晶体管的检测方法
晶体管测试
实验二晶体管测试一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、三极管和场效应管的主要参数。
2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。
3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。
二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。
其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。
其它参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。
因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。
下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。
1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）最大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由手册查得。
（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为最大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。
（3）最大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的最大反向电压。
可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。
（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。
可用电流表测得。
（5）最高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。
（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。
由晶体管特性图示仪测得。
2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。
稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。
手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。
此值必须测定后才能使用稳压二极管。
可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。
（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。
使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。
晶体管的静态功耗的标准测试步骤
晶体管的静态功耗的标准测试步骤
晶体管的静态功耗是指在稳定工作状态下消耗的功率，通常在
标准测试条件下进行测量。
以下是晶体管静态功耗的标准测试步骤：
1. 确定测试条件，首先需要确定测试晶体管的工作条件，包括
工作电压、工作温度和负载电阻等。
这些条件需要符合实际应用中
晶体管的工作环境。
2. 测量电路连接，将晶体管正确连接到测试电路中，确保电路
连接正确，没有短路或接触不良。
3. 稳定电压和电流，在设定的工作电压和温度下，给晶体管加
上稳定的电压，并测量晶体管的稳定工作电流。
4. 功耗测量，使用功率计或示波器等测试设备，测量晶体管在
稳定工作状态下的功耗。
确保测量时间足够长，以获得准确的平均
功耗值。
5. 多组数据测量，为了确保测试结果的准确性，通常需要进行
多组数据的测量，并计算平均值以减小误差。
6. 温度补偿，由于晶体管的工作温度会影响其功耗特性，因此需要进行温度补偿，通常是在不同温度下进行多次测试，并对结果进行修正。
7. 数据记录和分析，对所有测试数据进行记录并进行分析，包括功耗值的统计特性和温度特性等。
8. 报告撰写，最后，将测试结果整理成报告，包括测试条件、测试步骤、数据分析和结论等内容，以便后续的数据比较和应用参考。
通过以上标准测试步骤，可以获得晶体管静态功耗的准确测试结果，为其在实际应用中的功耗管理提供参考依据。
晶体管检测方法大全
晶体管检测方法大全1、检测小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。
通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。
在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。
一般标有色点的一端即为正极。
还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
B、检测最高工作频率fM。
晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。
另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。
C、检测最高反向击穿电压VRM。
对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。
一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。
2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。
不同的是，这种管子的正向电阻较大。
用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。
3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。
即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。
4、检测双向触发二极管A、将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。
若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。
测试电压由兆欧表提供。
测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。
检测MOS管五种方法
