晶硅太阳能电池少子寿命的测试问题
少子寿命测试方法
合部分与过剩载流子浓度的关系不是简单的线性关
系， 而从（ ２） 中可以知道， Ｊｏｅ 与过剩载流子浓度成线 性关系， 因此可以通过在不同的载流子浓度下测试
少子有效寿命的方法来得到 Ｊｏｅ 的值， 这种方法在高 注入情况下尤其有效。
当片子在只有一面扩散（ 通过饱和电流密度 Ｊｏｅ 来表征） ， 而另外一面没有进行扩散（ 通过表面复合
了材料的电导随着光照的变化。利用光电导测量少
子寿命的方法有几种。所有的技术都是无接触的， 工
作原理就是光激发产生过剩载流子， 这些过剩载流
子在样品的暗电导基础上产生额外的光电导， 载流
子浓度的变化导致了半导体的电导 σ的变化：
ΔσＬ＝（ μｎΔｎ＋μｐΔｐ） ｑＷ＝ｑΔｎ（ μｎ＋μｐ） Ｗ
（ ３）
态光电导方法（ ＱＳＳＰＣ） ：
τｅｆｆ ＝ Ｇ（
Δｎ（ ｔ） －
ｔ） "Δｎ
（ ６）
"ｔ
ＱＳＳＰＣ 包含了以上两种 ＰＣＤ 方法的优点， 特别是它
可以非常准确地测试短和长寿命。实际上， 瞬态和稳
态 ＰＣＤ 是两个光电导随着时间衰减的特殊例子， 是
可以应用于载流子寿命独立于光脉冲宽度情况下的
分析方法。瞬态和准稳态方法常用在测试半导体的
图 １ 微波反射测试系统示意图
假设光注入处于小注入时， 认为测量得到的微
波反射信号正比于样品电导率， 对微波反射功率 Ｐ
与电导 σ之间的关系进行一级泰勒级数展开：
样品的有效寿命的表达式［１］：
１ － １ ＝ １ ＋ Ｓｆｒｏｎｔ ＋Ｓｂａｃｋ
τ τ τ ｅｆｆ
ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ
ＳＲＨ
Ｗ
（ １）
式 中 ， τｅｆｆ 为 有 效 寿 命 ， τｉｎｔｒｉｎｓｉｃ 为 体 硅 材 料 的 本 征 寿
太阳能电池用多晶硅材料少数载流子寿命的测试
太阳能电池用多晶硅材料少数载流子寿命的测试邵铮铮;李修建;戴荣铭【摘要】The minority carrier lifetime in p-typed polycrystalline silicon used for solar cells was tested by the high frequency photoconductivity decay method,and the influence of photo injection intensity on the testing re-sult was analyzed in detail. The results show that the decay curve is not exponential damping in a wide area near the peak point,until the signal fade down to lower than half value. In addition,the measured value of the minority carrier lifetime is reduced when reinforcing the photo injection intensity. Based on the surface recom-bination effect and grain boundary recombination effect of the non-equilibrium carriers, we interpreted this physical phenomenon appropriately.%采用高频光电导衰退法测试了太阳能电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命，细致分析了光注入强度对测试结果的影响。
结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减，当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律，且随着光注入强度增大，少子寿命的测量结果显著减小。
