号有2N7000、IRF540等。
这些型号的参数一般包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
2.P沟道MOS场效应管（PMOS）PMOS是通过在N型衬底上形成P型沟道来控制电流的。
PMOS比NMOS具有更高的开关损耗和较低的通道导电度。
它主要应用于部分数值逻辑电路和模拟信号放大电路。
常用的PMOS型号有IRF9520、IRF630等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
3.绝缘栅双极MOS场效应管（IGBT）IGBT是一种高压、大功率开关器件，适用于需要控制高电流和高电压的电路。
它结合了MOS场效应管和双极晶体管的优点，具有低漏电流、低导通压降等特点。
常用的IGBT型号有IRFP4668、IRFP460等。
这些型号的参数包括最大漏源电压（VDS）、最大漏极电流（ID）、演化速度等。
4.JFET场效应管JFET是一种通过调节源漏电流，改变沟道导电性的场效应管。
它具有低噪声、高输入电阻等特点，适用于放大和开关电路。
常用的N型JFET型号有2N3819、J113等，P型JFET型号有J310、BF245等。
这些型号的参数包括最大漏极电流（IDSS）、截止电压（VGS(off)）等。
场效应管详细资料
一：场效管的作用场效管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但它与三极管的工作原理不一样场效管也有三只脚，分别是控制极栅极（G极）、源极（S极）、漏极（D极）场效管与三极管三只引脚的对应关系：栅极（G）对应基极（B）、源极（S）对应发射极（E）、漏极（D）对应集电极（C）二：场效管的分类主板中的场效管，按照极性有P沟道和N沟道主板上常用的场效管有SOT－23、SOT－223、SO－8、TO－251、TO－252（TO －263）等其中SOT－23封装的有代码为KIN或K72或K7A或K7B的2N7002（N沟道）；代码为335的FDN335N（N沟道）、NDS356AP（P沟道）等开题，这种场效管主要用在放大和电子开关电路中其中SO－8封装的场效管，其内部有两个场效管，这种场效管通常称为双场效管，主板中常用的型号有FDS8936、SI9936、NDS9956A、FDS9926A、FDS6912、FDS6912A、FDS6982、FDS6930A等，这种场效管主要用在电子开关和小功率稳压供电电路中其中SOT－223封装的有代码为BSP100（N沟道）、P3055LL（N沟道）等型号，这种场效管主要用在中，小功率稳压电路中，如北桥供电、3.3V供电其中TO－251封装的有代码为HUF76107D3（N沟道）、AMP3055（N沟道）等型号，这种场效管主要应用在中功率供电电路中，如南桥供电、北桥供电、AGP 显卡供电、内在供电电路中其中TO－252（TO－263）封装的有代码为HUF76121D3S、60N03、50N03、45N03、FDB6030、CEB703AL、CEB603AL、RF1S45N03LSM、RFD3055SM、BUZ102SL、PHD96NQ03LT、PHD98N03LT、PHD9NQ20T、FDB6670、K3296、32N03等型号，以上都属于N沟道场效管，都属于大功率N沟道场效管，这种场效管主要应用在大供电电路中，如CPU供电电路三：场效管的识别在电脑电路中，场效管常用字母“Q”、“V”、“VT”加数字表示对于主板中使用的贴片场效管来说，从左到右其引脚基本为G、D、S（散热片接D极）四：场效管的检测与代换在维修中，主板中的场效管通常为击穿（短路）损坏，这时保引脚之间通常呈短路状态，因此用数字万用表的二极管档检测各引脚间的压降值通常为0V。
第3章：场效应管详解
3.0
场效应管
概述
3.1
3.2
MOS场效应管
结型场效应管
3.0 概 述
场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导
体器件,也是一种具有正向受控作用的半导体器件。
它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制 造大规模集成电路的主要有源器件。
场效应管与三极管主要区别：
• 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。
由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人） 靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生
很大的电压VGS(=Q /COX)，使绝缘层击穿，造成
MOS管永久性损坏。
MOS管保护措施：
分立的MOS管：各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS集成电路：
D1
T
D2
D1 D2一方面限制VGS间 最大电压，同时对感 生 电荷起旁路作用。
VGS > VGS(th) 条件： V DS > VGS–VGS(th) 特点：
0
VDS /V
ID只受VGS控制，而与VDS近似无关，表现出类 似三极管的正向受控作用。 考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随 VDS的增加略有上翘。
注意：饱和区（又称有源区）对应三极管的放大区。
数学模型：
工作在饱和区时， MOS 管的正向受控作用，服 从平方律关系式： n COXW ID (VGS VGS(th) ) 2 2l 若考虑沟道长度调制效应，则ID的修正方程：
• 场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。
• 场效应管受温度的影响小（只有多子漂移运动形成电流)。
一、场效应管的种类
绝缘栅型场效应管MOSFET 按结构不同分为 N沟道 结型场效应管JFET P沟道 N沟道 耗尽型（DMOS） P沟道