检测MOS管五种⽅法MOS管是⾦属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是⾦属—绝缘体—半导体。
MOS管因导通压降下，导通电阻⼩，栅极驱动不需要电流，损耗⼩，价格便宜等优点在电⼦⾏业深受⼈们的喜爱与追捧。
但是⼀些⼚商的技术不成熟导致MOS管市场良莠不齐。
那么如何对MOS 管进⾏检测呢？华碧实验室为⼤家分享检测MOS管的5种⽅法。
⼀、⽤测电阻法判别MOS管的电极根据MOS管的PN结正、反向电阻值不⼀样的现象，可以判别出MOS管的三个电极。
具体⽅法：将万⽤表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为⼏千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对MOS管⽽⾔，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万⽤表的⿊表笔(红表笔也⾏)任意接触⼀个电极，另⼀只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则⿊表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很⼤，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且⿊表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很⼩，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，⿊表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换⿊、红表笔按上述⽅法进⾏测试，直到判别出栅极为⽌。
⼆、⽤测电阻法判别MOS管的好坏测电阻法检测MOS管是⽤万⽤表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管⼿册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体⽅法：⾸先将万⽤表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在⼏⼗欧到⼏千欧范围(在⼿册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的)，如果测得阻值⼤于正常值，可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是⽆穷⼤，可能是内部断极。
然后把万⽤表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为⽆穷⼤，则说明管是正常的;若测得上述各阻值太⼩或为通路，则说明管是坏的。
光敏晶体管的性能好坏应如何检测的
光敏晶体管的性能好坏应如何检测的
1)确定发射极和集电极对于有定位销的光敏晶体管，靠近定位销的引脚
为E极，另一脚则为C极。
管壳上涂有色点者，靠近色点的引脚为E极。
有的管子的引脚是一长、一短，较长者为E，短引脚者为C。
对于达林顿光敏晶体管，封装缺圆的一侧为集电极C。
2)暗电阻的检测检测的方法是把光敏晶体管用挡板或黑布遮住，将万
用表置于Rx1k挡，用红黑表笔分别任意接光敏晶体管的E、C两引脚，测得的阻值应为∞，对调表笔再测，其阻值仍为∞时，表明被测管良好。
如果检测出现阻值小于∞很多，甚至为零，说明被测管漏电或损坏。
3)亮电阻的检测将万用表置于Rx1k挡，红表笔接E、黑表笔接C，让
被测管受光窗口接受光照，此时、所测阻值应为15-30kΩ左右，如所测阻值较大，表明被测管的灵敏度低，如阻值为的，表明被测管已经损坏，不能使用。
总之，光敏晶体管在光线较亮时，阻值很小;光线较睹时阻值较大，光线的变化应能引起阻值的变化，否则说明光敏晶体管已经损坏。
用万用表检测红外光敏二极管好坏
1. 将万用表置于R1k档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。
正常时，
正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3～10k左右，反向电阻值为500 k 以上。
2. 若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。
1. 将万用表置于R×1k档，测量红外光敏二极管的正、反向电阻值。
正常时，正向电阻值（黑表笔所接引脚为正极）为3～10kΩ左右，反向电阻值为500 k Ω以上。
2. 若测得其正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该光敏二极管已击穿或开路损坏。
如何测量晶体管的好坏
如何测量三极管的好坏（1）检查三极管的两个PN结。
我们以PNP管为例来说明，一只PNP型的三极管的结构相当于两只二极管，负极靠负极接在一起。
我们首先用万用表R×100或R×1K挡测一下e 与b之间和e与c之间的正反向电阻。
当红表笔接b 时，用黑表笔分别接e和c应出现两次阻值小的情况。
然后把接b 的红表笔换成黑表笔，再用红表笔分别接e和c，将出现两次阻值大的情况。
被测三极管符合上述情况，说明这只三极管是好的。
（2）检查三极管的穿透电流：我们把三极管c、e之间的反向电阻叫测穿透电流。
用万用表红表笔接PNP三极管的集电极 c , 黑表笔接发射极 e，看表的指示数值，这个阻值一般应大于几千欧，越大越好越小说明这只三极管稳定性越差。
（3）测量三极管的放大性能：分别用表笔接三极管的c和e看一下万用表的指示数值，然后再c与b间连接一只50--100K的电阻看指针向右摆动的多少，摆动越大说明这只管子的放大倍数越高。
外接电阻也可以用人体电阻代替，即用手捏住b和c.常用晶体二极管的识别晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。
1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
检测绝缘栅极双极型晶体管(IGBT)好坏的办法
检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的办法1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
一、静态测试变1、测试整流电路找到变频器内部直流电源的P端和N端，将万用表调到电阻X10档，红表棒接到P，黑表棒分别依到R、S、T，应该有大约几十欧的阻值，且基本平衡。
相反将黑表棒接到P端，红表棒依次接到R、S、T，有一个接近于无穷大的阻值。
将红表棒接到N端，重复以上步骤，都应得到相同结果。
如果有以下结果，可以判定电路已出现异常，A.阻值三相不平衡，可以说明整流桥故障。