微波反射测晶硅少子寿命方法
太阳能电池用多晶硅材料少数载流子寿命的测试
材料时， 价 带上 的 电子 就有 可能 被 激 发 到 导 带 能 级上 ， 使得 导带 电子 及价 带空 穴数 目增 加 ， 半 导 体
材 料 的 电导 率 发 生 变 化 ， 形 成 光 电 导 现象 。假 设
几 ０和 Ｐ 。 分别 表 示 光 照 前平 衡 状 态 下 的 电子 和 空 穴 浓度 ， △ ｎ、 Ａ ｐ表 示 由于 光 照 新 产 生 的 电子 和
中 图分 类号 ： Ｔ Ｎ ３ ０ ４
多 晶硅是 生 产单 晶硅 的直 接 原料 ， 也 是 一 种
极 为重 要 的优 良半 导 体 材 料 ， 在 半 导体 器 件 和 太
阳能 电池 方面有 着很 大 的需求 。多 晶硅太 阳电池
１ 光 电导 衰 退 法 测 量 少 子 寿 命 的实 验 原 理
空穴 浓度 ， 则在光照情况下载流子的浓度变为 凡 ＝凡 。＋△ｎ， Ｐ ＝Ｐ 。＋Ａ ｐ。假 如半导 体材 料 是本 征 的， 或半 导体 材 料 中 的施 主和 受 主 已经饱 和 电 离， 则有 △ ｎ ＝△ ｐ。 光 注入 引起 非平 衡 载流子 后 由于 载流 子 的浓
高＿ ２ 引。但 是 ， 多 晶硅 中存 在大 量 的微 缺 陷 ， 以及 较 多 的铜 、 铁、 镍 等金 属 杂 质 ， 这些 微 缺 陷 和金 属 杂质形 成 一些深 能 级 ， 成 为 光 生 非平 衡 载 流 子 的
太 阳 能 电池 用 多 晶 硅 材 料 少 数 载 流 子 寿 命 的测 试
邵铮铮 ， 李修 建 ， 戴 荣铭
（ 国防科技大学 ， 湖南 长沙 ４ １ ０ ０ ７ ３ ）
摘
光电导衰退法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命
实验的原理框图见 12-1，从图看出， 高频源提供的高频电流流经被测样品。
当氙光源或红外光
源的脉冲光照射被测样 被
测
品时，单晶硅光照表面以 硅
单
及光贯穿深度范围内将 晶
高频源 脉冲光源
产生非平衡光生载流子，
这将使得样品产生附加
光电导，使样品的总电阻
取 样
下降。当高频信号源为恒
器
压输出时，流过样品的高
△v=△v。exp(-t/τ)
此调幅，高频信号经过检波器解调和高频滤波再由宽带放大器放大，输入到脉冲示波器， 在
示波器荧屏上就会显示出一条按指数规律衰减的曲线，衰退的时间常数 τ 就是欲测的寿命 值。实测结果表明：△v 的衰减并不是理想的指数衰减曲线，往往在光照消失后的最初阶 段偏离理想曲线，通过观察可知，当信号衰减了 40-50%以后，实际曲线就与理想曲线(指
调节同步示波器的 y 轴衰减以及扫描速率使仪器输出的波形与屏墓上的标准曲线尽 量吻合。此时即可根据时标打点。数读出该样品的寿命值。
每组对三块不同的寿命，不同电阻率的单晶样品进行测试。测试条件及测试结果填入
数据表内。
四、实验数据处理和分析
将实验数据填写下表中:
样品 电 阻 率 型号
氙灯
编号
（Ωcm）
（N 或 高 压 P）
同而异，因此精度稍差。
高频光电导衰退法是国际通用方法。 本实验采用这种方法来测量非平衡少子的寿命，
它的优点是样品无须切割为一定的几何形状，对样品的几何尺寸要求不太严格，测量时不
必制作欧姆电极，因此样品较少受到污染，测试方法也较为简单，缺点是仪器线路比较复
杂，受干拢也大些。
本实验的目的在于熟悉高频光电导衰退法的测量原理，熟悉测量设备， 掌握测量方法。
刘霄 利用电致发光测定晶体硅太阳能电池少子寿命-交大
利用晶硅太阳能电池片缺陷电致发光检测仪测定 少子寿命
晶硅太阳能电池片缺陷电致发光检测仪 上海学子科技创业有限公司
利用晶硅太阳能电池片缺陷电致发光检测仪测定 少子寿命
利用晶硅太阳能电池片缺陷电致发光检测仪，可以用于电池片的隐裂， 断栅，短路等缺陷检测，可以有效的发现硅片的扩散、钝化、网印及烧 结各个环节可能出现的问题。
利用电致发光测定太阳电池片少子寿命
面分布图对比
b c
b
c
a
EL图像 图像
a