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。
源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。
这时表针指示出的是D-S极间电阻值。
然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。
由于管子的放大作用，UDS 和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。
场效应管工作原理与应用
V DS > VGS – VGS(th)
4V 3.5 V
特点：
O
VDS /V
ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关，表现出类似 三极管的正向受控作用。
考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随 VDS 的增加略有上翘。
注意：饱和区(又称有源区)对应三极管的放大区。
14
数学模型：
工作在饱和区时，MOS 管的正向受控作用，服从 平方律关系式：
因此，非饱和区又称为可变电阻区。
12
数学模型：
VDS 很小 MOS 管工作在非饱区时，ID 与 VDS 之间呈线性关系：
ID
n C O XW
2l
[2(VGS
VGS (th))VDS
VD2S ]
n C O XW
l
(VGS
VGS (th))VDS
其中，W、l 为沟道的宽度和长度。
COX (= / OX) 为单位面积的栅极电容量。
D
P+ N+
N+
P+ N+
N+
P
P
由图
VGD = VGS - VDS
▪ VDS 很小时 → VGD VGS 。此时 W 近似不变，即 Ron 不变。
因此
VDS→ID 线性 。
▪ 若 VDS →则 VGD → 近漏端沟道 → Ron增大。
此时
Ron →ID 变慢。
7
▪ 当 VDS 增加到使 VGD = VGS(th) 时 → A 点出现预夹断
共源组态特性曲线：
IG 0 VG+-S
ID
+
T VDS
-
输出特性： 转移特性：
场效应管s极接地电阻
场效应管s极接地电阻一、场效应管概述场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，属于三极管的一种。
与普通的三极管相比，场效应管具有输入电阻高、噪声低、频率响应宽等优点。
其主要特点是输入电阻高、输出电阻低，具有大电流放大系数和大功率放大能力。
二、场效应管的分类1.按照控制方式分类(1)JFET（结型场效应管）：通过反向偏置PN结来控制导电型沟道中的载流子浓度。
(2)MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：通过栅极上的电场来调节沟道中的载流子浓度。
2.按照结构分类(1)沟道型：沟道型FET又称为JFET，其特点是在PN结上形成一个导电区域。
(2)绝缘栅型：绝缘栅型FET又称为MOSFET，其特点是在绝缘层上形成一个导电区域。
3.按照工作方式分类(1)增强型：增强型FET需要外加正偏压才能工作。
(2)耗尽型：耗尽型FET不需要外加正偏压即可工作。
三、场效应管的S极接地电阻1.概念：S极接地电阻是指场效应管的源极（S极）与地之间的电阻。
2.作用：S极接地电阻可以影响场效应管的放大性能，包括增益、输出功率和失真等方面。
3.计算方法：(1)对于JFET，其S极接地电阻可以通过下列公式计算：Rs=1/gm 其中，gm为沟道导纳，可以通过下列公式计算：gm=2ID/Vp其中，ID为漏极电流，Vp为PN结反向截止电压。
(2)对于MOSFET，其S极接地电阻可以通过下列公式计算：Rs=1/λID其中，λ为通道长度调制系数。
四、如何提高场效应管的放大性能1.选择合适的工作点：通过调节偏置电压和偏置电流来确定合适的工作点。
2.降低噪声系数：采用低噪声场效应管或者在输入端加入滤波器来降低噪声系数。
3.提高输入信号质量：采用高质量的输入信号源或者在输入端加入滤波器来提高输入信号质量。
4.提高输出负载能力：通过匹配合适的输出负载来提高场效应管的输出负载能力。
5.降低失真：采用反馈电路或者调整偏置电压和偏置电流来降低失真。
场效应管的作用及典型电路
场效应管的作用及典型电路
一、Mosfet管的作用
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（MOSFET）是一种半导体多层效应管，它由三个极门构成：源极、汲极和控制极。
控制极之间有一层氧化膜，当控制极电压变化时，就可以改变这个氧化膜的电容，从而改变源极和汲极之间的电流。
MOSFET电路可以提供更高的效率，更小的尺寸和低功耗。
Mosfet管可以在电路中用来传输、放大、改变或控制电路的输出。
它是用来替代传统的开关管（BJT）的，它的操作要比传统的开关管更加灵活。
MOSFET的另一个优点是它可以将更高的电流压缩到更少的开关数量，从而使电路的整体尺寸减小，成本也更低。
二、Mosfet管的典型电路
1、放大器：MOSFET可用于单端放大电路，也可用于双端放大电路。
它通常被用来放大低频信号，例如声音信号。
2、开关：MOSFET可用于将电路的输出断开或接通。
它可以用来控制负载电流，也可以用来加快看门狗器件的超时脉冲。
3、控制：MOSFET也可以用来控制电路的输出电压或电流。
它可以被用来构建稳压器、电源稳压器或线性调整器。
4、线性应用：MOSFET有时也可以用作可调电阻，可以用来调节输出电压或电流。
三、总结
MOSFET是一种半导体多层效应管，由三个极门构成：源极、汲极和控制极。
场效应管的分类和作用
场效应管的分类和作用
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称.由多数载流子参加导电,也称为单极型晶体管.它属于控制型器件.