B.红表棒接P端时，电阻无穷大，可以断定整流桥故障或起动电阻出现故障。
2、测试逆变电路变频器供应：将红表棒接到P端,黑表棒分别接U、V、W上，应该有几十欧的阻值，且各相阻值基本相同，反相应该为无穷大。
将黑表棒接到N端，重复以上步骤应得到相同结果，否则可确定逆变模块故障二、动态测试变在静态测试结果正常以后，才可进行动态测试，即上电试机。
三极管之PNP与NPN详解及如何用万用表判断基极
三极管之——PNP与NPN一.PNP与NPN 晶体管的检测方法NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
方法一：鉴别基极B将数字万用表拨至二极管档，红表笔固定任接某个引脚，用黑表笔依次接触另外两个引脚，如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”，则红表笔所接的引脚就是基极B。
如果在两次测试中，一次显示值小于1V，另一次显示溢出符号“1”，表明红表笔接的引脚不是基极B，此时应改换其他引脚重新测量，直到找出基极B为止。
区分NPN管与PNP管使用数字万用表的二极管档。
按上述操作确认基极B之后，将红表笔接基极B，用黑表笔先后接触其他两个引脚。
如果都显示0.500～0.800V，则被测管属于NPN型；若两次都显示溢出符号“1”，则表明被测管属于PNP管。
方法二：判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN 型管如9013，9014,9018。
小注：使用数字万用表的二极管档测量二极管的正向压降，这时读数的单位是mV。
例如，用该档检测2AP3型二极管的正向压降，显示为“352”，即表示352mV或0.352V（此管为锗管）。
用该档检测IN4007型二极管时，正向显示为“509”，即表示正向压降为509mV或0.509V（此管为硅管）。
数字万用表的二极管档,还可以用来检测电路是否短路。
二、常见三极管之——9013 、90129013三极管9013是一种NPN型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是NPN型小功率三极管。
晶体三极管的检测方法
晶体三极管的检测方法1.外观检测：外观检测是最基本也是最简单的检测方法之一、首先，检查晶体三极管的引脚，确保引脚没有损坏或弯曲。
其次，检查晶体三极管的封装是否完好，有无裂纹或烧伤痕迹。
2.导通测试：导通测试是用来检测晶体三极管的输入和输出电极之间是否有导通现象。
一种常用的方法是使用万用表的二极管测试功能，将万用表的正极接到晶体三极管的基极，将负极分别接到其它两个引脚。
如果万用表显示导通，那么可以判断晶体三极管是正常的。
3.放大倍数测试：放大倍数测试是衡量晶体三极管放大作用的一种方法。
该测试需要使用信号发生器、直流电压源和直流电流表等仪器。
首先，将信号发生器的输出信号通过一个适当的阻抗与晶体三极管的基极相连。
然后，将晶体三极管的发射极和集电极分别通过适当的负载电阻与直流电压源相连。
最后，用直流电流表分别测量集电极电流和基极电流，计算并比较两者的比值，即为晶体三极管的放大倍数。
4.静态工作点测试：晶体三极管的静态工作点决定了其正常工作时的电流和电压范围。
静态工作点测试可以通过直流电流表和电压表进行。
首先，将一个电压表连接到晶体三极管的发射极和集电极之间，另一个电压表连接到基极和发射极之间。
然后，通过可调节的直流电压源，逐渐改变基极电压，同时观察发射极和集电极电压的变化。
当静态工作点稳定在预期范围内时，即可判断晶体三极管正常工作。
5.动态参数测试：动态参数测试用于检测晶体三极管的响应速度和频率应答特性。
一种常用方法是使用示波器和信号发生器，将信号发生器的输出信号通过一个适当的阻抗与晶体三极管的基极相连，然后观察晶体三极管输出信号在示波器上的波形。
通过观察波形的衰减和变形情况，可以判断晶体三极管的动态参数。
除了上述常见的检测方法外，还可以使用其他更专业的测试仪器，如晶体三极管参数测试仪、半导体分析仪等，来进一步测试和分析晶体三极管的性能和特性。
在进行任何测试时，应确保采取适当的安全措施，避免损坏晶体三极管或相关仪器。
检测绝缘栅极双极型晶体管好坏的办法
检测绝缘栅极双极型晶体管好坏的办法一、静态测试1、测试整流电路：找到变频器内部直流电源的P端和N端，将万用表调到电阻X10档，红表棒接到P，黑表棒分别依到R、S、T，应该有大约几十欧的阻值，且基本平衡。
相反将黑表棒接到P端，红表棒依次接到R、S、T，有一个接近于无穷大的阻值。
将红表棒接到N端，重复以上步骤，都应得到相同结果。
如果有以下结果，可以判定电路已出现异常，A.阻值三相不平衡，可以说明整流桥故障。
B.红表棒接P端时，电阻无穷大，可以断定整流桥故障或起动电阻出现故障。
2、测试逆变电路变频器供应：将红表棒接到P端,黑表棒分别接U、V、W上，应该有几十欧的阻值，且各相阻值基本相同，反相应该为无穷大。
将黑表棒接到N端，重复以上步骤应得到相同结果，否则可确定逆变模块故障二、动态测试变在静态测试结果正常以后，才可进行动态测试，即上电试机。
在上电前后必须注意以下几点:1、上电之前，须确认输入电压是否有误，将380V电源接入220V 级变频器之中会出现炸机（炸电容、压敏电阻、模块等）。
2、检查变频器各接播口是否已正确连接,连接是否有松动,连接异常有时可能导致变频器出现故障,严重时会出现炸机等情况。
3、上电后检测故障显示内容,并初步断定故障及原因。
4、如未显示故障,首先检查参数是否有异常,并将参数复归后,进行空载(不接电机)情况下启动变频器,并测试U、V、W三相输出电压值。
如出现缺相、三相不平衡等情况，则模块或驱动板等有故障5、在输出电压正常（无缺相、三相平衡）的情况下，带载测试。
测试时，最好是满负载测试。
三、故障判断1、整流模块损坏一般是由于电网电压或内部短路引起。
在排除内部短路情况下，更换整流桥。
在现场处理故障时，应重点检查用户电网情况，如电网电压，有无电焊机等对电网有污染的设备等。
2、逆变模块损坏一般是由于电机或电缆损坏及驱动电路故障引起。
在修复驱动电路之后，测驱动波形良好状态下，更换模块。
在现场服务中更换驱动板之后，还必须注意检查马达及连接电缆。
晶体管(三极管)识别与检测
认识晶体管
• 晶体管（transistor）是最常用的固体半导 体器件之一。具有检波、整流、放大、开关、 稳压、信号调制等多种功能，通常在开关、 放大、混频电路中被使用。 • 晶体管有三个极：双极性晶体管的三个 • 极，分别由N型跟P型组成发射极 （Emitter）、基极(Base) 和集电极 （Collector）
三极管输入特性曲线
三极管输出特性曲线
晶体管分类
• 晶体管可以按照其材料、工艺、电流容量、 工作频率、封装结构、功能和用途进行分 类。 • 常见的晶体管种类有：半导体晶体管、电 力晶体管、光晶体管、双极晶体管、双极 结型晶体管 、场效应晶体管、静电感应晶 体管、单电子晶体管、绝缘栅双极晶体管 等。