利用 µ—PCD测量的少子寿命 测量的少子寿命
少子寿命与EL图像的灰度直方图 少子寿命与 图像的灰度直方图
少子寿命统计分布 少子寿命统计分布
EL图像的灰度直方图 EL图像的灰度直方图
利用电致发光测定太阳电池片少子寿命
少子寿命与EL发光强度
谢 谢！
Q&A
上海学子科技创业有限公司
组件EL检测 – 电池片EL检测 – 硅片电池检测
利用电致发光测定晶体硅 太阳能电池少子寿命
刘霄 沈文忠 王振 上海交通大学太阳能研究所 上海学子科技有限公司
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
主要内容
1.少子寿命与太阳能电池效率的关系 2.利用电致发光测定少子寿命的理论模型 3.利用晶硅太阳能电池片缺陷电致发光检测仪测定 少子寿命 4.实验结果分析 5.总结
少子寿命与太阳电池
非平衡(Δp)0载流子呈指数衰减 τ为载流子的复合寿命
电致发光图像即可以测定电池少子寿命的面分布， 电致发光图像即可以测定电池少子寿命的面分布，也可 计算其统计分布，用来表征电池的整体性能。 计算其统计分布，用来表征电池的整体性能。
通过对电池片电致发光的测试和参数的确定，可以定量 通过对电池片电致发光的测试和参数的确定， 测量电池片的少子寿命， 测量电池片的少子寿命，对太阳电池的工作效率进行评 判
多晶硅及硅片少子寿命的检测与分析
流 电场 ， 以电容耦 合代替 欧 姆接触 ， 以检测试 样上 电 流 的变 化代 替检 测样 品上 电压 的变化 。 不 光照时 ， 由 高频 源 产生 等 幅高 频 正 弦 电流 ， 通过试 样 与取 样 电
经宽 频放 大器 放 大后 输 入 到脉 冲 示 波器 ， 在 示 波器 上 可显 示 下 图的指 数 衰 减 曲线 ， 由 曲线就 可 获得 寿 命 值 。高 频光 电导 的基本 原理 如下 图所 示 ：
校准， 将这 些 干扰 因素降 低到最 低 的限度 。
２ 微 波光 电导 检测 方法 与原理 ［ ２
阻 Ｒ， 在 取样 电阻 两端 产 生 高 频 电压 。试 样受 光 照 时， 产 生附加 光 电导 ， 流 过试样 到 取样 电阻Ｒ 的高频 电流 幅值 也 相应 增 加 。光 照 停止 后 ， 在 小 注入 条件
下， 附 加光 电导按 指数规 律衰 减 ， 高频 电流 幅值增加
部分指 数 规律 衰 减 ， 取 样 电阻 上形 成 的 高频调 幅信
影响、 注入 量 的影 响 、 光伏 效应 的影 响 、 光 源波长 、 电
△Ｖ ＝ △Ｖ ０ ｅ ｉ
场、 温度 、 杂质 复合 中心 的影 响、 滤 光的影 响等 。 受这 些 干扰 因素 的影 响 ， 在 检 测 的过 程 中需 要 作相 应 的
此 调 幅高 频信 号 经 检 波器 解 调 和 高频 滤 波 ， 再
冲 电或 闪光 在半 导 体 中激发 出非 平衡 载 流 子 ， 改变
半 导体 的体 电阻 ， 通 过 测 量体 电阻 或两 端 电压 的变 化 规律直 接获得半 导体 材 料 的寿命 。这类 方法 包括
太阳级硅材料少子寿命测试技术与仪器_图文_图文
- 少子寿命测试的方法
• 测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。最 常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方 法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变 化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法, 如: 直流光电导 衰减; 高频光电导衰减; 表面光电压; 微波光电导衰减等
trapping effects. Measurement of bulk lifetime is only possible with bias light due to surface damages introduced during nitride film deposition.