特点:
具有输入高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、平安工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
场效应管的作用
1、场效应管可应用于放大。
因为场效应管的输入阻抗很高，因此耦合
可以容量较小，不必用法电解。
2、场效应管很高的输入阻抗十分适合作阻抗变换。
常用于多级放大器
的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以便利地用作恒流源。
5、场效应管可以用作开关。
场效应管的测试
1、结型场效应管的管脚识别：
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分离对应于晶体管的放射极和集电极。
将置于R×1k档，用两表笔分离测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数K Ω时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（用法中接地）。
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分离碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，解释均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
创造工艺打算了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换用法，并
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mos管的作用
mos管的作用MOS管，即金属氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一种常用的半导体器件。
它在电子学领域中有着广泛的应用，具有许多重要的作用。
本文将详细介绍MOS管的作用。
# 1. 引言## 1.1 MOS管的定义MOS管是一种三端器件，由金属、氧化物和半导体材料组成。
它通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流，从而实现信号放大、开关控制等功能。
## 1.2 MOS管分类根据结构和工作原理的不同，MOS管可以分为两类：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和CMOS（互补性金属氧化物半导体）。
# 2. MOSFET的作用MOSFET是一种单极性器件，具有以下重要作用：## 2.1 放大作用MOSFET可以将输入信号放大到较高幅度，并输出到负载电路中。
通过调节栅极电压，可以控制输出信号的幅度和相位。
## 2.2 开关作用MOSFET可以在开关电路中起到关断和导通的作用。
当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET导通；当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET关断。
这种开关特性使得MOSFET在数字电路中具有重要的应用。
## 2.3 驱动作用MOSFET可以作为驱动器件，用于驱动其他高功率负载。
通过控制栅极电压，可以调节输出信号的频率、幅度和相位。
## 2.4 反馈作用MOSFET在反馈电路中起到重要的作用。
通过将输出信号反馈到输入端，可以实现稳定的放大倍数和频率响应。
## 2.5 温度补偿作用由于MOSFET的工作温度对其特性有较大影响，因此可以利用温度补偿技术来提高其稳定性和可靠性。
# 3. CMOS的作用CMOS是一种双极性器件，由N型和P型MOS管组成，具有以下重要作用：## 3.1 数字逻辑门CMOS可以构成各种数字逻辑门电路，如与门、或门、非门等。
它具有低功耗、高速度和抗干扰能力强的特点，广泛应用于数字电路中。
场效应管
iD
d
6
4
2
可 6 变 电 恒流区 4 阻 区
2
vGS
-4 -2 0 2 0
截止区
vDS
2 4 6 8
其它类型MOS管
（2）P沟道增强型：VGS = 0时，ID = 0 开启电压小于零，所以只有当VGS < 0时管 子才能工作。
s P
g
d
P PN结
N 衬底
其它类型MOS管
（3）P沟道耗尽型：制造时在栅极绝缘层中掺有大量 的负离子，所以即使在VGS=0时，由于负离子的作用， 两个P区之间存在导电沟道（类似结型场效应管）。
ID
工作原理
(c) VDS夹端长度 场强 ID=IDSS基本不变。
ID
3. 输出特性
输出特性: 表示vGS一定时，iD与vDS之间的变化关系。
iD f (vDS ) V
GS
iD
(1) 截止区（夹断区） 如果VP= -4V， VGS= -4V以下区域就是 截止区 VGS VP ID=0
2. 工作原理
ID
（1）VGS对导电沟道的影响：
(a) VGS=0，VDS=0,ID=0
栅源之间是反偏的PN结， RGS>107，所以IG=0
工作原理
(b) 0< VGS < VP VGS 耗尽层变宽
(c) |VGS | = VP ， 导电沟道被全夹断 VP(VGS(OFF) )：夹断电压
可 6 变 电 4 阻 区
V -VDS = VP GS
预夹端轨迹
V =0V GS
恒流区
V =-2V GS
截止区
2 V =-4V GS 0 2 4 6 8 10 12 vDS
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根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。
当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。
对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。
若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。
源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。
因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。
这时表针指示出的是D-S极间电阻值。
然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。
由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。
如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。
由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。
少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS 增大，表针向左摆动。
无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也适用于测MOS管。
为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。
2.场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.3.场效应管的主要参数 :Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID 的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D 极.5.常效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管（JFET）（1）结构原理它的结构及符号见图1。
在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个PN结。
在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管。
由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
2、绝缘栅场效应管它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。
（1）结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。
在硅片表覆盖一层绝缘物，然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管。
在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。
当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性）二、场效应管的主要参数1、夹断电压VP当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2、饱和漏电流IDSS在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3、击穿电压BVDS表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4、直流输入电阻RGS在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达1000000000欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过10000000000000欧。
5、低频跨导gm漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导，即gm= △ID/△VGS它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）来表示。
1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3、场效应管可以用作可变电阻。
4、场效应管可以方便地用作恒流源。
5、场效应管可以用作电子开关。
现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-a. 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds 之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs 的绝对值. 在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻). 结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型。