三极管结构
三极管主要参数
• • • • • 三极管直流参数 三极管交流参数 三极管极限参数 三极管输入特性曲线 三极管输出特性曲线
三极管直流参数
• （1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时， 基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流， 它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基 极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的 Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的 Icbo则非常小，是毫微安级。 • （2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0） 时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。 Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)IcbooIcbo和Iceo受温度影响 极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越 稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。 • （3）发射极---基极反向电流Iebo集电极开路时，在发射极与基 极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结 的反向饱和电流。 • （4）直流电流放大系数β1（或hEF）这是指共发射接法，没有 交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流 的比值，即：β1=Ic/Ib
晶体管图示仪使用方法
审核/日期----- 版次A/O批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次1/4QT2晶体管图示仪使用方法一、晶体管图示仪测试范围：三极管/二极管/场效应管/可控硅等。
二、使用方法：1、先将图示仪电源开关打开，十分钟后便可开始检测。
a、反向击穿电压的检测：Vcbo 集电极/基极间电压（发射极开路）Vebo 发射极/基极间电压（集电极开路）Vceo 集电极/发射极间电压（基极开路）Vcer 集电极/发射极间电压（基极与发射极间电阻连接）Vces 集电极/发射极间电压（基极与发射极间短路）2、根据被测三极管的极性选择NPN/PNP 。
被测的BCE各极按照上表所示进行连接（开路可直接悬空）3、Y偏转放大器的电流/度（集电极电流）开关至于较小挡，无特殊要求一般置于100/uA度挡级。
4、X偏转放大器的电压/度U0根设定合适的挡。
5、无特殊要求将集电极功耗电阻至于10K~100K之间的任意挡级。
6、集电极电压至于合适的档级（根据被测管的参数而定），峰值电压初始为0 ，测试时按顺时针方向适当的加大。
7、读出数值并记录、比较，要求所测值必须大于晶体管额定值。
审核/日期------ 版次A/O批准/日期QT2晶体管图示仪使用方法页次2/4QT2晶体管图示仪使用方法b、V CE----I C特性测试:(集、射极电压/集电极电流)1、根据集电极、基极的极性选择开关置于NPN/PNP，并将开关置于常态。
如基极需要反相时可置于“倒置”。
2、按照被测管的管脚CBE的排列对应插入测试盒中。
3、查看被测管的参数，将Y电流/度置于I C合适的档级，X电压/度置于U C合适档级。
4、选择A/B测试盒,并将开关置于所要测试的一边。
5、调整光标的位置，使其停在左下方（NPN）或右上方（PNP）的零点开始。
6、选择合适的阶梯幅度/级开关置于电流/级的某一挡（一般至于较小挡级，再逐渐加大致要求值）。
7、选择合适的集电极功耗电阻，电阻值的确定可根据负载线的要求或保护被测管的要求选择。
NPN与PNP的区别
一.PNP与NPN 晶体管的检测方法NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
方法一：鉴别基极B将数字万用表拨至二极管档，红表笔固定任接某个引脚，用黑表笔依次接触另外两个引脚，如果两次显示值均小于1V或都显示溢出符号“1”，则红表笔所接的引脚就是基极B。
如果在两次测试中，一次显示值小于1V，另一次显示溢出符号“1”，表明红表笔接的引脚不是基极B，此时应改换其他引脚重新测量，直到找出基极B为止。
区分NPN管与PNP管使用数字万用表的二极管档。
按上述操作确认基极B之后，将红表笔接基极B，用黑表笔先后接触其他两个引脚。
如果都显示0.500～0.800V，则被测管属于NPN型；若两次都显示溢出符号“1”，则表明被测管属于PNP管。
方法二：判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测管子为PNP型三极管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管如9013，9014,9018。
小注：使用数字万用表的二极管档测量二极管的正向压降，这时读数的单位是mV。
例如，用该档检测2AP3型二极管的正向压降，显示为“352”，即表示352mV或0.352V（此管为锗管）。
用该档检测IN4007型二极管时，正向显示为“509”，即表示正向压降为509mV或0.509V （此管为硅管）。
数字万用表的二极管档,还可以用来检测电路是否短路。
二、常见三极管之——9013 、 90129013三极管9013是一种NPN型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，它是NPN型小功率三极管。
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪使用方法晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
晶体管测试仪可以帮助我们了解晶体管的工作状态和参数，从而判断其是否正常工作，以及是否符合设计要求。
下面是晶体管测试仪的使用方法的详细介绍。
首先，使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料。
除了晶体管测试仪本身外，还需要晶体管样品和连接晶体管的测试电路。
同时还需要一些测试引线和测试探头。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要确保仪器和测试电路的电源已经连接好，并检查各个连接口和电源线是否牢固。
接下来，我们可以按照以下步骤来使用晶体管测试仪。