Lifetime measurement on nitrid coated samples
多功能扫描系统，可选配：
u-PCD / carrier lifetime （少子寿命） SPV / diffusion length （扩散长度） LBIC / photovoltaic response （光诱导电流） bias light for all aboves （各种偏置光） reflectance / efficiency loss （反射率测试） eddy current resistivity （电阻率测试） thickness and thickness variation （厚度测试） Non-contact sheet resistance （方块电阻测试)
acts like natural sunlight and provides investigation of carrier lifetime under working conditions.
In case of nitrid passivated silicon wafers bias light is necessary for compensating
49-利用碘酒钝化测量晶体硅体少子寿命
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池）利用碘酒钝化测量晶体硅体少子寿命*陈静伟 赵 雷 刁宏伟 闫保军 周 素 汤叶华 王 革 王文静中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室, 中国科学院电工研究所, 北京 100190摘要摘要：：利用微波光电导衰减法（µPCD ）测量晶体硅的有效少子寿命τeff ，采用不同浓度(0.04mol/L~0.4mol/L)的碘酒溶液分别对n 型CZ 硅片和p 型CZ 硅片进行钝化，结果表明：碘酒溶液浓度在0.08mol/L~0.16 mol/L 时，对硅片钝化最为有效，测量有效少子寿命τeff 最高，n 型硅片为973.71µs ，p 型硅片为362.6µs ；之后采用0.08mol/L 的碘酒溶液对硅片进行钝化，测量了有效少子寿命随时间的衰减规律；并通过对碘酒溶液钝化不同厚度硅片后的有效少子寿命τeff 的测量结合理论计算，获得了硅片的体少子寿命τb 。
关键词关键词：：有效少子寿命；体少子寿命；微波光电导衰减法；碘酒钝化*项目资助：国家863高技术研究发展计划（2011AA050502），国家973重点基础研究计划（2011CBA00705） 作者简介：陈静伟, 博士研究生, 从事硅异质结太阳电池研究, Email: chenjingwei@1 引言在晶体硅太阳电池制备过程中，晶体硅体少子寿命(τb )是硅材料的一项重要参数。
体少子寿命(τb )直接影响着太阳电池的转换效率，同时通过测量硅片的少子寿命可以评价原材料质量和控制工艺过程[1,2]。
常用的测量晶体硅的方法有：微波光电导衰减(µ-PCD)， 准稳态光电导方法 ( QSSPC)，表面光电压 ( SPV)，IR 浓度载流子浓度成像 ( CDI ) , 调制自由载流子吸收 ( MFCA) 和光束 ( 电子束) 诱导电流 ( LBIC, EBLC) 等方法[3]。
太阳级硅材料少子寿命测试技术与仪器PPT学习教案
The use of bias light (continuous halogen lamp illumination) in solar cell measurement
acts like natural sunlight and provides investigation of carrier lifetime under working conditions.
60
58
56 l=980nm
54
52
51.0%
63.5%
2.6ms
4.3ms
50
2.5
2.7
2.9
3.1
3.3
3.5
3.7
3.9
4.1
4.3
Lifetime [µs]
第10页/共17页
- 少子寿命对转化效率的影响
Effective lifetime has a direct influence on solar cell efficiency. If the effective lifetime is large enough than efficiency is larger for smaller surface recombination velocity (Sn).
d2
2D
S1, S2: 两个表面的复合速率
d:ห้องสมุดไป่ตู้
样品厚度
D:
扩散系数
第5页/共17页
样品表面钝化方法介绍
1、化学钝化－碘酒法
- HF (5%)+ HNO3(95%) 去除表面损伤层 - 样品如放置较长时间，需HF 去除表面自然氧化层 - 样品用碘酒(0.2-5%)浸泡在塑料袋中测试
2.高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命概要.