第一步是将待测的晶体管样品插入晶体管测试仪的测试插槽中。
在插入之前，需要先检查晶体管的引脚是否正确对应测试插槽的引脚。
插入晶体管后，要确保其引脚与测试插槽的引脚有良好的接触。
接下来，我们可以选择所需的测试模式和测量范围。
晶体管测试仪通常具有多种测试模式和测量范围可供选择，以适应不同类型和参数的晶体管。
通过仪器面板上的旋钮或按钮，我们可以选择所需的测试模式和测量范围，并通过仪器上的显示屏来查看测试结果。
在选择测试模式和测量范围之后，我们需要根据具体的测试要求和参数设置一些测试条件。
例如，我们可以设置测试的输入电压或电流的大小，以及测试的频率范围等。
这些测试条件可以通过仪器上的按钮或旋钮进行设置。
接下来，我们可以启动晶体管测试仪，并进行测试。
在测试过程中，我们需要仔细观察仪器上显示的测试结果，并记录下来。
同时，我们还可以通过仪器上的其他功能和参数来了解晶体管的更多信息，如输出功率、增益、频响等。
最后，在测试完成后，我们需要通过仪器上的按钮或旋钮来停止测试，并将测试结果进行保存和记录。
同时，还需要将晶体管从测试插槽中取出，并确保其他连接线和测试电路的电源已经关闭。
总结一下，晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料，并确保仪器和测试电路的电源已经连接好。
如何检测光敏三极管
光敏晶体管原称光电三极管。光敏晶体管是靠光的照射强弱来控制电流的器件。它呵等效看作一个光敏二极管与一只晶体管的结合，所以它具有放大作用，
光敏晶体管的检测可从外观上检查，靠近管键（凸起）或较长的一个引脚是发射极e，离管键较远或较短的另一引脚是集电极c×1 kΩ档，两表笔正、反向各测两引脚一次，所测的阻值应均为无穷大。对于NPN 型管子，红表笔接发射极e，黑表笔接集电极c，移去遮光布，这时表针应向右偏转，阻值由无穷大向阻值小的方向偏转至15～35 kΩ 左右，则说明光敏晶体管是正常的。偏转的角度越大，其灵敏度越高。若表针没有偏转仍在无穷处或阻值为零，说明该管已开路或短路损坏。
万用表检测晶体管
用机械万用表检测晶体管万用表粗测晶体管时，万用表应置于电阻档，其等效电路如图1中虚线框内所示，其中以R0为等效内阻，U0为表内电压源。
当万用表置于R×1、R×100、R×1k档时，U0＝1.5V。
1、测二极管万用表置R×lk档，两表笔分别接二极管的两极，若测得的电阻较小(硅管数干欧、锗管数百欧)，说明二极管的PN结处于正向偏置，则黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
反之二极管处于反向偏置时，呈现的电阻较大(硅管约数百千欧以上，锗管约数百干欧)，则红表笔接的是正极，黑表笔接的是负极。
若正反向电阻均为无穷大或均为零或比较接近，说明二极管内部开路或短路或性能变差。
图1 测二极管由于发光二极管不发光时，其正反向电阻均较大且无明显差异，故一般不用万用表判断发光二极管的极性。
常用的办法是将发光二极管与一数百欧(如330欧) 电阻串联，然后加3V一5V的直流电压，若发光二极管亮，说明二极管正向导通，则与电源正端相接的为正极，与负端相接的为负极。
如果二极管反接则不亮。
要特别说明的是，不少人测试发光二极管的方法不正确。
如用9V层叠电池直接点亮发光二极管，虽然可正常点亮，但这种作法在理论上是完全错误的。
发光二极管的外特性与稳压二极管相同，导通时其端压为1.9V左右（5mm)。
当它与电源相连时，回路中必须设置限流电阻，否则一旦外加电压超过导通压降，将由于过流而损坏。
直接用层叠电池点亮时可正常点亮不损坏发光二极管，是因为层叠电池有较大的内阻，正是内阻起到了限流作用。
如果用蓄电池或稳压电源直接点亮发光二极管，则由于内阻小，无法起到限流作用，顷刻将发光二极管烧毁。
稳压二极管与变容二极管的PN结都具有正向电阻小反向电阻大的特点，其测量方法与普通二极管相同。
但须注意：稳压二极管的反向电阻较普通二极管小。
2、测晶体三极管利用万用表可以判别三极管的类型和极性，其步骤如下：①判别基极B和管型时万用表置月×lk 档，先将红表笔接某一假定基极B，黑表笔分别接另两个极，如果电阻均很小(或很大)，而将红黑两笔对换后测得的电阻都很大(或很小)，则假定的基极是正确的。
晶体管的检测及其管脚的判别
三极管的检测及其管脚的判别2009-11-25 19:55:58| 分类：学习篇| 标签：|字号大中小订阅使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程)现在数字式的万用表已经是很普及的电工、电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。
但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管。
我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。
以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。
大家不妨试试看是否好用或是否正确，如有意见或问题可以发信给我。
手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN管。
图1三极管我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。
其形式就像下图。
中间的是基极（B极）。
图2三极管的内部形式首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。
看上图可知，对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。
这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，看图3。
对于PNP 管，当黑表笔（连表内电池负极）在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0.5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数（一般为1）。
对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。
从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。
图3万用表的二极管测量档图4判断BC337的B极和管型(1)图4判断BC337的B极和管型(2)找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。
如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了，甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的。