实验2 高频光电导衰退法测量硅单晶少子寿命1． 实验目的掌握一种测量硅单晶少子寿命的方法。
2． 实验内容用高频光电导衰退法测量硅单晶棒或单晶片的少子寿命。
3． 实验原理3.1 直流光电导衰退法直流光电导衰退法是根据恒定电流作用下半导体样品的光电导随时间衰减的特性来测量少子寿命的。
其测试简图见图1 。
图中，R 是被测半导体样品的体电阻，E 是直流电源，R C 是测试回路的限流电阻，且选择R R C >>，故可近似认为流过样品的电流I 恒定不变。
这样，用示波器记录光照停止后R两端电压随时间的变化就等同于记录R 随时间的变化，实际上也就是记录半导体中非平衡载流子浓度随时间的衰减的曲线，由此衰减曲线就可以得到单晶材料的少子寿命。
以N 型半导体为例，设样品暗电导率为0σ，光照下的电导率为σ，那么()100nq n μσ= ()20σσσ∆+=式（2）中，σ∆为附加光电导率。
假设光注入下非平衡载流子浓度为p n ∆∆,，若无明显的陷阱效应，近似有p n ∆=∆，所以附加光电导（σ∆）与非平衡少数载流子浓度（p ∆）之间有如下关系()()3p n pq μμσ+∆=∆ 在小注入条件下，近似有0σσ≈，故光照条件下电阻率的改变量为()411200σσσρ∆-≈-=∆相应电阻的改变量近似为()520σσρs l s l R ∆-=∆=∆式中s l ,分别为样品的长度和截面积。
将式（1）、（3）代入式（5），得到()600R n p R n p n ⋅+⋅∆-=∆μμμ式中，n q n R μ00=，它是无光照条件下半导体样品的体电阻。
于是，样品体电阻（R ）两端电压的改变量为()()7000V n p IR n p R I V n p n n p n μμμμμμ+∆-=+∆-=∆=∆把式（7）换一种写法，可以得到光照前后样品两端电压的相对变化与样品中少数载流子浓度之间的关系()80np n n p V V μμμ+∆-=∆式中V 为无光照时直流电流I 在样品上产生的电压降。
用开路电压法测硅太阳电池中少数载流子寿命
编号
效率/ %
少数载流子寿命/μs
脉冲信号发生器
纳秒激光器
1
9. 2
2
9. 5
19
17
21
12
3
10. 0
4
10. 4
46
43
53
52
5
5. 4
6
7. 0
12
10
14
12
7
10. 9
8
10. 6
43
42
41
39
对比以上的四类电池 ,发现无论是单晶电池还 是多晶电池 ,镀膜前后少数载流子寿命的变化都很 大 ,说明在 PECVD 镀膜过程中 Si H4 和 N H3 反应生 成的 H 原子对硅中的杂质和缺陷起着良好的钝化 作用 ,使电池的少子寿命得到较大的提高 ,从而转换 效率也增加 。其中对于镀膜后的单晶电池 ,少数载 流子寿命值与文献[ 6 ]中报道的结果相接近 。
本文利用两种光源通过 OCVD 方法测量了硅 太阳电池中的少子寿命 ,并分析了两种不同光源对 少子寿命测量结果的影响 。
1 理论
当一束脉冲光照到 n + p 半导体上时 ,在半导体 内将产生大量的光生载流子 ,从 n + 区注入到 p 区的 大量电子形成稳定的过剩少子Δn 。在脉冲光结束 后 ,积累在 p 区的过剩少子如同一个充电电容器 ,在 充电电源撤销后仍储存在电容器中的电荷将使样品 两端仍有电压存在[5 ] 。采用外加示波器 (探头电阻 不低于 10MΩ ,认为太阳电池处于开路状态) 探测太 阳电池上存在的电压 。由于开路状态下样品 p 区电 子只能通过复合来逐渐消失 ,因此 ,样品两端剩余电 压随时间下降的快慢 ,将反映过剩载流子在 p 区复 合的快慢 。通过示波器显示光电压的衰减速率 ,就 可推算出 p 区的少数载流子寿命 。
Session-2-8 汪雷--铸绽多晶硅少子寿命测试
适用于近表面区域Байду номын сангаас陷的观察
State Key Lab of Silicon materials
Electron beam
Schottky barrier
IEBIC
e-h pairs
GB
Ib Ig I
State Key Lab of Silicon materials
应用实例 应用实例
多晶硅锭检测
不同的曲线形状对应 不同的深能级以及浅 能级的SRH寿命
SRH寿命随少子注入强度的变化
State Key Lab of Silicon materials
电子束诱生电流（EBIC）
原理： 电子束在样品内激发出电子空穴对，在样 品结势场的作用下电子空穴分离，定向运 动并被收集。由于样品中各个部位复合强 度的不同，在二维EBIC图像上就表现为明 暗不同，即电流强度的不同
少子寿命 -物理意义
基本概念
少子: 非平衡载流子，少数载流子，少数非平衡载流子
如对p-Si而言，少子就是电子，对n-Si而言就是空穴 产生方式：光照或电注入
光照
左图：光照产 生非平衡载流 子的能带结构 示意图
State Key Lab of Silicon materials
少子寿命： 非平衡载流子的平均生存时间， 用τ表示
铸锭多晶硅少子寿命测试
报告人： 汪 雷 硅材料国家重点实验室 浙江大学，杭州
报告内容：
背景 少子寿命测试方法介绍 应用实例
State Key Lab of Silicon materials
背景 背景
单晶 多晶
晶体硅太阳电池是世界主流，10年内仍将占主导地位 晶体硅太阳电池是世界主流，10年内仍将占主导地位
晶体硅少数载流子寿命测定
晶体硅少数载流子寿命测定光电导衰减法本方法仅限于浙江协成硅业有限公司使用一、方法原理在两端面为研磨表面并具有欧姆接触的单一导电性号的半导体单晶试样上通一直电流，用示波器观察试样上的电压降。
对试样施一脉冲光，在试样中产生非平衡少数载流子，同时触发示波器扫描。
从脉冲光停止起电压衰减的衰减常数可由示波器扫描测得。
当试样中电导率调幅非常小时，所观察到的电压衰减等价于光生载流子的衰减，因此电压衰减的时间常数就等于非平衡少数载流子衰减的时间常数，少数载流子寿命即由该时间系数确定，用以下公式表示。
必要时，应消除缺陷效应和对表面复合及过量电导率调幅进行修正。
△V=△V oexp(-t/てF )式中：△V ——光电导电压，单位为伏特（V）；△V o ——光电导电压的峰值或初始值，单位为伏特（V）；t ——时间，单位为微秒（µs）；てF ————表观寿命，单位为微秒（µs）。
二、测量步骤1、高频光电导的使用1.1、开机前检查电源开关、电源开关是否处于关断状态：“0”处于低位，“1”在高位——关闭状态用随机配置的信号线连接。
拧紧寿命仪背板的保险管帽，插好电源线。
1.2、打开寿命仪电源开关即将电源开关“1”按下，此时“1”处于低位，“0”处于高位。
开关指示灯亮。
先在铂电极尖端点上两滴直来水，后将单晶放在电极上准备测量。
1.3开启脉冲官员开关光脉冲发生器为双电源供电，先按下光源“1”，此时“1”在低位，“0”在高位，寿命仪内脉冲发生器开始工作。
在顺时针方向拧响带开关电位器（光强调节），此时光强指示数字表在延时十秒左右（储能电容完成充电）数值上升。
测量数千欧姆·厘米的高阻单晶时，光强电压只要用到5V左右；测量数十欧姆·厘米的单晶可将电压加到10V左右。
测量几欧姆·厘米的单晶可将电压加到15V左右。
光强调节电位器顺时针方向旋转，脉动光源工作电压升高，光强增强，最高可调到20V，此时流经发光管的电流高达20A，因此不能在此条件下长期工作。
晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法