而利用数字表的三伋管hFE档（hFE 测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性，我自己则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。
把万用表打到hFE档上，BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母。
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晶体管的检测方法1、检测小功率晶体二极管A、判别正、负电极(a)、观察外壳上的的符号标记。
通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。
(b)、观察外壳上的色点。
在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。
一般标有色点的一端即为正极。
还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。
(c)、以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。
B、检测最高工作频率fM。
晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，实用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以区分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。
另外，也可以用万用表R×1k挡进行测试，一般正向电阻小于1k的多为高频管。
C、检测最高反向击穿电压VRM。
对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。
需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。
一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。
2、检测玻封硅高速开关二极管检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。
不同的是，这种管子的正向电阻较大。
用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5k～10k，反向电阻值为无穷大。
3、检测快恢复、超快恢复二极管用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。
即先用R×1k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5k左右，反向电阻为无穷大；再用R×1挡复测一次，一般正向电阻为几欧，反向电阻仍为无穷大。
4、检测双向触发二极管A、将万用表置于R×1k挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。
若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。
测试电压由兆欧表提供。
测试时，摇动兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。
然后调换被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。
最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。
5、瞬态电压抑制二极管(TVS)的检测A、用万用表R×1k挡测量管子的好坏对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4kΩ左右，反向电阻为无穷大。
对于双向极型的TVS，任意调换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无穷大，否则，说明管子性能不良或已经损坏。
6、高频变阻二极管的检测A、识别正、负极高频变阻二极管与普通二极管在外观上的区别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为浅色。
其极性规律与普通二极管相似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。
B、测量正、反向电阻来判断其好坏具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R×1k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5k～5.5k，反向电阻为无穷大。
7、变容二极管的检测将万用表置于R×10k挡，无论红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。
如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。
对于变容二极管容量消失或内部的开路性故障，用万用表是无法检测判别的。
必要时，可用替换法进行检查判断。
8、单色发光二极管的检测在万用表外部附接一节1.5V干电池，将万用表置R×10或R×100挡。
这种接法就相当于给万用表串接上了1.5V电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。
检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。
若管子性能良好，必定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。
9、红外发光二极管的检测A、判别红外发光二极管的正、负电极。
红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。
因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清晰可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。
B、将万用表置于R×1k挡，测量红外发光二极管的正、反向电阻，通常，正向电阻应在30k左右，反向电阻要在500k以上，这样的管子才可正常使用。
要求反向电阻越大越好。
10、红外接收二极管的检测A、识别管脚极性(a)、从外观上识别。
常见的红外接收二极管外观颜色呈黑色。
识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。
另外，在红外接收二极管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一端的引脚为负极，另一端为正极。
(b)、将万用表置于R×1k挡，用来判别普通二极管正、负电极的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一大一小。
以阻值较小的一次为准，红表笔所接的管脚为负极，黑表笔所接的管脚为正极。
B、检测性能好坏。
用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，即可初步判定红外接收二极管的好坏。
11、激光二极管的检测A、将万用表置于R×1k挡，按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。
但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针仅略微向右偏转而已，而反向电阻则为无穷大。
三极管的检测方法1、中、小功率三极管的检测A、已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a)、测量极间电阻。
将万用表置于R×100或R×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。
其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。
但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。
(b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。
ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。
而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。
通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计IC EO的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡，对于PNP管，黑表管接e 极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。
要求测得的电阻越大越好。
e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。
一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。
(c)、测量放大能力(β)。
目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。
先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。
另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。
B、检测判别电极(a)、判定基极。
用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。
当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。
黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，则被测三极管为NPN型管。
(b)、判定集电极c和发射极e。
(以PNP为例)将万用表置于R×100或R×1 k挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。
在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接管脚为发射极。
C、判别高频管与低频管高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。
D、在路电压检测判断法在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断其好坏。
2、大功率晶体三极管的检测利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用。
但是，由于大功率三极管的工作电流比较大，因而其PN结的面积也较大。
PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。
所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R×1k挡测量，必然测得的电阻值很小，好像极间短路一样，所以通常使用R×10或R×1挡检测大功率三极管。
3、普通达林顿管的检测用万用表对普通达林顿管的检测包括识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。
因为达林顿管的E－B极之间包含多个发射结，所以应该使用万用表能提供较高电压的R×10k挡进行测量。
4、大功率达林顿管的检测检测大功率达林顿管的方法与检测普通达林顿管基本相同。
但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等保护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以区分，以免造成误判。
具体可按下述几个步骤进行：A、用万用表R×10k挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。
正、反向电阻值应有较大差异。
B、在大功率达林顿管B－E之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。
用万用表电阻挡检测时，当正向测量时，测到的阻值是B－E结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1＋R2)电阻之和，大约为几百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。
但需要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1＋R2)之和，而是(R1＋R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。
5、带阻尼行输出三极管的检测将万用表置于R×1挡，通过单独测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常。