１引言光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。
当载流子连续产生时，在太阳能电池中，寿命的值决定了电子和空穴的稳定数量。
这些数目决定了器件产生的电压，因此它应该尽可能的高。
寿命的一个重要方面就是它直接与扩散长度Ｌｂ相关，Ｌｂ＝Ｄｂτｂ!，Ｄｂ是材料的扩散系数，τｂ是材料的体寿命，扩散长度就是这个平均载流子从产生的点到被收集点（ｐ－ｎ结）的平均距离。
由于晶体硅太阳电池性能主要决定于在电池体内和表面的电子－空穴复合，因此，在太阳能电池的研究内容中，最为重要的是准确地获得载流子复合参数的实验方法，测试体内的载流子寿命，表面复合速度等的大小。
在测试的少子寿命中，实际上是不同复合机制的综合结果，测试的少子寿命实际上是整个样品的有效寿命，它是发生在Ｓｉ片或者太阳能电池不同区域（体内、表面）的所有复合叠加的净结果，采用数学表达式能够将体内、表面各种复合机制对有效寿命的贡献分别呈现出来。
定义Ｓｉ片前后表面的复合速度为Ｓｆｒｏｎｔ，Ｓｂａｃｋ，Ｓｉ片的厚度为Ｗ，在认为载流子的浓度在整个片子中分布均匀的假设下，可以得到测试样品的有效寿命的表达式［１］：１τｅｆｆ－１τｉｎｔｒｉｎｓｉｃ＝１τＳＲＨ＋Ｓｆｒｏｎｔ＋ＳｂａｃｋＷ（１）式中，τｅｆｆ为有效寿命，τｉｎｔｒｉｎｓｉｃ为体硅材料的本征寿命，包含了俄歇和辐射复合寿命，τＳＲＨ是按照Ｓｈｏｃｋｌｅｙ－Ｒｅａｄ－Ｈａｌｌ模型［２］描述材料中的缺陷复合中心引起的少子复合寿命，它们是载流子注入大小的函数。
一般情况下，可以近似认为Ｓｆｒｏｎｔ，Ｓｂａｃｋ相同，因此在式（１）中的表面部分变为２ＳＷ。
为了得到材料的真实的体寿命值：τｂ（１τｂ＝１τｉｎｔｒｉｎｓｉｃ＋１τＳＲＨ）第３３卷第６期２００７年１１月中国测试技术ＣＨＩＮＡＭＥＡＳＵＲＥＭＥＮＴＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＶｏｌ．３３Ｎｏ．６Ｎｏｖ．２００７晶体硅太阳能电池少子寿命测试方法周春兰，王文静（中国科学院电工研究所，北京１０００８０）摘要：少数载流子寿命（简称少子寿命）是半导体晶体硅材料的一项重要参数，它对半导体器件的性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。
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少子寿命的测试问题
鉴于目前 Semilab 少子寿命测试已在中国拥有众多的用户，并得到广大用户的一致认可。
现就少子寿命测试中，用户反映的一些问题做出如下说明，供您在工作中参考：
1、Semilabμ-PCD 微波光电导少子寿命的原理微波光电导衰退法(Microwave photoconductivity decay)测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号的变化这两个过程。
904nm 的激光注入（对于硅，注入深度大约为30um）产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。
少子寿命主要反映的是材料重金属沾污及缺陷的情况。
Semilab μ-PCD 符合ASTM 国际标准F 1535 - 00
2、少子寿命测试的几种方法
通常少数载流子寿命是用实验方法测量的，各种测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。
最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法。
近30 年来发展了数十种测量寿命的方法，主要有：直流光电导衰退法；高频光电导衰退法；表面光电压法；少子脉冲漂移法；微波光电导衰减法等。
对于不同的测试方法，测试结果可能会有出入，因为不同的注入方法，表面状况的不同，探测和算法等也各不相同。
因此，少子寿命测试没有绝对的精度概念，也没有国际认定的标准样片的标准，只有重复性，分辨率的概念。
对于同一样品，不同测试方法之间需要作比对试验。
但对于同是Semilab 的设备，不论是WT-2000 还是WT-1000，测试结果是一致的。
μ-PCD 法相对于其他方法，有如下特点：
（1）无接触、无损伤、快速测试
（2）能够测试较低寿命
（3）能够测试低电阻率的样品（最低可以测0.01ohmcm 的样品）
（4）既可以测试硅锭、硅棒，也可以测试硅片，电池
（5）样品没有经过钝化处理就可以直接测试
（6）既可以测试P 型材料，也可以测试N 型材料
（7）对测试样品的厚度没有严格的要求
（8）该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法
3、表面处理和钝化的原因
μ-PCD 测试的是少子有效寿命，它受两个因素影响：体寿命和表面寿命。
测试的少子寿命可由下式表示
τdiff 为少子从样品体内扩散到表面所需时间。
τsurf 为由于样品表面复合产生的表面寿命，τmeas为样品的测试寿命， d 为样品厚度， Dn，Dp 分别为电子和空穴的扩散系数；S 为表面复合速度。
由式（3-01）可知，表面寿命对测试寿命有很大影响，使其偏离体寿命，图3-02 是体寿命与测试寿命的关系。
在样品厚度一定的情况下，即扩散寿命一定，如果表面复合速率很大，则在测试高体寿命样品时，测试寿命值与体寿命值就会偏差很大；而对于低体寿命的样品，不会使少子寿命降低很多。
因此我们需对样品表面进行钝化，降低样品的表面复合速率。
从图3-02 我们可以看到，对于表面复合速率S 为1cm/s，或10cm/s 的样品，即使在1000μs 数量级的体寿命，测试寿命还是与体寿命偏差很小。
即当样品的表面复合速率为10cm/s 或更小的情况下，对于1000μs 数量级高体寿命的样品，测试寿命也能用来表示体寿命。
总结：
（1）为了使测试的有效寿命趋向于体寿命，我们要尽量减少表面寿命的影响，为此我们推荐使用表面钝化的方法，通常的钝化方法有热处理，化学钝化及硅片表面电荷沉积等方法。
（2）对于太阳能领域，因材料表面不做抛光处理，所以我们推荐使用化学钝化的方法。
（3）在体寿命较高，而表面寿命较低的情况下，化学钝化后测试寿命有较大提高，测试寿命更加趋向
于体寿命。
（4）在体寿命较低的情况下，比如<3μs，化学钝化前后寿命值不会明显变化，可以认为此时测试寿命
即为体寿命。
4、表面处理和钝化的方法
为了有效减少表面复合，我们推荐下面的处理和钝化方法，供用户参考：使用化学钝化前，对于不同的样品，需要不同的处理方法，主要是为了减少表面损伤层的影响：
（1）对于抛光过或表面特别均匀的腐蚀过，而且是表面没有氧化层的样片, 无需预先处理
（2）对于抛光过或表面特别均匀的腐蚀过，表面有氧化层的样片，在化学钝化前需要HF 处理。
方法如下：在 5% HF 中浸泡一段时间，时间的长短取决于氧化层的厚度，如20A 的氧化层，需要30 S; 500-2000A 的氧化层需要5-10 分钟。
（3）对于表面有损伤，或粗糙表面的样片（太阳能级样品大都属此列），需要预先处理：
在 HF+HNO3 （95%HNO3 + 5% HF）中浸泡1 分钟
在经过预先处理之后，就可以使用碘酒的钝化处理方法，具体方法在设备安装时均已介绍，这里不再详述。
碘酒浓度：0.2-5%, 推荐1 升乙醇配10 克碘。
请注意：不要将碘酒滴在样片表面直接测试，因碘酒易挥发到探头上，从而影响探头的信号。